JPH05243655A - 半導体レーザ制御装置 - Google Patents

半導体レーザ制御装置

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JPH05243655A
JPH05243655A JP4045222A JP4522292A JPH05243655A JP H05243655 A JPH05243655 A JP H05243655A JP 4045222 A JP4045222 A JP 4045222A JP 4522292 A JP4522292 A JP 4522292A JP H05243655 A JPH05243655 A JP H05243655A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
drive current
circuit
laser
output
Prior art date
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Pending
Application number
JP4045222A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiyuki Tamura
佳之 田村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH05243655A publication Critical patent/JPH05243655A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 温度変化により半導体レーザの温度依存性が
変化しても、規定値以上の再生パワーが出力されて記録
媒体が破壊されるのを防ぐ。 【構成】 主に半導体レーザ4とそれをモニタするフォ
トダイオード5及び再生パワーをフィードバック制御す
る為の回路6、7、8、9、10と再生パワー駆動電流
をモニタする為に感熱抵抗14を用い感熱抵抗14の両
端にかかる電圧が一定値を越えると再生パワー駆動電流
を停止するエラー処理回路15、16、17とから成
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば、半導体レ
ーザを光源として用いて記録媒体上に情報の記録再生を
行う光学式記録再生装置の半導体レーザの制御に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】図3は例えば実用新案出願公開平3−2
3819に示された従来の半導体レーザ制御装置であ
り、図において、1は記録媒体、2は記録媒体を回転さ
せるモータ、3は上記記録媒体1へレーザ光を照射する
光ピックアップ、4は上記光ピックアップ3の内部に設
置される半導体レーザ、5は光導体レーザ光強度をモニ
タするフォトダイオード、6はフォトダイオード5より
出力される電流を電圧へ変換するI−V変換回路、7は
I−V変換回路6の出力をサンプルホールドするサンプ
ルホールド回路、8はサンプルホールド回路7の出力と
所望の再生パワー出力値とを比較する誤差検出回路、9
は誤差検出回路8の出力値に従って電圧を電流に変換す
るV−I変換回路、10は再生パワー駆動電流と記録パ
ワー駆動電流を加算する回路、11はサンプルホールド
回路7へのサンプリングとホールドのタイミングを指令
するSHパルス発生回路、12は記録パワー駆動電流を
発生する記録パワー設定回路である。
【0003】次に動作について説明する。半導体レーザ
4より出力されたレーザ光はフォトダイオード5により
検知され、光パワーに比例した電流へと変換される。フ
ォトダイオード5より出力される電流は次段のI−V変
換回路6にて電圧へと変換され、サンプルホールド回路
7を通して誤差検知回路8にて基準電圧と比較される。
比較され、その差の電圧が誤差検出回路8より出力さ
れ、次のV−I変換回路9にて再生パワー駆動電流とな
り、電流加算回路10を通りLDへ供給される。以上の
回路により、再生パワーについてはフィードバック制御
がかかり常に一定の再生パワー出力光が得られる。サン
プルホールド回路7では、記録時には、高出力のパワー
が半導体レーザ4より出力される為、再生パワーが出力
されている時にサンプリング状態にしておき、記録パワ
ーが出力される場合にホールド状態とし、再生パワー出
力のみフィートバック制御がかかるようにしている。サ
ンプリングとホールドの切換は制御信号13に従ってサ
ンプルホールドパルス発生回路を通してサンプルホール
ド回路7へ渡される。又、制御信号13に従って記録パ
ワー設定回路12がパルス状の記録パワー駆動電流を作
り、電流加算回路10にて再生パワー駆動電流と合わさ
れ、半導体レーザ4へ流されて、再生パワーにパルス状
の記録パワーが重畳された形のレーザ出力が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ制
御回路は以上の様に構成されているので、何らかの事故
により、再生パワーが目標値より高く出力され、記録媒
体を破壊してしまう可能性があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体レーザより過大な再生パ
ワーが出力されることを防止し、記録媒体を破壊しない
半導体レーザ制御装置を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
レーザ制御装置は、たとえば、再生パワー駆動電流が流
れる所に温度により電流値を補正できる温度依存性を持
つ素子を設けたものであり、以下の要素を有するもので
ある。 (a)レーザ光を出力する半導体レーザ、(b)上記半
導体レーザを駆動するためのレーザ駆動電流を生成する
レーザ駆動電流生成手段、(c)上記半導体レーザのレ
ーザ光出力が一定になるように、温度変化に対応して、
上記レーザ駆動電流生成手段により生成されたレーザ駆
動電流を補正する電流補正手段。
【0007】
【作用】この発明における半導体レーザ制御装置は、半
導体レーザの温度依存性をその温度特性と所定の関係に
ある温度依存性を持つ素子(たとえば、感熱抵抗)にて
相殺する事により、再生パワー駆動電流を補正し、再生
パワー出力が温度依存性のない出力になるように再生パ
ワー駆動電流を制御する。また、この素子をモニタする
ことにより再生パワー出力の異常を知ることができ、異
常の場合には、再生パワー駆動電流をオフにして記録媒
体を破壊する事を防ぐ。
【0008】
【実施例】実施例1.以下この発明の一実施例を図につ
いて説明する。図1において、14は温度が高くなるほ
ど抵抗値が小さくなる感熱抵抗(この発明における電流
補正手段の一例)、15は感熱抵抗14の両端の電圧の
差を検出する差動回路、16は差動回路の出力と基準設
定値との比較を行うコンパレータ回路、17はコンパレ
ータ回路16の出力に従って再生パワー駆動電流を停止
するエラー処理回路、その他は図1の構成と同じであ
る。但し感熱抵抗15は半導体レーザ4の近くに設置す
る必要がある。
【0009】図2は一般的な半導体レーザの特性を示し
た図である。半導体レーザは温度が高くなるほどレーザ
光を出力するしきい値電流が大きくなり、効率(電流増
加分に対するレーザ光パワー増加分)も低くなり、同じ
再生パワー光を得るのに大きな電流が必要となる。たと
えば、図において温度a<温度bとすると、温度bにお
けるしきい値電流Ithb は温度aにおけるしきい値電流
Itha よりも大きくなる。また、同一の再生パワーXを
得る場合は、ILDa <ILDb となり、温度が高いほど同
一の光出力レベルを得るため大きな電流が必要となる。
よって再生パワー駆動電流が流れる箇所に、温度が高く
なるほど抵抗値が小さくなる感熱抵抗14を設け、その
温度係数は一定の再生パワーを出力するのに必要な電流
の温度係数を相殺する値を用いるようにし、一定の再生
パワーを出力している状態では、感熱抵抗14の両端に
温度が変化しても同じ電圧がかかる様にする。次にその
両端の電圧を差動回路15へ入力し、電圧差として取り
出し、コンパレータ16にてその電圧差を基準電圧と比
較し、電圧差が基準電圧よりも大きければ過大な再生パ
ワーが出力されたと見なし、エラー処理回路17へ信号
を送り、エラー処理回路17はV−I変換回路9へ働
き、電流の出力を止める。但し、コンパレータ16へ入
力される基準電圧は、記録媒体が破壊されない値に設定
する必要がある。以上のように、この実施例では、半導
体レーザを光源として用いて記録媒体上に情報の記録再
生を行う光学式記録再生装置の半導体レーザ制御装置に
おいて、半導体レーザの光出力をモニタする光出力検出
手段と、再生時のレーザ光強度を検出してこれをサンプ
ルする手段と、記録時に上記レーザ光強度のサンプル値
をホールドする手段と、該サンプルホールド値と所望の
値との比較を行い、再生時のレーザ駆動電流を制御する
手段と、再生時のレーザ駆動電流を温度依存性を持つセ
ンサにて検出する手段と、検出された再生時のレーザ駆
動電流の大きさが一定値を越えると再生時のレーザ駆動
電流を停止する手段とからなることを特徴とする半導体
レーザ制御装置を説明した。
【0010】実施例2.なお、上記実施例では、半導体
レーザ4の駆動電流の温度依存性を相殺するのに感熱抵
抗14を用いたが、他の温度依存性を持つ素子にて、半
導体レーザ4の駆動電流の温度依存性を相殺しても良
い。
【0011】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザの再生パワー駆動電流の温度依存性を相殺する
ので、温度変化があっても再生パワーを一定に保つ半導
体レーザ制御装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例による半導体レーザ制御回
路を示すブロック図である。
【図2】一般的な半導体レーザの入出力特性を示す図で
ある。
【図3】従来の半導体レーザ制御回路を示すブロック図
である。
【符号の説明】
1 記録媒体 2 モータ 3 光ピックアップ 4 半導体レーザ 5 フォトダイオード 6 I−V変換回路 7 サンプルホールド回路 8 誤差検出回路 9 V−I変換回路 10 電流加算回路 11 サンプルホールドパルス発生回路 12 記録パワー設定回路 13 制御信号 14 感熱抵抗 15 差動回路 16 コンパレータ 17 エラー処理回路

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 以下の要素を有する半導体レーザ制御装
    置 (a)レーザ光を出力する半導体レーザ、 (b)上記半導体レーザを駆動するためのレーザ駆動電
    流を生成するレーザ駆動電流生成手段、 (c)上記半導体レーザのレーザ光出力が一定になるよ
    うに、温度変化に対応して、上記レーザ駆動電流生成手
    段により生成されたレーザ駆動電流を補正する電流補正
    手段。
JP4045222A 1992-03-03 1992-03-03 半導体レーザ制御装置 Pending JPH05243655A (ja)

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JP4045222A JPH05243655A (ja) 1992-03-03 1992-03-03 半導体レーザ制御装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003071528A1 (en) * 2002-02-25 2003-08-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Controlling the temperature of a laser diode in a disk drive
CN100424764C (zh) * 2006-09-30 2008-10-08 威盛电子股份有限公司 依据时基误差反馈的功率控制方法

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