JPH05246794A - 半導体薄膜、この膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備えた半導体装置 - Google Patents
半導体薄膜、この膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備えた半導体装置Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、微結晶相を含む非晶質半導体を形
成する方法において、従来技術では制御ができなかっ
た、微結晶とアモルファスとを独立に制御し、粒径の大
きな微結晶相と特性の優れたアモルファス相を持つ薄膜
を大面積に形成しようとすることを目的とする。 【構成】 微結晶相を含む非晶質半導体薄膜をプラズマ
ＣＶＤ法で形成する際に原料として、半導体元素を含む
ガスとその半導体の微粒子結晶を用いることを特徴とし
た半導体薄膜の形成方法である。この時、非晶質半導体
薄膜中に粒径５０〜１０００Åの微結晶相を体積比で５
〜８０％含むことを特徴とする。
成する方法において、従来技術では制御ができなかっ
た、微結晶とアモルファスとを独立に制御し、粒径の大
きな微結晶相と特性の優れたアモルファス相を持つ薄膜
を大面積に形成しようとすることを目的とする。 【構成】 微結晶相を含む非晶質半導体薄膜をプラズマ
ＣＶＤ法で形成する際に原料として、半導体元素を含む
ガスとその半導体の微粒子結晶を用いることを特徴とし
た半導体薄膜の形成方法である。この時、非晶質半導体
薄膜中に粒径５０〜１０００Åの微結晶相を体積比で５
〜８０％含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質半導体薄膜、こ
の膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備
えた例えば、光起電力装置や薄膜トランジスタ−等の半
導体装置に関する。
の膜の形成方法及びこの膜の形成装置並びにこの膜を備
えた例えば、光起電力装置や薄膜トランジスタ−等の半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、微結晶相を含む非晶質半導体薄膜
を形成する方法として、低温で大面積の薄膜形成の可能
なプラズマＣＶＤ法が良く知られているが、粒径の大き
な微結晶相を含む薄膜を作成することは困難であった。
を形成する方法として、低温で大面積の薄膜形成の可能
なプラズマＣＶＤ法が良く知られているが、粒径の大き
な微結晶相を含む薄膜を作成することは困難であった。
【０００３】最新アモルファスＳｉハンドブック（サイ
エンスフォ−ラム 高橋 清、小長井 誠著）Ｐ１５３
に開示されているごとく微結晶の粒径は２０〜２００Å
と小さいものであった。
エンスフォ−ラム 高橋 清、小長井 誠著）Ｐ１５３
に開示されているごとく微結晶の粒径は２０〜２００Å
と小さいものであった。
【０００４】このため、微結晶相間のアモルファス領域
が小さすぎて、そのアモルファス領域に歪みが生じ、微
結晶相間の局在準位密度が大きくなっていた。
が小さすぎて、そのアモルファス領域に歪みが生じ、微
結晶相間の局在準位密度が大きくなっていた。
【０００５】さらに、微結晶化するために、水素を多量
に導入したり、分解パワ−を上げたりする必要があるた
め、微結晶相間のアモルファスの特性は十分制御されて
はいなかった。
に導入したり、分解パワ−を上げたりする必要があるた
め、微結晶相間のアモルファスの特性は十分制御されて
はいなかった。
【０００６】このためＩＲ（赤外吸収）などにより観察
される水素の結合モ−ドは、半導体として最適なものよ
り過剰に含まれるということが起こっていた。
される水素の結合モ−ドは、半導体として最適なものよ
り過剰に含まれるということが起こっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、微結晶相を
含む非晶質半導体を形成する方法において、従来技術で
は制御ができなかった、微結晶相とアモルファス相とを
独立に制御し、粒径の大きな微結晶相と特性の優れたア
モルファス相を持つ薄膜を大面積に形成しようとするこ
とを課題とする。
含む非晶質半導体を形成する方法において、従来技術で
は制御ができなかった、微結晶相とアモルファス相とを
独立に制御し、粒径の大きな微結晶相と特性の優れたア
モルファス相を持つ薄膜を大面積に形成しようとするこ
とを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体薄膜の形
