JPH05232681A - 半導体装置製造用マスク - Google Patents
半導体装置製造用マスクInfo
- Publication number
- JPH05232681A JPH05232681A JP3750292A JP3750292A JPH05232681A JP H05232681 A JPH05232681 A JP H05232681A JP 3750292 A JP3750292 A JP 3750292A JP 3750292 A JP3750292 A JP 3750292A JP H05232681 A JPH05232681 A JP H05232681A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- mask
- pattern
- semiconductor device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 位相シフト法において任意パターンを形成す
る。 【構成】 露光光の波長で規定される寸法以下の大きさ
の矩形または三角形または五角形の透光部１３と、同じ
ように制限された大きさの矩形または三角形または五角
形の位相シフト部１２とを、上下左右交互に配置して遮
光部を構成する。これにより、任意のパターンが形成で
き、かつ透過部パターンあるいは遮光部パターンとして
設計されていたマスクレイアウトデータを利用できる高
解像度で焦点深度の深い半導体装置製造用のマスクが得
られた。
る。 【構成】 露光光の波長で規定される寸法以下の大きさ
の矩形または三角形または五角形の透光部１３と、同じ
ように制限された大きさの矩形または三角形または五角
形の位相シフト部１２とを、上下左右交互に配置して遮
光部を構成する。これにより、任意のパターンが形成で
き、かつ透過部パターンあるいは遮光部パターンとして
設計されていたマスクレイアウトデータを利用できる高
解像度で焦点深度の深い半導体装置製造用のマスクが得
られた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置製造用マスク
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、フォトリソグラフィー技術の進展
により、半導体装置の超微細化を進めてきた。しかしフ
ォトリソグラフィー技術による微細化は、そこで用いら
れる露光用の光波長で制限される寸法まで進んでおり、
同じ光源を用いる限り、これ以上の超微細化は実現でき
ないところまで来ている。この制約を打ち破り、高解像
度で焦点深度が高いフォトリソグラフィー技術として位
相シフト法があることは広く知られている。
により、半導体装置の超微細化を進めてきた。しかしフ
ォトリソグラフィー技術による微細化は、そこで用いら
れる露光用の光波長で制限される寸法まで進んでおり、
同じ光源を用いる限り、これ以上の超微細化は実現でき
ないところまで来ている。この制約を打ち破り、高解像
度で焦点深度が高いフォトリソグラフィー技術として位
相シフト法があることは広く知られている。
【０００３】この位相シフト法における半導体装置製造
用マスクは、図３に示すように、マスク透明基体３１と
その上の位相シフト膜３２とで構成されている。
用マスクは、図３に示すように、マスク透明基体３１と
その上の位相シフト膜３２とで構成されている。
【０００４】位相シフト法においては、位相シフト膜の
幅と間隔を同じにしてマスクを構成しても、露光現像後
のフォトレジスト３３の幅が位相シフト膜の幅や間隔に
かかわらず露光波長で決まる幅ｗとなり、微細化が実現
できる。
幅と間隔を同じにしてマスクを構成しても、露光現像後
のフォトレジスト３３の幅が位相シフト膜の幅や間隔に
かかわらず露光波長で決まる幅ｗとなり、微細化が実現
できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の位相シフト法半導体装置製造用マスクの構成では
位相シフト膜のエッジ部分においてのみ、露光現像後に
残るフォトレジストのパターンが決まるので、フォトレ
ジストが残る遮光部が任意パターンの場合、位相シフト
法では困難であった。また、透光部パターンあるいは遮
光部パターンとして設計されていたマスクレイアウトデ
ータとの対応がとりにくい等の欠点を有していた。
従来の位相シフト法半導体装置製造用マスクの構成では
位相シフト膜のエッジ部分においてのみ、露光現像後に
残るフォトレジストのパターンが決まるので、フォトレ
ジストが残る遮光部が任意パターンの場合、位相シフト
法では困難であった。また、透光部パターンあるいは遮
光部パターンとして設計されていたマスクレイアウトデ
ータとの対応がとりにくい等の欠点を有していた。
【０００６】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、位相シフト法によって任意パターンが形成でき、
かつ透光部パターンあるいは遮光部パターンとして設計
されていたマスクレイアウトデータを利用できる半導体
装置製造用マスクを提供することを目的とする。
ので、位相シフト法によって任意パターンが形成でき、
かつ透光部パターンあるいは遮光部パターンとして設計
されていたマスクレイアウトデータを利用できる半導体
装置製造用マスクを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の半導体装置製造用マスクは、露光波長で規
定される寸法以下の大きさの透光部と、この寸法以下の
大きさの位相シフト部とを交互に配置し遮光部を構成し
たものである。
に、本発明の半導体装置製造用マスクは、露光波長で規
定される寸法以下の大きさの透光部と、この寸法以下の
大きさの位相シフト部とを交互に配置し遮光部を構成し
たものである。
【０００８】
【作用】この構成によって、位相シフト部のエッジの間
隔は水平方向、垂直方向とも露光現像後に残るフォトレ
ジストの幅より間隔を狭くしてあるので、位相シフト部
のエッジによって残るフォトレジストはつながってしま
い、従来のフォトリソグラフィー法における遮光部によ
って残ったものと同等となり、任意パターンが形成でき
ることとなる。
隔は水平方向、垂直方向とも露光現像後に残るフォトレ
ジストの幅より間隔を狭くしてあるので、位相シフト部
のエッジによって残るフォトレジストはつながってしま
い、従来のフォトリソグラフィー法における遮光部によ
って残ったものと同等となり、任意パターンが形成でき
ることとなる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。図１は本発明の実施例における半導
体装置製造用マスクの位相シフト部のパターンを示すも
のである。
しながら説明する。図１は本発明の実施例における半導
体装置製造用マスクの位相シフト部のパターンを示すも
のである。
【００１０】図１において、１１の破線は位相シフト部
形成領域の外周を示し、１２は位相シフト部、１３は透
光部を示す。ｈ1、ｈ2、ｈ3などは位相シフト部や透光
部の高さを示し、ｔ1、ｔ2、ｔ3等は位相シフト部や透
光部の幅を示し、すべて露光波長によって決まる長さｗ
より小さく設定してある。
形成領域の外周を示し、１２は位相シフト部、１３は透
光部を示す。ｈ1、ｈ2、ｈ3などは位相シフト部や透光
部の高さを示し、ｔ1、ｔ2、ｔ3等は位相シフト部や透
光部の幅を示し、すべて露光波長によって決まる長さｗ
より小さく設定してある。
【００１１】以上のように構成された半導体装置製造用
マスクについて、図２を用いてその構成法を説明する。
露光波長が０.４３６μｍのｉ線を用いる場合、位相シ
フト部のエッジが図３に示すように十分に離れていれ
ば、露光現像後に残るフォトレジストの幅ｗは０.２μ
ｍ以上あることは実験より得られている。
マスクについて、図２を用いてその構成法を説明する。
露光波長が０.４３６μｍのｉ線を用いる場合、位相シ
フト部のエッジが図３に示すように十分に離れていれ
ば、露光現像後に残るフォトレジストの幅ｗは０.２μ
ｍ以上あることは実験より得られている。
【００１２】そこでまず、図２（ａ）において実線で示
すフォトレジスト領域２１にフォトレジストを残すもの
とする。位相シフト法では位相シフト部のエッジを中心
に左右にｗ／２ずつだけ広がった形でフォトレジストが
残るため、あらかじめフォトレジスト領域２１の周囲を
幅ｗ／２だけ縮めた、破線で示す位相シフト部領域２２
を形成する。
すフォトレジスト領域２１にフォトレジストを残すもの
とする。位相シフト法では位相シフト部のエッジを中心
に左右にｗ／２ずつだけ広がった形でフォトレジストが
残るため、あらかじめフォトレジスト領域２１の周囲を
幅ｗ／２だけ縮めた、破線で示す位相シフト部領域２２
を形成する。
【００１３】次に、図２（ｂ）に示すように位相シフト
部領域２２をｗ＝０.２（μｍ）より小さい０.１９μｍ
を用い、ｔ＝ｈ＝０.１９（μｍ）とした等間隔な水平
線及び垂直線で分割する。この分割により位相シフト部
領域２２は等間隔メッシュにより正方形あるいは正方形
の一部である三角形あるいは五角形に分割される。次に
分割された正方形あるいは三角形あるいは五角形を上下
左右交互に位相シフト部とし、残りを透光部としてやれ
ばよい。これにより任意パターンの位相シフト法半導体
装置製造用マスクが構成できたことになる。
部領域２２をｗ＝０.２（μｍ）より小さい０.１９μｍ
を用い、ｔ＝ｈ＝０.１９（μｍ）とした等間隔な水平
線及び垂直線で分割する。この分割により位相シフト部
領域２２は等間隔メッシュにより正方形あるいは正方形
の一部である三角形あるいは五角形に分割される。次に
分割された正方形あるいは三角形あるいは五角形を上下
左右交互に位相シフト部とし、残りを透光部としてやれ
ばよい。これにより任意パターンの位相シフト法半導体
装置製造用マスクが構成できたことになる。
【００１４】ここで、位相シフト部パターンでｗより小
さい寸法のものに仕上がるが、半導体装置製造用マスク
そのものは光より波長の短い電子ビームを用いて作成す
るため、なんら問題はない。さらに５倍あるいは１０倍
の縮小投影露光を用いる場合には、所望のフォトレジス
トパターンの５倍あるいは１０倍のパターンを形成する
ので、なおさら問題はない。
さい寸法のものに仕上がるが、半導体装置製造用マスク
そのものは光より波長の短い電子ビームを用いて作成す
るため、なんら問題はない。さらに５倍あるいは１０倍
の縮小投影露光を用いる場合には、所望のフォトレジス
トパターンの５倍あるいは１０倍のパターンを形成する
ので、なおさら問題はない。
【００１５】なお、位相シフト部や透光部の高さや幅が
ｗ以下であれば、一律である必要性はない。また、透光
部パターンあるいは遮光部パターンとして設計されてい
たマスクレイアウトデータは、上記手法に従って電子計
算機を用いたデザインオートメーション技術で、位相シ
フト半導体装置製造用マスクデータに短時間に容易に変
換することができる。
ｗ以下であれば、一律である必要性はない。また、透光
部パターンあるいは遮光部パターンとして設計されてい
たマスクレイアウトデータは、上記手法に従って電子計
算機を用いたデザインオートメーション技術で、位相シ
フト半導体装置製造用マスクデータに短時間に容易に変
換することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、露光波長で規定
される寸法以下の大きさの透光部と、前記寸法以下の大
きさの位相シフト部とを交互に配置し遮光部を構成する
ことにより、任意パターンが形成でき、かつ透光部パタ
ーンあるいは遮光部パターンとして設計されていたマス
クレイアウトデータを利用できる高解像度で焦点深度の
深い半導体装置製造用マスクを実現できるものである。
される寸法以下の大きさの透光部と、前記寸法以下の大
きさの位相シフト部とを交互に配置し遮光部を構成する
ことにより、任意パターンが形成でき、かつ透光部パタ
ーンあるいは遮光部パターンとして設計されていたマス
クレイアウトデータを利用できる高解像度で焦点深度の
深い半導体装置製造用マスクを実現できるものである。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置製造用マスクパ
ターンの平面図
ターンの平面図
【図２】本実施例の構成法を説明するための平面図
【図３】従来例の半導体装置製造用マスクを用いた位相
シフト部とフォトレジストの関係を示す断面図
シフト部とフォトレジストの関係を示す断面図
１１ 位相シフト部形成領域の外周 １２ 位相シフト部 １３ 透光部 ３１ フォトレジスト領域 ３２ 位相シフト部領域
Claims (1)
- 【請求項１】露光波長で規定される寸法以下の大きさの
透光部と、前記寸法以下の大きさの位相シフト部とを交
互に配置し遮光部を構成した半導体装置製造用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3750292A JPH05232681A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置製造用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3750292A JPH05232681A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置製造用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232681A true JPH05232681A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12499303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3750292A Pending JPH05232681A (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | 半導体装置製造用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05232681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446587A (en) * | 1992-09-03 | 1995-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Projection method and projection system and mask therefor |
| WO2001063864A3 (en) * | 2000-02-22 | 2002-03-21 | Micron Technology Inc | Chromeless alternating phase-shift reticle for producing semiconductor device features |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP3750292A patent/JPH05232681A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5446587A (en) * | 1992-09-03 | 1995-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Projection method and projection system and mask therefor |
| WO2001063864A3 (en) * | 2000-02-22 | 2002-03-21 | Micron Technology Inc | Chromeless alternating phase-shift reticle for producing semiconductor device features |
| US6376130B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-04-23 | Micron Technology, Inc. | Chromeless alternating reticle for producing semiconductor device features |
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