JPH05234874A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JPH05234874A
JPH05234874A JP4073173A JP7317392A JPH05234874A JP H05234874 A JPH05234874 A JP H05234874A JP 4073173 A JP4073173 A JP 4073173A JP 7317392 A JP7317392 A JP 7317392A JP H05234874 A JPH05234874 A JP H05234874A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cup
wafer
flow path
annular flow
outer peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4073173A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2976082B2 (ja
Inventor
Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
Takashi Takekuma
貴志 竹熊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP4073173A priority Critical patent/JP2976082B2/ja
Publication of JPH05234874A publication Critical patent/JPH05234874A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2976082B2 publication Critical patent/JP2976082B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 装置内の排気を良好に行って、ミスト状にな
った処理液の被処理体の表裏面への飛来を防止する。 【構成】 ウエハWを水平に保持して回転するスピンチ
ャック21のウエハ保持部の下方を内カップ29にて包
囲し、これらスピンチャック21と内カップ29の外方
を外カップ30にて囲繞する。外カップ30の底部に起
立された仕切部材34によって区画される内外二重の環
状流路の内側環状流路15に排気口32を開口する。内
カップ29の上部外周から垂下される外周部29dにて
環状流路を外側環状流路36と中間環状流路37とに区
画すると共に、この外側環状流路36と中間環状流路3
7の流路面積S1 ,S2 を相等しく設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば半導体ウエハ
等の板状被処理体の表面にレジスト液等の処理液を供給
する処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のこの種の処理装置を使用して板状
の被処理体に処理液を塗布する際、回転する被処理体か
ら振り切られて飛散した処理液がカップ内壁ではね返っ
て被処理体表面に付着するのを防止するため、例えばカ
ップの底部より排気を行うことにより、カップ内にその
上部開口部よりエア−(クリンル−ム内のダウンフロ
−)を導入し、被処理体表面に沿って外方へ流れる気流
を発生させている。
【0003】従来この種の装置として、図8に示すレジ
スト塗布装置が知られている。この装置は、被処理体で
ある半導体ウエハW(以下にウエハという)を吸着保持
し、これを水平回転させるスピンチャック51と、この
スピンチャック51上に保持されたウエハWの表面に処
理液を供給する処理液供給ノズル52と、スピンチャッ
ク51の周囲を囲うように配置された環状の内カップ5
3と、これらスピンチャック51及び内カップ53を包
囲して処理液の飛散を防止する外カップ54とで主要部
が構成されている。
【0004】内カップ53は、外カップ54の底部より
起立されてスピンチャック51の周囲を実質的に囲む円
筒状の起立部53aと、起立部53aの上端部に形成さ
れ、この内カップ53の上面57を構成する水平部53
bと、この水平部53bの外周縁部より斜め下方に拡径
されつつ延出された傾斜部53cと、この傾斜部53c
の外周縁部より外カップ54の底部近傍に延出された外
周部53dとで構成される。外カップ54はウエハWの
出し入れができるよう上部が大きく開口され、底部には
排気口55並びに排液口56が設けられている。また、
外カップ54の底部には起立部53aの周囲下部を囲む
環状の仕切部材58が設けられており、排気口55は、
この仕切部材58と内カップ53の起立部53aとの間
に設けられ、排液口56は、外カップ54の内壁近傍に
設けられている。
【0005】このように構成された従来のレジスト塗布
装置において、排気口55より外カップ54内の排気を
行うと、外カップ54の上部開口部より導入されたエア
ーAは、ウエハWの表面に沿って放射状に流された後、
内カップ53と外カップ54との間を下降し、内カップ
53の外周部53dと仕切部材58との間、仕切部材5
8と起立部53aとの間を順次通って排気口55に至り
排気される。回転塗布の際にウエハWの周縁部より振り
切られて飛散し、外カップ54の内壁に当たってミスト
状になったレジスト液は、上述したようにウエハWの表
面に沿って放射状に流れたのち下降するエアーAの流れ
に搬送されて、排気口55よりエアーAと共に排出され
る。また、外カップ54の内壁に付着し水滴状になった
レジスト液は、内壁に沿って下降し、底部で集積されて
排液口56より排出される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のこの種
の装置では、排気口55が設けられた側のエアーAの流
れは良好に発生するが、排気口55から離れた位置、特
に排気口55とは反対側のエアーAの流れは不足しがち
であり、その結果、外カップ54の内壁に当ってミスト
状になったレジスト液が完全に下方へ搬送されずにウエ
ハWの表面に飛来して付着し、塗布膜の均一性を低下す
るという問題が生じていた。このエアーAの流れが排気
口55から離れた位置程不足するその主な原因は、本発
明者等が検討した結果、外カップ54と内カップ53の
外周部53dとの間に形成された環状の流路と、内カッ
プ53の外周部53dと仕切部材58との間に形成され
た環状の流路とにおける流路面積の差にあるということ
が判った。すなわち、従来の装置では、内カップ53の
外周部53dの径は、外カップ54の径と仕切部材58
の径の中間に設定されていたため、外側の流路の方が内
側の流路よりも流路面積が大きく、そのために生じる圧
力損失が排気口5から離れる程顕著にあらわれるものと
考えられる。
【0007】更に、従来のこの種の装置では、内カップ
53の上面57の周縁部の径がウエハWの径よりも小さ
いため、図9に示すように、ウエハWの周縁部より裏面
側に回り込んだエアーAが、ウエハWの裏面と内カップ
53の上面7との間に流れ込みやすく、ウエハWの裏面
や内カップ53の上面57にレジスト液が付着し、その
後乾燥してパーティクルが発生するという問題があっ
た。
【0008】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、装置内の排気を良好に行って、ミスト状になったレ
ジスト液などの処理液の被処理体の表裏面への飛来を防
ぎ、更に、被処理体裏面などへの処理液の付着を防止し
て、良好な処理を行うことができる処理装置を提供する
ことを目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理装置は、被処理体を保持して
回転する回転保持手段と、この回転保持手段を囲繞する
外カップと、上記回転保持手段の被処理体保持部の下方
を包囲すべく上記外カップの底部から起立する内カップ
と、上記外カップの底部に起立された仕切部材によって
区画される内外二重の環状流路の内側環状流路に開口す
る排気口とを具備し、上記内カップの上部外周から垂下
される外周部にて上記環状流路を外側及び中間環状流路
に区画すると共に、この外側環状流路と中間環状流路の
流路面積を相等しく設定するものである。
【0010】また、この発明の第2の処理装置は、被処
理体を保持して回転する回転保持手段と、この回転保持
手段の被処理体保持部の下方を包囲する環状の内カップ
とを具備する処理装置において、上記内カップの上面外
周縁部に、上記被処理体の径に合わせて半径方向外方に
延出する外周縁部を形成してなるものである。
【0011】この発明において、上記排気口は内側環状
流路に開口するものであれば、その深さは任意でよい
が、好ましくは排気口の開口部と同径の筒状流量干渉部
を設けると共に、この流量干渉部の深さを可及的に長く
形成する方がよい。
【0012】上記外カップの開口部は被処理体の出し入
れに支障をきたさない大きさであれば、開口縁は単にカ
ットしたものであっても差し支えないが、好ましくは開
口端から内側に向ってV字状あるいはU字状に折り返さ
れる上部開口縁部を形成する方がよい。この上部開口縁
部の折返し角度は水平面に対して例えば45°〜60°
に設定する方がよい。
【0013】
【作用】上記のように構成される第1の発明の処理装置
によれば、上記排気口より外カップ内の排気を行うと、
上部開口部より導入されたエアーは、被処理体の表面に
沿って放射状に流れた後、内カップと外カップとの間を
下降し、上記外側の環状流路、中間の環状流路、更に内
側の環状流路の順に流れ排気口に至り、装置の外に排気
される。外側の環状流路の流路面積と中間の環状流路の
流路面積とが相等しくなるように設定されるので、流路
面積の違いによる圧力損失は解消され、排気口から離れ
た位置においてもエア−の流れを良好に発生させること
ができる。したがって、外カップの内壁に当ってミスト
状になった処理液をエア−の流れによって良好に搬送・
排出して、被処理体の表面への飛来を防止し、塗布膜等
の均一性を向上させることができる。
【0014】また、第2の発明の処理装置によれば、内
カップの上面外周縁部を被処理体の径に合わせて半径方
向外方に延出させておくことにより、被処理体の周縁部
より裏面側に回り込もうとするエア−を内カップの延出
された上面外周縁部の裏面で阻止することができる。し
たがって、被処理体の裏面や内カップの上面に対する処
理液の付着及びパーティクルの発生をより確実にを防止
することができる。
【0015】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。この実施例はレジスト塗布現像装置に
適用したものである。
【0016】レジスト塗布現像装置は、図1に示すよう
に、被処理体例えば半導体ウエハ(以下、単にウエハと
いう)Wに種々の処理を施す処理機構が配置された処理
機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエハW
を自動的に搬入・搬出する搬入・搬出機構1とで主要部
が構成されている。
【0017】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するア−
ム4と、このア−ム4をX,Y(水平),Z(垂直)及
びθ(回転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハW
がアライメントされかつ処理機構ユニット10との間で
ウエハWの受け渡しがなされるアライメントステージ6
とを備えている。
【0018】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインア−ム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト液膜との密着性を向上させるためのアドヒ
ージョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウ
エハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸
発させるためのプリベーク機構15と、加熱処理された
ウエハWを冷却する冷却機構16とが配置されている。
搬送路11の他方の側にはウエハWの表面にレジストを
塗布する処理液塗布機構17(この発明の処理装置)
と、露光工程時に光乱反射を防止するために、ウエハW
のレジスト上にCEL膜などを塗布形成する表面被覆層
塗布機構18とが配置されている。
【0019】以上のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のア−ム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置される。次いで、
アライメントステージ6上のウエハWは、搬送機構12
のメインア−ム13に保持されて、各処理機構14〜1
8へと搬送される。そして、処理後のウエハWはメイン
ア−ム13によってアライメントステージ6に戻され、
更にア−ム4により搬送されてウエハキャリア3に収納
されることになる。
【0020】この発明の処理装置17は、図2に示すよ
うに、板状の被処理体である半導体ウエハWを水平に吸
着保持し、これを水平回転させる回転保持手段であるス
ピンチャック21と、このスピンチャック21上に移動
されてウエハWの表面に処理液であるレジスト液を供給
する処理液供給ノズル22と、スピンチャック21のウ
エハ保持部21Aの下方の周囲を囲うように同心状に配
置された環状の内カップ29と、これらスピンチャック
21及び内カップ29を包囲して装置外への処理液の飛
散を防止する外カップ30とで主要部が構成されてい
る。
【0021】内カップ29は、外カップ30の底部より
起立されてスピンチャック21の周囲を実質的に囲む円
筒状の起立部29aと、この起立部29aの上端部に形
成されて、この内カップ29の上面31を構成する外径
がウエハWと同径の水平部29bと、水平部29bの外
周縁部のやや内側より斜め下方に拡径されつつ延出され
た傾斜部29cと、この傾斜部29cの外周縁部より外
カップ30の底部近傍に垂下された外周部29dとで構
成される。この内カップ29は、外カップ30の内周部
に下部が連通した内外二重の環状流路(内側環状流路3
5、外側環状流路36)を区画形成する。また、内カッ
プ29の水平部29bの上面31の外周端部はウエハW
のエッジと等しい位置におかれ、ウエハWの裏面にレジ
スト液が入り込むのを阻止し得るようにしてある。な
お、傾斜部29cの水平面に対する角度αは、α=30
°〜45°に設定されている(図4参照)。
【0022】外カップ30はウエハWの出し入れができ
るよう上部が大きく開口され、底部には後述する排気口
32並びに排液口33が設けられている。外カップ30
の上部開口縁部30aは、内側に断面V字状ないしU字
状に折返されている。この上部開口縁部30aの折返し
角βは、β=45°〜60°の範囲内に設定されている
(図5参照)。また、外カップ30の底部には起立部2
9aの周囲下部を囲む環状の仕切部材34が設けられ
て、内側環状流路35と外側環状流路36との間に中間
環状流路37を形成している。そして、内側環状流路3
5内に排気口32が開口し、外側環状流路36の近傍位
置に排液口33が開口している。なお、仕切部材34の
高さは、内カップ29の外周部29dの下端部よりも若
干高く設定されている。
【0023】外カップ30の内周壁と内カップ29の外
周部29dとの間隔は、仕切部材34と内カップ29の
外周部29dとの間隔よりも所定間隔狭くなっており、
これによって、上記外側環状流路36の流路面積S1 と
中間環状流路37の流路面積S2 は相等しく設定されて
いる(図3参照)。
【0024】排気口32には、これと同径の筒状の流速
干渉部42が設けられており、流速干渉部42の先端に
排気口32よりも小径の配管38が接続されている。こ
の流速干渉部42は、排気口32の近くにおけるエアー
Aの流れが排気口32から離れたところにおける流れよ
りも極端に強くならないようにするために設けられたも
のであり、その長さ(深さ)は長ければ長い程、流速の
平均化には効果がある。なお、配管38の途中には、排
気量を調節するためのダンパ39が設けられている。こ
のダンパ39は、外カップ30の上部壁に内方空間に望
ませて取り付けられた排気流量センサ41による排気流
量検出値に基づいて図示しないダンパ駆動装置により駆
動され、排気流量を正確にコントロ−ルすることができ
るようになっている。なお、排液口33は、配管40を
介して図示しない排液貯留槽に接続されている。
【0025】上記のように構成されるこの発明に係るレ
ジスト塗布装置において、排気口32より外カップ30
内の排気を行うと、外カップ30の上部開口部より導入
されたエアーAは、ウエハWの表面に沿って放射状に流
されたのち、内カップ29と外カップ30との間を下降
し、外側環状流路36、中間環状流路37、更に内側環
状流路35の順に流れて排気口32に至り、ダンパ39
を経て排気される。外側の環状流路36の流路面積S1
と中間の環状流路37の流路面積S2 とが相等しく設定
されているので、流路面積の違いによる内外流路間の圧
力損失は小さく抑えられ、排気口32の位置による排気
のアンバランスが低減され外側環状流路36の全域に亘
り排気流量が均一化される。更に、排気口32と配管と
の間に上記の流速干渉部22が設けられているので、排
気口32から離れた位置においてもエアーAの流れを良
好に発生させることができる。したがって、外カップ3
0の内壁に当ってミスト状になったレジスト液をエアー
Aの流れによって良好に搬送・排出して、ウエハWの表
面への飛来を防止し、塗布膜の均一性を向上させること
ができる。
【0026】また、排気流量センサ21による排気流量
の検出値に基づいてダンパ39が駆動され、排気流量が
常に適性にコントロ−ルされるので、排気の強すぎによ
り排気流に乱流が発生したりしてレジスト膜に流線む
ら、ストリエーション等が発生するなどの不都合は生じ
ない。また、内カップ29の傾斜部29cの傾斜角αが
30°〜45°に設定されているので、エアーAの流れ
を整流化してウエハWの裏面や内カップ29の上面31
に対するレジスト液の付着を防止することができる。更
に、外カップ30の上部開口縁部30aが、上述したよ
うに所定の折返し角βで折り返されているので、外カッ
プ30の内壁に当ってミスト状になったレジスト液が万
一内壁に沿って上昇しても、図5に示すように折返し部
によってこれより先への移動を阻止し、ウエハW上への
飛散を防止できる。
【0027】図6はこの発明の第二実施例の概略断面
図、図7は第二実施例における要部の断面図が示されて
いる。
【0028】第二実施例における処理装置は、ウエハW
と内カップ29の上面31との間にレジスト液が入り込
むのを更に確実に阻止し得るようにした場合である。す
なわち、内カップ29の上面31の外周縁部に、ウエハ
Wの径に合わせて半径方向外方に延出する外周縁部31
aを形成した場合である。このように形成することによ
り、傾斜部29cが水平部29bの外周縁部のやや内側
に設けられ、内カップ29の上面外周縁部31aがウエ
ハWの径に合わせて半径方向外方に延出されているの
で、図7に示すようにウエハWの周縁部より裏面側に回
り込もうとするエアーAを延出された上面外周縁部31
aの裏面で阻止することができる。したがって、ウエハ
Wの裏面や内カップ29の上面に対するレジスト液の付
着を防止することができると共に、付着し乾燥したレジ
ストによるパーティクルの発生を防止することができ
る。
【0029】なお、第二実施例において、その他の部分
は上記第一実施例と同じであるので、同一部分には同一
符号を付して、その説明は省略する。
【0030】上記実施例では板状被処理体が半導体ウエ
ハの場合について説明したが、これに限られるものでは
なく、例えばLCD基板あるいはプリント基板等につい
て同様に処理液を回転塗布するものにも適用できるもの
である。また、上記実施例では回転塗布装置をレジスト
塗布装置に適用した場合について説明したが、レジスト
塗布装置以外にも、例えばエッチング液塗布装置や磁性
液塗布処理等を行う装置にも適用できることは勿論であ
る。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の処理装
置によれば、以下のような優れた効果が得られる。
【0032】1)請求項1記載の処理装置によれば、外
側環状流路の流路面積と中間環状流路の流路面積とを相
等しく設定するので、流路面積の違いによる圧力損失は
小さく抑えられ、排気口から離れた位置においてもエア
−の流れを良好に発生させることができる。したがっ
て、外カップの内壁に当ってミスト状になった処理液を
エア−の流れによって良好に搬送・排出して、被処理体
の表面への飛来を防止し、塗布膜等の均一性を向上させ
ることができる。
【0033】2)請求項2記載の処理装置によれば、内
カップの上面外周縁部を被処理体の径に合わせて半径方
向外方に延出させたので、被処理体の周縁部より裏面側
に回り込もうとするエア−の流れを延出された上面外周
縁部の裏面で阻止することができる。したがって、被処
理体の裏面や内カップの上面に対する処理液の付着を防
止すると共に、パーティクルの発生を防止することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の処理装置を有するレジスト塗布現像
装置の全体を示す概略平面図である。
【図2】この発明の処理装置の第一実施例を示す断面斜
視図である。
【図3】図2の III−III 線に沿う断面図である。
【図4】この発明における内カップの傾斜部を示す拡大
断面図である。
【図5】この発明における外カップの上部開口部を示す
拡大断面図である。
【図6】この発明の処理装置の第二実施例を示す概略断
面図である。
【図7】第二実施例における上面外周縁部を示す拡大断
面図である。
【図8】従来の処理装置を示す概略縦断面図である。
【図9】図8のIX部を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
21 スピンチャック(回転保持手段) 29 内カップ 29a 起立部 29d 外周部 30 外カップ 31a 上面外周縁部 32 排気口 34 仕切部材 35 内側環状流路 36 外側環状流路 37 中間環状流路 S1 外側環状流路の流路面積 S2 中間環状流路の流路面積 W ウエハ(板状被処理体)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理体を保持して回転する回転保持手
    段と、この回転保持手段を囲繞する外カップと、上記回
    転保持手段の被処理体保持部の下方を包囲すべく上記外
    カップの底部から起立する内カップと、上記外カップの
    底部に起立された仕切部材によって区画される内外二重
    の環状流路の内側環状流路に開口する排気口とを具備
    し、 上記内カップの上部外周から垂下される外周部にて上記
    環状流路を外側及び中間環状流路に区画すると共に、こ
    の外側環状流路と中間環状流路の流路面積を相等しく設
    定したことを特徴とする処理装置。
  2. 【請求項2】 被処理体を保持して回転する回転保持手
    段と、この回転保持手段の被処理体保持部の下方を包囲
    する環状の内カップとを具備する処理装置において、 上記内カップの上面外周縁部に、上記被処理体の径に合
    わせて半径方向外方に延出する外周縁部を形成してなる
    ことを特徴とする処理装置。
JP4073173A 1992-02-25 1992-02-25 処理装置 Expired - Fee Related JP2976082B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4073173A JP2976082B2 (ja) 1992-02-25 1992-02-25 処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4073173A JP2976082B2 (ja) 1992-02-25 1992-02-25 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05234874A true JPH05234874A (ja) 1993-09-10
JP2976082B2 JP2976082B2 (ja) 1999-11-10

Family

ID=13510491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4073173A Expired - Fee Related JP2976082B2 (ja) 1992-02-25 1992-02-25 処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2976082B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067059A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
EP2006031A4 (en) * 2006-03-01 2012-04-18 Tokuyama Corp PROCESS FOR LAMINATE MANUFACTURE

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007067059A (ja) * 2005-08-30 2007-03-15 Tokyo Electron Ltd 塗布膜形成装置
US7802536B2 (en) 2005-08-30 2010-09-28 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of forming an applied film
US8287954B2 (en) 2005-08-30 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Apparatus and method of forming an applied film
EP2006031A4 (en) * 2006-03-01 2012-04-18 Tokuyama Corp PROCESS FOR LAMINATE MANUFACTURE

Also Published As

Publication number Publication date
JP2976082B2 (ja) 1999-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10283380B2 (en) Substrate processing apparatus
JP4318913B2 (ja) 塗布処理装置
TWI647754B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
TWI757316B (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
KR101223354B1 (ko) 기판 처리 장치
JPH07132262A (ja) 浸漬式の液処理装置
CN101826449A (zh) 液体处理装置及液体处理方法
JP3177728B2 (ja) 処理装置及び処理方法
JP2886382B2 (ja) 塗布装置
JP2002361155A (ja) 塗布処理装置及びその方法
JP2893146B2 (ja) 塗布装置
JP7534370B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001189260A (ja) 液処理装置及びその方法
JP3679695B2 (ja) 現像装置、基板処理装置及び現像方法
JP3620016B2 (ja) 基板処理装置
JP2976082B2 (ja) 処理装置
JP2814184B2 (ja) 塗布装置
JPH1170354A (ja) 塗布装置
JP2936505B2 (ja) 塗布装置
JP3289208B2 (ja) 洗浄処理方法及び洗浄処理装置
JP2964113B2 (ja) 処理装置
JPH10309509A (ja) 回転式基板処理装置および基板処理方法
JPH09122560A (ja) 回転式塗布装置
JPH06120133A (ja) 現像装置
JPH029476A (ja) スピンコーティング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990810

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees