JPH05243546A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH05243546A JPH05243546A JP4075143A JP7514392A JPH05243546A JP H05243546 A JPH05243546 A JP H05243546A JP 4075143 A JP4075143 A JP 4075143A JP 7514392 A JP7514392 A JP 7514392A JP H05243546 A JPH05243546 A JP H05243546A
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- JP
- Japan
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- photoelectric conversion
- type
- solid
- signal reading
- signal
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8057—Optical shielding
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像装置の開口率を大きくし、感度を高
くする。 【構成】 固体撮像装置において、埋込みフォトダイオ
ードを備えたそれぞれ光電変換部２１、２２から成る２
個の単位画素に対し、１個の信号読み出し部３０が共通
に設けられ、光電変換部２１との間に転送ゲート１１
が、光電変換部２２との間に転送ゲート１２が設けられ
て構成されている。
くする。 【構成】 固体撮像装置において、埋込みフォトダイオ
ードを備えたそれぞれ光電変換部２１、２２から成る２
個の単位画素に対し、１個の信号読み出し部３０が共通
に設けられ、光電変換部２１との間に転送ゲート１１
が、光電変換部２２との間に転送ゲート１２が設けられ
て構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、増幅型の固体撮像装置
に関し、詳しくは開口率が大きく、感度の高い増幅型の
固体撮像装置に関するものである。
に関し、詳しくは開口率が大きく、感度の高い増幅型の
固体撮像装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は特願平３−６９４０５号とし
て、図３に示すような構成の増幅型の固体撮像装置を先
に提案した。この例においては、図３（ａ）に示される
ように、その画素単位は埋込みフォトダイオードを備え
た光電変換部１２０と、増幅用のＭＯＳ・ＳＩＴを備え
た信号読み出し部１３０を有し、光電変換部１２０と信
号読み出し部１３０は転送ゲート１１０で接続されてい
る。
て、図３に示すような構成の増幅型の固体撮像装置を先
に提案した。この例においては、図３（ａ）に示される
ように、その画素単位は埋込みフォトダイオードを備え
た光電変換部１２０と、増幅用のＭＯＳ・ＳＩＴを備え
た信号読み出し部１３０を有し、光電変換部１２０と信
号読み出し部１３０は転送ゲート１１０で接続されてい
る。
【０００３】そして、図３（ｂ）の断面構造に示される
ように、Ｐ型基板１０１上にはＮ型半導体層１０２が積
層されており、Ｎ型半導体層１０２の表面近傍には、Ｎ
型ソース領域１０３とＮ型ドレイン領域１０４が形成さ
れている。Ｎ型ドレイン領域１０４は、図３（ａ）に示
されるように、Ｎ型ソース領域１０３の外側に単位画素
を取り囲むように形成されており、フォトダイオードの
Ｎ型拡散領域１０７と接続している。また、Ｎ型ソース
領域１０３にはポリシリコンからなるソース電極１０８
が設けられている。
ように、Ｐ型基板１０１上にはＮ型半導体層１０２が積
層されており、Ｎ型半導体層１０２の表面近傍には、Ｎ
型ソース領域１０３とＮ型ドレイン領域１０４が形成さ
れている。Ｎ型ドレイン領域１０４は、図３（ａ）に示
されるように、Ｎ型ソース領域１０３の外側に単位画素
を取り囲むように形成されており、フォトダイオードの
Ｎ型拡散領域１０７と接続している。また、Ｎ型ソース
領域１０３にはポリシリコンからなるソース電極１０８
が設けられている。
【０００４】Ｎ型ソース領域１０３とＮ型ドレイン領域
１０４の間の領域上には、絶縁層１１４を介してゲート
電極１０９がＮ型ソース領域１０３を囲むように設けら
れ、ゲートライン１１２および転送ゲートライン１１１
は、絶縁層１１４を介してＮ型ドレイン領域１０４上に
重なるように設けられている。
１０４の間の領域上には、絶縁層１１４を介してゲート
電極１０９がＮ型ソース領域１０３を囲むように設けら
れ、ゲートライン１１２および転送ゲートライン１１１
は、絶縁層１１４を介してＮ型ドレイン領域１０４上に
重なるように設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の装
置においては、固体撮像装置の単位画素は、信号読み出
し部１３０、転送ゲート１１０、光電変換部１２０から
構成されており、信号読み出し部１３０および転送ゲー
ト１１０上には、ＭＯＳ・ＳＩＴに光が入射して荷電が
発生しないように遮光膜１１３が形成してあるため、光
電変換部１２０の開口率を大きくすることができないと
いう問題点があった。
置においては、固体撮像装置の単位画素は、信号読み出
し部１３０、転送ゲート１１０、光電変換部１２０から
構成されており、信号読み出し部１３０および転送ゲー
ト１１０上には、ＭＯＳ・ＳＩＴに光が入射して荷電が
発生しないように遮光膜１１３が形成してあるため、光
電変換部１２０の開口率を大きくすることができないと
いう問題点があった。
【０００６】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、量子効率が高く、残像が少なく、暗電流が
小さいという従来技術の光電変換部の特長をそのまま残
し、開口率が大きく感度の高い増幅型固体撮像装置を提
供することを目的とする。
ものであり、量子効率が高く、残像が少なく、暗電流が
小さいという従来技術の光電変換部の特長をそのまま残
し、開口率が大きく感度の高い増幅型固体撮像装置を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像装置
は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換部２
１、２２から成る複数（２個）の画素に対し、複数（２
個）の光電変換部２１、２２で発生した信号電荷を読み
出す１個の信号読み出し部３０が形成されている。
は、入射光を受光して信号電荷を発生する光電変換部２
１、２２から成る複数（２個）の画素に対し、複数（２
個）の光電変換部２１、２２で発生した信号電荷を読み
出す１個の信号読み出し部３０が形成されている。
【０００８】
【作用】上記構成の固体撮像装置においては、光電変換
部２１または２２に蓄積された光発生電荷は、共通の信
号読み出し部３０に読み出される。
部２１または２２に蓄積された光発生電荷は、共通の信
号読み出し部３０に読み出される。
【０００９】したがって、本発明の固体撮像装置におい
ては、信号読み出し部３０を複数の画素にまたがって１
個配置することにより、１画素における信号読み出し部
３０の占める面積が、各画素に１個ずつ信号読み出し部
３０を設ける構造に比べて小さくなり、従って、光電変
換部２１、２２の開口率を大きくし、高い感度を得るこ
とができる。
ては、信号読み出し部３０を複数の画素にまたがって１
個配置することにより、１画素における信号読み出し部
３０の占める面積が、各画素に１個ずつ信号読み出し部
３０を設ける構造に比べて小さくなり、従って、光電変
換部２１、２２の開口率を大きくし、高い感度を得るこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。図１
は、本発明の実施例による固体撮像装置の２画素分の模
式的な平面図、図２は、図１の固体撮像装置の線Ａ−
Ａ’の断面図である。図１では便宜上、アルミニウムよ
りなるソースライン１３と遮光膜１４を除去してソース
電極８より下方を示し、各領域とも実線で示す。
は、本発明の実施例による固体撮像装置の２画素分の模
式的な平面図、図２は、図１の固体撮像装置の線Ａ−
Ａ’の断面図である。図１では便宜上、アルミニウムよ
りなるソースライン１３と遮光膜１４を除去してソース
電極８より下方を示し、各領域とも実線で示す。
【００１１】図１において、２画素分の固体撮像装置
は、埋込みフォトダイオードを備えた光電変換部２１、
２２、転送ゲート１１、１２、ＭＯＳ・ＳＩＴを備えた
信号読み出し部３０から構成されており、信号読み出し
部３０と光電変換部２１は転送ゲート１１で、光電変換
部２２は転送ゲート１２でそれぞれ接続されている。
は、埋込みフォトダイオードを備えた光電変換部２１、
２２、転送ゲート１１、１２、ＭＯＳ・ＳＩＴを備えた
信号読み出し部３０から構成されており、信号読み出し
部３０と光電変換部２１は転送ゲート１１で、光電変換
部２２は転送ゲート１２でそれぞれ接続されている。
【００１２】図２において、２画素分の断面構造を説明
する。Ｐ型基板１上にはＮ型半導体層２が積層されてお
り、Ｎ型半導体層２の表面近傍にはＮ型ソース領域３と
Ｎ型ドレイン領域４が形成されている。Ｎ型ドレイン領
域４は、図１に示されるように、Ｎ型ソース領域３の外
側に、信号読み出し部３０を除いて単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオードのＮ
型拡散領域７１、７２と連続している。また、Ｎ型ソー
ス領域３にはポリシリコンからなるソース電極８が設け
られている。
する。Ｐ型基板１上にはＮ型半導体層２が積層されてお
り、Ｎ型半導体層２の表面近傍にはＮ型ソース領域３と
Ｎ型ドレイン領域４が形成されている。Ｎ型ドレイン領
域４は、図１に示されるように、Ｎ型ソース領域３の外
側に、信号読み出し部３０を除いて単位画素を取り囲む
ように形成されており、後述するフォトダイオードのＮ
型拡散領域７１、７２と連続している。また、Ｎ型ソー
ス領域３にはポリシリコンからなるソース電極８が設け
られている。
【００１３】Ｎ型ソース領域３とＮ型ドレイン領域４の
間の領域上には、絶縁層１５を介してゲート電極９がＮ
型ソース領域３を囲むように設けられ、Ｎ型ソース領域
３、ゲート電極９、Ｎ型ドレイン領域４でＭＯＳ・ＳＩ
Ｔが構成されている。本実施例では、ＭＯＳ・ＳＩＴは
信号電荷の増幅専用に設けられているので、ＭＯＳ・Ｓ
ＩＴに光が入射して電荷が発生しないように、信号読み
出し部３０の最上層は遮光用のアルミニウム膜１４で覆
われている。
間の領域上には、絶縁層１５を介してゲート電極９がＮ
型ソース領域３を囲むように設けられ、Ｎ型ソース領域
３、ゲート電極９、Ｎ型ドレイン領域４でＭＯＳ・ＳＩ
Ｔが構成されている。本実施例では、ＭＯＳ・ＳＩＴは
信号電荷の増幅専用に設けられているので、ＭＯＳ・Ｓ
ＩＴに光が入射して電荷が発生しないように、信号読み
出し部３０の最上層は遮光用のアルミニウム膜１４で覆
われている。
【００１４】一方、光電変換部２１、２２のＮ型半導体
層２には、各々下からＮ型ウエル領域５１、５２、Ｐ型
フォトダイオード領域６１、６２、浅いＮ型拡散領域７
１、７２が形成されており埋込みフォトダイオード構造
になっている。Ｐ型フォトダイオード領域６１、６２
は、浅いＮ型拡散領域７１、７２よりも深い拡散深さの
Ｎ型ドレイン領域４で分離されている。
層２には、各々下からＮ型ウエル領域５１、５２、Ｐ型
フォトダイオード領域６１、６２、浅いＮ型拡散領域７
１、７２が形成されており埋込みフォトダイオード構造
になっている。Ｐ型フォトダイオード領域６１、６２
は、浅いＮ型拡散領域７１、７２よりも深い拡散深さの
Ｎ型ドレイン領域４で分離されている。
【００１５】信号読み出し部３０と光電変換部２１を接
続する転送ゲート１１は、埋込みフォトダイオードを構
成する浅いＮ型拡散領域７１からＭＯＳ・ＳＩＴのゲー
ト電極９の間に絶縁層１５を介してまたがるように設け
られており、Ｐ型フォトダイオード領域６１に蓄積され
た電荷をＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の下部に転送す
る働きをする。
続する転送ゲート１１は、埋込みフォトダイオードを構
成する浅いＮ型拡散領域７１からＭＯＳ・ＳＩＴのゲー
ト電極９の間に絶縁層１５を介してまたがるように設け
られており、Ｐ型フォトダイオード領域６１に蓄積され
た電荷をＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の下部に転送す
る働きをする。
【００１６】同様に、信号読み出し部３０と光電変換部
２２を接続する転送ゲート１２は、浅いＮ型拡散領域７
２からＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の間に絶縁層１５
を介してまたがるように設けられており、Ｐ型フォトダ
イオード領域６２に蓄積された電荷をＭＯＳ・ＳＩＴの
ゲート電極９の下部に転送する働きをする。
２２を接続する転送ゲート１２は、浅いＮ型拡散領域７
２からＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の間に絶縁層１５
を介してまたがるように設けられており、Ｐ型フォトダ
イオード領域６２に蓄積された電荷をＭＯＳ・ＳＩＴの
ゲート電極９の下部に転送する働きをする。
【００１７】上述した図１の固体撮像装置の動作は次の
様になる。光電変換部２１、２２で一定時間受光された
入射光は、埋込みフォトダイオードで光電変換され、発
生した電荷は各々Ｐ型フォトダイオード領域６１、６２
に蓄積される。その後、まず転送ゲート１１にパルス電
圧を加えることにより、Ｐ型フォトダイオード領域６１
に蓄積されていた電荷は、ＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の下部に転送される。電荷が転送された後は、Ｐ型フ
ォトダイオード領域６１には全く電荷が残らないので、
残像が発生することがない。
様になる。光電変換部２１、２２で一定時間受光された
入射光は、埋込みフォトダイオードで光電変換され、発
生した電荷は各々Ｐ型フォトダイオード領域６１、６２
に蓄積される。その後、まず転送ゲート１１にパルス電
圧を加えることにより、Ｐ型フォトダイオード領域６１
に蓄積されていた電荷は、ＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極
９の下部に転送される。電荷が転送された後は、Ｐ型フ
ォトダイオード領域６１には全く電荷が残らないので、
残像が発生することがない。
【００１８】次にゲート電極９にパルス電圧を加えて、
ＭＯＳ・ＳＩＴを読み出し動作状態とすることで、転送
された電荷に応じて、増幅された信号がソース電極８を
通してソースライン１３から得られる。この際、信号の
読み出しは非破壊で行なわれるため、ゲート電極９にリ
セット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出してか
ら、次の電荷転送動作に入る。このＭＯＳ・ＳＩＴのリ
セット動作においても、ゲート電極９の下部には電荷が
全く残らないので、残像の発生はない。
ＭＯＳ・ＳＩＴを読み出し動作状態とすることで、転送
された電荷に応じて、増幅された信号がソース電極８を
通してソースライン１３から得られる。この際、信号の