成方法は、プラズマＣＶＤ法において、原料として半導
体元素を含むガスとその半導体の微粒子結晶を用い、そ
の微粒子結晶を微結晶相として用い、上記ガスの分解に
より非晶質相の形成を行うことを特徴とする。
成方法は、プラズマＣＶＤ法において、原料として半導
体元素を含むガスとその半導体の微粒子結晶を用い、そ
の微粒子結晶を微結晶相として用い、上記ガスの分解に
より非晶質相の形成を行うことを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明によれば、従来の微結晶相を含む薄膜に
比べて、微結晶相間のアモルファス領域が大きくなり、
その結果、微結晶相間のアモルファス領域の歪みが生じ
にくく、水素の結合モ−ドも過剰に含まれることなく、
微結晶相自体の粒径も大きな薄膜が得られる。
比べて、微結晶相間のアモルファス領域が大きくなり、
その結果、微結晶相間のアモルファス領域の歪みが生じ
にくく、水素の結合モ−ドも過剰に含まれることなく、
微結晶相自体の粒径も大きな薄膜が得られる。
【００１０】
【実施例】図１に本発明による半導体薄膜の形成装置の
実施例を示す。
実施例を示す。
【００１１】図１において、１は反応室、２は反応室１
中の中央上方に設置された電極、３は電極２と接続され
た高周波電源、４は反応室１中に微粒子を導入する微粒
子導入ポ−ト、５は半導体元素を含むガスを反応室中に
導入するべく電極２に付随した原料ガス導入ポ−ト、６
は反応室１の下方に設置され、反応室１を排気する真空
排気装置、７は電極２に対向設置されたヒ−タ−、８は
ヒ−タ−７上に設置された基板を表している。
中の中央上方に設置された電極、３は電極２と接続され
た高周波電源、４は反応室１中に微粒子を導入する微粒
子導入ポ−ト、５は半導体元素を含むガスを反応室中に
導入するべく電極２に付随した原料ガス導入ポ−ト、６
は反応室１の下方に設置され、反応室１を排気する真空
排気装置、７は電極２に対向設置されたヒ−タ−、８は
ヒ−タ−７上に設置された基板を表している。
【００１２】ここで、本発明による半導体薄膜を作成す
る過程を説明する。
る過程を説明する。
【００１３】まず、反応室１中のヒ−タ−７上に基板８
を設置し、真空排気装置６により、反応室１中の圧力を
１Ｐａ以下まで排気する。
を設置し、真空排気装置６により、反応室１中の圧力を
１Ｐａ以下まで排気する。
【００１４】その後、原料ガスであるシラン（Ｓｉ
Ｈ4）を原料ガス導入ポ−ト５から、Ｓｉ微粒子を微粒
子導入ポ−ト４から、キャリアガスの水素とともに導入
する。
Ｈ4）を原料ガス導入ポ−ト５から、Ｓｉ微粒子を微粒
子導入ポ−ト４から、キャリアガスの水素とともに導入
する。
【００１５】そして、真空排気装置４により、真空度を
１００Ｐａ程度に調整し、高周波電源３で高周波を起こ
し、その高周波を電極２より導入し、グロ−放電を誘起
する。詳細な反応条件を表１に示す。
１００Ｐａ程度に調整し、高周波電源３で高周波を起こ
し、その高周波を電極２より導入し、グロ−放電を誘起
する。詳細な反応条件を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】図２には本発明により形成された半導体薄
膜の断面概念図を示す。
膜の断面概念図を示す。
【００１８】図２において、２１はａ−Ｓｉ：Ｈ、２２
は微結晶Ｓｉ、２３は基板である。
は微結晶Ｓｉ、２３は基板である。
【００１９】従来のプラズマＣＶＤ法のみで形成された
微結晶相を含む薄膜に比べて、微粒子がプラズマ反応領
域中に独立して放出され、エピタキシャル成長すること
によって、微結晶の粒径が５０〜１０００Åと大きくな
っている（従来は２０〜２００Å）。
微結晶相を含む薄膜に比べて、微粒子がプラズマ反応領
域中に独立して放出され、エピタキシャル成長すること
によって、微結晶の粒径が５０〜１０００Åと大きくな
っている（従来は２０〜２００Å）。
【００２０】微結晶Ｓｉ２２の粒径が大きくなることに
より、微結晶Ｓｉ２２間のａ−Ｓｉ：Ｈ２１の領域の厚
さも５０〜５００Åと大きくなり、微結晶Ｓｉ２２間の
ａ−Ｓｉ：Ｈ２１の領域の歪みが生じにくくなる。
より、微結晶Ｓｉ２２間のａ−Ｓｉ：Ｈ２１の領域の厚
さも５０〜５００Åと大きくなり、微結晶Ｓｉ２２間の
ａ−Ｓｉ：Ｈ２１の領域の歪みが生じにくくなる。
【００２１】このため、粒径が５０〜１０００Åである
微結晶相を体積比で５〜８０％含んだ半導体薄膜が得ら
れる。
微結晶相を体積比で５〜８０％含んだ半導体薄膜が得ら
れる。
