JPH051991B2 - - Google Patents
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- JPH051991B2 JPH051991B2 JP15077287A JP15077287A JPH051991B2 JP H051991 B2 JPH051991 B2 JP H051991B2 JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP 15077287 A JP15077287 A JP 15077287A JP H051991 B2 JPH051991 B2 JP H051991B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ光源部の温度と出力光
量とを安定化する手段に関するものである。 〔従来の技術〕 半導体レーザダイオード（以下単にLDと記す）
の寿命は、温度に影響される。これを第４図を用
いて説明する。第４図はLDの電流−光出力特性
を示している。同図で示したパラメータＴは温度
を表わし、その温度値は、t1＜t2＜t3の関係にあ
る。同図から分るように出力光量P1を得る場合、
温度が高い程大きな電流をLDに加えなければな
らない。その結果、高い温度状態ではLDの寿命
が短くなるのである。そこでLDが設けられたパ
ツケージの温度を調節することが行なわれてい
る。 また、出力されるレーザ波長を或る値に制御す
る場合も、半導体レーザダイオードの温度を管理
する必要があるので、LDの温度を検出・測定す
ることが行われる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 LDが設けられたパツケージの温度を制御する
には、温度を検出する温度センサをパツケージに
取付ける必要がある。 第３図は従来の温度検出手段を示す図である。
同図において、１はLD、３はLD１が組込まれた
パツケージ、２１はパツケージ３が取付けられた
プレート、２２はプレート２１に密着して設けら
れた熱容量体、２３は熱容量体２２に中に埋め込
まれた温度センサである。 温度センサ２３は、一般に或る程度の熱容量を
持つたものでないと正確な温度を測定することが
できないので、第３図に示すように熱容量体２２
に埋め込んだ状態としてパツケージ３部に取付け
る。その結果、温度センサ２３を取付けた従来の
半導体レーザ光源の形状は大きくなり好ましくな
い。 本発明の目的は、特別に外付の温度センサを設
けることなくLDの温度を検出してLDの温度を制
御するとともに、出力光量も制御できる半導体レ
ーザ光源を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために 光量モニタ用ホトダイオードを同一パツケージ
内に備えた半導体レーザダイオードと、 前記パツケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を
検出し、この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段
を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を
検出し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダ
イオードに流す電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の
検出と、短絡電流の検出とを時分割で行うように
制御するタイミング回路と、 を備えるようにしたものである。 〔実施例〕 以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する。 第１図は、本発明に係る半導体レーザ光源の一
実施例を示した図である。 同図において、１は半導体レーザダイオード
（LD）、２はLD１と同一のパツケージ３内に設け
られた光量モニタ用ホトダイオード（以下PDと
記す）である。LD１とPD２の一方の端子は共通
に回路アースに接続される。 ４はパツケージ３部に設けられた加熱・冷却器
であり、後述する温度調節器の制御の下にパツケ
ージ３（LD１とも言える）を加熱したり、冷却
したりするものである。 ５はPD２の開放電圧Voを受ける増幅器であ
り、ここでは高い入力インピーダンスの特性を有
するボルテージフオロワ回路で構成している。 ６はＩ・Ｖ変換器であり、スイツチ手段７を介