読み出しは非破壊で行なわれるため、ゲート電極９にリ
セット用のパルス電圧を加えて、電荷を吐き出してか
ら、次の電荷転送動作に入る。このＭＯＳ・ＳＩＴのリ
セット動作においても、ゲート電極９の下部には電荷が
全く残らないので、残像の発生はない。
【００１９】次に転送ゲート１２にパルス電圧を加える
ことにより、Ｐ型フォトダイオード領域６２に蓄積され
ていた電荷は、ＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の下部に
転送される。この転送動作でも、Ｐ型フォトダイオード
領域６２には全く電荷が残らないので残像の発生はな
い。次にゲート電極９にパルス電圧を加えて、ＭＯＳ・
ＳＩＴを動作状態とすることで、光電変換部２２に蓄積
された電荷に応じて増幅された信号をソース電極８を通
してソースライン１３から得ることができる。この場合
も、信号の読み出しは非破壊で行なわれるため、ゲート
電極９にリセット用のパルス電圧を加えて電荷を吐き出
す。このリセット動作においても、ゲート電極９の下部
には電荷が全く残らないので、残像の発生はない。
ことにより、Ｐ型フォトダイオード領域６２に蓄積され
ていた電荷は、ＭＯＳ・ＳＩＴのゲート電極９の下部に
転送される。この転送動作でも、Ｐ型フォトダイオード
領域６２には全く電荷が残らないので残像の発生はな
い。次にゲート電極９にパルス電圧を加えて、ＭＯＳ・
ＳＩＴを動作状態とすることで、光電変換部２２に蓄積
された電荷に応じて増幅された信号をソース電極８を通
してソースライン１３から得ることができる。この場合
も、信号の読み出しは非破壊で行なわれるため、ゲート
電極９にリセット用のパルス電圧を加えて電荷を吐き出
す。このリセット動作においても、ゲート電極９の下部
には電荷が全く残らないので、残像の発生はない。
【００２０】本実施例では、転送動作以外の動作時、す
なわち光電変換部２１、２２での光電変換および光発生
電荷の蓄積動作、信号読み出し動作、信号読み出し部の
リセット動作時には、転送ゲート１１、１２に正の電圧
を加えており、転送ゲート１１、１２の下の表面電位が
Ｎ型拡散領域７１、７２を通してＮ型ドレイン領域４と
同電位にクランプされている。したがって、信号読み出
し部３０のＭＯＳ・ＳＩＴの実効的なゲート幅Ｗとゲー
ト長Ｌの比Ｗ／Ｌは、ゲートライン９１との接続部分を
除いたゲート電極９で決まり、高いＷ／Ｌの値が確保さ
れるという利点がある。さらに転送ゲート１１、１２に
正の電圧を加えておくと、強い光量が入射し、埋込みフ
ォトダイオードに蓄積可能な電荷数よりも多い電荷が発
生した場合でも、その過剰電荷を確実に基板１へオーバ
ーフローさせることができるという利点もある。
なわち光電変換部２１、２２での光電変換および光発生
電荷の蓄積動作、信号読み出し動作、信号読み出し部の
リセット動作時には、転送ゲート１１、１２に正の電圧
を加えており、転送ゲート１１、１２の下の表面電位が
Ｎ型拡散領域７１、７２を通してＮ型ドレイン領域４と
同電位にクランプされている。したがって、信号読み出
し部３０のＭＯＳ・ＳＩＴの実効的なゲート幅Ｗとゲー
ト長Ｌの比Ｗ／Ｌは、ゲートライン９１との接続部分を
除いたゲート電極９で決まり、高いＷ／Ｌの値が確保さ
れるという利点がある。さらに転送ゲート１１、１２に
正の電圧を加えておくと、強い光量が入射し、埋込みフ
ォトダイオードに蓄積可能な電荷数よりも多い電荷が発
生した場合でも、その過剰電荷を確実に基板１へオーバ
ーフローさせることができるという利点もある。
【００２１】上記のように、本実施例では、２つの光電
変換部２１、２２に蓄積された光発生電荷を、転送ゲー
ト１１、１２を介して交互に１個の信号読み出し部に転
送し、その光発生電荷に応じた増幅信号を読み出してい
るが、転送ゲート１１、１２に同時にパルス電圧を加え
ることにより、２つの光電変換部２１、２２に蓄積され
た電荷を同時に信号読み出し部に転送し、和の信号とし
て読み出すことも可能である。
変換部２１、２２に蓄積された光発生電荷を、転送ゲー
ト１１、１２を介して交互に１個の信号読み出し部に転
送し、その光発生電荷に応じた増幅信号を読み出してい
るが、転送ゲート１１、１２に同時にパルス電圧を加え
ることにより、２つの光電変換部２１、２２に蓄積され
た電荷を同時に信号読み出し部に転送し、和の信号とし
て読み出すことも可能である。
【００２２】また、１個の信号読み出し部に対し、光電
変換部と転送ゲートの組み合わせを３画素分以上に配置
することも可能である。上記の実施例では、増幅用トラ
ンジスタとしてＭＯＳ・ＳＩＴを設けているが、例えば
バイポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用いる
こともできる。バイポーラトランジスタを用いる場合
は、フォトダイオードで発生した電荷をバイポーラトラ
ンジスタのベースに転送する構成をとればよい。
変換部と転送ゲートの組み合わせを３画素分以上に配置
することも可能である。上記の実施例では、増幅用トラ
ンジスタとしてＭＯＳ・ＳＩＴを設けているが、例えば
バイポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用いる
こともできる。バイポーラトランジスタを用いる場合
は、フォトダイオードで発生した電荷をバイポーラトラ
ンジスタのベースに転送する構成をとればよい。
【００２３】また、光電変換領域に備えるフォトダイオ
ードは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込みフォトダイ
オードとすることが好ましいが、必ずしも埋込み型に限
定されるものではなく、図２のＮ型拡散領域７１、７２
のないフォトダイオードであってもよいし、可視光以
外、例えば赤外光に感度のあるフォトダイオードであっ
てもよい。
ードは、ＦＰＮの低減等の観点からは埋込みフォトダイ
オードとすることが好ましいが、必ずしも埋込み型に限
定されるものではなく、図２のＮ型拡散領域７１、７２
のないフォトダイオードであってもよいし、可視光以
外、例えば赤外光に感度のあるフォトダイオードであっ
てもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明の固体撮像装置によ
れば、１個の信号読み出し部を複数の光電変換部に転送
ゲートを介して接続して配置しているため、光電変換部
の開口率を大きくし、高い感度が得られるという利点が
ある。
れば、１個の信号読み出し部を複数の光電変換部に転送
ゲートを介して接続して配置しているため、光電変換部
の開口率を大きくし、高い感度が得られるという利点が
ある。
【図１】図１は本発明の固体撮像装置の一実施例の２画
素分の構成を模式的に示す平面図である。
素分の構成を模式的に示す平面図である。
【図２】図２は図１の線Ａ−Ａ’についての断面図であ
る。
る。
【図３】図３（ａ）は従来の固体撮像装置の一例の単位
画素の構成を模式的に示す平面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）の線Ｂ−Ｂ’についての断面図である。
画素の構成を模式的に示す平面図、図３（ｂ）は図３
（ａ）の線Ｂ−Ｂ’についての断面図である。
【符号の説明】 １１、１２ 転送ゲート ２１、２２ 光電変換部 ３０ 信号読み出し部
Claims (1)
- 【請求項１】 入射光を受光して信号電荷を発生する各
画素毎に設けられた光電変換部と、 前記光電変換部で発生した信号電荷を読み出す、前記複
数の光電変換部に対して１個設けられた信号読み出し部
とを備えることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075143A JPH05243546A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4075143A JPH05243546A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243546A true JPH05243546A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=13567684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4075143A Withdrawn JPH05243546A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243546A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006049745A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| US7342270B2 (en) | 2004-09-22 | 2008-03-11 | Seiko Epson Corporation | Solid state imaging system and driving method thereof |
| US7583306B2 (en) | 2004-08-09 | 2009-09-01 | Seiko Epson Corporation | Solid state imaging device with reduced cell pitch and driving method thereof |
| JP2011249831A (ja) * | 2004-01-29 | 2011-12-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP4075143A patent/JPH05243546A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011249831A (ja) * | 2004-01-29 | 2011-12-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2006049745A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
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