JPH05243232A - 半田バンプ電極の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 個別にダイシングされた回路基板上の所望の
部分に組成やサイズが異なる複数の半田バンプ電極を容
易に形成でき、かつ上記半田バンプ電極を所望の組成や
サイズにコントロールできる半田バンプ電極の形成方法
を提供する。 【構成】 電極形成用基板１００の半田が濡れない金属
層３上に形成された半田メッキ６と半導体基板２００に
形成した半田が濡れる半田接続用金属層１０とが対向す
るように、電極形成用基板１００と半導体基板２００と
を位置合わせし、次に、半田メッキ６と半田接続用金属
層１０とを当接させると共に、半導体基板２００もしく
は電極形成用基板１００の少なくとも一方を加熱して、
半田メッキ６を溶融させる。次に、半導体基板２００と
電極形成用基板１００とを離隔させることで、半田バン
プ１３を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、金属突起電極である半
田バンプ電極の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半田バンプ電極の形成方法として
は、第１の従来例である図１０に示すものがある。上記
半田バンプ電極の形成方法は、まず、図１０(Ａ)に示す
ように、半導体層５１と導体端子５２と絶縁保護膜５３
とからなる半導体基板の導体端子５２および絶縁保護膜
５３上に、半田接続用金属層５４をスパッタや蒸着によ
り形成し、更に、その上にレジスト５５を塗布し、フォ
トリソグラフィ法により導体端子５２上のレジスト５５
を取り除いて、半田接続用金属層５４が露出した開口部
５６を形成する。

【０００３】次に、上記半田接続用金属層５４を陰極と
して電解メッキを行ない、レジスト５５の開口部５６に
半田を供給して半田メッキ５７を形成する。

【０００４】次に、図１０(Ｂ)に示すように、上記レジ
スト５５を溶剤等により除去し、更に、上記レジスト５
５の除去により露出した不要な領域の半田接続用金属層
５４をエッチングにより除去する。

【０００５】最後に、上記半田メッキ５７を溶融させ、
図１０(Ｃ)に示すように半田の表面張力により半田メッ
キ５７を球状にすることで半田バンプ電極５８を形成す
る。

【０００６】次に、第２の従来例を図１１に示す。図１
１に示すように、この従来例は、半導体層６１と導体端
子６２と絶縁保護膜６３とからなる半導体基板６１の導
体端子６２および絶縁保護膜６３上に半田接続用金属層
６４をスパッタや蒸着により形成し、更に、リフトオフ
法により、上記導体端子６２に非対向の金属層６４を除
去して、導体端子６２上にのみ半田接続用金属層６４を
残す。

【０００７】次に、上記絶縁保護膜６３上に、上記半田
接続用金属層６４に対向する領域が開口したメタルマス
ク６５を設置し、上記半田接続用金属層６４上に、半田
を構成する金属６６a,６６bを順次蒸着する。例えば、
金属層６４上に鉛を蒸着した後、錫を蒸着する。

【０００８】次に、上記半導体基板上から、上記メタル
マスク６５を取り除き、最後に、上記半田を構成する金
属６６a,６６bを溶融させ、金属６６aと６６bとを相互
拡散させると共に、表面張力により球形にすることで、
半田バンプ電極を形成する。

【０００９】次に、第３の従来例を図１２に示す。この
従来例は、図１２に示すように、半導体層７１と導体端
子７２と絶縁保護膜７３とからなる半導体基板７１の導
体端子７２および絶縁保護膜７３上に半田接続用金属層
７４をスパッタや蒸着により形成し、更に、図１０に示
した従来例と同様に、導体端子７２との接続部から離れ
た領域の金属層７４をエッチングにより除去し、上記導
体端子７２に対向する領域の金属層７４を残す。

【００１０】次に、ワイヤーボンダー８０を用いて、キ
ャピラリ８１から供給される半田からなる半田ボール８
２を上記半田接続用金属層７４上にボンディングし、半
田ワイヤー部８３を切断する。そして、最後に、ボンデ
ィング時に変形し上記切断された半田ワイヤー部８３と
継ながっている半田ボール８２を溶融し、球状にする。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記半導体基板自体に
半田バンプ電極形成のための電解メッキ蒸着を施す必要
がある図１０や図１１に示した従来例では、ウェハから
個別に切り離された半導体基板、すなわちダイシング後
の半導体基板に適用することが困難であるという問題が
ある。個別にダイシングされた後の半導体基板に電解メ
ッキや蒸着によって半田を供給することは製造プロセス
上困難であるからである。

【００１２】ダイシング後の半導体基板に半田バンプ電
極を形成しなければならない場合としては、例えば半導
体基板ウェハを自社製作せず外部メーカから半導体基板
を入手する場合等がある。

【００１３】更に、図１０および図１１に示した従来例
では、電解メッキや蒸着により、半導体基板に半田を供
給するので、同一の半導体基板内に、互いに組成やサイ
ズが異なる複数の半田バンプ電極を形成することが困難
である。また、半田よりも融点が高く、かつ硬度が高い
ＡｕやＣu等の金属突起電極が既に形成された半導体基
板に半田バンプ電極を形成することも難しい。

【００１４】また、上記半導体基板への電解メッキを用
いる従来例では、半田メッキの高さつまりメッキ厚より
も、横巾方向の寸法が大きくなるので、狭いピッチに対
して相対的に大きな半田バンプ電極やメッキ厚の厚い半
田バンプ電極を形成することが困難であるという問題も
ある。

【００１５】また、図１２に示すように、ワイヤーボン
ダーを用いる従来例では、上述した問題はないが、図１
０,図１１の従来例に比べて半田バンプ電極の形成に要
する時間が長い上に、形成する半田バンプ電極個数の増
大と共に形成所要時間が増大し、かつ歩留りが低下する
という問題がある。また、半田バンプ電極の大きさのば
らつきが生じ易いという問題もある。

【００１６】そこで、本発明の目的は、個別にダイシン
グされた回路基板上の所望の部分に組成やサイズが異な
る複数の半田バンプ電極を容易に形成でき、かつ上記半
田バンプ電極を所望の組成やサイズにコントロールでき
る半田バンプ電極の形成方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、半田が濡れない金属板上に半田が濡れな
い絶縁膜を形成することによって、電極形成用基板を作
製し、次に、回路素子が形成された回路基板の半田が濡
れる半田接続用金属層に対応する領域にある上記電極形
成用基板の上記絶縁膜を取り除いて、上記絶縁膜の下層
の半田が濡れない金属層が露出した開口部を形成し、次
に、上記電極形成用基板の上記半田が濡れない金属層を
共通電極とする電解メッキにより上記絶縁膜の開口部に
半田を供給して上記開口部に半田メッキを形成し、次
に、上記電極形成用基板の上記半田メッキと上記回路基
板の半田接続用金属層とが対向するように上記回路基板
と上記電極形成用基板とを位置合わせし、次に、上記回
路基板もしくは電極形成用基板の少なくとも一方を上記
半田の融点以上に加熱して上記半田メッキを溶融させる
と共に、上記半田接続用金属層に上記半田メッキを当接
させ、次に、上記回路基板と電極形成用基板とを離隔さ
せて、上記電極形成用基板の開口部に露出した半田が濡
れない金属層から上記回路基板の半田が濡れる半田接続
用金属層に上記溶融した半田メッキを転移させることを
特徴としている。

【００１８】

【作用】本発明の半田バンプ電極の形成方法によれば、
電極形成用基板の半田が濡れない金属層上に形成された
半田メッキと半導体基板に形成した半田が濡れる半田接
続用金属層とが対向するように、電極形成用基板と半導
体基板とを位置合わせし、次に、半田メッキと半田接続
用金属層とを当接させると共に、半導体基板もしくは電
極形成用基板の少なくとも一方を加熱して、回路基板と
は別の電極形成用基板の半田が濡れない金属上に形成し
た半田メッキを溶融させ、この溶融した半田メッキを上
記回路基板の半田が濡れる半田接続用金属層に転移させ
ることにより、回路基板に半田バンプ電極を形成するの
で、従来例と異なり、回路基板自体に半田バンプ電極形
成のための電解メッキや蒸着を施す必要がない。したが
って、本発明の半田バンプ電極の形成方法によれば、個
別にダイシングされた回路基板に電解メッキや蒸着によ
って半田を供給するという難しい工程の必要がなくな
り、個別にダイシングされた回路基板上の任意の箇所に
ある半田接続用金属層に容易に半田バンプ電極を形成す
ることが可能である。

【００１９】また、上記電極形成用基板から、上記回路
基板上の任意の箇所にある半田接続用金属層に、溶融し
た半田メッキを必要に応じて組成,サイズを変更しなが
ら複数回に渡って転移させることによって、上記回路基
板上の所望の半田接続用金属層に所望の組成,サイズの
半田バンプ電極を形成することが可能になる。

【００２０】また、本発明によれば、従来例と異なり、
回路基板自体に半田バンプ電極形成のための電極メッキ
や蒸着を施す必要がないので、半田よりも融点が高く
て、かつ半田よりも硬度が高いＡuやＣu等からなる金属
突起電極が既に形成された回路基板に、半田バンプ電極
を容易に形成することができる。上記ＡuやＣu等からな
る金属突起電極は、上記半導体基板に半田バンプ電極を
形成した後に上記半導体基板をフリップチップ接続する
際に、上記半導体基板の傾きを防止したり、接続高さを
制御する役目をする。

【００２１】このように、本発明によれば、用途に応じ
た様々な形態のバンプ電極を容易に回路基板上に実現で
きるようになる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例により詳細に説
明する。

【００２３】まず、本発明の第１の実施例を説明する。
図１(Ａ)に示す電極形成用基板１００を作製するため
に、剛性を有し半田の融点以上の耐熱性を有するセラミ
ック等の絶縁基板２上に、半田が濡れない金属(Ｔi,Ｗ,
Ｍo,Ｎb,Ｃr,Ｂe,Ｚr等)からなる金属層３と、耐熱性を
有し金属層３との密着力に優れ、半田が濡れない絶縁物
(ＳiＮ,ＳiＯ₂,ポリイミド等)からなる絶縁膜４を形成
する。

【００２４】一方、ここで、半田バンプ電極が形成され
る回路基板としての半導体基板の電極構造を説明する。
図３に、半導体層７と絶縁保護膜８と導体電極９からな
る半導体基板２００と、半導体基板２００の導体電極９
上に形成した半田接続用金属層１０を示す。導体電極９
は、ＡlあるいはＡuからなる。上記半田接続用金属層１
０は、半田のメッキ性を確保し半田と接合する金属(Ｃ
u,Ｎi,Ｐt,Ｐd等)からなる密着金属層と、密着力が良好
で半田が上記金属層に拡散することを防止する金属(Ｃ
r,ＴiＷ,ＮiＣr,Ｔa等)からなるバリア金属層と、半田
に対する濡れ性を向上させるための金属(Ａu等)からな
る金属層で構成されている。上記半田接続用金属層１０
を構成する上記金属層は、上記半導体基板２００上にス
パッタ等により供給され、フォトリソグラフィ法により
パターニングされることによって、導体電極９上にのみ
残される。

【００２５】次に、図３に示す上記半導体基板２００に
形成した半田接続用金属層１０に対応する領域にある図
１(Ａ)に示す上記電極形成用基板１００の絶縁膜４を、
フォトリソグラフィ法を用いて取り除き、上記領域に上
記絶縁膜４の下層の金属層３が露出した直径７０〜１０
０μm程度の開口部５を形成する。

【００２６】次に、上記電極形成用基板１００の開口部
５から露出した金属層３を陰極として、上記絶縁膜４の
開口部５に半田を供給して、図２に示すように、開口部
５に約４０〜５０μmの厚さの半田メッキ６を形成す
る。上記半田メッキ６の半田量は開口部５のピッチ等に
より、必要に応じた量に設定する。また、上記半田の組
成は、例えばＳn:Ｐb＝６０:４０,Ｓn:Ｐb＝１０:９０
等、用途によって定める。また、上記半田として、Ｉn
等を添加した低融点の半田を必要に応じて用いることが
可能であることは言うまでもない。

【００２７】次に、図４に示すように、上記半導体基板
２００は、吸着ツール１１と真空穴１２を有するフリッ
プチップボンダーによって保持され、上記フリップチッ
プボンダーを用いて、上記電極形成用基板１００に形成
した半田メッキ６と上記半導体基板２００に形成した半
田接続用金属層１０とが対向するように上記電極形成用
基板１００と上記半導体基板２００とを位置合わせす
る。

【００２８】次に、上記半田メッキ６に上記半田接続用
金属層１０を押し当て、接触させると共に、上記半導体
基板２００もしくは上記電極形成用基板１００の少なく
とも一方を半田の融点以上に加熱することによって、上
記半田メッキ６を溶融させる。

【００２９】次に、図４(Ｂ)に示すように、上記半導体
基板２００と上記電極形成用基板１００とを離隔させ
る。このとき、上記溶融した半田メッキ６は、上記電極
形成用基板１００の金属層３には濡れないが、上記半導
体基板２００に形成した半田接続用金属層１０には良好
に濡れるので、図４(Ｂ)に示すように、溶融した半田メ
ッキ６は、表面張力により略球状の半田バンプ１３とな
り上記電極形成用基板１００の金属層３から上記半導体
基板２００に形成した半田接続用金属層１０に転移され
る。上記金属層３と半田接続用金属層１０との半田の濡
れ性の違いにより上記転移が行なわれるのである。

【００３０】上記実施例によれば、上記半導体基板２０
０とは別の電極形成用基板１００の半田が濡れない金属
層３上に形成した半田メッキ６を溶融させ、この溶融し
た半田メッキ６を上記半導体基板２００に形成した半田
が濡れる半田接続用金属層１０に転移させることによ
り、上記半導体基板２００に半田バンプ電極１３を形成
するので、従来例と異なり、半導体基板２００自体に半
田バンプ電極形成のための電解メッキや蒸着を施す必要
がない。したがって、上記実施例の半田バンプ電極の形
成方法によれば、個別にダイシングされた半導体基板に
電解メッキや蒸着によって半田を供給するという難しい
工程の必要がなくなり、個別にダイシングされた半導体
基板２００上の任意の箇所にある半田接続用金属層１０
に容易に半田バンプ電極を形成することができる。

【００３１】なお、上記半田メッキ６を転移させる前
に、上記電極形成用基板１００に形成した半田メッキ６
あるいは上記半導体基板２００に形成した半田接続用金
属層１０にフラックスを塗布しておくことにより、半田
接続用金属層１０への溶融した半田メッキ６の濡れ性が
向上し、上記半田メッキ６の転移を特に良好にできる。
ただし、上記フラックス塗布を行なった場合には、上記
半田バンプ１３を形成した後に溶剤によるフラックス洗
浄が必要になる。

【００３２】次に、第２の実施例を図５を参照しながら
説明する。

【００３３】この実施例は、半導体層７を含む半導体基
板２００の両端の半田接続用金属層１０に、半田よりも
硬度が高くて、かつ半田よりも硬度が高いＡuやＣu等か
らなる金属突起電極１４,１４が既に形成されている点
のみが前述の第１の実施例(図１〜図４)と異なる。した
がって、第１の実施例と同一部分には同一番号を付して
説明を省略し、第１の実施例と異なる点を重点的に説明
する。

【００３４】上記金属突起電極１４,１４は、上記半導
体基板２００に半田バンプ電極を形成した後に上記半導
体基板２００をフリップチップ接続する際に上記半導体
基板２００の傾きを防止したり、接続高さを制御する等
の役目をする。

【００３５】この実施例において、上記半導体基板２０
０に形成した半田接続用金属層１０上の上記金属突起電
極１４,１４の厚さが、電極形成用基板１００の絶縁膜
４上の半田メッキ６の厚さよりも小さい場合には、第１
の実施例と同様に、上記半導体基板２００もしくは上記
電極形成用基板１００の少なくとも一方を半田の融点以
上に加熱することによって、上記半導体基板２００に形
成した半田接続用金属層１０に上記電極形成用基板１０
０に形成した半田メッキ６を溶融状態で転移させること
ができる。

【００３６】また、上記金属突起電極１４の厚さが、上
記半田メッキ６の厚さよりも大きい場合には、少なくと
も上記電極形成用基板１００を半田の融点以上に加熱す
ることによって、半田メッキ６が溶融し、表面張力で略
球状にし、絶縁膜４上の溶融した半田メッキ６の厚さを
上記金属突起電極１４,１４の厚さよりも大きくしてか
ら、溶融した半田メッキ６を上記半導体基板２００に形
成した半田接続用金属層１０に転移させれば良い。上記
半田メッキ６が溶融し、表面張力で略球状になり、絶縁
膜４上の厚さが増大する様子を図６(Ａ),(Ｂ)に示す。

【００３７】次に、第３の実施例を図７を参照しながら
説明する。

【００３８】この実施例は、第１の実施例の形成方法に
従って、半導体層７を含む半導体基板２００に半田バン
プ電極１７を形成し、次に、第２の実施例の形成方法に
従って、上記半田バンプ電極１７よりも融点が高い半田
メッキ１８を上記半導体基板２００に形成した半田接続
用金属層１０に転移させることで、図７(Ｂ)に示すよう
に、上記半導体基板２００に形成した半田接続用金属層
１０に半田バンプ電極１９,１９を形成する。こうし
て、図７(Ｂ)に示すように、１つの半導体基板２００に
融点が異なる複数の半田バンプ電極１７,１９を形成で
きる。

【００３９】次に、第４の実施例を図８を参照しながら
説明する。この実施例は、第１の実施例の形成方法に従
って、半導体層７を含む半導体基板２００に小サイズの
第１の半田バンプ電極２０,２０を形成し、次に、第２
の実施例の形成方法に従って、上記半田バンプ電極２０
の形成に用いた半田メッキよりもメッキ厚が厚くサイズ
の大きな半田メッキ２１を上記半導体基板２００に形成
した半田接続用金属層１０に転移させることで、図８
(Ｂ)に示すように、上記半田接続用金属層１０に大サイ
ズの第２の半田バンプ電極２２,２２を形成する。こう
して、図７(Ｂ)に示すように、１つの半導体基板２００
にサイズが異なる複数の半田バンプ電極２０,２２を形
成できる。

【００４０】次に、第５の実施例を図９を参照しながら
説明する。この実施例は、第１の実施例の形成方法に従
って、半導体７を含む半導体基板２００に半田バンプ電
極１３を形成し、次に、同じく第１の実施例の形成方法
に従って、半田メッキ６を形成した電極形成用基板１０
０から、上記半導体基板２００に形成した所望の半田接
続用金属層１０に形成した半田バンプ電極１３上に、所
望の半田接続用金属層１０に対応した半田メッキ６を溶
融状態で転移させることで、図９(Ｂ)に示すように、１
つの半導体基板２００にサイズが異なる複数の半田バン
プ電極２３,１３を形成できる。

【００４１】しかも、この第５の実施例によれば、電極
形成用基板１００から、上記半導体基板２００に形成し
た同一の半田接続用金属層１０に溶融した半田メッキを
複数回に渡って転移させるので、転移１回当りの半田メ
ッキ量を抑えることができる。つまり、この実施例によ
れば、半田メッキの１回の転移のみで半田バンプ電極を
形成する場合に比べて、メッキ厚が薄く横方向の広がり
が少ない半田メッキを、複数回に渡って転移させるの
で、半導体基板２００に狭いピッチで高い半田バンプ電
極を形成することができる。

【００４２】尚、上記第１〜第５の実施例では、回路基
板としての半導体基板２００に半田バンプ電極を形成す
る場合について説明したが、上記回路基板は半導体基板
に限らず、どの様な回路基板であってもよい。

【００４３】また、上記第１〜第５の実施例では、電極
形成用基板１００として、図１(Ａ)に示す絶縁基板２を
備えた基板を用いたが、図１(Ｂ)に示すように、絶縁基
板２を備えず、絶縁基板２を備えない分だけ厚さが大き
な半田が濡れない金属(Ｔi,Ｗ,Ｍo,Ｎb,Ｃr,Ｂe,Ｚr等)
からなる金属板１を備えた電極形成用基板１０１を用い
てもよい。

【００４４】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の半田バンプ電極の形成方法によれば、回路基板とは別
の電極形成用基板の半田が濡れない金属上に形成した半
田メッキを溶融させ、この溶融した半田メッキを上記回
路基板の半田が濡れる半田接続用金属層に転移させるこ
とにより、回路基板に半田バンプ電極を形成するので、
従来例と異なり、回路基板自体に半田バンプ電極形成の
ための電解メッキや蒸着を施す必要がない。したがっ
て、本発明の半田バンプ電極の形成方法によれば、個別
にダイシングされた回路基板に電解メッキや蒸着によっ
て半田を供給するという難しい工程の必要がなくなり、
個別にダイシングされた回路基板上の任意の箇所にある
半田接続用金属層に容易に半田バンプ電極を形成するこ
とができる。

【００４５】また、上記電極形成用基板から、上記回路
基板上の任意の箇所にある半田接続用金属層に溶融した
半田メッキを、必要に応じて組成,サイズを変更しなが
ら複数回に渡って転移させることで、上記回路基板上の
所望の半田接続用金属層に所望の組成,サイズの半田バ
ンプ電極を形成することができる。

【００４６】また、本発明によれば、従来例と異なり、
回路基板自体に半田バンプ電極形成のための電解メッキ
や蒸着を施す必要がないので、半田よりも融点が高く
て、かつ半田よりも硬度が高いＡuやＣu等からなる金属
突起電極が既に形成された回路基板に、半田バンプ電極
を容易に形成することができる。上記ＡuやＣu等からな
る金属突起電極は、上記半導体基板に半田バンプ電極を
形成した後に上記半導体基板をフリップチップ接続する
際に、上記半導体基板の傾きを防止したり、接続高さを
制御する役目をする。

【００４７】このように、本発明によれば、用途に応じ
た様々な形態のバンプ電極を容易に回路基板上に実現で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の電極形成用基板の第１の実施例の断
面図である。

【図２】 半田メッキを施した上記電極形成用基板の断
面図である。

【図３】 上記実施例の半導体基板の電極部の構造を示
す断面図である。

【図４】 上記実施例において、上記電極形成用基板か
ら、上記半導体基板の電極部への半田の転移方法を示す
図である。

【図５】 第２の実施例を説明する断面図である。

【図６】 上記実施例において、電極形成用基板の半田
メッキが溶融して、表面張力で略球状になる様子を示す
断面図である。

【図７】 第３の実施例を説明する断面図である。

【図８】 第４の実施例を説明する断面図である。

【図９】 第５の実施例を説明する断面図である。

【図１０】 メッキにより半田バンプ電極を形成する第
１の従来例を説明する断面図である。

【図１１】 メタルマスクを用いた蒸着法によって半田
バンプ電極を形成する第２の従来例を説明する断面図で
ある。

【図１２】 ボールボンディング法によって半田バンプ
電極を形成する第３の従来例を説明する断面図である。

【符号の説明】

１ 金属板 ２ 絶縁基板 ３ 金属
層 ４ 絶縁膜 ５ 開口部 ６ 半田
メッキ ７ 半導体層 ８ 絶縁保護膜 ９ 導体
電極 １０ 半田接続用金属層 １１ 吸着ツール １２ 真空穴 １３,１７,１９,２３ 半田バンプ電極 １４ 金属突起電極 １５ 略球状になった半田
メッキ ６５ メタルマスク ８１ キャピラリ ８３ 半田ワイヤー部 ８２ 半田ボール １００,１０１ 電極形成用基板 ２００ 半導体基板

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半田が濡れない金属板上に半田が濡れな
   い絶縁膜を形成することによって、電極形成用基板を作
   製し、 次に、回路素子が形成された回路基板の半田が濡れる半
   田接続用金属層に対応する領域にある上記電極形成用基
   板の上記絶縁膜を取り除いて、上記絶縁膜の下層の半田
   が濡れない金属層が露出した開口部を形成し、 次に、上記電極形成用基板の上記半田が濡れない金属層
   を共通電極とする電解メッキにより上記絶縁膜の開口部
   に半田を供給して上記開口部に半田メッキを形成し、 次に、上記電極形成用基板の上記半田メッキと上記回路
   基板の半田接続用金属層とが対向するように上記回路基
   板と上記電極形成用基板とを位置合わせし、 次に、上記回路基板もしくは電極形成用基板の少なくと
   も一方を上記半田の融点以上に加熱して上記半田メッキ
   を溶融させると共に、上記半田接続用金属層に上記半田
   メッキを当接させ、 次に、上記回路基板と電極形成用基板とを離隔させて、
   上記電極形成用基板の開口部に露出した半田が濡れない
   金属層から上記回路基板の半田が濡れる半田接続用金属
   層に上記溶融した半田メッキを転移させることを特徴と
   する半田バンプ電極の形成方法。