【００２２】表２に本発明の膜と従来の膜との特性を比
較したものを示す。
較したものを示す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２より、明らかなように従来の膜より本
発明の膜のほうが良好な特性を示している。
発明の膜のほうが良好な特性を示している。
【００２５】図３に本発明の膜を備えた光起電力装置を
示す。
示す。
【００２６】図３において、ガラス等の透明基板３０上
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明電極膜３１を積層する。
に、ＩＴＯ、ＳｎＯ2等の透明電極膜３１を積層する。
【００２７】それから、透明電極膜３１上に従来のプラ
ズマＣＶＤ法を用いて、成膜時にＢ 2Ｈ6を加えることに
よって、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなるｐ層３２を積層する。
ズマＣＶＤ法を用いて、成膜時にＢ 2Ｈ6を加えることに
よって、ａ−ＳｉＣ：Ｈからなるｐ層３２を積層する。
【００２８】そして、ｐ層３２上に、ａ−Ｓｉ：Ｈ中に
粒径５０〜１０００ÅのＳｉ微結晶相を含んだ本発明の
膜からなるｉ層３３を積層する。
粒径５０〜１０００ÅのＳｉ微結晶相を含んだ本発明の
膜からなるｉ層３３を積層する。
【００２９】その後、ｉ層３３上にＰＨ3を加えること
によって、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるｎ層３４を積層し、該
ｎ層３４上にＡｇ、Ａｌ等の裏面金属電極膜３５を積層
する上記光起電力装置を作成した時の詳細な反応条件を
表３に示す。
によって、ａ−Ｓｉ：Ｈからなるｎ層３４を積層し、該
ｎ層３４上にＡｇ、Ａｌ等の裏面金属電極膜３５を積層
する上記光起電力装置を作成した時の詳細な反応条件を
表３に示す。
【００３０】
【表３】
【００３１】表４は、本発明の膜を備えた光起電力装置
の出力特性と従来の膜を備えた光起電力装置の出力特性
との比較を示している。
の出力特性と従来の膜を備えた光起電力装置の出力特性
との比較を示している。
【００３２】
【表４】
【００３３】表４から明らかなように、本発明の膜を備
えた光起電力装置の出力特性のほうが従来の膜を備えた
光起電力装置よりも良好な結果を示す。
えた光起電力装置の出力特性のほうが従来の膜を備えた
光起電力装置よりも良好な結果を示す。
【００３４】図４には本発明による半導体薄膜の形成装
置の他の実施例を示す。
置の他の実施例を示す。
【００３５】図４において、４１は反応室、４２は反応
室４１と連通した微粒子形成用室、４３は反応室４１と
微粒子形成用室４２との間の連通孔、４４は反応室４１
中の中央上方に設けられた電極、４５は電極４４と接続
した高周波電源、４６は電極４４に付随した原料ガス導
入ポ−ト、４７は微粒子形成用室中に設けられた固体Ｓ
ｉを蒸発するための蒸発用クヌ−ドセンセル、４８は蒸
発用クヌ−ドセンセルと対向配置され、連通孔４３の近
傍に設置された微粒子方向転換板、４９は微粒子形成用
室４２中に不活性ガスを導入し、蒸発したＳｉを反応室
４１中に導入するように連通孔４３と対向配置された不
活性ガス導入ポ−ト、５０は反応室４１と微粒子形成用
室４２を排気する真空排気装置、５１は蒸発用クヌ−ド
センセル４７上に設置されたヒ−タ−フィラメント、５
２は電極４４に対向配置されたヒ−タ−、５３は基板を
表している。
室４１と連通した微粒子形成用室、４３は反応室４１と
微粒子形成用室４２との間の連通孔、４４は反応室４１
中の中央上方に設けられた電極、４５は電極４４と接続
した高周波電源、４６は電極４４に付随した原料ガス導
入ポ−ト、４７は微粒子形成用室中に設けられた固体Ｓ
ｉを蒸発するための蒸発用クヌ−ドセンセル、４８は蒸
発用クヌ−ドセンセルと対向配置され、連通孔４３の近
傍に設置された微粒子方向転換板、４９は微粒子形成用
室４２中に不活性ガスを導入し、蒸発したＳｉを反応室
４１中に導入するように連通孔４３と対向配置された不
活性ガス導入ポ−ト、５０は反応室４１と微粒子形成用
室４２を排気する真空排気装置、５１は蒸発用クヌ−ド
センセル４７上に設置されたヒ−タ−フィラメント、５
２は電極４４に対向配置されたヒ−タ−、５３は基板を
表している。
【００３６】不活性ガス導入ポ−ト４９から、不活性ガ
スを導入し、蒸発用クヌ−ドセンセル４７上のヒ−タ−
フィラメント５１の温度を上げてやり、蒸発用クヌ−ド
センセル中の固体Ｓｉを蒸発しかつ、上記不活性ガスを
導入することによって、微粒子を形成し、微粒子方向転
換板４８によって、微粒子を反応室４１中に導入するそ
の後の動作は上記実施例と、略同様にする。
スを導入し、蒸発用クヌ−ドセンセル４７上のヒ−タ−
フィラメント５１の温度を上げてやり、蒸発用クヌ−ド
センセル中の固体Ｓｉを蒸発しかつ、上記不活性ガスを
導入することによって、微粒子を形成し、微粒子方向転
換板４８によって、微粒子を反応室４１中に導入するそ
の後の動作は上記実施例と、略同様にする。
【００３７】
【発明の効果】本発明により形成した微結晶相を含む非
晶質半導体薄膜において、従来の方法で形成した微結晶
相を含む非晶質半導体薄膜に比べ、粒径の大きな微結晶
相と特性の優れたアモルファス相を持つ薄膜が得られ、
微結晶相間の局在準位密度が小さく、キャリヤの移動度
も向上する。
晶質半導体薄膜において、従来の方法で形成した微結晶
相を含む非晶質半導体薄膜に比べ、粒径の大きな微結晶
相と特性の優れたアモルファス相を持つ薄膜が得られ、
微結晶相間の局在準位密度が小さく、キャリヤの移動度
も向上する。
【図１】本発明による微結晶相を含む非晶質半導体薄膜
を形成するための装置の模式的断面図である。
を形成するための装置の模式的断面図である。
【図２】本発明による半導体薄膜の概念断面図である。
【図３】本発明の膜を備えた一実施例の光起電力装置の
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明による微結晶相を含む非晶質半導体薄膜
を形成するための他の装置の模式的断面図である。
を形成するための他の装置の模式的断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 31/04 // Ｈ０１Ｌ 29/784 9056−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３１１ Ｆ
Claims (6)
- 【請求項１】 膜中に粒径が５０〜１０００Åである微
結晶相を体積比で５〜８０％含むことを特徴とした半導
体薄膜。 - 【請求項２】 微結晶相を含む非晶質半導体薄膜をプラ
ズマＣＶＤ法により形成する際に、原料として半導体元
素を含むガスとその半導体の微粒子結晶を用いることを
特徴とした半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 上記原料としてシラン（ＳｉＨ4）と粒
径が５０〜１０００ÅであるＳｉ微粒子結晶を用いるこ
とを特徴とした請求項２記載の半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 反応室と、該反応室中に設けられた電極
と、該電極に電力を供給する高周波電源と、上記反応室
にキャリアガスと混合した半導体微粒子結晶を導入する
多数の開口を備えた微粒子導入ポ−トと、半導体元素を
含むガスを上記反応室中に導入する原料ガス導入ポ−ト
と、上記反応室を排気する真空排気装置を備えることを
特徴とした半導体薄膜の形成装置。 - 【請求項５】 反応室と、該反応室と連通した微粒子形
成用室と、上記反応室中に設けられた電極と、該電極に
電力を供給する高周波電源と、半導体元素を含むガスを
上記反応室中に導入する原料ガス導入ポ−トと、上記微
粒子形成用室中に設けられ、内部に収納された固体半導
体を蒸発させる蒸発源と、上記微粒子形成用室中に不活
性ガスを導入し、上記蒸発源により蒸発された半導体を
上記反応室中に導入するように上記連通孔と対面配置さ
れた不活性ガス導入ポ−トと、上記反応室と微粒子形成
用室を排気する真空排気装置とを備えることを特徴とし
た半導体薄膜の形成装置。 - 【請求項６】 請求項１記載の半導体薄膜を備えること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04698492A JP3162781B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 半導体薄膜の形成方法及びこの膜の形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04698492A JP3162781B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 半導体薄膜の形成方法及びこの膜の形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05246794A true JPH05246794A (ja) | 1993-09-24 |
| JP3162781B2 JP3162781B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=12762484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04698492A Expired - Fee Related JP3162781B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 半導体薄膜の形成方法及びこの膜の形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3162781B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997022141A1 (en) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin film semiconductor device, and thin film semiconductor device |
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| JP2006295060A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Toppan Printing Co Ltd | 非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法 |
| JP2006322033A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kobe Steel Ltd | 機能膜形成方法 |
| JP2008153646A (ja) * | 1994-03-25 | 2008-07-03 | Bp Corp North America Inc | 半導体素子の製造方法 |
| JP2009260281A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置、並びにそれを用いて製造された薄膜半導体装置 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP04698492A patent/JP3162781B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008153646A (ja) * | 1994-03-25 | 2008-07-03 | Bp Corp North America Inc | 半導体素子の製造方法 |
| WO1997022141A1 (en) * | 1995-12-14 | 1997-06-19 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing thin film semiconductor device, and thin film semiconductor device |
| US6391690B2 (en) | 1995-12-14 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| US6660572B2 (en) | 1995-12-14 | 2003-12-09 | Seiko Epson Corporation | Thin film semiconductor device and method for producing the same |
| JP2006295060A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Toppan Printing Co Ltd | 非単結晶半導体材料、光電変換素子、発光素子、および非単結晶半導体材料の製造方法 |
| JP2006322033A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Kobe Steel Ltd | 機能膜形成方法 |
| JP2009260281A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法および薄膜形成装置、並びにそれを用いて製造された薄膜半導体装置 |
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