JPH05232417A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH05232417A JPH05232417A JP3679092A JP3679092A JPH05232417A JP H05232417 A JPH05232417 A JP H05232417A JP 3679092 A JP3679092 A JP 3679092A JP 3679092 A JP3679092 A JP 3679092A JP H05232417 A JPH05232417 A JP H05232417A
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/035—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure
- G02F1/0356—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect in an optical waveguide structure controlled by a high-frequency electromagnetic wave component in an electric waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光変調器に係わり、特にマッハツェンダ型変
調器に関し、小形で、取扱いが容易なことを目的とす
る。 【構成】 一方の基板端面1A側の基板１の表面に形成し
た入力側光導波路11と、入力側光導波路11が分岐した一
対の平行光導波路12-1A,12-2A と、頂点が他方の基板端
面1Bに一致するよう、それぞれの平行光導波路12-1A,12
-2A の端部に形成されたＶの字形の出射部13-1,13-2
と、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に接続し
形成された他の一対の平行光導波路12-1B,12-2B と、他
の一対の平行光導波路12-1B,12-2B が集合してなる出力
側光導波路15と、連結し接続した一方の平行光導波路12
-1A,12-1B に添って基板の表面に形成した信号電極16-1
と、連結し接続した他方の平行光導波路12-1B,12-2B に
添って基板の表面に形成したアース電極16-2とを、備え
た構成とする
調器に関し、小形で、取扱いが容易なことを目的とす
る。 【構成】 一方の基板端面1A側の基板１の表面に形成し
た入力側光導波路11と、入力側光導波路11が分岐した一
対の平行光導波路12-1A,12-2A と、頂点が他方の基板端
面1Bに一致するよう、それぞれの平行光導波路12-1A,12
-2A の端部に形成されたＶの字形の出射部13-1,13-2
と、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に接続し
形成された他の一対の平行光導波路12-1B,12-2B と、他
の一対の平行光導波路12-1B,12-2B が集合してなる出力
側光導波路15と、連結し接続した一方の平行光導波路12
-1A,12-1B に添って基板の表面に形成した信号電極16-1
と、連結し接続した他方の平行光導波路12-1B,12-2B に
添って基板の表面に形成したアース電極16-2とを、備え
た構成とする
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調器に係わり、特
にマッハツェンダ型変調器に関する。
にマッハツェンダ型変調器に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマッハツェンダ型変調器の
図であって、(A) は平面図,(B)は断面図である。
図であって、(A) は平面図,(B)は断面図である。
【０００３】図３において１は、電気光学結晶よりなる
基板である。基板１の表面にTiを所望に拡散して、一方
の基板端面側に直線状に入力側光導波路２を設け、入力
側光導波路２を近接して（間隔Ｂは約10μm ) 平行配置
した一対の平行光導波路3-1,3-2 に分岐し、この一対の
平行光導波路3-1 ,3-2の他方の端末を集合して直線状の
出力側光導波路４としている。
基板である。基板１の表面にTiを所望に拡散して、一方
の基板端面側に直線状に入力側光導波路２を設け、入力
側光導波路２を近接して（間隔Ｂは約10μm ) 平行配置
した一対の平行光導波路3-1,3-2 に分岐し、この一対の
平行光導波路3-1 ,3-2の他方の端末を集合して直線状の
出力側光導波路４としている。
【０００４】そして、基板１の表面にSiO2膜等のバッフ
ァ層６を形成し、バッファ層６の表面の一方の平行光導
波路3-1 の直上に、金等を蒸着して帯状の信号電極5-1
を、他方の平行光導波路3-2 の直上に金等を蒸着して、
帯状のアース電極5-2 をそれぞれ形成している。
ァ層６を形成し、バッファ層６の表面の一方の平行光導
波路3-1 の直上に、金等を蒸着して帯状の信号電極5-1
を、他方の平行光導波路3-2 の直上に金等を蒸着して、
帯状のアース電極5-2 をそれぞれ形成している。
【０００５】この信号電極及びアース電極の長さＬは、
等しくて20mm〜40mmである。なお、基板１の材料は電気
光学効果の大きいニオブ酸リチウム(LiNbO3)等を使用す
るものであるが、電気光学効果に方向性がある。したが
って、平行光導波路は、電気光学効果が大きい方向を選
択して形成している。
等しくて20mm〜40mmである。なお、基板１の材料は電気
光学効果の大きいニオブ酸リチウム(LiNbO3)等を使用す
るものであるが、電気光学効果に方向性がある。したが
って、平行光導波路は、電気光学効果が大きい方向を選
択して形成している。
【０００６】光変調器は上述のように構成されているの
で、入力側光導波路２から光信号を伝送させている。そ
して、信号電極5-1 とアース電極5-2 間に電圧を印加し
ない状態で、出力側光導波路４の出力がオンとなる。
で、入力側光導波路２から光信号を伝送させている。そ
して、信号電極5-1 とアース電極5-2 間に電圧を印加し
ない状態で、出力側光導波路４の出力がオンとなる。
【０００７】また、信号電極5-1 とアース電極5-2 間に
所定の電圧が印加されると、平行光導波路の電気光学効
果で屈折率が変化し、平行光導波路3-1,3-2 を伝搬する
光信号の位相が波長／２だけずれるので、出力側光導波
路４の出力がオフとなる。即ち光変調器として機能す
る。
所定の電圧が印加されると、平行光導波路の電気光学効
果で屈折率が変化し、平行光導波路3-1,3-2 を伝搬する
光信号の位相が波長／２だけずれるので、出力側光導波
路４の出力がオフとなる。即ち光変調器として機能す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】マッハツェンダ型変調
器の光出力のオン・オフを行う位相差δは、次式の関係
がある。
器の光出力のオン・オフを行う位相差δは、次式の関係
がある。
【０００９】δ＝ａＬＶ ａ・・・基板の材料等により決定される定数 Ｌ・・・平行光導波路（電極長）の長さ Ｖ・・・印加する電圧 ところで、光変調器に印加する電圧は、例えば３Ｖ〜５
Ｖの低電圧のことが望ましい。
Ｖの低電圧のことが望ましい。
【００１０】したがって光変調器を低電圧で作動させる
ためには、平行光導波路の長さを所定に長くすることが
要求され、これに伴い基板長が大きく（約50mm) とな
る。即ち、光変調器が長く大形となるばかりでなく、基
板が細長いために取扱に留意しないと、損傷するという
問題点があった。
ためには、平行光導波路の長さを所定に長くすることが
要求され、これに伴い基板長が大きく（約50mm) とな
る。即ち、光変調器が長く大形となるばかりでなく、基
板が細長いために取扱に留意しないと、損傷するという
問題点があった。
【００１１】本発明はこのような点に鑑みて創作された
もので、小形で、取扱いが容易な光変調器を提供するこ
とを目的としている。
もので、小形で、取扱いが容易な光変調器を提供するこ
とを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、図１に図示したように、一方の基板端面
1Aから他の基板端面1Bに向かって、基板１の表面部分に
形成した入力側光導波路11と、入力側光導波路11が分岐
してなる一対の平行光導波路12-1A,12-2A と、頂点が他
方の基板端面1Bに一致するよう、それぞれの平行光導波
路12-1A,12-2Aの端部に形成した一対のＶの字形の出射
部13-1,13-2 と、平行光導波路12-1A,12-2A に平行する
よう、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に接続
形成した、他の一対の平行光導波路12-1B,12-2B と、後
段の一対の平行光導波路12-1B,12-2B が集合してなる出
力側光導波路15とを備えている。
めに本発明は、図１に図示したように、一方の基板端面
1Aから他の基板端面1Bに向かって、基板１の表面部分に