して導入したPD２の短絡電流Isを電圧値に変換
するものである。 ７はスイツチ手段であり、後述するタイミング
回路から加えられる制御信号S3により制御される
もので、例えばアナログスイツチ等により構成す
ることができる。 ８，９はホールド回路でありホールド回路８は
後述するタイミング回路から加えられる制御信号
S2が“high”の期間において増幅器５を介して導
入したPD２の開放電圧をホールドし、信号Sbを
次段へ出力するものである。なお、制御信号S2が
“low”の期間は増幅器５の出力SBをそのまま出
力する。 また、ホールド回路９は後述するタイミング回
路から加えられる制御信号S1が“high”の期間に
おいてＩ・Ｖ変換器６の出力SAをホールドし、
信号Saを次段へ出力するものである。なお、制
御信号S1が“low”の期間はＩ・Ｖ変換器６の出
力SAをそのまま出力する。 １０は温度調節器であり、ホールド回路８から
導入した信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制
御し、パツケージ３の温度を所望の温度にコント
ロールするものである。なお、この温度調節器１
０は公知なものを使用することができる。 １１は電流調節器であり、ホールド回路９から
導入した信号Saに基づいてLD１へ制御電流を流
し、所望の出力光量が得られるようにコントロー
ルするものである。なお、この電流調節器１１は
公知なものを使用することができる。 １２はタイミング回路であり、スイツチ手段７
とホールド回路８，９の動作タイミングを制御す
るものである。 本発明の特徴点を述べる。市販されている半導
体レーザダイオードにおいては、LD１の出力光
量をモニタするために、通常、同一のパツケージ
の中に光量モニタ用のホトダイオードが設けられ
ている。本発明は、この光量モニタ用ホトダイオ
ードを光量モニタ用と、LD１の温度センサ用と
時分割で使い分けている点に特徴がある。 以下、第１図装置の動作を第２図に示すタイム
チヤートを参照しながら説明する。 市販されている一般的なLD１の外観例を第５
図に示す。第５図において、３はパツケージであ
り、第５図で円筒状を成し、プレート２１とで小
さな空間を形成している。この空間部に部材３ｂ
に取付けられたLD１が設けられている。そして
透明カバー３ａが、パツケージ３の前面に設けら
れ、この透明カバー３ａを通してLD１の出力レ
ーザビームが照射される。また、第５図では、隠
れて見えないが、このパツケージ３とプレート２
１で構成される空間内に、LD１の出力光量をモ
ニタする光量モニタ用ホトダイオードPD2が設け
られている。 第１図において、タイミング回路１２は、第２
図１と３と６に示す位相関係にある制御信号S1，
S2，S3をスイツチ手段７と、ホールド回路８，９
に加えている。 そして制御信号S1が“high”の時、ホールド回
路９は制御信号S1の立上がりエツジが発生した時
のＩ・Ｖ変換器６の出力SA（第２図２参照）を取
込み、これを“high”の期間中、ホールドする
（第２図４参照）。 一方、制御信号S2が“high”の時、ホールド回
路８は制御信号S2の立上がりエツジが発生した時
の増幅器５の出力（開放電圧Voに対応…第２図
５参照）を取込み、これを“high”の期間中、ホ
ールドする。 また、制御信号S3が“high”の期間は、スイツ
チ手段７はオンとなる。 このようなタイミングで制御することにより、
光量モニタ用ホトダイオードPD２を光量モニタ
用と、温度センサ用とに時分割で使用できる。以
下、その動作を説明する。 第２図において時刻t1では、スイツチ手段７は
オン、ホールド回路８はホールド状態、ホールド
回路９はスルーの状態である。スイツチ手段７が
オンであるから、PD２の開放電圧VoはＩ・Ｖ変
換器６を構成する増幅器Ｕの仮想接地電位となり
Ovである（第２図５参照） (A) 時刻t2にて、制御信号S1が立上がると（３参
照）、この立上がりエツジが発生した時のＩ・Ｖ
変換器６の出力SAの値をホールド回路９はホー
ルドする（第２図４参照）。そしてこのホールド
した値Saを電流調節器１１は取込み、この信号
Saに基づいてLD１に流す電流を制御して、出力
光量を制御する。 (B) 時刻t3にてスイツチ手段７はオフとなる。従つ
て、Ｉ・Ｖ変換器６の出力はOvとなる（第２図
２参照）とともにPD２の開放電圧Voは或るレベ
ルの値となるので増幅器５の出力SBは、第２図５
のように変化する。そして時刻t4にて制御信号S2
