JPH05114548A - Ｘ線マスク製造装置 - Google Patents
Ｘ線マスク製造装置Info
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- JPH05114548A JPH05114548A JP30236391A JP30236391A JPH05114548A JP H05114548 A JPH05114548 A JP H05114548A JP 30236391 A JP30236391 A JP 30236391A JP 30236391 A JP30236391 A JP 30236391A JP H05114548 A JPH05114548 A JP H05114548A
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- mask
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Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 19
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
〔目的〕 ＳＯＲ装置を用いてきわめて細い線幅のマス
クパターンを有するＸ線マスクを作る。 〔構成〕 蓄積リング２２の直線部３１の外側に、この
直線部３１を挾んで磁極を水平方向に対向させたアンジ
ュレータ３５を配置し、蓄積リング２２内の電子ビーム
１１を垂直方向に蛇行させる。これにより、電子ビーム
１１の各蛇行の折り返し位置からＳＯＲ光が出射され
て、Ｘ線マスク露光用光取り出しイラン３６を通ってＸ
線マスク露光装置３８に導かれる。Ｘ線マスク露光装置
３８内には縮小露光光学系が配されており、入射された
ＳＯＲ光は原盤マスクに描かれているマスクパターンを
縮小してＸ線マスクに転写する。
クパターンを有するＸ線マスクを作る。 〔構成〕 蓄積リング２２の直線部３１の外側に、この
直線部３１を挾んで磁極を水平方向に対向させたアンジ
ュレータ３５を配置し、蓄積リング２２内の電子ビーム
１１を垂直方向に蛇行させる。これにより、電子ビーム
１１の各蛇行の折り返し位置からＳＯＲ光が出射され
て、Ｘ線マスク露光用光取り出しイラン３６を通ってＸ
線マスク露光装置３８に導かれる。Ｘ線マスク露光装置
３８内には縮小露光光学系が配されており、入射された
ＳＯＲ光は原盤マスクに描かれているマスクパターンを
縮小してＸ線マスクに転写する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＳＯＲ（シンクロト
ロン放射光）装置を用いて縮小投影露光法によりＸ線マ
スクを製造する装置に関する。
ロン放射光）装置を用いて縮小投影露光法によりＸ線マ
スクを製造する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＲ装置の概要を図２に示す。荷電粒
子発生装置（電子銃等）１０で発生した電子ビームは線
型加速装置（ライナック）１２で光速近くに加速され、
ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６で偏向されて、イン
フレクタ１８を介して蓄積リング２２内に入射される。
蓄積リング２２に入射された電子ビームは高周波加速空
洞２１でエネルギを与えられながら収束電磁石２３（垂
直方向用）、２５（水平方向用）で収束され、偏向電磁
石２４で偏向されて蓄積リング２２中を回り続ける。偏
向電磁石２４で偏向される時に発生するシンクロトロン
放射光はビームチャンネル２６を通して露光装置２８に
送られて超ＬＳＩウエハ露光用のＸ線源として利用され
る。
子発生装置（電子銃等）１０で発生した電子ビームは線
型加速装置（ライナック）１２で光速近くに加速され、
ビーム輸送部１４の偏向電磁石１６で偏向されて、イン
フレクタ１８を介して蓄積リング２２内に入射される。
蓄積リング２２に入射された電子ビームは高周波加速空
洞２１でエネルギを与えられながら収束電磁石２３（垂
直方向用）、２５（水平方向用）で収束され、偏向電磁
石２４で偏向されて蓄積リング２２中を回り続ける。偏
向電磁石２４で偏向される時に発生するシンクロトロン
放射光はビームチャンネル２６を通して露光装置２８に
送られて超ＬＳＩウエハ露光用のＸ線源として利用され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】露光装置２８において
ウエハの露光に用いられるマスクは、従来は電子ビーム
露光によりマスクパターンが描かれていたが、電子ビー
ム露光ではマスク上の線幅は０．２μｍ程度が限界であ
った。この発明は、前記従来の技術における問題点を解
決して、マスクパターンの線幅をより細く形成すること
ができるＸ線マスク製造装置を提供しようとするもので
ある。
ウエハの露光に用いられるマスクは、従来は電子ビーム
露光によりマスクパターンが描かれていたが、電子ビー
ム露光ではマスク上の線幅は０．２μｍ程度が限界であ
った。この発明は、前記従来の技術における問題点を解
決して、マスクパターンの線幅をより細く形成すること
ができるＸ線マスク製造装置を提供しようとするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、ＳＯＲ装置
と、このＳＯＲ装置の蓄積リングの直線部に配設された
アンジュレータと、この直線部からその延長上に引き出
されたＸ線マスク露光用光取り出しラインと、この光取
り出しラインの延長上に配設された縮小露光光学系を有
するＸ線マスク露光装置とを具備してなるものである。
と、このＳＯＲ装置の蓄積リングの直線部に配設された
アンジュレータと、この直線部からその延長上に引き出
されたＸ線マスク露光用光取り出しラインと、この光取
り出しラインの延長上に配設された縮小露光光学系を有
するＸ線マスク露光装置とを具備してなるものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、蓄積リング中を周回してい
る電子ビームがアンジュレータによる磁場で蛇行を繰り
返し、これにより強力なＸ線が発生して、その延長上の
Ｘ線マスク露光用光取り出しラインに導かれて、縮小露
光光学系を介してＸ線マスクを露光する。これによれ
ば、Ｘ線を縮小露光光学系で縮小してマスクの露光を行
なうので、０．２μｍ以下のきわめて細い線幅でＸ線マ
スクパターンを描くことができ、このＸ線マスクを用い
て集積度のきわめて高い超ＬＳＩを作ることができる。
また、Ｘ線は縮小露光光学系で反射を繰り返すことによ
り減衰していくが、このＸ線はもともとアンジュレータ
で作られた強力なＸ線であるので、多少減衰してもＸ線
マスクを露光するのに十分な強度が得られる。また、蓄
積リングの延長上は通常はウエハの露光には用いられな
いので、ウエハの露光を妨げることもない。
る電子ビームがアンジュレータによる磁場で蛇行を繰り
返し、これにより強力なＸ線が発生して、その延長上の
Ｘ線マスク露光用光取り出しラインに導かれて、縮小露
光光学系を介してＸ線マスクを露光する。これによれ
ば、Ｘ線を縮小露光光学系で縮小してマスクの露光を行
なうので、０．２μｍ以下のきわめて細い線幅でＸ線マ
スクパターンを描くことができ、このＸ線マスクを用い
て集積度のきわめて高い超ＬＳＩを作ることができる。
また、Ｘ線は縮小露光光学系で反射を繰り返すことによ
り減衰していくが、このＸ線はもともとアンジュレータ
で作られた強力なＸ線であるので、多少減衰してもＸ線
マスクを露光するのに十分な強度が得られる。また、蓄
積リングの延長上は通常はウエハの露光には用いられな
いので、ウエハの露光を妨げることもない。
【０００６】
【実施例】この発明の一実施例を以下説明する。図１
は、この発明を適用したＳＯＲ装置を示したものであ
る。ＳＯＲ装置１において、電子発生装置（電子銃等）
１０で発生した電子ビーム１１は直線加速器（ライナッ
ク）１２で光速近くに加速され、ビーム輸送部１４の偏
向電磁石１６で偏向されて、インフレクタ１８を介して
シンクロトロンの蓄積リング２２内に入射される。蓄積
リング２２に入射された電子ビーム１１は高周波加速空
洞２１でエネルギを与えられながら各直線部３１〜３４
に配された収束電磁石（図示せず）で収束されて蓄積リ
ング２２内の中心位置を通り、偏向電磁石２４で偏向さ
れて真空ダクト２２内を周回し続ける。直線部３１には
アンジュレータ３５が配され、また直線部３１の延長上
にはＸ線マスク露光用光取り出しライン２６が連結され
て、Ｘ線マスク露光装置２８に導かれている。また、偏
向部の途中からはウエハ露光用光取り出しライン２６が
引き出されて、ウエハ露光装置２８に導かれている。Ｘ
線マスク露光装置２８はアンジュレータ３５で発生され
たＳＯＲ光を用いてＸ線マスクの露光を行ない、ウエハ
露光装置２８は偏向部で発生されたＳＯＲ光を用いてウ
エハの露光を行なう。
は、この発明を適用したＳＯＲ装置を示したものであ
る。ＳＯＲ装置１において、電子発生装置（電子銃等）
１０で発生した電子ビーム１１は直線加速器（ライナッ
ク）１２で光速近くに加速され、ビーム輸送部１４の偏
向電磁石１６で偏向されて、インフレクタ１８を介して
シンクロトロンの蓄積リング２２内に入射される。蓄積
リング２２に入射された電子ビーム１１は高周波加速空
洞２１でエネルギを与えられながら各直線部３１〜３４
に配された収束電磁石（図示せず）で収束されて蓄積リ
ング２２内の中心位置を通り、偏向電磁石２４で偏向さ
れて真空ダクト２２内を周回し続ける。直線部３１には
アンジュレータ３５が配され、また直線部３１の延長上
にはＸ線マスク露光用光取り出しライン２６が連結され
て、Ｘ線マスク露光装置２８に導かれている。また、偏
向部の途中からはウエハ露光用光取り出しライン２６が
引き出されて、ウエハ露光装置２８に導かれている。Ｘ
線マスク露光装置２８はアンジュレータ３５で発生され
たＳＯＲ光を用いてＸ線マスクの露光を行ない、ウエハ
露光装置２８は偏向部で発生されたＳＯＲ光を用いてウ
エハの露光を行なう。
【０００７】アンジュレータ３５の詳細構成を図３に平
面図で示す。また、図３のＡ−Ａ矢視図を図４に示す。
アンジュレータ３５は蓄積リング２２の直線部３１の外
側に、この直線部３１を挾んで極性の異なる永久磁石４
０，４１を奇数組交互に極性を入れ替えて配置して構成
され、蓄積リング２２内の電子ビーム１１に交互に方向
が変わる水平方向の磁場３７を印加する。これにより、
電子ビーム１１は垂直方向に蛇行し、各蛇行の折り返し
位置で光取り出しライン２６の方向にＳＯＲ光２９を放
射する。なお、永久磁石４０，４１の組合せを奇数組と
したのは、アンジュレータ３５の出口で電子ビーム１１
を元の軌道に戻すためである。各振動振幅のピーク位置
で放射されたＳＯＲ光２９は蛇行を繰り返すごとに順次
干渉しあって増強されて、アンジュレータ３５から出射
され、Ｘ線マスク露光用光取り出しライン３６を通って
Ｘ線マスク露光装置２８に導かれてＸ線マスクの露光に
使用される。
面図で示す。また、図３のＡ−Ａ矢視図を図４に示す。
アンジュレータ３５は蓄積リング２２の直線部３１の外
側に、この直線部３１を挾んで極性の異なる永久磁石４
０，４１を奇数組交互に極性を入れ替えて配置して構成
され、蓄積リング２２内の電子ビーム１１に交互に方向
が変わる水平方向の磁場３７を印加する。これにより、
電子ビーム１１は垂直方向に蛇行し、各蛇行の折り返し
位置で光取り出しライン２６の方向にＳＯＲ光２９を放
射する。なお、永久磁石４０，４１の組合せを奇数組と
したのは、アンジュレータ３５の出口で電子ビーム１１
を元の軌道に戻すためである。各振動振幅のピーク位置
で放射されたＳＯＲ光２９は蛇行を繰り返すごとに順次
干渉しあって増強されて、アンジュレータ３５から出射
され、Ｘ線マスク露光用光取り出しライン３６を通って
Ｘ線マスク露光装置２８に導かれてＸ線マスクの露光に
使用される。
【０００８】Ｘ線マスク露光装置３８の構成例を図５に
示す。このＸ線マスク露光装置３８は、Ｘ線マスク露光
用光取り出しライン３６から出射されたＳＯＲ光２９を
マスク原盤である多層膜反射型マスク６０で反射させ、
縮小光学系６２で縮小して、Ｘ線マスク６４に照射して
露光を行なう。多層膜反射型マスク６０自体は電子ビー
ム露光法等でマスクパターンが形成されている。
示す。このＸ線マスク露光装置３８は、Ｘ線マスク露光
用光取り出しライン３６から出射されたＳＯＲ光２９を
マスク原盤である多層膜反射型マスク６０で反射させ、
縮小光学系６２で縮小して、Ｘ線マスク６４に照射して
露光を行なう。多層膜反射型マスク６０自体は電子ビー
ム露光法等でマスクパターンが形成されている。
【０００９】図５の縮小光学系６２はSchwalzschild 型
縮小光学系を利用したものである。ＳＯＲ光２９は多層
膜反射型マスク６０で反射されて、その反射光はフィル
タ６６および円弧状スリット６８を介して縮小光学系６
２で縮小してＸ線マスク６４上に照射、露光してマスク
パターンを転写する。これによれば、ＳＯＲ光２９は縮
小光学系６２等で減衰するが、ＳＯＲ光２９はアンジュ
レータ３５から出射されたもので強度が高いので、Ｘ線
リソグラフィに必要な強度は十分に得られる。
縮小光学系を利用したものである。ＳＯＲ光２９は多層
膜反射型マスク６０で反射されて、その反射光はフィル
タ６６および円弧状スリット６８を介して縮小光学系６
２で縮小してＸ線マスク６４上に照射、露光してマスク
パターンを転写する。これによれば、ＳＯＲ光２９は縮
小光学系６２等で減衰するが、ＳＯＲ光２９はアンジュ
レータ３５から出射されたもので強度が高いので、Ｘ線
リソグラフィに必要な強度は十分に得られる。
【００１０】そして、露光後にＸ線マスク６４を現像す
れば線幅０．２μｍ以下のマスクパターンが形成され
る。このようにしてでき上ったＸ線マスク６４は、ウエ
ハ露光装置２８にセットされて超ＬＳＩウエハの露光に
用いられる。
れば線幅０．２μｍ以下のマスクパターンが形成され
る。このようにしてでき上ったＸ線マスク６４は、ウエ
ハ露光装置２８にセットされて超ＬＳＩウエハの露光に
用いられる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線を縮小露光光学系で縮小してマスクの露光を行なう
ので、０．２μｍ以下のきわめて細い線幅でＸ線マスク
パターンを描くことができ、このＸ線マスクを用いて集
積度のきわめて高い超ＬＳＩを作ることができる。ま
た、Ｘ線は縮小露光光学系で反射を繰り返すことにより
減衰していくが、このＸ線はもともとアンジュレータで
作られた強力なＸ線であるので、多少減衰してもＸ線マ
スクを露光するのに十分な強度が得られる。また、蓄積
リングの延長上は通常はウエハの露光には用いられない
ので、ウエハの露光を妨げることもない。
Ｘ線を縮小露光光学系で縮小してマスクの露光を行なう
ので、０．２μｍ以下のきわめて細い線幅でＸ線マスク
パターンを描くことができ、このＸ線マスクを用いて集
積度のきわめて高い超ＬＳＩを作ることができる。ま
た、Ｘ線は縮小露光光学系で反射を繰り返すことにより
減衰していくが、このＸ線はもともとアンジュレータで
作られた強力なＸ線であるので、多少減衰してもＸ線マ
スクを露光するのに十分な強度が得られる。また、蓄積
リングの延長上は通常はウエハの露光には用いられない
ので、ウエハの露光を妨げることもない。
【図１】この発明の一実施例を示す平面図である。
【図２】ＳＯＲ光装置の概要を示す平面図である。
【図３】図１のアンジュレータの詳細構成を示す平面図
である。
である。
【図４】図３のＡ−Ａ矢視図である。
【図５】図１のＸ線マスク露光装置３８内の構成例を示
す図である。
す図である。
１ ＳＯＲ装置 ２２ 蓄積リング ２９ ＳＯＲ光 ３１ 直線部 ３５ アンジュレータ ３６ Ｘ線マスク露光用光取り出しライン ３８ Ｘ線マスク露光装置
Claims (1)
- 【請求項１】ＳＯＲ装置と、 このＳＯＲ装置の蓄積リングの直線部に配設されたアン
ジュレータと、 この直線部からその延長上に引き出されたＸ線マスク露
光用光取り出しラインと、 この光取り出しラインの延長上に配設された縮小露光光
学系を有するＸ線マスク露光装置とを具備してなるＸ線
マスク製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236391A JPH05114548A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線マスク製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30236391A JPH05114548A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線マスク製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114548A true JPH05114548A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17907999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30236391A Pending JPH05114548A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | Ｘ線マスク製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114548A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623529A (en) * | 1993-06-30 | 1997-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | SOR exposure system and mask manufactured thereby |
| WO2017145385A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ギガフォトン株式会社 | ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系 |
| WO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP30236391A patent/JPH05114548A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5623529A (en) * | 1993-06-30 | 1997-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | SOR exposure system and mask manufactured thereby |
| WO2017145385A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | ギガフォトン株式会社 | ビーム伝送システム、露光装置および露光装置の照明光学系 |
| US10739686B2 (en) | 2016-02-26 | 2020-08-11 | Gigaphoton Inc. | Beam transmission system, exposure device, and illumination optical system of the exposure device |
| WO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2018-11-01 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
| JPWO2018198227A1 (ja) * | 2017-04-26 | 2020-05-14 | ギガフォトン株式会社 | Ｅｕｖ光生成装置 |
| US10863613B2 (en) | 2017-04-26 | 2020-12-08 | Gigaphoton Inc. | EUV light generator |
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