形成した入力側光導波路11と、入力側光導波路11が分岐
してなる一対の平行光導波路12-1A,12-2A と、頂点が他
方の基板端面1Bに一致するよう、それぞれの平行光導波
路12-1A,12-2Aの端部に形成した一対のＶの字形の出射
部13-1,13-2 と、平行光導波路12-1A,12-2A に平行する
よう、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に接続
形成した、他の一対の平行光導波路12-1B,12-2B と、後
段の一対の平行光導波路12-1B,12-2B が集合してなる出
力側光導波路15とを備えている。
【００１３】そして、一方の出射部13-1を介して連結し
た一方の平行光導波路12-1A,12-1Bに添って、基板１の
表面に信号電極16-1を形成し、他方の出射部13-2を介し
て連結した他方の平行光導波路12-1B,12-2B に添って、
基板１の表面にアース電極16-2を形成した構成とする。
た一方の平行光導波路12-1A,12-1Bに添って、基板１の
表面に信号電極16-1を形成し、他方の出射部13-2を介し
て連結した他方の平行光導波路12-1B,12-2B に添って、
基板１の表面にアース電極16-2を形成した構成とする。
【００１４】或いは図２に例示したように、入力側光導
波路11が分岐してなる一対の平行光導波路の端部に形成
するＶの字形の出射部を、入力側光導波路11とは反対側
の基板端面1B側と、入力側光導波路側の基板端面1A側と
に交互に形成することで、基板１に３対以上の平行光導
波路12-1A,12-2A,12-1B,12-2B,12-1C,12-2C を形成し、
最終段の一対の平行光導波路を集合して出力側光導波路
15を設ける。
波路11が分岐してなる一対の平行光導波路の端部に形成
するＶの字形の出射部を、入力側光導波路11とは反対側
の基板端面1B側と、入力側光導波路側の基板端面1A側と
に交互に形成することで、基板１に３対以上の平行光導
波路12-1A,12-2A,12-1B,12-2B,12-1C,12-2C を形成し、
最終段の一対の平行光導波路を集合して出力側光導波路
15を設ける。
【００１５】そして、一方の出射部13-1A,13-1B を介し
て連結した、一方の平行光導波路12-1A,12-1B,12-1C に
添って信号電極16-1を形成し、他方の出射部13-2A,13-2
B を介して連結した、他方の平行光導波路12-2A,12-2B,
12-2C に添ってアース電極16-2を形成した構成とする。
て連結した、一方の平行光導波路12-1A,12-1B,12-1C に
添って信号電極16-1を形成し、他方の出射部13-2A,13-2
B を介して連結した、他方の平行光導波路12-2A,12-2B,
12-2C に添ってアース電極16-2を形成した構成とする。
【００１６】或いはまた、図１に例示したように、平行
光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13-1,13-2
の基板端面に対する入射角αを、全反射角以上としたも
のとする。
光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13-1,13-2
の基板端面に対する入射角αを、全反射角以上としたも
のとする。
【００１７】さらにまた、図２に例示したように、平行
光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13-1A 及び
出射部13-2A のそれぞれの頂点に対応する基板端面1B
に、全反射膜31を形成し、他の平行光導波路の端部に形
成したＶの字形の出射部13-1B及び出射部13-2B のそれ
ぞれの頂点に対応する基板端面1Aに、全反射膜32を形成
した構成とする。
光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13-1A 及び
出射部13-2A のそれぞれの頂点に対応する基板端面1B
に、全反射膜31を形成し、他の平行光導波路の端部に形
成したＶの字形の出射部13-1B及び出射部13-2B のそれ
ぞれの頂点に対応する基板端面1Aに、全反射膜32を形成
した構成とする。
【００１８】
【作用】本発明は、入力側光導波路から分岐した平行光
導波路を、基板の端面で反転させて複数対の平行光導波
路を設け、それらの平行光導波路長の和を所定の長さに
することで、マッハツェンダ型変調器を構成させてい
る。
導波路を、基板の端面で反転させて複数対の平行光導波
路を設け、それらの平行光導波路長の和を所定の長さに
することで、マッハツェンダ型変調器を構成させてい
る。
【００１９】したがって、従来の単に一対の平行光導波
路からなる光変調器に較べて、基板長さを短くすること
が可能となる。例えば平行光導波路を２対とすると、従
来のものの約半分の長さとなる。
路からなる光変調器に較べて、基板長さを短くすること
が可能となる。例えば平行光導波路を２対とすると、従
来のものの約半分の長さとなる。
【００２０】一方、一対の平行光導波路の間隔は約１０
μm であるので、複数対の平行光導波路を設けてても、
光変調器の幅はさほど大きくはならない。即ち、幅は殆
ど変わらず長さだけが短くなり幅方向が小さい矩形とな
るので、光変調器の取扱いが容易となる。
μm であるので、複数対の平行光導波路を設けてても、
光変調器の幅はさほど大きくはならない。即ち、幅は殆
ど変わらず長さだけが短くなり幅方向が小さい矩形とな
るので、光変調器の取扱いが容易となる。
【００２１】また、出射部の入射角を全反射角以上とす
る、或いは出射部の頂点部分の基板端面に全反射膜を設
けることで、光損失が減少する。
る、或いは出射部の頂点部分の基板端面に全反射膜を設
けることで、光損失が減少する。
【００２２】
【実施例】以下図を参照しながら、本発明を具体的に説
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
明する。なお、全図を通じて同一符号は同一対象物を示
す。
【００２３】図１は本発明の実施例の図、図２は本発明
の他の実施例の図である。図１において、電気光学結晶
（例えばニオブ酸リチウム）よりなる基板１の、一方の
基板端面1Aから他の基板端面1Bに向かって、基板１の表
面部分に短い直線状の入力側光導波路11を設け、入力側
光導波路11の端部をＶの字形に分岐し、所望の長さ（約
１０mm) の一対の平行光導波路12-1A,12-2A （間隔は約
10μm ) を設けている。この平行光導波路12-1A,12-2A
は、電気光学効果が大きい方向を選択して形成してい
る。
の他の実施例の図である。図１において、電気光学結晶
（例えばニオブ酸リチウム）よりなる基板１の、一方の
基板端面1Aから他の基板端面1Bに向かって、基板１の表
面部分に短い直線状の入力側光導波路11を設け、入力側
光導波路11の端部をＶの字形に分岐し、所望の長さ（約
１０mm) の一対の平行光導波路12-1A,12-2A （間隔は約
10μm ) を設けている。この平行光導波路12-1A,12-2A
は、電気光学効果が大きい方向を選択して形成してい
る。
【００２４】そして、それぞれの平行光導波路12-1A,12
-2A の端部に連結して、頂点が他方の基板端面1Bに一致
するように、一対のＶの字形の出射部13-1,13-2 を設け
ている。なお出射部13-1,13-2 の基板端面1B対する入射
角αを、全反射角（約45度)以上としている。
-2A の端部に連結して、頂点が他方の基板端面1Bに一致
するように、一対のＶの字形の出射部13-1,13-2 を設け
ている。なお出射部13-1,13-2 の基板端面1B対する入射
角αを、全反射角（約45度)以上としている。
【００２５】また、平行光導波路12-1A,12-2A に平行す
るように、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に
始点が連結した、所望の長さ（約１０mm) の一対の平行
光導波路12-1B,12-2B を設けている。
るように、それぞれの出射部13-1,13-2 の復路の端部に
始点が連結した、所望の長さ（約１０mm) の一対の平行
光導波路12-1B,12-2B を設けている。
【００２６】そして、後段の一対の平行光導波路12-1B,
12-2B を、Ｖの字形に集合して１条の直線状の出力側光
導波路15とし、基板端面1Aまで延伸させている。なお、
上述の総ての光導波路は、基板１の表面にTiを所望に拡
散して設けたものである。
12-2B を、Ｖの字形に集合して１条の直線状の出力側光
導波路15とし、基板端面1Aまで延伸させている。なお、
上述の総ての光導波路は、基板１の表面にTiを所望に拡
散して設けたものである。
【００２７】この基板１の表面にSiO2膜等のバッファ層
を形成している。一方の出射部13-1を介して連結した一
方の平行光導波路12-1A,12-1B に添って、バッファ層の
表面に金等を蒸着して信号電極16-1を形成している。
を形成している。一方の出射部13-1を介して連結した一
方の平行光導波路12-1A,12-1B に添って、バッファ層の
表面に金等を蒸着して信号電極16-1を形成している。
