JPH09199426A - 微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法Info
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- JPH09199426A JPH09199426A JP8006378A JP637896A JPH09199426A JP H09199426 A JPH09199426 A JP H09199426A JP 8006378 A JP8006378 A JP 8006378A JP 637896 A JP637896 A JP 637896A JP H09199426 A JPH09199426 A JP H09199426A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、２００オングストローム以下の
薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微
結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 真空チャンバ１内にて、対向配置された
電極間２、３にグロー放電を生起させ、シリコンを主成
分とする材料ガスを分解して、基板４上に微結晶シリコ
ン系半導体薄膜を堆積させる際に、両電極間２、３に印
加する高周波電力８をパルス的にオン・オフすると共
に、基板４にピエゾ振動板９により超音波振動を加え
る。
薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微
結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することを
目的とする。 【解決手段】 真空チャンバ１内にて、対向配置された
電極間２、３にグロー放電を生起させ、シリコンを主成
分とする材料ガスを分解して、基板４上に微結晶シリコ
ン系半導体薄膜を堆積させる際に、両電極間２、３に印
加する高周波電力８をパルス的にオン・オフすると共
に、基板４にピエゾ振動板９により超音波振動を加え
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池等の半
導体デバイスに適用するための微結晶シリコン系半導体
薄膜の製造方法に関する。
導体デバイスに適用するための微結晶シリコン系半導体
薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、太陽電池等の半導体デバイスに適
用する微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法において
は、真空チャンバ内に、アノード側の基板とカソード側
の電極とを対向させて配置し、上記真空チャンバ内に、
シラン（ＳｉＨ4）等の反応ガスを導入する一方、真空
チャンバ内の排気を行う排気系を設けて、チャンバ内の
圧力を所望の値に保つようにしている。そのような状態
において、上記両電極間に高周波電圧を印加し、グロー
放電を発生させ、反応ガスを分解させる。そして、分解
された反応ガスのラジカルが基板の表面に付着し、さら
に堆積して、シリコン薄膜に成長する。
用する微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法において
は、真空チャンバ内に、アノード側の基板とカソード側
の電極とを対向させて配置し、上記真空チャンバ内に、
シラン（ＳｉＨ4）等の反応ガスを導入する一方、真空
チャンバ内の排気を行う排気系を設けて、チャンバ内の
圧力を所望の値に保つようにしている。そのような状態
において、上記両電極間に高周波電圧を印加し、グロー
放電を発生させ、反応ガスを分解させる。そして、分解
された反応ガスのラジカルが基板の表面に付着し、さら
に堆積して、シリコン薄膜に成長する。
【０００３】通常、得られる薄膜は非晶質であるが、反
応ガスとしてＳｉＨ4に大量の水素（Ｈ2）ガスを加える
ことにより、微結晶シリコンが得られる。この理由とし
ては、基板表面のダングリングボンドが水素でターミ
ネイトされ、その結果ラジカルの表面反応が促進され、
微結晶化されやすくなる、気相中のシリコン（Ｓｉ）
系ラジカルの割合が水素希釈により低減され、堆積レー
トが下がり、微結晶化のための緩和時間（微結晶化が進
まないうちに次のラジカルがやってこない）が長くとれ
る、水素希釈により、気相中のＳｉ系重合ラジカル
（基板表面で動きにくい）が減る、結合の弱い非晶質
部分を、水素によりスパッタリングできることなどが考
えられている。
応ガスとしてＳｉＨ4に大量の水素（Ｈ2）ガスを加える
ことにより、微結晶シリコンが得られる。この理由とし
ては、基板表面のダングリングボンドが水素でターミ
ネイトされ、その結果ラジカルの表面反応が促進され、
微結晶化されやすくなる、気相中のシリコン（Ｓｉ）
系ラジカルの割合が水素希釈により低減され、堆積レー
トが下がり、微結晶化のための緩和時間（微結晶化が進
まないうちに次のラジカルがやってこない）が長くとれ
る、水素希釈により、気相中のＳｉ系重合ラジカル
（基板表面で動きにくい）が減る、結合の弱い非晶質
部分を、水素によりスパッタリングできることなどが考
えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような高水素希釈
法による微結晶シリコン系半導体膜の形成方法について
は、ある程度の膜厚を堆積しなければ、低抵抗、低光吸
収といった本来の微結晶半導体膜の特性を示さなかっ
た。特に、積層型非晶質太陽電池の逆接合層に用いる２
００オングストローム以下の薄膜においては、所望の膜
特性が得られていないのが現状である。
法による微結晶シリコン系半導体膜の形成方法について
は、ある程度の膜厚を堆積しなければ、低抵抗、低光吸
収といった本来の微結晶半導体膜の特性を示さなかっ
た。特に、積層型非晶質太陽電池の逆接合層に用いる２
００オングストローム以下の薄膜においては、所望の膜
特性が得られていないのが現状である。
【０００５】この発明は、上述した従来の問題点に鑑み
なされたものにして、２００オングストローム以下の薄
膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微結
晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することをそ
の目的とする。
なされたものにして、２００オングストローム以下の薄
膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる微結
晶シリコン系半導体薄膜の製造方法を提供することをそ
の目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の微結晶シリコ
ン系半導体薄膜の製造方法は、シリコンを主成分とする
材料ガスに高周波電力を印加し、材料ガスを分解して基
板上に微結晶シリコン系半導体薄膜を堆積させる際に、
高周波電力をパルス的にオン・オフすると共に、基板に
超音波振動を加えることを特徴とする。
ン系半導体薄膜の製造方法は、シリコンを主成分とする
材料ガスに高周波電力を印加し、材料ガスを分解して基
板上に微結晶シリコン系半導体薄膜を堆積させる際に、
高周波電力をパルス的にオン・オフすると共に、基板に
超音波振動を加えることを特徴とする。
【０００７】この発明は上記方法を用いることにより、
超音波振動によりラジカルの基板反応がさらに促進され
ると共に、高周波電力をパルス的に印加することによ
り、気相中のＳｉ系重合ラジカルの割合をさらに低減で
きるのに加え、微結晶のための緩和時間がより長くとれ
る。このため、２００オングストローム以下の薄膜にお
いても、所望の微結晶半導体膜特性が得られる。
超音波振動によりラジカルの基板反応がさらに促進され
ると共に、高周波電力をパルス的に印加することによ
り、気相中のＳｉ系重合ラジカルの割合をさらに低減で
きるのに加え、微結晶のための緩和時間がより長くとれ
る。このため、２００オングストローム以下の薄膜にお
いても、所望の微結晶半導体膜特性が得られる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
き説明する。図１は、この発明による微結晶シリコン系
半導体薄膜を形成する装置の概略構成図である。図１に
示すように、真空チャンバ１内に、上部放電電極２とヒ
ータを内蔵した下部放電電極３が設けられ、下部放電電
極３上にガラス等の基板４が載置される。また、真空チ
ャンバ１は図示していない真空ポンプなどの排気システ
ム５にて、減圧状態にされる。
き説明する。図１は、この発明による微結晶シリコン系
半導体薄膜を形成する装置の概略構成図である。図１に
示すように、真空チャンバ１内に、上部放電電極２とヒ
ータを内蔵した下部放電電極３が設けられ、下部放電電
極３上にガラス等の基板４が載置される。また、真空チ
ャンバ１は図示していない真空ポンプなどの排気システ
ム５にて、減圧状態にされる。
【０００９】材料ガスは、ＳｉＨ4ボンベ６ａ並びにＨ2
ボンベ６ｂ、加えて特定の導電型を得る場合にはドーピ
ングガスボンベ６ｃを用い、マスフローコントローラ７
ａ〜７ｃで流量を制御された後、真空チャンバ１内に導
入される。
ボンベ６ｂ、加えて特定の導電型を得る場合にはドーピ
ングガスボンベ６ｃを用い、マスフローコントローラ７
ａ〜７ｃで流量を制御された後、真空チャンバ１内に導
入される。
【００１０】さて、この発明では、グロー放電を生起さ
せるため、上部電極２と下部電極３間に、１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力（ＲＦパワー）をある特定の周期でオ
ン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）できる機能を有する電源８よ
り、高周波電力が印加される。そして、下部電極３には
基板寸法より一回り以上大きい領域に、ある特定の振動
周期で超音波振動を発生できるピエゾ振動板９が設置さ
れ、正弦波電源１０よりこのピエゾ振動板９に電力を印
可し、駆動させ、基板４に超音波振動が加えられる。
せるため、上部電極２と下部電極３間に、１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力（ＲＦパワー）をある特定の周期でオ
ン・オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）できる機能を有する電源８よ
り、高周波電力が印加される。そして、下部電極３には
基板寸法より一回り以上大きい領域に、ある特定の振動
周期で超音波振動を発生できるピエゾ振動板９が設置さ
れ、正弦波電源１０よりこのピエゾ振動板９に電力を印
可し、駆動させ、基板４に超音波振動が加えられる。
【００１１】微結晶シリコン系半導体薄膜の基本的な形
成条件としては、従来法と同じく高水素希釈条件を用い
た。具体的には、反応時の圧力１０Ｐａ、基板温度２０
０℃、高周波電力８０Ｗ（連続印加時）、ＳｉＨ4流量
２ｃｃ／ｍ、Ｈ2流量１００ｃｃ／ｍとした。
成条件としては、従来法と同じく高水素希釈条件を用い
た。具体的には、反応時の圧力１０Ｐａ、基板温度２０
０℃、高周波電力８０Ｗ（連続印加時）、ＳｉＨ4流量
２ｃｃ／ｍ、Ｈ2流量１００ｃｃ／ｍとした。
【００１２】図２に、高周波（ＲＦ）パワーのＯＮ／Ｏ
ＦＦ周波数並びに、基板に印加する超音波振動の周波数
をパラメータとし、膜厚が約２００オングストロームの
微結晶シリコン半導体薄膜を形成後、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）にて、結晶粒の観測を行った結果を示す。Ｒ
Ｆパワー連続オン、超音波振動の印加なしの状態が、従
来条件に相当する。そして、結晶粒（大きさは２００〜
２０００オングストローム）が観測された場合を
「有」、観測されなかった場合を「無」で標記してい
る。
ＦＦ周波数並びに、基板に印加する超音波振動の周波数
をパラメータとし、膜厚が約２００オングストロームの
微結晶シリコン半導体薄膜を形成後、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）にて、結晶粒の観測を行った結果を示す。Ｒ
Ｆパワー連続オン、超音波振動の印加なしの状態が、従
来条件に相当する。そして、結晶粒（大きさは２００〜
２０００オングストローム）が観測された場合を
「有」、観測されなかった場合を「無」で標記してい
る。
【００１３】この場合、従来の条件では全く微結晶シリ
コン半導体薄膜が形成されていないが、ＯＮ／ＯＦＦ周
波数が１ＫＨｚでは超音波振動周波数として１００ＫＨ
ｚ〜１０ＭＨｚの範囲で、超音波振動周波数が１ＭＨｚ
ではＯＮ／ＯＦＦ周波数として１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚ
の範囲で、非晶質シリコン中に粒径が２０００オングス
トローム以下の結晶シリコンが混在した微結晶シリコン
半導体薄膜が形成されることが確認できた。
コン半導体薄膜が形成されていないが、ＯＮ／ＯＦＦ周
波数が１ＫＨｚでは超音波振動周波数として１００ＫＨ
ｚ〜１０ＭＨｚの範囲で、超音波振動周波数が１ＭＨｚ
ではＯＮ／ＯＦＦ周波数として１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚ
の範囲で、非晶質シリコン中に粒径が２０００オングス
トローム以下の結晶シリコンが混在した微結晶シリコン
半導体薄膜が形成されることが確認できた。
【００１４】さらに、膜厚が約１００オングストローム
の微結晶シリコン半導体薄膜を形成し、同様の観測を行
った結果を、図３に示す。この場合、ＯＮ／ＯＦＦ周波
数が１ＫＨｚ、超音波振動周波数として１ＭＨｚ時の
み、微結晶シリコン半導体薄膜が観測された。
の微結晶シリコン半導体薄膜を形成し、同様の観測を行
った結果を、図３に示す。この場合、ＯＮ／ＯＦＦ周波
数が１ＫＨｚ、超音波振動周波数として１ＭＨｚ時の
み、微結晶シリコン半導体薄膜が観測された。
【００１５】これらの結果は、この発明の優位性を示す
ものであり、特定の領域で薄膜下でも微結晶シリコン半
導体薄膜が形成できた要因としては、以下の３点が考え
られる。 （１）ＯＮ／ＯＦＦを１ＫＨｚ周期で行うことで、気相
中の重合ラジカルが減らせた（ラジカルの重合化はミリ
セカンドオーダーで進むと考えられる）。 （２）ＯＦＦ時、次のラジカルが発生しないので、表面
反応のための緩和時間が多くとれる。 （３）超音波振動周波数として１ＭＨｚで行うことで、
基板表面反応が大きく促進された（ラジカルの表面反応
時間はマイクロセカンドオーダーと見積もられており、
何らかの相関があると考えられる）。
ものであり、特定の領域で薄膜下でも微結晶シリコン半
導体薄膜が形成できた要因としては、以下の３点が考え
られる。 （１）ＯＮ／ＯＦＦを１ＫＨｚ周期で行うことで、気相
中の重合ラジカルが減らせた（ラジカルの重合化はミリ
セカンドオーダーで進むと考えられる）。 （２）ＯＦＦ時、次のラジカルが発生しないので、表面
反応のための緩和時間が多くとれる。 （３）超音波振動周波数として１ＭＨｚで行うことで、
基板表面反応が大きく促進された（ラジカルの表面反応
時間はマイクロセカンドオーダーと見積もられており、
何らかの相関があると考えられる）。
【００１６】この発明の効果を、実際のデバイスで評価
するため、積層型非晶質シリコン太陽電池を作成した。
構造としては、透明電極を有するガラス基板上に、順次
ｐ型／ｉ型／ｎ型／ｐ型／ｉ型／ｎ型層を積層した後、
裏面金属電極をつけた、いわゆるタンデムセルとした。
ここで、微結晶シリコン層は基板に近い側のｎ型層に用
いた。
するため、積層型非晶質シリコン太陽電池を作成した。
構造としては、透明電極を有するガラス基板上に、順次
ｐ型／ｉ型／ｎ型／ｐ型／ｉ型／ｎ型層を積層した後、
裏面金属電極をつけた、いわゆるタンデムセルとした。
ここで、微結晶シリコン層は基板に近い側のｎ型層に用
いた。
【００１７】図３で微結晶シリコン半導体薄膜が観測さ
れた条件に、０．５％ＰＨ3ガスを添加し、上記ｎ型微
結晶シリコン半導体層を１００オングストローム形成し
たタンデムセルと、比較のため従来条件に、０．５％Ｐ
Ｈ3ガスを添加し、上記ｎ型非晶質シリコン層を１００
オングストローム形成し、他の層は前記タンデムセルと
全て同じ条件としたタンデムセルとを作成し、両者の光
照射下での電圧−電流特性を測定した結果を図４に示
す。
れた条件に、０．５％ＰＨ3ガスを添加し、上記ｎ型微
結晶シリコン半導体層を１００オングストローム形成し
たタンデムセルと、比較のため従来条件に、０．５％Ｐ
Ｈ3ガスを添加し、上記ｎ型非晶質シリコン層を１００
オングストローム形成し、他の層は前記タンデムセルと
全て同じ条件としたタンデムセルとを作成し、両者の光
照射下での電圧−電流特性を測定した結果を図４に示
す。
【００１８】実線で示したこの発明によるタンデムセル
特性に対し、破線で示した従来条件によるタンデムセル
は、明らかにｎｐ逆接合部分における整流特性が現れ、
特性不良を起こしていることがわかる。これは、従来条
件では、逆接合部のｎ層が１００オングストロームでは
微結晶化されておらず、ｐ層との間でオーミック特性が
取れなかったことによる。
特性に対し、破線で示した従来条件によるタンデムセル
は、明らかにｎｐ逆接合部分における整流特性が現れ、
特性不良を起こしていることがわかる。これは、従来条
件では、逆接合部のｎ層が１００オングストロームでは
微結晶化されておらず、ｐ層との間でオーミック特性が
取れなかったことによる。
【００１９】さらに比較のため、従来の条件下におい
て、同ｎ層を３００オングストロームと厚く作成し、微
結晶シリコン層として機能させ、他層も膜厚を最適化し
た場合と、この発明によるタンデムセルとの比較特性を
行った結果を表１に示す。
て、同ｎ層を３００オングストロームと厚く作成し、微
結晶シリコン層として機能させ、他層も膜厚を最適化し
た場合と、この発明によるタンデムセルとの比較特性を
行った結果を表１に示す。
【００２０】
【表１】 （セル面積：１ｃｍ角、照射光：ＡＭ−１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2）
【００２１】この場合においても、この発明では、各パ
ラメータが改善され、効率として４％の向上が見られ
た。この理由としては、この発明においては、ｎ型微結
晶シリコン層を１００オングストロームと薄くできるた
め光の吸収損失が少ないこと並びに微結晶半導体特性で
ある低抵抗化がより図れており電気的損失も少ないこと
による。
ラメータが改善され、効率として４％の向上が見られ
た。この理由としては、この発明においては、ｎ型微結
晶シリコン層を１００オングストロームと薄くできるた
め光の吸収損失が少ないこと並びに微結晶半導体特性で
ある低抵抗化がより図れており電気的損失も少ないこと
による。
【００２２】上記した実施の形態においては、微結晶シ
リコン半導体薄膜について説明したが、シリコンを主材
料としたアロイ、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなどの微結
晶シリコン系半導体薄膜にもこの発明を適用することが
できる。
リコン半導体薄膜について説明したが、シリコンを主材
料としたアロイ、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＧｅなどの微結
晶シリコン系半導体薄膜にもこの発明を適用することが
できる。
【００２３】また、材料ガスについても、ＳｉＨ4に限
らず、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8等の他のシリコンを主成分と
する材料ガスを用いることができる。
らず、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8等の他のシリコンを主成分と
する材料ガスを用いることができる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明による方
法を用いることにより、２００オングストローム以下の
薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる。
法を用いることにより、２００オングストローム以下の
薄膜においても、所望の微結晶半導体特性が得られる。
【００２５】また、この発明法による微結晶シリコン系
半導体薄膜を積層型非晶質シリコン太陽電池の逆接合層
に適用することで、効率として４％の向上が図れる。
半導体薄膜を積層型非晶質シリコン太陽電池の逆接合層
に適用することで、効率として４％の向上が図れる。
【図１】この発明による微結晶半導体薄膜の形成装置の
概略構成図である
概略構成図である
【図２】微結晶シリコン半導体薄膜の形成結果を示す図
である。
である。
【図３】微結晶シリコン半導体薄膜の形成結果を示す図
である。
である。
【図４】この発明方法による太陽電池と従来方法による
積層型非晶質太陽電池の特性を示す図である。
積層型非晶質太陽電池の特性を示す図である。
１ 真空チャンバ ４ 基板 ８ 高周波電源 ９ 振動板
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコンを主成分とする材料ガスに高周
波電力を印加し、この材料ガスを分解して基板上に微結
晶シリコン系半導体膜を堆積させる際に、前記高周波電
力をパルス的にオン・オフすると共に、基板に超音波振
動を加えることを特徴とする微結晶シリコン系半導体薄
膜の製造方法。 - 【請求項２】 前記オン・オフ周期は、１００Ｈｚから
１０ＫＨｚとし、超音波振動周波数は、１００ＫＨｚか
ら１０ＭＨｚとすることを特徴とする請求項１に記載の
微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006378A JPH09199426A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006378A JPH09199426A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199426A true JPH09199426A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11636728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006378A Pending JPH09199426A (ja) | 1996-01-18 | 1996-01-18 | 微結晶シリコン系半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199426A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1087034A1 (de) * | 1999-09-22 | 2001-03-28 | GfE Metalle und Materialien GmbH | Plasmabeschichtungsverfahren und dreidimensionales Kunststoffsubstrat mit einer Beschichtung |
| EP0949685A3 (en) * | 1998-03-16 | 2007-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element and its manufacturing method |
| US9945032B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-04-17 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for enhancing mobility of atomic or molecular species on a substrate at reduced bulk temperature using acoustic waves, and structures formed using same |
| US10160061B2 (en) | 2016-08-15 | 2018-12-25 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for modifying acoustic waves based on selective heating |
| US10173262B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-01-08 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for monitoring temperature using acoustic waves during processing of a material |
-
1996
- 1996-01-18 JP JP8006378A patent/JPH09199426A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949685A3 (en) * | 1998-03-16 | 2007-06-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor element and its manufacturing method |
| EP1087034A1 (de) * | 1999-09-22 | 2001-03-28 | GfE Metalle und Materialien GmbH | Plasmabeschichtungsverfahren und dreidimensionales Kunststoffsubstrat mit einer Beschichtung |
| US9945032B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-04-17 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for enhancing mobility of atomic or molecular species on a substrate at reduced bulk temperature using acoustic waves, and structures formed using same |
| US10173262B2 (en) | 2016-02-04 | 2019-01-08 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for monitoring temperature using acoustic waves during processing of a material |
| US10160061B2 (en) | 2016-08-15 | 2018-12-25 | The Aerospace Corporation | Systems and methods for modifying acoustic waves based on selective heating |
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