JPH05242999A - シンクロトロン放射光発生装置 - Google Patents
シンクロトロン放射光発生装置Info
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- JPH05242999A JPH05242999A JP4371592A JP4371592A JPH05242999A JP H05242999 A JPH05242999 A JP H05242999A JP 4371592 A JP4371592 A JP 4371592A JP 4371592 A JP4371592 A JP 4371592A JP H05242999 A JPH05242999 A JP H05242999A
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- synchrotron radiation
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- electrons
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子の軌道を偏向することによりシンクロト
ロン放射光を発生させるシンクロトロン放射光発生装置
に関し、広範囲の面積に高輝度のシントロクロン放射光
の照射を行なうことを目的とする。 【構成】 偏向部１１をヘリカルアンジュレータ１１ａ
と偏向電磁石１１ｂとより構成し、電子ｅをヘリカルア
ンジュレータ１１ａで螺旋運動させつつ、偏向電磁石１
１ｂで偏向させることによりシンクロトロン放射光Ｌを
得る。
ロン放射光を発生させるシンクロトロン放射光発生装置
に関し、広範囲の面積に高輝度のシントロクロン放射光
の照射を行なうことを目的とする。 【構成】 偏向部１１をヘリカルアンジュレータ１１ａ
と偏向電磁石１１ｂとより構成し、電子ｅをヘリカルア
ンジュレータ１１ａで螺旋運動させつつ、偏向電磁石１
１ｂで偏向させることによりシンクロトロン放射光Ｌを
得る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシンクロトロン放射光発
生装置に係り、特に、電子の軌道を偏向することにより
放射光を発生させるシンクロトロン放射光発生装置に関
する。
生装置に係り、特に、電子の軌道を偏向することにより
放射光を発生させるシンクロトロン放射光発生装置に関
する。
【０００２】近年、ＬＳＩの高密度化に伴ってパターン
の細密化が要求されている。
の細密化が要求されている。
【０００３】例えば、紫外線を用いたリソグラフィ技術
においてはパターン寸法が0.3 μm以下になると光の回
折により解像度が限界となり、それ以下のパターン寸法
が転写できない。また、電子ビームを用いた場合、0.3
μm 以下のパターン寸法でも転写し得るが、偏向範囲が
狭く、走査しなければならないため、ウェハ、マスクを
移動させる必要があり、露光に時間がかかってしまう。
においてはパターン寸法が0.3 μm以下になると光の回
折により解像度が限界となり、それ以下のパターン寸法
が転写できない。また、電子ビームを用いた場合、0.3
μm 以下のパターン寸法でも転写し得るが、偏向範囲が
狭く、走査しなければならないため、ウェハ、マスクを
移動させる必要があり、露光に時間がかかってしまう。
【０００４】このため、0.3 μm 以下のパターン寸法を
短時間で行なう方法として回折の少ないＸ線を用いたリ
ソグラフィ技術が注目されている。
短時間で行なう方法として回折の少ないＸ線を用いたリ
ソグラフィ技術が注目されている。
【０００５】
【従来の技術】図５はＸ線リソグラフィの概略構成図を
示す。同図中、１はＸ線線源、２はマスク、３はウェハ
を示す。
示す。同図中、１はＸ線線源、２はマスク、３はウェハ
を示す。
【０００６】Ｘ線線源１から照射されたＸ線はマスク２
により所定のパターンとされレジストが塗布されたウェ
ハ３上に照射される。このマスク２を介して照射された
Ｘ線によりウェハ３上に所定のパターンが形成される。
により所定のパターンとされレジストが塗布されたウェ
ハ３上に照射される。このマスク２を介して照射された
Ｘ線によりウェハ３上に所定のパターンが形成される。
【０００７】Ｘ線線源１としては電子線励起型線源やシ
ンクロトロン放射光光源などが用いられていた。
ンクロトロン放射光光源などが用いられていた。
【０００８】しかし、電子線励起型光源は電子線をＸ線
ターゲットに照射することにより、Ｘ線ターゲットを構
成する原子を励起させ、Ｘ線ターゲットより発散Ｘ線を
放射させるもので、指向性が悪く、線源が有限の大きさ
を持つことにより、解像度を左右する半影ボケを生じ、
また、発散Ｘ線を用いることにより、転写パターンの重
ね合わせ精度に影響を与えるランアウト及びランアウト
誤差が大きくなってしまう。
ターゲットに照射することにより、Ｘ線ターゲットを構
成する原子を励起させ、Ｘ線ターゲットより発散Ｘ線を
放射させるもので、指向性が悪く、線源が有限の大きさ
を持つことにより、解像度を左右する半影ボケを生じ、
また、発散Ｘ線を用いることにより、転写パターンの重
ね合わせ精度に影響を与えるランアウト及びランアウト
誤差が大きくなってしまう。
【０００９】このため、指向性の高いシンクロトロン放
射光を用いたＸ線光源が注目されている。
射光を用いたＸ線光源が注目されている。
【００１０】図６はシンクロトロン放射光発生装置の概
略図を示す。
略図を示す。
【００１１】シンクロトロン放射光発生装置４は、入射
器５と連通する超高真空の電子蓄積リングの真空ダクト
６の所定位置に複数の偏向部７が設けられており、所定
の偏向部７よりシンクロトロン放射光を放射するビーム
ライン８が連通している。ある偏向部７間には３個の四
極電磁石９が複数組で設けられ、該四極電磁石９が設け
られていない偏向部７間の一箇所に電子又は陽電子の粒
子を高周波の電界により加速する高周波加速空洞１０が
設けられている。
器５と連通する超高真空の電子蓄積リングの真空ダクト
６の所定位置に複数の偏向部７が設けられており、所定
の偏向部７よりシンクロトロン放射光を放射するビーム
ライン８が連通している。ある偏向部７間には３個の四
極電磁石９が複数組で設けられ、該四極電磁石９が設け
られていない偏向部７間の一箇所に電子又は陽電子の粒
子を高周波の電界により加速する高周波加速空洞１０が
設けられている。
【００１２】入射器５から入射された電子ｅは偏向部７
で偏向され四極電磁石９により集束され、また加速空洞
１０により加速されつつ、真空ダクト６内を安定に周回
する。
で偏向され四極電磁石９により集束され、また加速空洞
１０により加速されつつ、真空ダクト６内を安定に周回
する。
【００１３】シンクロトロン放射光Ｌ’は真空ダクト６
内を周回する電子ｅが偏向部７により偏向されることに
よりビームライン８より出力される。
内を周回する電子ｅが偏向部７により偏向されることに
よりビームライン８より出力される。
【００１４】従来のシンクロトロン放射光発生装置では
偏向部７は直線的に運動する電子を単に偏向するだけで
あった。
偏向部７は直線的に運動する電子を単に偏向するだけで
あった。
【００１５】このため、電子偏向時に発生するシンクロ
トロン放射光Ｌ’は図７に示すように偏向部７から１０
〔ｍ〕先で垂直方向に０．０１〔ｍ〕程度の拡がりしか
もたないものであった。
トロン放射光Ｌ’は図７に示すように偏向部７から１０
〔ｍ〕先で垂直方向に０．０１〔ｍ〕程度の拡がりしか
もたないものであった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のシン
クロトロン放射光発生装置では、図７に示すように光源
から１０〔ｍ〕離れた位置でシンクロトロン放射光Ｌ’
の拡がりが垂直方向で１〔cm〕となり、非常に指向性が
高い。
クロトロン放射光発生装置では、図７に示すように光源
から１０〔ｍ〕離れた位置でシンクロトロン放射光Ｌ’
の拡がりが垂直方向で１〔cm〕となり、非常に指向性が
高い。
【００１７】このため、広範囲の面積のリソグラフィを
行なおうとすると、鏡などで放射光の光軸を走査する
か、マスク及びウェハを同時に走査する必要があるた
め、効率よくリソグラフィを行なうことが困難である等
の問題点があった。
行なおうとすると、鏡などで放射光の光軸を走査する
か、マスク及びウェハを同時に走査する必要があるた
め、効率よくリソグラフィを行なうことが困難である等
の問題点があった。
【００１８】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、広範囲の面積に高輝度の放射光の照射が行なえるシ
ンクロトロン放射光発生装置を提供することを目的とす
る。
で、広範囲の面積に高輝度の放射光の照射が行なえるシ
ンクロトロン放射光発生装置を提供することを目的とす
る。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明は電子の軌道を偏
向させることによりシンクロトロン放射光を発生させる
シンクロトロン放射光発生装置において、前記電子が前
記軌道を中心に螺旋運動する磁界を発生する回転磁界発
生手段と、前記電子を偏向する偏向磁界発生手段とから
なる磁界発生手段を前記電子の軌道上に連続して配置し
てなる。
向させることによりシンクロトロン放射光を発生させる
シンクロトロン放射光発生装置において、前記電子が前
記軌道を中心に螺旋運動する磁界を発生する回転磁界発
生手段と、前記電子を偏向する偏向磁界発生手段とから
なる磁界発生手段を前記電子の軌道上に連続して配置し
てなる。
【００２０】または、電子軌道を偏向させることにより
シンクロトロン放射光を発生させるシンクロトロン放射
光発生装置において、前記電子が前記軌道を中心に回転
運動する磁界を発生する回転磁界発生手段を前記電子を
偏向させ湾曲させた構成としてなる。
シンクロトロン放射光を発生させるシンクロトロン放射
光発生装置において、前記電子が前記軌道を中心に回転
運動する磁界を発生する回転磁界発生手段を前記電子を
偏向させ湾曲させた構成としてなる。
【００２１】
【作用】電子は回転磁界発生部で発生される回転磁界に
より電子の軌道を中心とした螺旋運動が付与される。
より電子の軌道を中心とした螺旋運動が付与される。
【００２２】また、螺旋運動が付与された電子は続いて
偏向磁界発生部で発生される磁界により偏向される。
偏向磁界発生部で発生される磁界により偏向される。
【００２３】螺旋運動された電子からは円環状の輝度の
強い放射光が得られる。
強い放射光が得られる。
【００２４】また、螺旋運動された電子は偏向磁界発生
部により偏向されるため、円環状の放射光は放射光の円
環の中心部を埋めつつ、偏向方向に連続して拡がる。
部により偏向されるため、円環状の放射光は放射光の円
環の中心部を埋めつつ、偏向方向に連続して拡がる。
【００２５】このため、高輝度、つまり単位面積当たり
の光子密度の大きいシンクロトロン放射光を大面積に照
射できる。
の光子密度の大きいシンクロトロン放射光を大面積に照
射できる。
【００２６】
【実施例】本実施例のシンクロトロン放射光発生装置は
上述した図５と略同一構成で、偏向部７にその特徴を有
する。
上述した図５と略同一構成で、偏向部７にその特徴を有
する。
【００２７】このため、偏向部７以外の説明は省略す
る。
る。
【００２８】図１は本発明の第１実施例の偏向部の構成
図を示す。磁界発生手段である偏向部１１は回転磁界発
生部であるヘリカルアンジュレータ１１ａ及び偏向磁界
発生部である偏向電磁石１１ｂよりなる。
図を示す。磁界発生手段である偏向部１１は回転磁界発
生部であるヘリカルアンジュレータ１１ａ及び偏向磁界
発生部である偏向電磁石１１ｂよりなる。
【００２９】ヘリカルアンジュレータ１１ａは真空ダク
ト６を包囲するように配置された複数の電磁石１１
ａ-1，１１ａ-2より構成されている。真空ダクト６の上
下の電磁石１１ａ-1は互いに隣り合う電磁石では極性が
異なり、かつ、上下互いに対向する電磁石の極性が異な
るように配置される。また、左右の電磁石１１ａ-2も同
様で互いに隣り合う電磁石では極性が異なり、かつ、左
右で互いに対向する電磁石も極性が異なり、さらに上下
の電磁石とは位相が９０°ズレるように配置されてい
る。
ト６を包囲するように配置された複数の電磁石１１
ａ-1，１１ａ-2より構成されている。真空ダクト６の上
下の電磁石１１ａ-1は互いに隣り合う電磁石では極性が
異なり、かつ、上下互いに対向する電磁石の極性が異な
るように配置される。また、左右の電磁石１１ａ-2も同
様で互いに隣り合う電磁石では極性が異なり、かつ、左
右で互いに対向する電磁石も極性が異なり、さらに上下
の電磁石とは位相が９０°ズレるように配置されてい
る。
【００３０】ヘリカルアンジュレータ１１ａは電磁石１
１ａ-1，１１ａ-2により電子ｅに電子ｅの軌道を中心と
して螺旋運動させる。
１ａ-1，１１ａ-2により電子ｅに電子ｅの軌道を中心と
して螺旋運動させる。
【００３１】ヘリカルアンジュレータ１１ａにより螺旋
運動させられた電子ｅは図２に示すような円環状のシン
クロトロン放射光（Ｘ線）Ｌを放射する。
運動させられた電子ｅは図２に示すような円環状のシン
クロトロン放射光（Ｘ線）Ｌを放射する。
【００３２】なお、一般にヘリカルアンジュレータ１１
ａにより螺旋運動させた電子から得られる円環状のシン
クロトロン放射光Ｌは平面型のアンジュレータにより単
に電子ｅを偏向させることにより得られるシンクロトロ
ン放射光Ｌ’より放射輝度が高く、単位面積当たりの光
子密度の大きな放射光が得られることが知られている。
例えばエネルギー2.5 〔ＧｅＶ〕のシンクロトロン放
射発生リングにおいて、同期長ａが０．１６〔ｍ〕，最
小間隔が垂直方向にｂ＝０．０３〔ｍ〕，水平方向にｃ
＝０．１１〔ｍ〕，最高磁場が垂直方向にｄ＝１
〔Ｔ〕，水平方向にｅ＝0.2 〔Ｔ〕のヘリカルアンジュ
レータを用いると１０〔ｍ〕先では垂直方向の直径が
０．０６〔ｍ〕，水平方向の直径が０．０１２〔ｍ〕の
図２に示すような楕円の環状の放射光が得られる。
ａにより螺旋運動させた電子から得られる円環状のシン
クロトロン放射光Ｌは平面型のアンジュレータにより単
に電子ｅを偏向させることにより得られるシンクロトロ
ン放射光Ｌ’より放射輝度が高く、単位面積当たりの光
子密度の大きな放射光が得られることが知られている。
例えばエネルギー2.5 〔ＧｅＶ〕のシンクロトロン放
射発生リングにおいて、同期長ａが０．１６〔ｍ〕，最
小間隔が垂直方向にｂ＝０．０３〔ｍ〕，水平方向にｃ
＝０．１１〔ｍ〕，最高磁場が垂直方向にｄ＝１
〔Ｔ〕，水平方向にｅ＝0.2 〔Ｔ〕のヘリカルアンジュ
レータを用いると１０〔ｍ〕先では垂直方向の直径が
０．０６〔ｍ〕，水平方向の直径が０．０１２〔ｍ〕の
図２に示すような楕円の環状の放射光が得られる。
【００３３】 放射光の拡がりは図２においてＫ＝0.934 Ｂ0 λμ（た
だし、Ｂ0 は磁場のピーク値〔Ｔ〕，λμは同期長〔c
m〕） γ＝1957Ｅ（ただし、Ｅは電子ビームのエネルギー〔Ｇ
ｅＶ〕）とすると、電子ｅの軌道を中心として、角度
（Ｋ／γ）で拡がり、その放射光は角度（Ｋ／γ）を中
心として（１／γ）の角度だけの拡がりを持つものとな
る。
だし、Ｂ0 は磁場のピーク値〔Ｔ〕，λμは同期長〔c
m〕） γ＝1957Ｅ（ただし、Ｅは電子ビームのエネルギー〔Ｇ
ｅＶ〕）とすると、電子ｅの軌道を中心として、角度
（Ｋ／γ）で拡がり、その放射光は角度（Ｋ／γ）を中
心として（１／γ）の角度だけの拡がりを持つものとな
る。
【００３４】偏向磁石１１ｂは真空ダクトの上下に互い
に極性の異なる電磁石１１ｂ-1，１１ｂ-2を配置してな
る。
に極性の異なる電磁石１１ｂ-1，１１ｂ-2を配置してな
る。
【００３５】偏向磁石１１ｂはヘリカルアンジュレータ
１１ａにより螺旋運動された電子ｅを偏向させ、その接
線方向に連続的にシンクロトロン放射光Ｌを放射させ
る。偏向部１１で螺旋運動させつつ、偏向された電子ｅ
によりビームライン５からは図３に示すように円環状の
放射光を少しずつ移動させ、円環状の中心部を埋めるよ
うに放射されたシンクロトロン放射光Ｌが放射される。
１１ａにより螺旋運動された電子ｅを偏向させ、その接
線方向に連続的にシンクロトロン放射光Ｌを放射させ
る。偏向部１１で螺旋運動させつつ、偏向された電子ｅ
によりビームライン５からは図３に示すように円環状の
放射光を少しずつ移動させ、円環状の中心部を埋めるよ
うに放射されたシンクロトロン放射光Ｌが放射される。
【００３６】このとき、ヘリカルアンジュレータ１１ａ
と偏向電磁石１１ｂの数やその磁界の強さによりシンク
ロトロン放射光Ｌの輝度や拡がりを変化させることがで
きる。
と偏向電磁石１１ｂの数やその磁界の強さによりシンク
ロトロン放射光Ｌの輝度や拡がりを変化させることがで
きる。
【００３７】このような構成とすることにより、ヘリカ
ルアンジュレータを用いた放射輝度の高いつまり単位面
積当たりの光子密度の大きなシンクロトロン放射光（Ｘ
線）を広範囲に照射できる。
ルアンジュレータを用いた放射輝度の高いつまり単位面
積当たりの光子密度の大きなシンクロトロン放射光（Ｘ
線）を広範囲に照射できる。
【００３８】このため、パターン寸法0.3 〔μm 〕以下
の超ＬＳＩのパターン転写を短時間で、効率良く行なう
ことができる。
の超ＬＳＩのパターン転写を短時間で、効率良く行なう
ことができる。
【００３９】図４は本発明の第２実施例の要部の構成図
を示す。
を示す。
【００４０】本実施例も第１実施例同様、図６で説明し
たシンクロトロン放射光発生装置と略同一で偏向部７だ
けが異なる。このため、偏向部７以外の説明は省略す
る。
たシンクロトロン放射光発生装置と略同一で偏向部７だ
けが異なる。このため、偏向部７以外の説明は省略す
る。
【００４１】本実施例は偏向部１２は第１実施例で説明
したヘリカルアンジュレータ１１ａのみで構成し、ヘリ
カルアンジュレータ１１ａに曲率を付けることにより、
螺旋運動した電子ｅを偏向させている。
したヘリカルアンジュレータ１１ａのみで構成し、ヘリ
カルアンジュレータ１１ａに曲率を付けることにより、
螺旋運動した電子ｅを偏向させている。
【００４２】例えば、エネルギー２．５〔ＧｅＶ〕のシ
ンクロトロン放射光発生装置４の偏向部１２において同
期長０．１６〔ｍ〕，最小間隔が垂直方向０．０３
〔ｍ〕，水平方向０．１１〔ｍ〕，最高磁場が垂直方向
１〔Ｔ〕，水平方向0.2 〔Ｔ〕のヘリカルアンジュレー
タに約０．０４〔ｒａｄ〕の曲率半径を付けたとする
と、シンクロトロン放射光は１０〔ｍ〕先で水平方向に
０．０４〔ｍ〕の拡がりとなり、垂直方向に０．０６
〔ｍ〕の拡がりとなる。
ンクロトロン放射光発生装置４の偏向部１２において同
期長０．１６〔ｍ〕，最小間隔が垂直方向０．０３
〔ｍ〕，水平方向０．１１〔ｍ〕，最高磁場が垂直方向
１〔Ｔ〕，水平方向0.2 〔Ｔ〕のヘリカルアンジュレー
タに約０．０４〔ｒａｄ〕の曲率半径を付けたとする
と、シンクロトロン放射光は１０〔ｍ〕先で水平方向に
０．０４〔ｍ〕の拡がりとなり、垂直方向に０．０６
〔ｍ〕の拡がりとなる。
【００４３】このような構成とすることにより、第１実
施例同様、ヘリカルアンジュレータを用いた放射輝度の
高いつまり単位面積当たりの光子密度の大きなシンクロ
トロン放射光（Ｘ線）を大面積で照射できる。
施例同様、ヘリカルアンジュレータを用いた放射輝度の
高いつまり単位面積当たりの光子密度の大きなシンクロ
トロン放射光（Ｘ線）を大面積で照射できる。
【００４４】このため、パターン寸法0.3 〔μm 〕以下
の超ＬＳＩのパターン転写を短時間で、効率良く行なう
ことができる。
の超ＬＳＩのパターン転写を短時間で、効率良く行なう
ことができる。
【００４５】
【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、螺旋運動
された電子を偏向させることにより高輝度のシンクロト
ロン放射光を電子の偏向方向に連続して得ることができ
るため、光子密度の高い放射光を大面積に照射すること
ができる等の特長を有する。
された電子を偏向させることにより高輝度のシンクロト
ロン放射光を電子の偏向方向に連続して得ることができ
るため、光子密度の高い放射光を大面積に照射すること
ができる等の特長を有する。
【図１】本発明の第１実施例の要部の構成図である。
【図２】本発明の第１実施例の動作を説明するための図
である。
である。
【図３】本発明の第１実施例の動作を説明するための図
である。
である。
【図４】本発明の第２実施例の要部の構成図である。
【図５】Ｘ線リソグラフィの概略構成図である。
【図６】シンクロトロン放射光発生装置の概略図であ
る。
る。
【図７】従来の一例の動作を説明するための図である。
４ シンクロトロン放射光発生装置 ５ 入射器 １１，１２ 偏向部 １１ａ ヘリカルアンジュレータ １１ｂ 偏向電磁石 ｅ 電子 ｌ シンクロトロン放射光
Claims (2)
- 【請求項１】 電子（ｅ）の軌道を偏向させることによ
りシンクロトロン放射光を発生させるシンクロトロン放
射光発生装置において、 前記電子（ｅ）が前記軌道を中心に螺旋運動する磁界を
発生する回転磁界発生部（１１ａ）と、 前記電子（ｅ）を偏向させる偏向磁界発生部（１１ｂ）
とからなる磁界発生手段（１１）とを前記電子（ｅ）の
軌道上に連続して配置したことを特徴とするシンクロト
ロン放射光発生装置。 - 【請求項２】 電子（ｅ）の軌道を偏移させることによ
りシンクロトロン放射光を発生させるシンクロトロン放
射光発生装置において、 前記電子（ｅ）が前記軌道を中心に回転運動する磁界を
発生する回転磁界発生手段（１２）を湾曲させることに
より前記電子（ｅ）を偏向させたことを特徴とするシン
クロトロン放射光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4371592A JPH05242999A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4371592A JPH05242999A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05242999A true JPH05242999A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12671506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4371592A Withdrawn JPH05242999A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | シンクロトロン放射光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05242999A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014128848A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜パターン形成装置および形成方法 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4371592A patent/JPH05242999A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014128848A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜パターン形成装置および形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |