JPH05232012A - 微粒子測定装置 - Google Patents
微粒子測定装置Info
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- JPH05232012A JPH05232012A JP4072626A JP7262692A JPH05232012A JP H05232012 A JPH05232012 A JP H05232012A JP 4072626 A JP4072626 A JP 4072626A JP 7262692 A JP7262692 A JP 7262692A JP H05232012 A JPH05232012 A JP H05232012A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光源ノイズを低減し、極めて小さい微粒子で
も確実に測定できる検出感度の良好な微粒子測定装置を
提供すること。 【構成】 光源としてシングルモード発振形半導体レー
ザ1を用いると共に、このシングルモード発振形半導体
レーザ1に内蔵されているレーザ光量センサ9の出力が
常に一定になるようにレーザ電流を制御すると共に、モ
ードホップを検出した時点でシングルモード発振形半導
体レーザ1の温度制御における設定温度を切換えるよう
にしている。
も確実に測定できる検出感度の良好な微粒子測定装置を
提供すること。 【構成】 光源としてシングルモード発振形半導体レー
ザ1を用いると共に、このシングルモード発振形半導体
レーザ1に内蔵されているレーザ光量センサ9の出力が
常に一定になるようにレーザ電流を制御すると共に、モ
ードホップを検出した時点でシングルモード発振形半導
体レーザ1の温度制御における設定温度を切換えるよう
にしている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
けるウエハの洗浄その他の用途に使用される超純水やク
リーンルームなどに使用される清浄空気など、流体中に
含まれた微粒子の大きさおよび量を測定する微粒子測定
装置に関する。
けるウエハの洗浄その他の用途に使用される超純水やク
リーンルームなどに使用される清浄空気など、流体中に
含まれた微粒子の大きさおよび量を測定する微粒子測定
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】前記微粒子測定装置として、例えば図3
に示したものが知られている。この図において、31はノ
ズルで、これがフローセル(図外)の内に試料流体Fを
噴出する。Lは半導体レーザ(図外)によって発生され
るレーザ光で、このレーザ光Lを集光レンズ32で集光し
て、試料流体Fの流速分布がほぼ均一になる径方向の中
心部に、その流動方向に対して垂直方向に照射するよう
に構成されている。Sは試料流体Fに照射されたレーザ
光Lの観測領域33を通過する微粒子から生じる散乱光、
34はこの散乱光Sの受光レンズで、その結像位置にスリ
ット板35が配置され、このスリット板35を通過した散乱
光Sを検出する光検出器(図外)が設けられている。
に示したものが知られている。この図において、31はノ
ズルで、これがフローセル(図外)の内に試料流体Fを
噴出する。Lは半導体レーザ(図外)によって発生され
るレーザ光で、このレーザ光Lを集光レンズ32で集光し
て、試料流体Fの流速分布がほぼ均一になる径方向の中
心部に、その流動方向に対して垂直方向に照射するよう
に構成されている。Sは試料流体Fに照射されたレーザ
光Lの観測領域33を通過する微粒子から生じる散乱光、
34はこの散乱光Sの受光レンズで、その結像位置にスリ
ット板35が配置され、このスリット板35を通過した散乱
光Sを検出する光検出器(図外)が設けられている。
【0003】この微粒子測定装置は、集光レンズ32で絞
ったレーザ光Lを試料流体Fの中心部に入射する。そし
て、試料流体Fに微粒子が含まれていると、その微粒子
にレーザ光Lが照射されて散乱光Sが生じるから、この
散乱光Sを受光レンズ34とスリット板35を介して光検出
器で検出することによって、前記微粒子の大きさおよび
量を測定するのである。
ったレーザ光Lを試料流体Fの中心部に入射する。そし
て、試料流体Fに微粒子が含まれていると、その微粒子
にレーザ光Lが照射されて散乱光Sが生じるから、この
散乱光Sを受光レンズ34とスリット板35を介して光検出
器で検出することによって、前記微粒子の大きさおよび
量を測定するのである。
【0004】前記従来の微粒子測定装置は、集光レンズ
32で集光したレーザ光Lの光軸と試料流体Fの流動方向
とが互いに垂直になるように構成されており、試料流体
Fに含まれた微粒子は、レーザ光Lを径方向に通過す
る。従って、試料流体Fに含まれた微粒子にレーザ光L
が照射されて生じる散乱光Sの光量を多くすることが困
難であるから、前記微粒子の可測粒径の下限が 0.1μm
程度である。
32で集光したレーザ光Lの光軸と試料流体Fの流動方向
とが互いに垂直になるように構成されており、試料流体
Fに含まれた微粒子は、レーザ光Lを径方向に通過す
る。従って、試料流体Fに含まれた微粒子にレーザ光L
が照射されて生じる散乱光Sの光量を多くすることが困
難であるから、前記微粒子の可測粒径の下限が 0.1μm
程度である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、微粒
子測定装置として、 0.1μm以下のごく小さい(例えば
0.1μm〜0.05μm)微粒子を検出することが要求され
てきている。このような要求に対しては、レーザ光とし
て高度にコヒーレントなものが必要となるところから、
レーザ光源としてシングルモード形半導体レーザを用い
ることが考えられる。しかし、この種の半導体レーザに
は、電流や温度変化によって発振波長が変化すると共
に、モード競合ノイズが生ずると云った問題点がある。
子測定装置として、 0.1μm以下のごく小さい(例えば
0.1μm〜0.05μm)微粒子を検出することが要求され
てきている。このような要求に対しては、レーザ光とし
て高度にコヒーレントなものが必要となるところから、
レーザ光源としてシングルモード形半導体レーザを用い
ることが考えられる。しかし、この種の半導体レーザに
は、電流や温度変化によって発振波長が変化すると共
に、モード競合ノイズが生ずると云った問題点がある。
【0006】そこで、前記ノイズ対策として、マルチモ
ード発振タイプの半導体レーザの使用することが考えら
れるが、次のような欠点がある。すなわち、マルチモー
ド発振タイプの半導体レーザは、これを低ノイズの条件
で使用すると、光量が低下しやすいと共に、より細いビ
ームを得ることが困難であると云った欠点がある。ま
た、他のノイズ対策として、マルチモード発振タイプの
半導体レーザを光源として用いると共に、差動検出ノイ
ズキャンセル法を適用する手法が試みられているが、光
学機構、光電変換素子、プリアンプにおけるゲインと位
相バランスを合わせる必要があり、その調整が極めて困
難である。
ード発振タイプの半導体レーザの使用することが考えら
れるが、次のような欠点がある。すなわち、マルチモー
ド発振タイプの半導体レーザは、これを低ノイズの条件
で使用すると、光量が低下しやすいと共に、より細いビ
ームを得ることが困難であると云った欠点がある。ま
た、他のノイズ対策として、マルチモード発振タイプの
半導体レーザを光源として用いると共に、差動検出ノイ
ズキャンセル法を適用する手法が試みられているが、光
学機構、光電変換素子、プリアンプにおけるゲインと位
相バランスを合わせる必要があり、その調整が極めて困
難である。
【0007】一方、光源としてシングルモード形半導体
レーザを用い、これに高周波を重畳させて駆動すること
により、マルチモードのレーザ光を発生させる手法があ
るが、この高周波重畳駆動方法によっても、低ノイズの
条件で使用すると、光量が低下しやすく、より細いビー
ムが得にくいと云った欠点がある。
レーザを用い、これに高周波を重畳させて駆動すること
により、マルチモードのレーザ光を発生させる手法があ
るが、この高周波重畳駆動方法によっても、低ノイズの
条件で使用すると、光量が低下しやすく、より細いビー
ムが得にくいと云った欠点がある。
【0008】このように、従来においては、光源ノイズ
を十分に低減させることができず、従って、粒子検出信
号にノイズが生ずることを避けられなかった。
を十分に低減させることができず、従って、粒子検出信
号にノイズが生ずることを避けられなかった。
【0009】ところで、シングルモード発振形半導体レ
ーザにおいては、図4に示すように、発振スペクトル
は、そのケース温度に依存している。この図は、光出力
P0 が30mWにおける半導体レーザのケース温度が20℃
から50℃まで変化するときにおける発振波長(nm)の
変化を示すもので、発振波長は、ケース温度に対して不
連続に変動していることが判る。
ーザにおいては、図4に示すように、発振スペクトル
は、そのケース温度に依存している。この図は、光出力
P0 が30mWにおける半導体レーザのケース温度が20℃
から50℃まで変化するときにおける発振波長(nm)の
変化を示すもので、発振波長は、ケース温度に対して不
連続に変動していることが判る。
【0010】また、図5は、光出力P0 変化させたとき
における発振波長と相対光出力との関係を示したもの
で、この図から発振波長によって光強度(図5における
高さ)が大きく変わることが判る。つまり、これらの図
から、シングルモード発振形半導体レーザにおいては、
ケース温度が変わると、光出力が急変(モードホップ)
することが判る。
における発振波長と相対光出力との関係を示したもの
で、この図から発振波長によって光強度(図5における
高さ)が大きく変わることが判る。つまり、これらの図
から、シングルモード発振形半導体レーザにおいては、
ケース温度が変わると、光出力が急変(モードホップ)
することが判る。
【0011】本発明は、上述の事柄に留意してなされた
もので、その目的とするところは、光源ノイズを低減
し、極めて小さい微粒子でも確実に測定できる検出感度
の良好な微粒子測定装置を提供することにある。
もので、その目的とするところは、光源ノイズを低減
し、極めて小さい微粒子でも確実に測定できる検出感度
の良好な微粒子測定装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る微粒子測定装置は、光源としてシング
ルモード発振形半導体レーザを用いると共に、このシン
グルモード発振形半導体レーザに内蔵されているレーザ
光量センサの出力が常に一定になるようにレーザ電流を
制御すると共に、モードホップを検出した時点でシング
ルモード発振形半導体レーザの温度制御における設定温
度を切換えるようにしている。
め、本発明に係る微粒子測定装置は、光源としてシング
ルモード発振形半導体レーザを用いると共に、このシン
グルモード発振形半導体レーザに内蔵されているレーザ
光量センサの出力が常に一定になるようにレーザ電流を
制御すると共に、モードホップを検出した時点でシング
ルモード発振形半導体レーザの温度制御における設定温
度を切換えるようにしている。
【0013】
【作用】上記構成によれば、光源であるシングルモード
発振形半導体レーザに内蔵されているレーザ光量センサ
の出力が常に一定になるようにレーザ電流が制御され
る。そして、モードホップが検出されると、その時点
で、シングルモード発振形半導体レーザの温度制御にお
ける設定温度が切換えられる。これにより、光源ノイズ
が低減し、検出感度が向上する。
発振形半導体レーザに内蔵されているレーザ光量センサ
の出力が常に一定になるようにレーザ電流が制御され
る。そして、モードホップが検出されると、その時点
で、シングルモード発振形半導体レーザの温度制御にお
ける設定温度が切換えられる。これにより、光源ノイズ
が低減し、検出感度が向上する。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
【0015】先ず、図2は、本発明に係る微粒子測定装
置における光源ユニットの一例を示し、この図におい
て、1はレーザ光Lを発する光源としてのシングルモー
ド発振形半導体レーザ(以下、単に半導体レーザと云
う)で、熱伝導の良好な金属、例えばアルミニウムより
なるヒートシンク2に保持されている。この半導体レー
ザ1は、その内部にレーザ光Lを発するレーザダイオー
ドと、発せられるレーザ光Lをモニタするためのレーザ
光量センサとしてのフォトダイオードとを備えている。
そして、3,4,5は半導体レーザ1にそれぞれ設けら
れるレーザダイオード端子、フォトダイオード端子、共
通端子である。そして、ヒートシンク2は、温度検出器
6を備えると共に、ペルチェ素子7を介して熱容量の大
なるベース8に取り付けられている。
置における光源ユニットの一例を示し、この図におい
て、1はレーザ光Lを発する光源としてのシングルモー
ド発振形半導体レーザ(以下、単に半導体レーザと云
う)で、熱伝導の良好な金属、例えばアルミニウムより
なるヒートシンク2に保持されている。この半導体レー
ザ1は、その内部にレーザ光Lを発するレーザダイオー
ドと、発せられるレーザ光Lをモニタするためのレーザ
光量センサとしてのフォトダイオードとを備えている。
そして、3,4,5は半導体レーザ1にそれぞれ設けら
れるレーザダイオード端子、フォトダイオード端子、共
通端子である。そして、ヒートシンク2は、温度検出器
6を備えると共に、ペルチェ素子7を介して熱容量の大
なるベース8に取り付けられている。
【0016】図1は、前記光源ユニットの駆動回路の構
成例を概略的に示すもので、この図において、8,9
は、半導体レーザ1に内蔵されるレーザダイオード、フ
ォトダイオードである。10はレーザ光制御回路で、フォ
トダイオード9の検出出力に基づいて、レーザダイオー
ド8から発せられるレーザ光Lの強度が一定になるよう
に制御する。11は温度制御回路で、温度検出器6の検出
出力と後述する可変設定部19の出力に基づいてペルチェ
素子7に制御信号を出力し、半導体レーザ1のケース温
度を設定温度になるようにするものである。
成例を概略的に示すもので、この図において、8,9
は、半導体レーザ1に内蔵されるレーザダイオード、フ
ォトダイオードである。10はレーザ光制御回路で、フォ
トダイオード9の検出出力に基づいて、レーザダイオー
ド8から発せられるレーザ光Lの強度が一定になるよう
に制御する。11は温度制御回路で、温度検出器6の検出
出力と後述する可変設定部19の出力に基づいてペルチェ
素子7に制御信号を出力し、半導体レーザ1のケース温
度を設定温度になるようにするものである。
【0017】12は前述したモードホップを検出する回路
で、前記フォトダイオード9の検出出力を増幅する増幅
器13、例えば 200〜 300μSで変化する信号のみを通過
させるバンドパスフィルタ14、フリップフロップ15、タ
イマー回路16、サイクリックカウンタ17、DA変換器18
などよりなり、このDA変換器18の出力は、可変設定部
19に一方の入力として加えられる。
で、前記フォトダイオード9の検出出力を増幅する増幅
器13、例えば 200〜 300μSで変化する信号のみを通過
させるバンドパスフィルタ14、フリップフロップ15、タ
イマー回路16、サイクリックカウンタ17、DA変換器18
などよりなり、このDA変換器18の出力は、可変設定部
19に一方の入力として加えられる。
【0018】19は可変設定部で、基準電源20からの基準
電圧信号と前記モードホップ検出回路12の出力とに基づ
いてペルチェ素子7に対する制御信号を設定するもので
ある。すなわち、20は基準電源、21,22は抵抗、23は基
準電源20からの信号とモードホップ検出回路12からの信
号とを加算する加算回路である。
電圧信号と前記モードホップ検出回路12の出力とに基づ
いてペルチェ素子7に対する制御信号を設定するもので
ある。すなわち、20は基準電源、21,22は抵抗、23は基
準電源20からの信号とモードホップ検出回路12からの信
号とを加算する加算回路である。
【0019】次に、上記構成の微粒子測定装置の動作に
ついて説明すると、図外の電源スイッチをオンすると、
レーザ光制御回路10からの信号により、レーザダイオー
ド8がレーザ光Lを発する。この場合、フォトダイオー
ド9の出力が常に一定になるようにレーザ電流が制御さ
れる。そして、このときのレーザ光Lの光量は、フォト
ダイオード9によって検出され、その検出出力は、レー
ザ光制御回路10およびモードホップ検出回路12に入力さ
れる。一方、レーザダイオード8のケース温度は、ヒー
トシンク2に設けられた温度検出器6によって検出さ
れ、その検出結果が温度制御回路11に入力される。
ついて説明すると、図外の電源スイッチをオンすると、
レーザ光制御回路10からの信号により、レーザダイオー
ド8がレーザ光Lを発する。この場合、フォトダイオー
ド9の出力が常に一定になるようにレーザ電流が制御さ
れる。そして、このときのレーザ光Lの光量は、フォト
ダイオード9によって検出され、その検出出力は、レー
ザ光制御回路10およびモードホップ検出回路12に入力さ
れる。一方、レーザダイオード8のケース温度は、ヒー
トシンク2に設けられた温度検出器6によって検出さ
れ、その検出結果が温度制御回路11に入力される。
【0020】この温度制御回路11からは、所定の設定温
度が出力され、これによって、ペルチェ素子7が加熱あ
るいは冷却動作を行い、レーザダイオード8が所定の光
出力を出力できるように、ヒートシンク2の温度がペル
チェ素子7によって温度調節される。
度が出力され、これによって、ペルチェ素子7が加熱あ
るいは冷却動作を行い、レーザダイオード8が所定の光
出力を出力できるように、ヒートシンク2の温度がペル
チェ素子7によって温度調節される。
【0021】今、レーザダイオード8の光出力にモード
ホップが生ずると、レーザダイオード8の光出力に大き
いノイズが生じるので、モードホップ検出回路12から所
定の検出信号が出力される。この検出信号に基づいて前
記温度制御回路11からの設定温度が切り換えられるの
で、ノイズが低減し、従って、安定した光強度を保持さ
せることができ、これによって、高感度の検出が可能に
なる。
ホップが生ずると、レーザダイオード8の光出力に大き
いノイズが生じるので、モードホップ検出回路12から所
定の検出信号が出力される。この検出信号に基づいて前
記温度制御回路11からの設定温度が切り換えられるの
で、ノイズが低減し、従って、安定した光強度を保持さ
せることができ、これによって、高感度の検出が可能に
なる。
【0022】本発明は、上述の実施例に限られるもので
なく、例えばモードホップの検出時点で、2以上の設定
温度に切換えるようにしてもよい。また、設定温度の切
換えと同時に微粒子検出信号を一定時間オフし、ノイズ
計測を行わないようにしてもよい。
なく、例えばモードホップの検出時点で、2以上の設定
温度に切換えるようにしてもよい。また、設定温度の切
換えと同時に微粒子検出信号を一定時間オフし、ノイズ
計測を行わないようにしてもよい。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光源ノイズが低減し、検出感度が向上する。従って、今
まで困難であった 0.1μm〜0.05μmと云うようなきわ
めて小さい微粒子をも精度よく測定することができるよ
うになった。
光源ノイズが低減し、検出感度が向上する。従って、今
まで困難であった 0.1μm〜0.05μmと云うようなきわ
めて小さい微粒子をも精度よく測定することができるよ
うになった。
【図1】本発明に係る微粒子測定装置における光源ユニ
ットの駆動回路の構成例を概略的に示す図である。
ットの駆動回路の構成例を概略的に示す図である。
【図2】光源ユニットの一例を示す図である。
【図3】一般的な微粒子測定装置の構成の要部を示す図
である。
である。
【図4】発振スペクトルの温度依存性を示す図である。
【図5】発振スペクトルの光出力依存性を示す図であ
る。
る。
1…シングルモード発振形半導体レーザ、9…レーザ光
量センサ、F…試料流体、L…レーザ光、S…散乱光。
量センサ、F…試料流体、L…レーザ光、S…散乱光。
Claims (1)
- 【請求項1】 光源からのレーザ光を試料流体に照射
し、試料流体中の微粒子による散乱光を検出することに
よって、前記微粒子を測定する微粒子測定装置におい
て、前記光源としてシングルモード発振形半導体レーザ
を用いると共に、このシングルモード発振形半導体レー
ザに内蔵されているレーザ光量センサの出力が常に一定
になるようにレーザ電流を制御すると共に、モードホッ
プを検出した時点で前記シングルモード発振形半導体レ
ーザの温度制御における設定温度を切換えるようにした
ことを特徴とする微粒子測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4072626A JPH05232012A (ja) | 1992-02-22 | 1992-02-22 | 微粒子測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4072626A JPH05232012A (ja) | 1992-02-22 | 1992-02-22 | 微粒子測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232012A true JPH05232012A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=13494790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4072626A Pending JPH05232012A (ja) | 1992-02-22 | 1992-02-22 | 微粒子測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232012A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8804120B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-08-12 | Sony Corporation | Fine particle analyzing apparatus and fine particle analyzing method |
| JP2019197022A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | 粒子検出装置 |
-
1992
- 1992-02-22 JP JP4072626A patent/JPH05232012A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8804120B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-08-12 | Sony Corporation | Fine particle analyzing apparatus and fine particle analyzing method |
| JP2019197022A (ja) * | 2018-05-11 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | 粒子検出装置 |
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