が“low”となるとホールド回路８の出力Sbは第
２図７のように変化し、時刻t5にて制御信号S2が
立上がると、この立上がりエツジが発生した時t5
の増幅器５の出力SBの値をホールドする。このホ
ールドした値Sbを温度調節器１０は取込み、こ
の信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制御して
パツケージ３の温度を所望の値にする。 以下、時刻t6にてスイツチ手段７が再びオンと
なるので、PD２の短絡電流Isが再びＩ・Ｖ変換
器６に流れ込むとともに（第２図２参照）、開放
電圧VoがOvとなつて（第２図５参照）、時刻t1と
同じ状態に戻る。 このように本発明では、PD２の短絡電流Isを
電圧変換し、ホールド回路出力電圧Saとして電
流調節器１１に導入し、LD１に流す電流を調節
することにより出力光量を制御している。 一方、LD１の温度の測定については、PD２の
開放電圧Voを増幅器５で測定し、ホールド回路
出力電圧Sbとして温度調節器１０に導入し、加
熱・冷却器４を制御することでLD１の温度を所
望の値に制御している。 なお、PD２の短絡電流Isは、ほぼ光量のみの
関数であり、開放電圧Voは光量と温度の関数で
ある。そして本発明では短絡電流Isを検出してフ
イードバツクをかけ、光量を安定化しているの
で、開放電圧Voは温度のみの関数と見なすこと
ができる。この理由を詳しく説明する。 図示していないが、一般にホトダイオードを等
価回路で表わすと、照射された光量に比例した光
電流ILが流れる定電流源Ａと、ダイオードｄの並
列回路で表わすことが知られている。従つて、
PD２の短絡電流Isは光量に応じた値の電流ILで
ある。 また、PD２の開放電圧Voは次式で表わされ
る。 VokT／ｅln（IL／In＋１） ｋ：ボルツマン定数 ｅ：電子の電荷 Ｔ：PD２の絶対温度 IL：入射光による発生電流 In：暗電流（温度の関数） ここで入射光量が一定ならば、 VoCT・Ｔ （CT：温度係数） とすることができる。 なお、 CT＝αVo／αT｜IL＝一定＝−1.4mv／Ｋ（Ｔ＝０ ℃） 〜2.4mv／Ｋ（Ｔ＝40℃） 上式より、開放電圧Voは約−2mv／Ｋの温度
係数を持つており、本発明はこれを利用して温度
を検出している。 〔本発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、次の効果
が得られる。 特別に外付の温度センサを必要としないの
で、半導体レーザ光源を小型化できる。 PD２はLDチツプと同一パツケージ内にある
ので外付センサよりも、よりLDチツプ温度に
近い値を測定でき、適切な温度コントロールを
行うことができる。
量とを安定化する手段に関するものである。 〔従来の技術〕 半導体レーザダイオード（以下単にLDと記す）
の寿命は、温度に影響される。これを第４図を用
いて説明する。第４図はLDの電流−光出力特性
を示している。同図で示したパラメータＴは温度
を表わし、その温度値は、t1＜t2＜t3の関係にあ
る。同図から分るように出力光量P1を得る場合、
温度が高い程大きな電流をLDに加えなければな
らない。その結果、高い温度状態ではLDの寿命
が短くなるのである。そこでLDが設けられたパ
ツケージの温度を調節することが行なわれてい
る。 また、出力されるレーザ波長を或る値に制御す
る場合も、半導体レーザダイオードの温度を管理
する必要があるので、LDの温度を検出・測定す
ることが行われる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 LDが設けられたパツケージの温度を制御する
には、温度を検出する温度センサをパツケージに
取付ける必要がある。 第３図は従来の温度検出手段を示す図である。
同図において、１はLD、３はLD１が組込まれた
パツケージ、２１はパツケージ３が取付けられた
プレート、２２はプレート２１に密着して設けら
れた熱容量体、２３は熱容量体２２に中に埋め込
まれた温度センサである。 温度センサ２３は、一般に或る程度の熱容量を
持つたものでないと正確な温度を測定することが
できないので、第３図に示すように熱容量体２２
に埋め込んだ状態としてパツケージ３部に取付け
る。その結果、温度センサ２３を取付けた従来の
半導体レーザ光源の形状は大きくなり好ましくな
い。 本発明の目的は、特別に外付の温度センサを設
けることなくLDの温度を検出してLDの温度を制
御するとともに、出力光量も制御できる半導体レ
ーザ光源を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、上記問題点を解決するために 光量モニタ用ホトダイオードを同一パツケージ
内に備えた半導体レーザダイオードと、 前記パツケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を
検出し、この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段
を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を
検出し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダ
イオードに流す電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の
検出と、短絡電流の検出とを時分割で行うように
制御するタイミング回路と、 を備えるようにしたものである。 〔実施例〕 以下、図面を用いて本発明を詳しく説明する。 第１図は、本発明に係る半導体レーザ光源の一
実施例を示した図である。 同図において、１は半導体レーザダイオード
（LD）、２はLD１と同一のパツケージ３内に設け
られた光量モニタ用ホトダイオード（以下PDと
記す）である。LD１とPD２の一方の端子は共通
に回路アースに接続される。 ４はパツケージ３部に設けられた加熱・冷却器
であり、後述する温度調節器の制御の下にパツケ
ージ３（LD１とも言える）を加熱したり、冷却
したりするものである。 ５はPD２の開放電圧Voを受ける増幅器であ
り、ここでは高い入力インピーダンスの特性を有
するボルテージフオロワ回路で構成している。 ６はＩ・Ｖ変換器であり、スイツチ手段７を介
して導入したPD２の短絡電流Isを電圧値に変換
するものである。 ７はスイツチ手段であり、後述するタイミング
回路から加えられる制御信号S3により制御される
もので、例えばアナログスイツチ等により構成す
ることができる。 ８，９はホールド回路でありホールド回路８は
後述するタイミング回路から加えられる制御信号
S2が“high”の期間において増幅器５を介して導
入したPD２の開放電圧をホールドし、信号Sbを
次段へ出力するものである。なお、制御信号S2が
“low”の期間は増幅器５の出力SBをそのまま出
力する。 また、ホールド回路９は後述するタイミング回
路から加えられる制御信号S1が“high”の期間に
おいてＩ・Ｖ変換器６の出力SAをホールドし、
信号Saを次段へ出力するものである。なお、制
御信号S1が“low”の期間はＩ・Ｖ変換器６の出
力SAをそのまま出力する。 １０は温度調節器であり、ホールド回路８から
導入した信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制
御し、パツケージ３の温度を所望の温度にコント
ロールするものである。なお、この温度調節器１
０は公知なものを使用することができる。 １１は電流調節器であり、ホールド回路９から
導入した信号Saに基づいてLD１へ制御電流を流
し、所望の出力光量が得られるようにコントロー
ルするものである。なお、この電流調節器１１は
公知なものを使用することができる。 １２はタイミング回路であり、スイツチ手段７
とホールド回路８，９の動作タイミングを制御す
るものである。 本発明の特徴点を述べる。市販されている半導
体レーザダイオードにおいては、LD１の出力光
量をモニタするために、通常、同一のパツケージ
の中に光量モニタ用のホトダイオードが設けられ
ている。本発明は、この光量モニタ用ホトダイオ
ードを光量モニタ用と、LD１の温度センサ用と
時分割で使い分けている点に特徴がある。 以下、第１図装置の動作を第２図に示すタイム
チヤートを参照しながら説明する。 市販されている一般的なLD１の外観例を第５
図に示す。第５図において、３はパツケージであ
り、第５図で円筒状を成し、プレート２１とで小
さな空間を形成している。この空間部に部材３ｂ
に取付けられたLD１が設けられている。そして
透明カバー３ａが、パツケージ３の前面に設けら
れ、この透明カバー３ａを通してLD１の出力レ
ーザビームが照射される。また、第５図では、隠
れて見えないが、このパツケージ３とプレート２
１で構成される空間内に、LD１の出力光量をモ
ニタする光量モニタ用ホトダイオードPD2が設け
られている。 第１図において、タイミング回路１２は、第２
図１と３と６に示す位相関係にある制御信号S1，
S2，S3をスイツチ手段７と、ホールド回路８，９
に加えている。 そして制御信号S1が“high”の時、ホールド回
路９は制御信号S1の立上がりエツジが発生した時
のＩ・Ｖ変換器６の出力SA（第２図２参照）を取
込み、これを“high”の期間中、ホールドする
（第２図４参照）。 一方、制御信号S2が“high”の時、ホールド回
路８は制御信号S2の立上がりエツジが発生した時
の増幅器５の出力（開放電圧Voに対応…第２図
５参照）を取込み、これを“high”の期間中、ホ
ールドする。 また、制御信号S3が“high”の期間は、スイツ
チ手段７はオンとなる。 このようなタイミングで制御することにより、
光量モニタ用ホトダイオードPD２を光量モニタ
用と、温度センサ用とに時分割で使用できる。以
下、その動作を説明する。 第２図において時刻t1では、スイツチ手段７は
オン、ホールド回路８はホールド状態、ホールド
回路９はスルーの状態である。スイツチ手段７が
オンであるから、PD２の開放電圧VoはＩ・Ｖ変
換器６を構成する増幅器Ｕの仮想接地電位となり
Ovである（第２図５参照） (A) 時刻t2にて、制御信号S1が立上がると（３参
照）、この立上がりエツジが発生した時のＩ・Ｖ
変換器６の出力SAの値をホールド回路９はホー
ルドする（第２図４参照）。そしてこのホールド
した値Saを電流調節器１１は取込み、この信号
Saに基づいてLD１に流す電流を制御して、出力
光量を制御する。 (B) 時刻t3にてスイツチ手段７はオフとなる。従つ
て、Ｉ・Ｖ変換器６の出力はOvとなる（第２図
２参照）とともにPD２の開放電圧Voは或るレベ
ルの値となるので増幅器５の出力SBは、第２図５
のように変化する。そして時刻t4にて制御信号S2
が“low”となるとホールド回路８の出力Sbは第
２図７のように変化し、時刻t5にて制御信号S2が
立上がると、この立上がりエツジが発生した時t5
の増幅器５の出力SBの値をホールドする。このホ
ールドした値Sbを温度調節器１０は取込み、こ
の信号Sbに基づいて加熱・冷却器４を制御して
パツケージ３の温度を所望の値にする。 以下、時刻t6にてスイツチ手段７が再びオンと
なるので、PD２の短絡電流Isが再びＩ・Ｖ変換
器６に流れ込むとともに（第２図２参照）、開放
電圧VoがOvとなつて（第２図５参照）、時刻t1と
同じ状態に戻る。 このように本発明では、PD２の短絡電流Isを
電圧変換し、ホールド回路出力電圧Saとして電
流調節器１１に導入し、LD１に流す電流を調節
することにより出力光量を制御している。 一方、LD１の温度の測定については、PD２の
開放電圧Voを増幅器５で測定し、ホールド回路
出力電圧Sbとして温度調節器１０に導入し、加
熱・冷却器４を制御することでLD１の温度を所
望の値に制御している。 なお、PD２の短絡電流Isは、ほぼ光量のみの
関数であり、開放電圧Voは光量と温度の関数で
ある。そして本発明では短絡電流Isを検出してフ
イードバツクをかけ、光量を安定化しているの
で、開放電圧Voは温度のみの関数と見なすこと
ができる。この理由を詳しく説明する。 図示していないが、一般にホトダイオードを等
価回路で表わすと、照射された光量に比例した光
電流ILが流れる定電流源Ａと、ダイオードｄの並
列回路で表わすことが知られている。従つて、
PD２の短絡電流Isは光量に応じた値の電流ILで
ある。 また、PD２の開放電圧Voは次式で表わされ
る。 VokT／ｅln（IL／In＋１） ｋ：ボルツマン定数 ｅ：電子の電荷 Ｔ：PD２の絶対温度 IL：入射光による発生電流 In：暗電流（温度の関数） ここで入射光量が一定ならば、 VoCT・Ｔ （CT：温度係数） とすることができる。 なお、 CT＝αVo／αT｜IL＝一定＝−1.4mv／Ｋ（Ｔ＝０ ℃） 〜2.4mv／Ｋ（Ｔ＝40℃） 上式より、開放電圧Voは約−2mv／Ｋの温度
係数を持つており、本発明はこれを利用して温度
を検出している。 〔本発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、次の効果
が得られる。 特別に外付の温度センサを必要としないの
で、半導体レーザ光源を小型化できる。 PD２はLDチツプと同一パツケージ内にある
ので外付センサよりも、よりLDチツプ温度に
近い値を測定でき、適切な温度コントロールを
行うことができる。
第１図は本発明に係る半導体レーザ光源の構成
例を示す図、第２図は第１図装置の各部の信号の
タイムチヤート、第３図は従来手段の構成を示す
図、第４図は半導体レーザダイオードの電流−光
出力の関係を示す図、第５図は市販されている半
導体レーザダイオードの外観例を示す図である。 １……LD、２……PD、３……パツケージ、４
……加熱・冷却器、５……増幅器、６……Ｉ・Ｖ
変換器、７……スイツチ手段、８，９……ホール
ド回路、１０……温度調節器、１１……電流調節
器、１２……タイミング回路。
例を示す図、第２図は第１図装置の各部の信号の
タイムチヤート、第３図は従来手段の構成を示す
図、第４図は半導体レーザダイオードの電流−光
出力の関係を示す図、第５図は市販されている半
導体レーザダイオードの外観例を示す図である。 １……LD、２……PD、３……パツケージ、４
……加熱・冷却器、５……増幅器、６……Ｉ・Ｖ
変換器、７……スイツチ手段、８，９……ホール
ド回路、１０……温度調節器、１１……電流調節
器、１２……タイミング回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光量モニタ用ホトダイオードを同一パツケー
ジ内に備えた半導体レーザダイオードと、 前記パツケージを加熱・冷却する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧を
検出し、この開放電圧に基づいて加熱・冷却手段
を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの短絡電流を
検出し、この短絡電流に基づいて半導体レーザダ
イオードに流す電流値を制御する手段と、 前記光量モニタ用ホトダイオードの開放電圧の
検出と、短絡電流の検出とを時分割で行うように
制御するタイミング回路と、 を備えたことを特徴とする半導体レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077287A JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15077287A JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63314877A JPS63314877A (ja) | 1988-12-22 |
| JPH051991B2 true JPH051991B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=15504085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15077287A Granted JPS63314877A (ja) | 1987-06-17 | 1987-06-17 | 半導体レ−ザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63314877A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19930688A1 (de) * | 1999-07-02 | 2001-01-04 | Byk Gardner Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Qualität von Oberflächen |
| DE19948689A1 (de) * | 1999-09-30 | 2001-04-19 | Infineon Technologies Ag | Regelvorrichtung für Laserdioden |
| JP2007042839A (ja) * | 2005-08-03 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | レーザ光源の駆動回路および駆動方法 |
| TWI561951B (en) * | 2012-01-30 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Power supply circuit |
-
1987
- 1987-06-17 JP JP15077287A patent/JPS63314877A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63314877A (ja) | 1988-12-22 |
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