【００２８】また、他方の出射部13-2を介して連結した
他方の平行光導波路12-1B,12-2B に添って、バッファ層
の表面に金等を蒸着してアース電極16-2を形成してい
る。そして、信号電極16-1とアース電極16-2の一方の端
部に、マイクロ波電源20を接続している。
他方の平行光導波路12-1B,12-2B に添って、バッファ層
の表面に金等を蒸着してアース電極16-2を形成してい
る。そして、信号電極16-1とアース電極16-2の一方の端
部に、マイクロ波電源20を接続している。
【００２９】なお、信号電極16-1とアース電極16-2との
他方の端部を所望の抵抗値の抵抗21を介して接続するこ
とで、印加するマイクロ波のインピーダンスをマッチン
グさせている。
他方の端部を所望の抵抗値の抵抗21を介して接続するこ
とで、印加するマイクロ波のインピーダンスをマッチン
グさせている。
【００３０】本発明の光変調器は上述のように構成され
ているので、入力側光導波路11から光信号を伝送すると
ともに、信号電極16-1とアース電極16-2との間に、マイ
クロ波電源20から電界を印加して、信号電極16-1にマイ
クロ波を通している。
ているので、入力側光導波路11から光信号を伝送すると
ともに、信号電極16-1とアース電極16-2との間に、マイ
クロ波電源20から電界を印加して、信号電極16-1にマイ
クロ波を通している。
【００３１】本発明の実施例は、このように電極にマイ
クロ波を通して、光信号と変調電気信号の速度を等しく
し、所謂進行波形変調器とすることで、光変調器の変調
帯域を拡開（２GHZ 〜10GHZ ) している。
クロ波を通して、光信号と変調電気信号の速度を等しく
し、所謂進行波形変調器とすることで、光変調器の変調
帯域を拡開（２GHZ 〜10GHZ ) している。
【００３２】したがって、従来の単に一対の平行光導波
路からなる光変調器に較べて、基板長さが約半分とな
る。図２は、平行光導波路を３対設けた実施例である。
路からなる光変調器に較べて、基板長さが約半分とな
る。図２は、平行光導波路を３対設けた実施例である。
【００３３】図２において、基板１の一方の基板端面1A
から他の基板端面1Bに向かって、基板１の表面部分に短
い直線状の入力側光導波路11を設け、入力側光導波路11
の端部をＶの字形に分岐して、所望の長さの一対の平行
光導波路12-1A,12-2A （間隔は約10μm ) を設けてい
る。この平行光導波路12-1A,12-2A は、電気光学効果が
大きい方向を選択して形成している。
から他の基板端面1Bに向かって、基板１の表面部分に短
い直線状の入力側光導波路11を設け、入力側光導波路11
の端部をＶの字形に分岐して、所望の長さの一対の平行
光導波路12-1A,12-2A （間隔は約10μm ) を設けてい
る。この平行光導波路12-1A,12-2A は、電気光学効果が
大きい方向を選択して形成している。
【００３４】そして、それぞれの平行光導波路12-1A,12
-2A の端部に連結して、頂点が他方の基板端面1Bに一致
するように、一対のＶの字形の出射部13-1A,13-2A を設
けている。そして、平行光導波路12-1A,12-2A に平行す
るように、それぞれの出射部13-1A,13-2A の復路の端部
に始点が連結した、所望の長さの一対の平行光導波路12
-1B,12-2B を設け、それぞれの平行光導波路12-1B,12-2
B の端部に連結して、頂点が入力側光導波路11側の基板
端面1Aに一致するように、一対のＶの字形の出射部13-1
B,13-2B を設けている。
-2A の端部に連結して、頂点が他方の基板端面1Bに一致
するように、一対のＶの字形の出射部13-1A,13-2A を設
けている。そして、平行光導波路12-1A,12-2A に平行す
るように、それぞれの出射部13-1A,13-2A の復路の端部
に始点が連結した、所望の長さの一対の平行光導波路12
-1B,12-2B を設け、それぞれの平行光導波路12-1B,12-2
B の端部に連結して、頂点が入力側光導波路11側の基板
端面1Aに一致するように、一対のＶの字形の出射部13-1
B,13-2B を設けている。
【００３５】さらに、それぞれの出射部13-1B,13-2B の
復路の端部に始点が連結した、所望の長さの一対の平行
光導波路12-1C,12-2C を設けている。そして、その一対
の平行光導波路12-1C,12-2C を、Ｖの字形に集合して１
条の直線状の出力側光導波路15とし、基板端面1Bまで延
伸させている。
復路の端部に始点が連結した、所望の長さの一対の平行
光導波路12-1C,12-2C を設けている。そして、その一対
の平行光導波路12-1C,12-2C を、Ｖの字形に集合して１
条の直線状の出力側光導波路15とし、基板端面1Bまで延
伸させている。
【００３６】この基板１の表面にSiO2膜等のバッファ層
を形成し、一方の平行光導波路12-1A ー出射部13-1A ー
平行光導波路12-1B ー出射部13-1B ー平行光導波路12-1
C よりなる一連の光導波路の、平行光導波路12-1A,12-1
B,12-1C に添って、バッファ層の表面に金等を蒸着して
信号電極16-1を形成している。
を形成し、一方の平行光導波路12-1A ー出射部13-1A ー
平行光導波路12-1B ー出射部13-1B ー平行光導波路12-1
C よりなる一連の光導波路の、平行光導波路12-1A,12-1
B,12-1C に添って、バッファ層の表面に金等を蒸着して
信号電極16-1を形成している。
【００３７】また、他方の平行光導波路12-2A ー出射部
13-2A ー平行光導波路12-2B ー出射部13-2B ー平行光導
波路12-2C よりなる一連の光導波路の、平行光導波路12
-2A,12-2B,12-2C に添って、バッファ層の表面に金等を
蒸着してアース電極16-2を形成している。
13-2A ー平行光導波路12-2B ー出射部13-2B ー平行光導
波路12-2C よりなる一連の光導波路の、平行光導波路12
-2A,12-2B,12-2C に添って、バッファ層の表面に金等を
蒸着してアース電極16-2を形成している。
【００３８】そして、信号電極16-1とアース電極16-2の
一方の端部に、マイクロ波電源20を接続している。一
方、平行光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13
-1A 及び出射部13-2A のそれぞれの頂点に対応する基板
端面1Bに、全反射膜31を形成し、他の平行光導波路の端
部に形成したＶの字形の出射部13-1B 及び出射部13-2B
のそれぞれの頂点に対応する基板端面1Aに、全反射膜32
を形成している。
一方の端部に、マイクロ波電源20を接続している。一
方、平行光導波路の端部に形成したＶの字形の出射部13
-1A 及び出射部13-2A のそれぞれの頂点に対応する基板
端面1Bに、全反射膜31を形成し、他の平行光導波路の端
部に形成したＶの字形の出射部13-1B 及び出射部13-2B
のそれぞれの頂点に対応する基板端面1Aに、全反射膜32
を形成している。
【００３９】したがって、図２に例示した光変調器は、
従来の単に一対の平行光導波路からなる光変調器に較べ
て、基板長さが約１／３となる。一方、一対の平行光導
波路の間隔は約１０μm であるので、３対の平行光導波
路を設けても、光変調器の幅はさほど大きくはならなく
て、基板の形状は幅方向が小さい矩形となる。
従来の単に一対の平行光導波路からなる光変調器に較べ
て、基板長さが約１／３となる。一方、一対の平行光導
波路の間隔は約１０μm であるので、３対の平行光導波
路を設けても、光変調器の幅はさほど大きくはならなく
て、基板の形状は幅方向が小さい矩形となる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、マッハツ
ェンダ型変調器の平行光導波路を、基板端面で折り返し
て複数対設けたことにより、基板の長さが小さくなっ
て、光変調器の小形化が推進される。
ェンダ型変調器の平行光導波路を、基板端面で折り返し
て複数対設けたことにより、基板の長さが小さくなっ
て、光変調器の小形化が推進される。
【００４１】また、基板が小形の矩形になるので、取扱
いが容易で、且つ基板が損傷し難くなる。一方、Ｖの字
形の出射部の入射角を全反射角以上にする、或いはＶの
字形の出射部の頂点に対応する基板端面に全反射膜を設
けることで、光損失が減少するという効果を有する。
いが容易で、且つ基板が損傷し難くなる。一方、Ｖの字
形の出射部の入射角を全反射角以上にする、或いはＶの
字形の出射部の頂点に対応する基板端面に全反射膜を設
けることで、光損失が減少するという効果を有する。
【図１】 本発明の実施例の図
【図２】 本発明の他の実施例の図
【図３】 従来例の図で (A) は平面図 (B) は断面図
１ 基板 1A,1B 基板端面 ２，11 入力側光導波路 ４，15 出力側光導波路 3-1,3-2,12-1A,12-2A,12-1B,12-2B,12-1C,12-2C 平行
光導波路 5-1,16-1 信号電極 5-2,16-2 アース電極 13-1,13-2,13-1A,13-2A,13-1B,13-2B 出射部 20 マイクロ波電源 31,32 全反射膜
光導波路 5-1,16-1 信号電極 5-2,16-2 アース電極 13-1,13-2,13-1A,13-2A,13-1B,13-2B 出射部 20 マイクロ波電源 31,32 全反射膜
Claims (4)
- 【請求項１】 一方の基板端面(1A)から他の基板端面(1
B)に向かって、基板(1) の表面部分に形成した入力側光
導波路(11)と、 該入力側光導波路(11)が分岐してなる一対の平行光導波
路(12-1A,12-2A) と、 頂点が他方の基板端面(1B)に一致するよう、それぞれの
該平行光導波路(12-1A,12-2A) の端部に形成した一対の
Ｖの字形の出射部(13-1,13-2) と、 該平行光導波路(12-1A,12-2A) に平行するよう、それぞ
れの該出射部(13-1,13-2) の復路の端部に接続形成し
た、他の一対の平行光導波路(12-1B,12-2B) と、 後段の該一対の平行光導波路(12-1B,12-2B) が集合して
なる出力側光導波路(15)と、 一方の該出射部(13-1)を介して連結した一方の該平行光
導波路(12-1A,12-1B)に添って、該基板(1) の表面に形
成した信号電極(16-1)と、 他方の該出射部(13-2)を介して連結した他方の該平行光
導波路(12-1B,12-2B)に添って、該基板(1) の表面に形
成したアース電極(16-2)とを、備えたこと特徴とする光
変調器。 - 【請求項２】 入力側光導波路(11)が分岐してなる一対
の平行光導波路の端部に形成する一対のＶの字形の出射
部を、入力側光導波路(11)とは反対側の基板端面(1B)側
と、該入力側光導波路(11)側の基板端面(1A)側とに交互
に形成することで、基板(1) に３対以上の平行光導波路
（12-1A,12-2A,12-1B,12-2B,12-1C,12-2C ・・・・・)が形成
され、 最終段の一対の平行光導波路が集合して出力側光導波路
(15)が形成され、 一方の該出射部（13-1A,13-1B ・・・・）を介して連結し
た、一方の該平行光導波路（12-1A,12-1B,12-1C ・・・・）
に添って、該基板(1) の表面に信号電極(16-1)が形成さ
れ、 他方の該出射部（13-2A,13-2B ・・・・）を介して連結し
た、他方の該平行光導波路（12-2A,12-2B,12-2C ・・・・）
に添って、該基板(1) の表面にアース電極(16-2)が形成
されたことを特徴とする光変調器。 - 【請求項３】 平行光導波路の端部に形成したＶの字形
の出射部の、基板端面に対する入射角αが、全反射角以
上であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
光変調器。 - 【請求項４】 平行光導波路の端部に形成したＶの字形
の出射部の頂点に対応する基板端面部分に、全反射膜が
形成されたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載
の光変調器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3679092A JPH05232417A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光変調器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3679092A JPH05232417A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232417A true JPH05232417A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12479587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3679092A Withdrawn JPH05232417A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 光変調器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232417A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1992
- 1992-02-25 JP JP3679092A patent/JPH05232417A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |