JPH05242997A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH05242997A JPH05242997A JP4041566A JP4156692A JPH05242997A JP H05242997 A JPH05242997 A JP H05242997A JP 4041566 A JP4041566 A JP 4041566A JP 4156692 A JP4156692 A JP 4156692A JP H05242997 A JPH05242997 A JP H05242997A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＥＣＲプラズマ装置において、低ガス圧や低
マイクロ波電力等の放電の開始しにくい条件下でも安定
に放電を開始させる装置構造を提供する。 【構成】 マイクロ波９が基板支持台７で反射されて形
成する定在波１０の腹１１の位置がＥＣＲポイント１６
と重なり、ＥＣＲポイント１６における電子は進行マイ
クロ波のみの場合の２倍のマイクロ波電界により加速さ
れ、ガス分子の電離に必要な高エネルギー電子が効率的
に生成されて容易に放電する。
マイクロ波電力等の放電の開始しにくい条件下でも安定
に放電を開始させる装置構造を提供する。 【構成】 マイクロ波９が基板支持台７で反射されて形
成する定在波１０の腹１１の位置がＥＣＲポイント１６
と重なり、ＥＣＲポイント１６における電子は進行マイ
クロ波のみの場合の２倍のマイクロ波電界により加速さ
れ、ガス分子の電離に必要な高エネルギー電子が効率的
に生成されて容易に放電する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ装置の構造、
特にＥＣＲプラズマ装置の放電開始を容易にする装置構
造に関する。
特にＥＣＲプラズマ装置の放電開始を容易にする装置構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＣＲプラズマ装置はマグネトロン発振
管などで発生させたマイクロ波（通常、工業用周波数
２．４５ＧＨｚを用いる）を導波管を用いてプラズマ発
生室内に導入し、プラズマ発生室内に形成された外部磁
場（マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚの場合８７５
Ｇ）中で電子を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によ
り連続加速し、それによって発生した高エネルギー電子
の衝突電離作用（α作用）によってプラズマを維持する
プラズマ装置である。電子は旋回運動を行いながら加速
し続けるため、電子がプラズマ発生室壁面等に衝突する
までにガス分子に衝突する確率が高く、平行平板電極形
のプラズマ装置では困難な１０-3〜１０-1Ｐａの比較的
低いガス圧においても安定にプラズマが生成する。ま
た、電子はマイクロ波の１周期以上にわたって連続的に
加速されうるため、低いマイクロ波電界強度でも効率的
にプラズマが生成する。更に、シース電圧が比較的小さ
いイオン照射による基板へのダメージが小さい、電極を
プラズマ発生室内に挿入する必要が無く電極金属による
汚染が無いなどの特徴がある。これらの特徴を活かして
ＥＣＲプラズマ装置は低ダメージで異方性加工が行える
ドライエッチング装置や、低ダメージで被覆性良好なプ
ラズマＣＶＤ装置等に応用されている。
管などで発生させたマイクロ波（通常、工業用周波数
２．４５ＧＨｚを用いる）を導波管を用いてプラズマ発
生室内に導入し、プラズマ発生室内に形成された外部磁
場（マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚの場合８７５
Ｇ）中で電子を電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）によ
り連続加速し、それによって発生した高エネルギー電子
の衝突電離作用（α作用）によってプラズマを維持する
プラズマ装置である。電子は旋回運動を行いながら加速
し続けるため、電子がプラズマ発生室壁面等に衝突する
までにガス分子に衝突する確率が高く、平行平板電極形
のプラズマ装置では困難な１０-3〜１０-1Ｐａの比較的
低いガス圧においても安定にプラズマが生成する。ま
た、電子はマイクロ波の１周期以上にわたって連続的に
加速されうるため、低いマイクロ波電界強度でも効率的
にプラズマが生成する。更に、シース電圧が比較的小さ
いイオン照射による基板へのダメージが小さい、電極を
プラズマ発生室内に挿入する必要が無く電極金属による
汚染が無いなどの特徴がある。これらの特徴を活かして
ＥＣＲプラズマ装置は低ダメージで異方性加工が行える
ドライエッチング装置や、低ダメージで被覆性良好なプ
ラズマＣＶＤ装置等に応用されている。
【０００３】図５に従来のＥＣＲプラズマ装置の装置構
造を示す。ＥＣＲに必要な外部磁場１５は、永久磁石や
電磁コイルによって形成するが、磁場形状や磁場強度を
自由に変えられるという利点から電磁コイル６が多用さ
れている。磁場形状を発散磁場形にした場合は、電子の
ドリフトによって生ずる電界により正イオンの引出しが
行われる。この場合は通例、基板支持台７はＥＣＲに必
要な外部磁場の形成されている位置、即ちＥＣＲポイン
ト１６から離れた位置に置かれる。また、磁場形状をほ
ぼ平行磁場形にし、発散磁場による正イオンの引出しを
利用せず、基板８の表面に生ずるシース電圧によるイオ
ンの加速のみを利用する場合もある。この場合には磁場
勾配によるイオンの加速を極力抑制するため、プラズマ
が最も生成し易いＥＣＲポイント１６を基板８の直上に
配置する。この様に、ＥＣＲポイント１６の基板支持台
７に対する相対位置は、その目的に応じて微妙に調整さ
れる。
造を示す。ＥＣＲに必要な外部磁場１５は、永久磁石や
電磁コイルによって形成するが、磁場形状や磁場強度を
自由に変えられるという利点から電磁コイル６が多用さ
れている。磁場形状を発散磁場形にした場合は、電子の
ドリフトによって生ずる電界により正イオンの引出しが
行われる。この場合は通例、基板支持台７はＥＣＲに必
要な外部磁場の形成されている位置、即ちＥＣＲポイン
ト１６から離れた位置に置かれる。また、磁場形状をほ
ぼ平行磁場形にし、発散磁場による正イオンの引出しを
利用せず、基板８の表面に生ずるシース電圧によるイオ
ンの加速のみを利用する場合もある。この場合には磁場
勾配によるイオンの加速を極力抑制するため、プラズマ
が最も生成し易いＥＣＲポイント１６を基板８の直上に
配置する。この様に、ＥＣＲポイント１６の基板支持台
７に対する相対位置は、その目的に応じて微妙に調整さ
れる。
【０００４】なお図５において、１はマイクロ波発振
管、２は導波管、３はテーパ導波管、４はマイクロ波導
入窓、５はプラズマ発生室、９はマイクロ波、１０は定
在波である。
管、２は導波管、３はテーパ導波管、４はマイクロ波導
入窓、５はプラズマ発生室、９はマイクロ波、１０は定
在波である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したようにＥＣＲ
プラズマ装置は、一旦放電を開始するとＥＣＲポイント
で効率的にマイクロ波電力が電子のエネルギに変換さ
れ、低ガス圧，低電界強度でも安定にプラズマを生成し
続ける。しかし、ガス圧が特に低い場合、印加マイクロ
波電力が小さい場合など、条件によっては放電の開始自
体がなかなか起こらない場合がある。
プラズマ装置は、一旦放電を開始するとＥＣＲポイント
で効率的にマイクロ波電力が電子のエネルギに変換さ
れ、低ガス圧，低電界強度でも安定にプラズマを生成し
続ける。しかし、ガス圧が特に低い場合、印加マイクロ
波電力が小さい場合など、条件によっては放電の開始自
体がなかなか起こらない場合がある。
【０００６】本発明の目的は、低ガス圧，低マイクロ波
電力では放電開始が起こりにくい場合があるという問題
を解決したプラズマ装置を提供することにある。
電力では放電開始が起こりにくい場合があるという問題
を解決したプラズマ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、磁場中を
運動する電子とマイクロ波の電子サイクロトロン共鳴に
よりプラズマを生成するプラズマ装置において、マイク
ロ波を反射する材料からなる基板支持台を備え、放電開
始前に、前記磁場の形成と前記マイクロ波の印加を行い
ながら前記基板支持台の位置が移動することを特徴とす
る。
運動する電子とマイクロ波の電子サイクロトロン共鳴に
よりプラズマを生成するプラズマ装置において、マイク
ロ波を反射する材料からなる基板支持台を備え、放電開
始前に、前記磁場の形成と前記マイクロ波の印加を行い
ながら前記基板支持台の位置が移動することを特徴とす
る。
【０００８】第２の発明は、磁場中を運動する電子とマ
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、マイクロ波の反射板を備
え、放電開始前に、前記磁場の形成と前記マイクロ波の
印加を行いながら前記反射板の位置が移動することを特
徴とする。
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、マイクロ波の反射板を備
え、放電開始前に、前記磁場の形成と前記マイクロ波の
印加を行いながら前記反射板の位置が移動することを特
徴とする。
【０００９】第３の発明は、磁場中を運動する電子とマ
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、放電開始前に、前記マイ
クロ波を印加しながら電子サイクロトロン共鳴を起こす
磁場強度を持つ位置が移動することを特徴とする。
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、放電開始前に、前記マイ
クロ波を印加しながら電子サイクロトロン共鳴を起こす
磁場強度を持つ位置が移動することを特徴とする。
【００１０】第４の発明は、磁場中を運動する電子とマ
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、放電開始前に、前記磁場
の形成と前記マイクロ波の印加を行いながら、前記マイ
クロ波の周波数が変化することを特徴とする。
イクロ波の電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生
成するプラズマ装置において、放電開始前に、前記磁場
の形成と前記マイクロ波の印加を行いながら、前記マイ
クロ波の周波数が変化することを特徴とする。
【００１１】
【作用】図５の従来の装置構造に示したように、プラズ
マ発生室５内に導入されたマイクロ波９は、放電開始前
はプラズマ発生室内で反射されて定在波を形成する。多
くの場合、マイクロ波導入窓４に対面して位置する基板
支持台７で殆どのマイクロ波が反射され、基板支持台７
の前面に定在波１０を形成する。図５の様に定在波の節
１２，１４の辺りにＥＣＲポイント１６があると、ＥＣ
Ｒポイント１６にある電子に作用する電界の強度は小さ
く、効率よく電子が加速されない。逆に、腹１１，１３
の位置にＥＣＲポイントがあると、入射波のみの場合の
２倍の電界がＥＣＲポイントにある電子に作用するた
め、効率よく電子の加速が行われ、放電が開始し易くな
る。従って、あらゆる場合にプラズマの放電を容易にす
るためにはＥＣＲポイントを定在波の腹の位置付近に設
定すればよい。一方、一旦放電が開始して、プラズマを
利用したエッチングやＣＶＤを行っている最中のＥＣＲ
ポイントの位置は、プラズマ電位，プラズマ密度，電子
温度，イオン温度等のプラズマパラメータを制御すると
いう観点から設定するものであり、必ずしも放電開始前
のマイクロ波の定在波の腹の位置と一致しているとは限
らない。例えば、低エネルギーのイオンの用いて低ダメ
ージ異方性エッチングを行うＥＣＲドライエッチング装
置ではＥＣＲポイントを基板上１ｃｍ程度の所に置くこ
とによって磁場勾配によるイオン引出しの効果を極力抑
え、イオンの加速をイオンシースポテンシャルによる加
速のみにする場合がある。これによってイオン衝撃によ
るダメージを低減し、しかも高いイオン電流密度により
高速エッチングを実現している。しかし、放電前のマイ
クロ波の定在波の腹の位置は基板上３ｃｍ，９ｃｍ等の
位置にあり、エッチング中のＥＣＲポイントの位置と一
致していない。この様な場合においても安定して放電が
開始するよう、放電開始時に一時的にＥＣＲポイントを
定在波の腹付近に移動させる機構を備えた装置構造を考
案した。
マ発生室５内に導入されたマイクロ波９は、放電開始前
はプラズマ発生室内で反射されて定在波を形成する。多
くの場合、マイクロ波導入窓４に対面して位置する基板
支持台７で殆どのマイクロ波が反射され、基板支持台７
の前面に定在波１０を形成する。図５の様に定在波の節
１２，１４の辺りにＥＣＲポイント１６があると、ＥＣ
Ｒポイント１６にある電子に作用する電界の強度は小さ
く、効率よく電子が加速されない。逆に、腹１１，１３
の位置にＥＣＲポイントがあると、入射波のみの場合の
２倍の電界がＥＣＲポイントにある電子に作用するた
め、効率よく電子の加速が行われ、放電が開始し易くな
る。従って、あらゆる場合にプラズマの放電を容易にす
るためにはＥＣＲポイントを定在波の腹の位置付近に設
定すればよい。一方、一旦放電が開始して、プラズマを
利用したエッチングやＣＶＤを行っている最中のＥＣＲ
ポイントの位置は、プラズマ電位，プラズマ密度，電子
温度，イオン温度等のプラズマパラメータを制御すると
いう観点から設定するものであり、必ずしも放電開始前
のマイクロ波の定在波の腹の位置と一致しているとは限
らない。例えば、低エネルギーのイオンの用いて低ダメ
ージ異方性エッチングを行うＥＣＲドライエッチング装
置ではＥＣＲポイントを基板上１ｃｍ程度の所に置くこ
とによって磁場勾配によるイオン引出しの効果を極力抑
え、イオンの加速をイオンシースポテンシャルによる加
速のみにする場合がある。これによってイオン衝撃によ
るダメージを低減し、しかも高いイオン電流密度により
高速エッチングを実現している。しかし、放電前のマイ
クロ波の定在波の腹の位置は基板上３ｃｍ，９ｃｍ等の
位置にあり、エッチング中のＥＣＲポイントの位置と一
致していない。この様な場合においても安定して放電が
開始するよう、放電開始時に一時的にＥＣＲポイントを
定在波の腹付近に移動させる機構を備えた装置構造を考
案した。
【００１２】定在波の腹の位置は、入射マイクロ波の波
長をλとすると、図６に示した様に、マイクロ波が反射
した位置からλ（２ｎ＋１）／４（ｎ＝０，１，２，・
・・）の距離の点となる。第１の発明の様に基板支持台
をマイクロ波を反射する材料で構成すれば、基板支持台
前面に定在波が形成されるから、放電開始前に基板支持
台をマイクロ波の入射方向に移動させることによって定
在波の腹をＥＣＲポイントに移動させることができる。
また、第２の発明の装置構造は定在波の腹を移動させる
ためのマイクロ波反射波を基板支持台とは別に設けたも
のであり、放電開始前に、マイクロ波反射板をマイクロ
波の入射方向に移動させることによって反射板前面に形
成される定在波の腹の位置をＥＣＲポイントに移動させ
ることができる。一旦プラズマが生成してしまえば、導
入されたマイクロ波はＥＣＲポイントで吸収されるた
め、基板支持台や反射板に到達して反射されるマイクロ
波は無くなり、定在波を生じない（図６参照）。
長をλとすると、図６に示した様に、マイクロ波が反射
した位置からλ（２ｎ＋１）／４（ｎ＝０，１，２，・
・・）の距離の点となる。第１の発明の様に基板支持台
をマイクロ波を反射する材料で構成すれば、基板支持台
前面に定在波が形成されるから、放電開始前に基板支持
台をマイクロ波の入射方向に移動させることによって定
在波の腹をＥＣＲポイントに移動させることができる。
また、第２の発明の装置構造は定在波の腹を移動させる
ためのマイクロ波反射波を基板支持台とは別に設けたも
のであり、放電開始前に、マイクロ波反射板をマイクロ
波の入射方向に移動させることによって反射板前面に形
成される定在波の腹の位置をＥＣＲポイントに移動させ
ることができる。一旦プラズマが生成してしまえば、導
入されたマイクロ波はＥＣＲポイントで吸収されるた
め、基板支持台や反射板に到達して反射されるマイクロ
波は無くなり、定在波を生じない（図６参照）。
【００１３】マイクロ波の定在波の腹の位置をＥＣＲポ
イントの位置に一時的に重ねるには、ＥＣＲポイントを
定在波の腹の位置に移動させてもよい。マイクロ波の周
波数がｆ［Ｈｚ］であるとき、ＥＣＲを起こす磁場の強
度は３．５７×１０-7ｆ［Ｇ］であるから、磁場強度が
３．５７×１０-7ｆ［Ｇ］の位置を放電前だけ定在波の
腹の位置と重ねることによって実現される。この方式を
用いた装置が第３の発明のプラズマ装置である。
イントの位置に一時的に重ねるには、ＥＣＲポイントを
定在波の腹の位置に移動させてもよい。マイクロ波の周
波数がｆ［Ｈｚ］であるとき、ＥＣＲを起こす磁場の強
度は３．５７×１０-7ｆ［Ｇ］であるから、磁場強度が
３．５７×１０-7ｆ［Ｇ］の位置を放電前だけ定在波の
腹の位置と重ねることによって実現される。この方式を
用いた装置が第３の発明のプラズマ装置である。
【００１４】放電開始前のプラズマ発生室内でのマイク
ロ波の伝播は真空空と同等と見なせるから、プラズマ発
生室が導波管と見なせない場合には、マイクロ波の周波
数ｆと波長λの関係はλ＝ｃ／ｆ（ｃは光速度）で表さ
れる。従って、定在波の腹の位置は反射板からｃ（２ｎ
＋１）／（４ｆ）（ｎ＝０，１，２，・・・）の距離の
位置となり、マイクロ波の周波数ｆを大きくすると反射
板に近付く方向に、また、ｆを小さくすると反射板から
遠ざかる方向に移動することが分かる。一方、上述した
ようにＥＣＲポイントの磁場強度は３．５７×１０-7ｆ
［Ｇ］であるからＥＣＲポイントの位置も移動する。図
７に示したようにプラズマ発生室内の外部磁場強度分布
は通例、ＥＣＲポイント付近ではマイクロ波導入窓から
遠ざかる（基板支持台に近付く）につれて減衰する向き
の勾配をもっている。マイクロ波周波数ｆを大きくする
と定在波の腹の位置は強磁場側、即ち基板支持台から遠
ざかる方向に移動し、ｆを小さくすると基板支持台に近
付く方向に移動する。結局、マイクロ波の周波数ｆを変
化させることによって定在波の腹とＥＣＲポイントは逆
方向に移動し、ある周波数で重ねることができる。この
仕組みを利用した装置が第４の発明のプラズマ装置であ
る。
ロ波の伝播は真空空と同等と見なせるから、プラズマ発
生室が導波管と見なせない場合には、マイクロ波の周波
数ｆと波長λの関係はλ＝ｃ／ｆ（ｃは光速度）で表さ
れる。従って、定在波の腹の位置は反射板からｃ（２ｎ
＋１）／（４ｆ）（ｎ＝０，１，２，・・・）の距離の
位置となり、マイクロ波の周波数ｆを大きくすると反射
板に近付く方向に、また、ｆを小さくすると反射板から
遠ざかる方向に移動することが分かる。一方、上述した
ようにＥＣＲポイントの磁場強度は３．５７×１０-7ｆ
［Ｇ］であるからＥＣＲポイントの位置も移動する。図
７に示したようにプラズマ発生室内の外部磁場強度分布
は通例、ＥＣＲポイント付近ではマイクロ波導入窓から
遠ざかる（基板支持台に近付く）につれて減衰する向き
の勾配をもっている。マイクロ波周波数ｆを大きくする
と定在波の腹の位置は強磁場側、即ち基板支持台から遠
ざかる方向に移動し、ｆを小さくすると基板支持台に近
付く方向に移動する。結局、マイクロ波の周波数ｆを変
化させることによって定在波の腹とＥＣＲポイントは逆
方向に移動し、ある周波数で重ねることができる。この
仕組みを利用した装置が第４の発明のプラズマ装置であ
る。
【００１５】
【実施例】図１は第１の発明の実施例を説明する図で、
放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５内に
ガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラズマ
発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされてい
る。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した２．４
５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２およびテ
ーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４からプラズ
マ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ製の基
板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定在波１０
を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の腹（第１
の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れた位置
で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。歯車１９によって
駆動棒１８をマイクロ波の入射方向に６ｃｍ以上動かす
と、６ｃｍ間隔で並ぶ定在波の腹の内の１つはＥＣＲポ
イント１６と重なり、その時点でＥＣＲポイント１６に
ある電子は効率よく加速されて放電が開始する。放電開
始後は、再び歯車１９により駆動棒１８を動かし、基板
８をＥＣＲポイント１６の直下１ｃｍの所に移動させ
る。
放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５内に
ガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラズマ
発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされてい
る。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した２．４
５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２およびテ
ーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４からプラズ
マ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ製の基
板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定在波１０
を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の腹（第１
の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れた位置
で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。歯車１９によって
駆動棒１８をマイクロ波の入射方向に６ｃｍ以上動かす
と、６ｃｍ間隔で並ぶ定在波の腹の内の１つはＥＣＲポ
イント１６と重なり、その時点でＥＣＲポイント１６に
ある電子は効率よく加速されて放電が開始する。放電開
始後は、再び歯車１９により駆動棒１８を動かし、基板
８をＥＣＲポイント１６の直下１ｃｍの所に移動させ
る。
【００１６】図２は第２の発明の実施例を説明する図
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した
２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２お
よびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４から
プラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ
製の反射板２０で反射されて反射板２０前面に定在波１
０を形成する。反射板２０に最も近い定在波の腹（第１
の腹１１）の位置は反射板から３ｃｍ離れた位置で、以
後６ｃｍ間隔で腹が存在する。歯車２２で駆動棒２１を
マイクロ波９の入射方向に６ｃｍ以上動かすと、６ｃｍ
間隔で並ぶ定在波の腹の内の一つはＥＣＲポイント１６
と重なり、その時点でＥＣＲポイント１６にある電子は
効率よく加速されて放電が開始する。放電開始後は、再
び歯車２２により駆動棒２０を動かし、更に歯車２３で
駆動棒２１を回転させて反射板２０を基板支持台７の上
から除けることにより基板８への水素プラズマ処理を開
始する。これは反射板２０にシャッタの役割をも具備さ
せた装置である。
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した
２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２お
よびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４から
プラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ
製の反射板２０で反射されて反射板２０前面に定在波１
０を形成する。反射板２０に最も近い定在波の腹（第１
の腹１１）の位置は反射板から３ｃｍ離れた位置で、以
後６ｃｍ間隔で腹が存在する。歯車２２で駆動棒２１を
マイクロ波９の入射方向に６ｃｍ以上動かすと、６ｃｍ
間隔で並ぶ定在波の腹の内の一つはＥＣＲポイント１６
と重なり、その時点でＥＣＲポイント１６にある電子は
効率よく加速されて放電が開始する。放電開始後は、再
び歯車２２により駆動棒２０を動かし、更に歯車２３で
駆動棒２１を回転させて反射板２０を基板支持台７の上
から除けることにより基板８への水素プラズマ処理を開
始する。これは反射板２０にシャッタの役割をも具備さ
せた装置である。
【００１７】図３は第３の発明の実施例を説明する図
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した
２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２お
よびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４から
プラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ
製の基板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定在
波１０を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の腹
（第１の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れた
位置で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。コイル６に流
す電流は電流制御回路２４によってコントロールされ
る。電流制御回路２４によってコイル６に流す電流を増
加させて磁場１５の発散形の磁場形状を保ったまま全体
の磁場強度を上げていくと、８７５ＧのＥＣＲポイント
１６はマイクロ波９の入射方向に沿ってマイクロ波導入
窓の向きに移動する。ＥＣＲポイント１６を６ｃｍ以上
移動させると、６ｃｍ間隔で並ぶ定在波の腹の内の一つ
はＥＣＲポイント１６と重なり、その時点でＥＣＲポイ
ント１６にある電子は効率よく加速されて放電が開始す
る。放電開始後は、電流制御回路２４によりコイル６を
流れる電流をＥＣＲポイント１６が基板８から１ｃｍの
位置に来るように調整する。ＥＣＲポイント１６を移動
させる方法としては、この様にコイル電流を変化させる
回路を具備する方法の他に、磁場１５を発生させるコイ
ル６や磁石自体を機械的に移動させる方法が考えられ
る。
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。マグネトロンマイクロ波発振管１で発生した
２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２お
よびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４から
プラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡｌ
製の基板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定在
波１０を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の腹
（第１の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れた
位置で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。コイル６に流
す電流は電流制御回路２４によってコントロールされ
る。電流制御回路２４によってコイル６に流す電流を増
加させて磁場１５の発散形の磁場形状を保ったまま全体
の磁場強度を上げていくと、８７５ＧのＥＣＲポイント
１６はマイクロ波９の入射方向に沿ってマイクロ波導入
窓の向きに移動する。ＥＣＲポイント１６を６ｃｍ以上
移動させると、６ｃｍ間隔で並ぶ定在波の腹の内の一つ
はＥＣＲポイント１６と重なり、その時点でＥＣＲポイ
ント１６にある電子は効率よく加速されて放電が開始す
る。放電開始後は、電流制御回路２４によりコイル６を
流れる電流をＥＣＲポイント１６が基板８から１ｃｍの
位置に来るように調整する。ＥＣＲポイント１６を移動
させる方法としては、この様にコイル電流を変化させる
回路を具備する方法の他に、磁場１５を発生させるコイ
ル６や磁石自体を機械的に移動させる方法が考えられ
る。
【００１８】図４は第４の発明の実施例を説明する図
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。クライストロンマイクロ波発振管２７で発生し
た２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２
およびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４か
らプラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡ
ｌ製の基板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定
在波１０を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の
腹（第１の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れ
た位置で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。周波数制御
回路２８によりクライストロンマイクロ波発振管２７の
発振周波数を２．４５ＧＨｚから上昇させていくとマイ
クロ波の波長が小さくなり、定在波１０は定在波２８へ
と定在波の腹の間隔が６ｃｍから狭まる。その結果、第
２の腹１３は第２の腹２５の位置へと移動する。磁場１
５は発散磁場形状となっているため、マイクロ波周波数
の上昇と共に、ＥＣＲポイント１６は基板支持台７より
離れたＥＣＲポイント２６の位置に移動する。第２の腹
２５とＥＣＲポイント２６は一致しており、ＥＣＲポイ
ント２６にある電子は効率よく加速されて放電が開始す
る。放電開始後は、マイクロ波の周波数を２．４５ＧＨ
ｚに戻し、基板８に対してプラズマ処理を行う。
で、放電開始前の状態を示している。プラズマ発生室５
内にガス導入管１７を通して水素ガスが導入され、プラ
ズマ発生室５内は５×１０-2Ｐａの水素ガスで満たされ
ている。クライストロンマイクロ波発振管２７で発生し
た２．４５ＧＨｚ，１００Ｗのマイクロ波９は導波管２
およびテーパ導波管３で導かれてマイクロ波導入窓４か
らプラズマ発生室５内に導入される。マイクロ波９はＡ
ｌ製の基板支持台７で反射されて基板支持台７前面に定
在波１０を形成する。基板支持台７に最も近い定在波の
腹（第１の腹１１）の位置は基板支持台から３ｃｍ離れ
た位置で、以後６ｃｍ間隔で腹が存在する。周波数制御
回路２８によりクライストロンマイクロ波発振管２７の
発振周波数を２．４５ＧＨｚから上昇させていくとマイ
クロ波の波長が小さくなり、定在波１０は定在波２８へ
と定在波の腹の間隔が６ｃｍから狭まる。その結果、第
２の腹１３は第２の腹２５の位置へと移動する。磁場１
５は発散磁場形状となっているため、マイクロ波周波数
の上昇と共に、ＥＣＲポイント１６は基板支持台７より
離れたＥＣＲポイント２６の位置に移動する。第２の腹
２５とＥＣＲポイント２６は一致しており、ＥＣＲポイ
ント２６にある電子は効率よく加速されて放電が開始す
る。放電開始後は、マイクロ波の周波数を２．４５ＧＨ
ｚに戻し、基板８に対してプラズマ処理を行う。
【００１９】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によればＥＣ
Ｒプラズマ装置における放電の開始を、低ガス圧時や低
マイクロ波電力時を含めて常に安定に行うことができ、
プラズマプロセスの高制御化が図られる。その結果、こ
のプラズマ装置を用いたドライエッチング工程やＣＶＤ
工程の高制御化，安定化を図ることができる。
Ｒプラズマ装置における放電の開始を、低ガス圧時や低
マイクロ波電力時を含めて常に安定に行うことができ、
プラズマプロセスの高制御化が図られる。その結果、こ
のプラズマ装置を用いたドライエッチング工程やＣＶＤ
工程の高制御化，安定化を図ることができる。
【図１】第１の発明によるＥＣＲプラズマ装置の実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図２】第２の発明によるＥＣＲプラズマ装置の実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図３】第３の発明によるＥＣＲプラズマ装置の実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図４】第４の発明によるＥＣＲプラズマ装置の実施例
の説明図である。
の説明図である。
【図５】従来のＥＣＲプラズマ装置の実施例の説明図で
ある。
ある。
【図６】本発明の効果を示した説明図である。
【図７】本発明の効果を示した説明図である。
１ マイクロ波導入管 ２ 導波管 ３ テーパ導波管 ４ マイクロ波導入窓 ５ プラズマ発生室 ６ コイル ７ 基板支持台 ８ 基板 ９ マイクロ波 １０ 定在波 １１ 第１の腹 １２ 第１の節 １３，２５ 第２の腹 １４ 第２の節 １５ 外部磁場 １６，２６ ＥＣＲポイント １７ ガス導入管 １８ 駆動棒 １９，２２，２３ 歯車 ２０ 反射板 ２１ 駆動棒 ２４ 電流制御回路 ２７ マイクロ波発振管 ２８ 周波数制御回路
Claims (4)
- 【請求項１】磁場中を運動する電子とマイクロ波の電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成するプラズマ
装置において、マイクロ波を反射する材料からなる基板
支持台を備え、放電開始前に、前記磁場の形成と前記マ
イクロ波の印加を行いながら前記基板支持台の位置が移
動することを特徴とするプラズマ装置。 - 【請求項２】磁場中を運動する電子とマイクロ波の電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成するプラズマ
装置において、マイクロ波の反射板を備え、放電開始前
に、前記磁場の形成と前記マイクロ波の印加を行いなが
ら前記反射板の位置が移動することを特徴とするプラズ
マ装置。 - 【請求項３】磁場中を運動する電子とマイクロ波の電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成するプラズマ
装置において、放電開始前に、前記マイクロ波を印加し
ながら電子サイクロトロン共鳴を起こす磁場強度を持つ
位置が移動することを特徴とするプラズマ装置。 - 【請求項４】磁場中を運動する電子とマイクロ波の電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成するプラズマ
装置において、放電開始前に、前記磁場の形成と前記マ
イクロ波の印加を行いながら、前記マイクロ波の周波数
が変化することを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041566A JP2910381B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4041566A JP2910381B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242997A true JPH05242997A (ja) | 1993-09-21 |
| JP2910381B2 JP2910381B2 (ja) | 1999-06-23 |
Family
ID=12611998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4041566A Expired - Lifetime JP2910381B2 (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2910381B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824158A (en) * | 1993-06-30 | 1998-10-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor |
| JP2009206192A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012124456A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| WO2014156752A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置 |
| JP2015135883A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ドライエッチング装置及びプラズマスパッタリング装置 |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4041566A patent/JP2910381B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824158A (en) * | 1993-06-30 | 1998-10-20 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor |
| JP2009206192A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012124456A (ja) * | 2010-11-19 | 2012-06-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US8987645B2 (en) | 2010-11-19 | 2015-03-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus having rotatable slot-type antenna and method of manufacturing semiconductor device using the same |
| WO2014156752A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | ブラザー工業株式会社 | 成膜装置 |
| JP2014189897A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Brother Ind Ltd | 成膜装置 |
| JP2015135883A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ドライエッチング装置及びプラズマスパッタリング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2910381B2 (ja) | 1999-06-23 |
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