JPH05243464A - リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH05243464A JPH05243464A JP4042958A JP4295892A JPH05243464A JP H05243464 A JPH05243464 A JP H05243464A JP 4042958 A JP4042958 A JP 4042958A JP 4295892 A JP4295892 A JP 4295892A JP H05243464 A JPH05243464 A JP H05243464A
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- JP
- Japan
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- resin
- lead
- thickness
- lead frame
- tip
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】薄型化の樹脂封止型半導体装置を得ることを目
的とする。 【構成】インナーリード１３の各先端部１３ａをディプ
レスし、それらの上面をＩＣチップ５の電極面より一層
低くして、これら両者間にワイヤ７をボンディングした
後、ＩＣチップ５の上方の樹脂Ｍａの厚さとダイパッド
１２の下方の樹脂Ｍｂの厚さとが等しくなるようにモー
ルド樹脂Ｍで封止した。 【効果】ボンディングワイヤのループ部の高さを低くで
き、モールド樹脂からの露出を防止できる。
的とする。 【構成】インナーリード１３の各先端部１３ａをディプ
レスし、それらの上面をＩＣチップ５の電極面より一層
低くして、これら両者間にワイヤ７をボンディングした
後、ＩＣチップ５の上方の樹脂Ｍａの厚さとダイパッド
１２の下方の樹脂Ｍｂの厚さとが等しくなるようにモー
ルド樹脂Ｍで封止した。 【効果】ボンディングワイヤのループ部の高さを低くで
き、モールド樹脂からの露出を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の薄型化
を計るためのリードフレーム及びこれを用いた樹脂封止
型半導体装置（以下、単に「ＩＣ」と記す）に関するも
のである。
を計るためのリードフレーム及びこれを用いた樹脂封止
型半導体装置（以下、単に「ＩＣ」と記す）に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のＩＣを図を用いて説明する。
図７は従来技術のＩＣの断面図を示している。このＩＣ
１は、中央部に、ディプレスされたダイパッド２が在
り、この周辺部に複数のインナーリード３とこれらに対
応したアウターリード４とから構成されたリードフレー
ムの、前記ダイパッドの上面にＩＣチップ５をダイボン
ドし、そのＩＣチップ５の各電極（図示していない）と
これらに対応した前記各インナーリード３の先端部６の
上面とをワイヤ７でボンディングし、そしてモールド樹
脂Ｍで樹脂封止し、この樹脂Ｍの外部で前記アウターリ
ード４を前記ダイパッドの方へ折り曲げた構造（図の実
施例ではＳＯＰ型或いはＱＦＰ型半導体装置）に構成し
ている。
図７は従来技術のＩＣの断面図を示している。このＩＣ
１は、中央部に、ディプレスされたダイパッド２が在
り、この周辺部に複数のインナーリード３とこれらに対
応したアウターリード４とから構成されたリードフレー
ムの、前記ダイパッドの上面にＩＣチップ５をダイボン
ドし、そのＩＣチップ５の各電極（図示していない）と
これらに対応した前記各インナーリード３の先端部６の
上面とをワイヤ７でボンディングし、そしてモールド樹
脂Ｍで樹脂封止し、この樹脂Ｍの外部で前記アウターリ
ード４を前記ダイパッドの方へ折り曲げた構造（図の実
施例ではＳＯＰ型或いはＱＦＰ型半導体装置）に構成し
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＩＣ１は、
現在、その全体の厚さＴを、例えば、１ｍｍ以下にする
薄型化が試みられているが、この厚さＴを薄くすればす
る程、ワイヤ７のループ部７ａの高さの制約により、そ
の実現が難しいものになる。即ち、従来のリードフレー
ムで厚さＴが１ｍｍ以下のＩＣ１を製造しようとする
と、図７に示したように、ワイヤ７のループ部７ａが露
出してしまうという問題が生じる。
現在、その全体の厚さＴを、例えば、１ｍｍ以下にする
薄型化が試みられているが、この厚さＴを薄くすればす
る程、ワイヤ７のループ部７ａの高さの制約により、そ
の実現が難しいものになる。即ち、従来のリードフレー
ムで厚さＴが１ｍｍ以下のＩＣ１を製造しようとする
と、図７に示したように、ワイヤ７のループ部７ａが露
出してしまうという問題が生じる。
【０００４】そこで、このループ部７ａの露出を防止す
るためには、インナーリード３の表面の高さ位置をその
ままに維持したとして、ＩＣチップ５の高さ位置を低く
するとよいが、ＩＣチップ５の位置を下げると、そのＩ
Ｃチップ５の上面の樹脂Ｍａとダイパッド２の下面の樹
脂Ｍｂとの厚さに大きな差が生じ、内部材料間の熱膨張
係数の違いによって全体のパッケージが反り、後のリー
ド加工等の工程に支障が生じたり、基板への実装時にお
ける半田付け不良の原因になる。それ故に、ＩＣチップ
５の電極の高さ位置を下げることは好ましくない。
るためには、インナーリード３の表面の高さ位置をその
ままに維持したとして、ＩＣチップ５の高さ位置を低く
するとよいが、ＩＣチップ５の位置を下げると、そのＩ
Ｃチップ５の上面の樹脂Ｍａとダイパッド２の下面の樹
脂Ｍｂとの厚さに大きな差が生じ、内部材料間の熱膨張
係数の違いによって全体のパッケージが反り、後のリー
ド加工等の工程に支障が生じたり、基板への実装時にお
ける半田付け不良の原因になる。それ故に、ＩＣチップ
５の電極の高さ位置を下げることは好ましくない。
【０００５】この発明はこのような問題を解決して薄型
化が計れるＩＣを得ることを課題とするものである。
化が計れるＩＣを得ることを課題とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため、この発明で
は、少なくとも半導体チップの複数の電極を外部に導出
するための複数のインナーリードとこれらに対応したア
ウターリードとから構成されたリードフレームの、前記
インナーリードの各先端部をディプレスした。そして、
このような複数のインナーリードの先端部の中央部に半
導体チップを配置し、この半導体チップの複数の電極と
前記インナーリードの先端部とを接続して、前記半導体
チップと前記インナーリードの部分を樹脂で封止し、前
記半導体チップの上方に存在する樹脂の厚さと下方に存
在する樹脂の厚さとが等しくなるように樹脂封止し、そ
して前記アウターリードを前記封止樹脂の厚さの中央部
より導出するようにして、前記課題を解決した。
は、少なくとも半導体チップの複数の電極を外部に導出
するための複数のインナーリードとこれらに対応したア
ウターリードとから構成されたリードフレームの、前記
インナーリードの各先端部をディプレスした。そして、
このような複数のインナーリードの先端部の中央部に半
導体チップを配置し、この半導体チップの複数の電極と
前記インナーリードの先端部とを接続して、前記半導体
チップと前記インナーリードの部分を樹脂で封止し、前
記半導体チップの上方に存在する樹脂の厚さと下方に存
在する樹脂の厚さとが等しくなるように樹脂封止し、そ
して前記アウターリードを前記封止樹脂の厚さの中央部
より導出するようにして、前記課題を解決した。
【０００７】
【作用】従って、半導体チップの複数の電極とインナー
リードの各先端部とを接続するワイヤのループ部の高さ
を低くできる。
リードの各先端部とを接続するワイヤのループ部の高さ
を低くできる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の第１の実施例を図１及び図
３を用いて説明する。図１はこの発明の実施例である樹
脂封止型半導体装置の断面図であり、図２はこの発明の
実施例であるリードフレームの平面図であり、そして図
３は図２に示したリードフレームの構成要素であるイン
ナーリードの先端部の一部拡大斜視図である。
３を用いて説明する。図１はこの発明の実施例である樹
脂封止型半導体装置の断面図であり、図２はこの発明の
実施例であるリードフレームの平面図であり、そして図
３は図２に示したリードフレームの構成要素であるイン
ナーリードの先端部の一部拡大斜視図である。
【０００９】先ず、この発明のリードフレームを図２を
用いて説明する。この図には一単位のリードフレームの
構成しか示していないが、実際にはこのような単位リー
ドフレームが複数連なって一枚の金属板に形成されてい
るものである。符号１０は全体としてこのような一単位
のリードフレームを指す。
用いて説明する。この図には一単位のリードフレームの
構成しか示していないが、実際にはこのような単位リー
ドフレームが複数連なって一枚の金属板に形成されてい
るものである。符号１０は全体としてこのような一単位
のリードフレームを指す。
【００１０】このリードフレーム１０は従来のリードフ
レームと同様に、中央部にダイパッド１２が配置され、
その周辺に、この実施例では、ダイパッド１２の両側縁
部に沿って等間隔で複数のインナーリード１３が配列さ
れ、そしてそれぞれのインナーリード１３に対応してア
ウターリード１４が配列されている。
レームと同様に、中央部にダイパッド１２が配置され、
その周辺に、この実施例では、ダイパッド１２の両側縁
部に沿って等間隔で複数のインナーリード１３が配列さ
れ、そしてそれぞれのインナーリード１３に対応してア
ウターリード１４が配列されている。
【００１１】前記ダイパッド１２は両端のステー１５に
それぞれ吊り１６で支持されており、また前記インナー
リード１３とアウターリード１４とはタイバー１７及び
サイドレール１８で前記ステー１５に支持されるように
構成されている。これらの構成要素は厚さが均一な、例
えば、約０．１ｍｍの４２アロイや銅系の平らな金属板
を打ち抜いて形成することができる。
それぞれ吊り１６で支持されており、また前記インナー
リード１３とアウターリード１４とはタイバー１７及び
サイドレール１８で前記ステー１５に支持されるように
構成されている。これらの構成要素は厚さが均一な、例
えば、約０．１ｍｍの４２アロイや銅系の平らな金属板
を打ち抜いて形成することができる。
【００１２】この発明においては、前記ダイパッド１２
を前記双方の吊り１６の斜線を施した部分１６ａで折り
曲げてディプレスする。そしてまた、各インナーリード
１３の先端部１３ａを、それらの斜線を施した部分１３
ｂで折り曲げてディプレスし、それらのインナーリード
１３の他の部分１３ｃよりも低くした。その他の構成要
素、即ち、インナーリード１３の他の部分１３ｃ、アウ
ターリード１４、ステー１５、タイバー１７及びサイド
レール１８は同一面内に在る。図３にインナーリード１
３の先端部１３ａ付近の一部を拡大して示した。
を前記双方の吊り１６の斜線を施した部分１６ａで折り
曲げてディプレスする。そしてまた、各インナーリード
１３の先端部１３ａを、それらの斜線を施した部分１３
ｂで折り曲げてディプレスし、それらのインナーリード
１３の他の部分１３ｃよりも低くした。その他の構成要
素、即ち、インナーリード１３の他の部分１３ｃ、アウ
ターリード１４、ステー１５、タイバー１７及びサイド
レール１８は同一面内に在る。図３にインナーリード１
３の先端部１３ａ付近の一部を拡大して示した。
【００１３】インナーリード１３の各先端部１３ａのデ
ィプレスの深さは、それら先端部１３ａの上面が、ディ
プレスされた前記ダイパッド１２にＩＣチップ（図１に
おける符号２０）をダイボンドした、それら双方の全体
の厚さの中央部近傍かそれ以下の高さ位置にくるように
折り曲げることが望ましい。
ィプレスの深さは、それら先端部１３ａの上面が、ディ
プレスされた前記ダイパッド１２にＩＣチップ（図１に
おける符号２０）をダイボンドした、それら双方の全体
の厚さの中央部近傍かそれ以下の高さ位置にくるように
折り曲げることが望ましい。
【００１４】また、ＩＣを薄型化するための一手段とし
て、ダイパッドレスのリードフレームが案出されている
が、そのようなリードフレームにおいては、前記と同様
のインナーリードの先端部の上面が、それらインナーリ
ードの中央部にＩＣチップを搭載した場合の、そのＩＣ
チップの厚さのほぼ中央部かそれ以下の高さ位置にくる
ように折り曲げるとよい。
て、ダイパッドレスのリードフレームが案出されている
が、そのようなリードフレームにおいては、前記と同様
のインナーリードの先端部の上面が、それらインナーリ
ードの中央部にＩＣチップを搭載した場合の、そのＩＣ
チップの厚さのほぼ中央部かそれ以下の高さ位置にくる
ように折り曲げるとよい。
【００１５】次に、このようなリードフレーム１０を用
いて構成したこの発明のＩＣの実施例を図１を用いて説
明する。なお、図２のリードフレーム１０及び図７のＩ
Ｃ１の構成部分と同一の構成部分には同一の符号を付し
て説明する。
いて構成したこの発明のＩＣの実施例を図１を用いて説
明する。なお、図２のリードフレーム１０及び図７のＩ
Ｃ１の構成部分と同一の構成部分には同一の符号を付し
て説明する。
【００１６】符号２０は全体としてこの発明のＩＣを指
す。ＩＣチップ５はリードフレーム１０のダイパッド１
２にダイボンドされ、そして通常のように、このＩＣチ
ップ５の各電極とディプレスされたインナーリード１３
の先端部１３ａをワイヤ７で接続する。
す。ＩＣチップ５はリードフレーム１０のダイパッド１
２にダイボンドされ、そして通常のように、このＩＣチ
ップ５の各電極とディプレスされたインナーリード１３
の先端部１３ａをワイヤ７で接続する。
【００１７】そして更に、図２に示した２点鎖線Ｌで囲
んだ範囲内でモールド樹脂Ｍを流し、ＩＣチップ５やイ
ンナーリード１３を封止する。この時、ＩＣチップ５の
上方の樹脂Ｍａの厚さとダイパッド１２の下方の樹脂Ｍ
ｂの厚さとが同一の厚さになるように構成し、また、各
アウターリード１４が全体のモールド樹脂Ｍ（パッケー
ジ）の厚さの中央部から外部に導出されるように封止す
る。
んだ範囲内でモールド樹脂Ｍを流し、ＩＣチップ５やイ
ンナーリード１３を封止する。この時、ＩＣチップ５の
上方の樹脂Ｍａの厚さとダイパッド１２の下方の樹脂Ｍ
ｂの厚さとが同一の厚さになるように構成し、また、各
アウターリード１４が全体のモールド樹脂Ｍ（パッケー
ジ）の厚さの中央部から外部に導出されるように封止す
る。
【００１８】封止樹脂Ｍが硬化した後、このモールド樹
脂Ｍのバリを取ると同時に吊り１６やタイバー１７及び
サイドレール１８をステー１５から切離し、複数の各ア
ウターリード１４を、使用態様に応じて折り曲げれば、
この発明のＩＣ２０が得られる。図１の場合は前記ダイ
パッド１２が存在する側に折り曲げた。
脂Ｍのバリを取ると同時に吊り１６やタイバー１７及び
サイドレール１８をステー１５から切離し、複数の各ア
ウターリード１４を、使用態様に応じて折り曲げれば、
この発明のＩＣ２０が得られる。図１の場合は前記ダイ
パッド１２が存在する側に折り曲げた。
【００１９】このようにインナーリード１３の先端部１
３ａを他の部分１３ｃよりディプレスしてボンディング
面を下げたので、ワイヤボンディング時にワイヤ７を下
へ引っ張ることができ、従って、ワイヤ７のループ部７
ａの高さを低く抑えることができる。
３ａを他の部分１３ｃよりディプレスしてボンディング
面を下げたので、ワイヤボンディング時にワイヤ７を下
へ引っ張ることができ、従って、ワイヤ７のループ部７
ａの高さを低く抑えることができる。
【００２０】前記インナーリード１３の先端部１３ａの
ディプレスは通常プレスによって形成することができ
る。そのディプレスの深さは、ＩＣチップ５の厚さ及び
完成時のＩＣ２０全体の厚さを考慮して決定されるもの
であるが、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。
ディプレスは通常プレスによって形成することができ
る。そのディプレスの深さは、ＩＣチップ５の厚さ及び
完成時のＩＣ２０全体の厚さを考慮して決定されるもの
であるが、０．０５ｍｍ〜０．１ｍｍ程度である。
【００２１】次に、前記インナーリード１３の先端部１
３ａの変形である第２の実施例を図４に示した。この実
施例では、インナーリード１３の各先端部１１３ａだけ
にハーフエッチングを施してディプレスした構造に形成
した。このエッチング量は、必要に応じて変えられる
が、リードフレーム１０の厚さが０．１ｍｍであれば、
約０．０７ｍｍまでエッチングできる。このように、イ
ンナーリード１３のボンディング点の位置を更に下げる
ことができるので、ワイヤ７のループ部７ａの高さを低
くすることができる。
３ａの変形である第２の実施例を図４に示した。この実
施例では、インナーリード１３の各先端部１１３ａだけ
にハーフエッチングを施してディプレスした構造に形成
した。このエッチング量は、必要に応じて変えられる
が、リードフレーム１０の厚さが０．１ｍｍであれば、
約０．０７ｍｍまでエッチングできる。このように、イ
ンナーリード１３のボンディング点の位置を更に下げる
ことができるので、ワイヤ７のループ部７ａの高さを低
くすることができる。
【００２２】また、図３に示した前記インナーリード１
３の先端部１３ａの変形である第３の実施例を図５に示
した。この実施例では、インナーリード１３の各先端部
１３ａに、そのエッジを残してハーフエッチングを施
し、凹部１３ｄを形成した。従って、前記第２の実施例
と同様の効果が得られる他、樹脂封止する際の樹脂の流
れによって発生するワイヤ流れを抑制することができ
る。
３の先端部１３ａの変形である第３の実施例を図５に示
した。この実施例では、インナーリード１３の各先端部
１３ａに、そのエッジを残してハーフエッチングを施
し、凹部１３ｄを形成した。従って、前記第２の実施例
と同様の効果が得られる他、樹脂封止する際の樹脂の流
れによって発生するワイヤ流れを抑制することができ
る。
【００２３】また更に、図３に示した前記インナーリー
ド１３の先端部１３ａの変形である第４の実施例を図６
に示した。この実施例では、前記各先端部１３ａのボン
ディング点付近が広くなるように、エッジを残してハー
フエッチングを施し、凹部１３ｅを形成した。従って、
ワイヤボンディングが行い易くなる。
ド１３の先端部１３ａの変形である第４の実施例を図６
に示した。この実施例では、前記各先端部１３ａのボン
ディング点付近が広くなるように、エッジを残してハー
フエッチングを施し、凹部１３ｅを形成した。従って、
ワイヤボンディングが行い易くなる。
【００２４】
【発明の効果】以上のように、この発明のリードフレー
ム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置によれば、ワ
イヤのループ部の高さを低くすることができ、従って、
そのワイヤが封止樹脂から露出することがない薄型の樹
脂封止型半導体装置を、既存の製造設備を用いて得るこ
とができる。
ム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置によれば、ワ
イヤのループ部の高さを低くすることができ、従って、
そのワイヤが封止樹脂から露出することがない薄型の樹
脂封止型半導体装置を、既存の製造設備を用いて得るこ
とができる。
【図１】この発明の実施例である樹脂封止型半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
【図２】この発明の第１の実施例であるリードフレーム
の平面図である。
の平面図である。
【図３】図２に示したリードフレームの構成要素である
インナーリードの先端部の一部拡大斜視図である。
インナーリードの先端部の一部拡大斜視図である。
【図４】この発明の第２の実施例であるリードフレーム
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
【図５】この発明の第３の実施例であるリードフレーム
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
【図６】この発明の第４の実施例であるリードフレーム
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
の構成要素であるインナーリードの先端部の一部拡大斜
視図である。
【図７】従来技術による樹脂封止型半導体装置の断面図
である。
である。
【符号の説明】 ５ 半導体チップ（ＩＣチップ） ７ ワイヤ ７ａ ループ部 １０ リードフレーム １２ ダイパッド １３ インナーリード １３ａ （インナーリードの）先端部 １３ｂ （インナーリードの）折り曲げ部 １３ｃ （インナーリードの）他の部分 １３ｄ 凹部 １３ｅ 凹部 １４ アウターリード １５ ステー １６ 吊り ２０ 樹脂封止型半導体装置 Ｍ モールド樹脂
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも半導体チップの複数の電極を外
部に導出するための複数のインナーリードとこれらに対
応したアウターリードとから構成されたリードフレーム
において、前記インナーリードの各先端部をディプレス
したことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】前記インナーリードの先端部の厚さがその
他のインナーリード部の厚さよりも薄いことを特徴とす
る請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項３】前記インナーリードの先端部の一部分の厚
さがその他のインナーリードの厚さよりも薄いことを特
徴とする請求項１に記載のリードフレーム。 - 【請求項４】中央部に半導体チップを配置し、この半導
体チップの複数の電極に対応して、その周辺部に複数の
インナーリードとこれらに対応したアウターリードとを
配置し、前記インナーリードの先端部の上面がそのイン
ナーリードの他の部分の上面よりも低い位置に在り、前
記各電極と対応した前記インナーリードの先端部とを接
続して、前記半導体チップと前記インナーリードを樹脂
で封止し、前記半導体チップの上方に存在する樹脂の厚
さと下方に存在するモールド樹脂の厚さとが等しくなる
ように樹脂封止し、そして前記アウターリードを前記封
止樹脂の厚さの中央部より導出して、前記樹脂の外部で
所望の形状で折り曲げたことを特徴とする樹脂封止型半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042958A JPH05243464A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4042958A JPH05243464A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243464A true JPH05243464A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12650539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4042958A Pending JPH05243464A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | リードフレーム及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243464A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07254679A (ja) * | 1993-11-20 | 1995-10-03 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| WO1998043297A1 (en) * | 1997-03-24 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Substrate for semiconductor device, lead frame, semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4042958A patent/JPH05243464A/ja active Pending
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPH07254679A (ja) * | 1993-11-20 | 1995-10-03 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
| WO1998043297A1 (en) * | 1997-03-24 | 1998-10-01 | Seiko Epson Corporation | Substrate for semiconductor device, lead frame, semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, and electronic equipment |
| US6127206A (en) * | 1997-03-24 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device substrate, lead frame, semiconductor device and method of making the same, circuit board, and electronic apparatus |
| CN1101598C (zh) * | 1997-03-24 | 2003-02-12 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置用基板、半导体装置及其制造方法、电路基板和电子装置 |
| US7102216B1 (en) * | 2001-08-17 | 2006-09-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package and leadframe with horizontal leads spaced in the vertical direction and method of making |
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