JPH0524706B2 - - Google Patents
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- JPH0524706B2 JPH0524706B2 JP63013943A JP1394388A JPH0524706B2 JP H0524706 B2 JPH0524706 B2 JP H0524706B2 JP 63013943 A JP63013943 A JP 63013943A JP 1394388 A JP1394388 A JP 1394388A JP H0524706 B2 JPH0524706 B2 JP H0524706B2
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- light
- conversion element
- layer member
- image
- charge
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は動画カメラ、静止画カメラ(シヤツタ
カメラ)等の撮像装置、特に、高解像度を有する
撮像装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to an imaging device such as a video camera or a still image camera (shutter camera), and particularly to an imaging device having high resolution.
(従来の技術)
被写体の光学像を撮像装置により撮像して得た
映像信号は、編集、トリミング、その他の画像信
号処理が容易であるとともに、既記録信号を消去
できる可逆性を有する記録部材を使用して記録再
生が容易に行えるという特徴を有しているが、映
像信号の発生のために従来から一般的に使用され
て来ている撮像装置は、撮像レンズによつて撮像
素子における光電変換部に結像された被写体の光
学像を、撮像素子の光電変換部で被写体の光学像
に対応する電気的な画像情報に変換し、その電気
的な画像情報を時間軸上で直列的な映像信号とし
て出力させうるような構成形態のものであり、撮
像装置の構成に当つては前記した撮像素子として
従来から各種の撮像管や各種の固体撮像素子が使
用されていることは周知のとおりである。(Prior art) A video signal obtained by capturing an optical image of a subject with an imaging device is easily edited, trimmed, and other image signal processing, and a recording member having reversibility that can erase the recorded signal is used. However, imaging devices that have been commonly used in the past to generate video signals are capable of performing photoelectric conversion in the image sensor using an imaging lens. The optical image of the object formed on the image sensor is converted into electrical image information corresponding to the optical image of the object by the photoelectric conversion section of the image sensor, and the electrical image information is converted into a serial image on the time axis. It has a configuration that can be output as a signal, and it is well known that various image pickup tubes and various solid-state image pickup devices have been used as the above-mentioned image pickup devices in the configuration of imaging devices. be.
(発明が解決しようとする問題点)
さて、近年になつて高画質・高解像度の再生画
像に対する要望が高まるのに応じて、テレビジヨ
ン方式についても、いわゆるEDTV、HDTVな
どの新しい諸方式が提案されて来ていることも周
知のとおりである。(Problem to be solved by the invention) In recent years, as the demand for high-quality and high-resolution reproduced images has increased, new television systems such as so-called EDTV and HDTV have been proposed. As is well known, this has been the case.
ところで、高画質・高解像度の再生画像が得ら
れるようにするためには、高画質・高解像度の再
生画像を再生させうるような映像信号を発生させ
ることのできる撮像装置が必要とされるが、撮像
素子として撮像管が使用されている撮像装置にお
いては、撮像管における電子ビーム径の微小化に
限界があるために、電子ビーム径の微小化による
高解像度化が望めないこと、及び、撮像管のター
ゲツト容量はターゲツト面積と対応して増大する
ものであるために、ターゲツト面積の増大による
高解像度化も実現することができないこと、ま
た、例えば動画の撮像装置の場合には高解像度化
に伴つて映像信号の周波数帯域が数+MHz〜数百
MHz以上にもなるためにS/Nの点で問題にな
る、等の理由によつて、撮像装置により高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を発生させることは困難である。 By the way, in order to obtain high-quality and high-resolution reproduced images, an imaging device that can generate a video signal that can reproduce high-quality and high-resolution reproduced images is required. In an imaging device that uses an image pickup tube as an image pickup element, there is a limit to miniaturization of the electron beam diameter in the image pickup tube, so high resolution cannot be expected by miniaturization of the electron beam diameter, and Since the target capacity of the tube increases in proportion to the target area, it is impossible to achieve higher resolution by increasing the target area. At the same time, the frequency band of the video signal ranges from several + MHz to several hundred MHz or more, which poses a problem in terms of S/N.
It is difficult to generate a video signal that can reproduce a high-resolution reproduced image.
前記の点を具体的に説明すると次のとおりであ
る。すなわち、撮像素子として撮像管が使用され
ている撮像装置により高画質・高解像度の再生画
像を再生させうるような映像信号を発生させるの
には、撮像管における電子ビーム径を微小化した
り、ターゲツトとして大面積のものを使用したり
することが考えられるが、撮像管の電子銃の性
能、及び集束系の構造などにより撮像管の電子ビ
ーム径の微小化には限界があるために電子ビーム
径の微小化による高解像度化には限界があり、ま
た、撮像イメージサイズの大きな撮像レンズを使
用した上で、ターゲツトの面積の増大によつて高
解像度を得ようとした場合には、ターゲツト面積
の増大による撮像管のターゲツト容量の増大によ
る撮像管の出力信号における高域信号成分の低下
によつて、撮像管出力信号のS/Nの低下が著る
しくなることにより、撮像管を使用した撮像装置
によつては高画質・高解像度の再生画像を再生さ
せうるような映像信号を良好に発生させることは
できないのである。 The above point will be specifically explained as follows. In other words, in order to generate a video signal that can reproduce high-quality, high-resolution images using an image pickup device that uses an image pickup tube as an image sensor, it is necessary to miniaturize the electron beam diameter in the image pickup tube and to However, there is a limit to miniaturizing the electron beam diameter of the image pickup tube due to the performance of the electron gun in the image pickup tube and the structure of the focusing system. There is a limit to increasing resolution through miniaturization, and if you use an imaging lens with a large image size and try to obtain high resolution by increasing the target area, the target area will increase. Due to the increase in the target capacity of the image pickup tube, the high-frequency signal component in the output signal of the image pickup tube decreases, and the S/N ratio of the image pickup tube output signal decreases significantly. Depending on the device, it is not possible to adequately generate a video signal that can reproduce a high-quality, high-resolution reproduced image.
また、撮像素子として固体撮像素子を使用した
撮像装置により高画質・高解像度の再生画像を再
生させるのには、画素数の多い固体撮像素子を使
用することが必要とされるが、画素数の多い固体
撮像素子はそれを駆動するためのクロツクの周波
数が高くなる(例えば、動画カメラの場合におけ
る固体撮像素子の駆動のためのクロツクの周波数
は数百MHzとなる)とともに、駆動の対象にされ
ている回路の静電容量値は画素数の増大によつて
大きくなつているために、そのような固体撮像装
置は、固体撮像素子のクロツクの周波数の限界が
20MHzといわれている現状からすると実用的なも
のとして構成できないと考えられる。 In addition, in order to reproduce high-quality, high-resolution images using an imaging device that uses a solid-state image sensor as an image sensor, it is necessary to use a solid-state image sensor with a large number of pixels; As more and more solid-state image sensors are driven, the frequency of the clock used to drive them becomes higher (for example, in the case of a video camera, the frequency of the clock used to drive the solid-state image sensor is several hundred MHz), and the frequency of the clock used to drive the solid-state image sensor becomes higher. As the capacitance value of the circuit increases with the increase in the number of pixels, such solid-state imaging devices are limited by the frequency limit of the clock of the solid-state imaging device.
Given the current state of the clock, which is said to be 20MHz, it is thought that it cannot be constructed as a practical device.
このように、従来の撮像装置はそれの構成のた
めに不可欠な撮像素子の存在によつて、高画質・
高解像度の再生画像を再生させうるような映像信
号を良好に発生させることはできなかつたのであ
り、それの改善策が求められた。 In this way, conventional imaging devices are able to achieve high image quality and
It was not possible to generate a good video signal that would allow reproduction of high-resolution images, and an improvement measure was required.
(問題点を解決するための手段)
本発明は、2つの透明電極の間に少なくとも光
導電層部材と光変調材層部材とを備えて構成され
た光−光変換素子に対して、撮像レンズによつて
被写体の光学像を結像させる手段と、前記した光
−光変換素子から光を用いて被写体の光学像と対
応する光学像情報を読出す手段と、前記の光−光
変換素子から読出された光学情報を、少なくとも
光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成さ
れている光−電荷変換素子に入射させる手段とを
備えた撮像装置及び2つの透明電極の間に少なく
とも光導電層部材と光変調材層部材とを備えて構
成された光−光変換素子に対して、撮像レンズに
よつて被写体の光学像を結像させる手段と、前記
した光−光変換素子から光を用いて被写体の光学
像と対応する光学像情報を読出す手段と、少なく
とも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構
成されている光−電荷変換素子と、前記の光−電
荷変換素子に対して前記の光−光変換素子から読
出された光学情報とともに、フオログラム形成用
の参照光をも入射させる手段とを備えた撮像装置
を提供するものである。(Means for Solving the Problems) The present invention provides an imaging lens for a light-to-light conversion element configured to include at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. means for forming an optical image of a subject by using light; means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element; An imaging device comprising a means for inputting the read optical information into a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member; A means for forming an optical image of a subject using an imaging lens on a light-to-light conversion element configured with a conductive layer member and a light modulation layer member; a means for reading optical image information corresponding to an optical image of a subject using a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member; The object of the present invention is to provide an imaging device including a means for causing a reference light for forming a fluorogram to be incident on the element along with optical information read out from the light-to-light conversion element.
(実施例)
以下、添付図面を参照して本発明の撮像装置の
具体的な内容について詳細に説明する。第1図乃
至第3図は本発明の撮像装置の実施例の概略構成
を示すブロツク図であり、また、第4図は本発明
の撮像装置の構成中で使用される光−光変換素子
の構成原理を説明するための側断面図、第5図は
本発明の撮像装置の構成中で使用される光−電荷
変換素子の構成原理を説明するための側断面図で
ある。(Example) Hereinafter, specific contents of the imaging device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 to 3 are block diagrams showing a schematic configuration of an embodiment of the imaging device of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram of a light-to-light conversion element used in the configuration of the imaging device of the present invention. FIG. 5 is a side sectional view for explaining the construction principle of a light-to-charge conversion element used in the construction of the imaging device of the present invention.
第1図においてOは被写体、1は撮像レンズ、
2は撮像装置がシヤツタカメラとして構成された
場合に設けられる光学的なシヤツタ、PPCEは光
−光変換素子、4はビームスプリツタ、5は光−
光変換素子PPCEからの光学像情報を単波長光の
光学情報して読出す際に用いられる読出し光の光
源であり、この光源5としてはレーザ光源、その
他任意の光源{電磁放射線の発生源}が使用でき
る。なお、電磁放射線は広義の光、すなわち、電
磁波とよばれる放射線の全スペクトル領域(γ
線、X線等の領域からラジオ波の長波までを含む
領域)の放射線を意味していることは周知のとお
りである。 In Fig. 1, O is the object, 1 is the imaging lens,
2 is an optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE is a light-to-light conversion element, 4 is a beam splitter, and 5 is an optical shutter.
It is a light source of readout light used to read out the optical image information from the light conversion element PPCE as optical information of single wavelength light, and this light source 5 can be a laser light source or any other light source {source of electromagnetic radiation}. can be used. Furthermore, electromagnetic radiation refers to light in a broad sense, that is, the entire spectrum of radiation called electromagnetic waves (γ
It is well known that the term refers to radiation in the range from radiation such as X-rays and X-rays to long-wave radio waves.
また、6,9はレンズ、7は偏光板(前記した
光源が所要の単波長光を出射できる光源の場合に
は偏光板7は不要である)、8は検光子、PCCE
は光−電荷変換素子である。 Also, 6 and 9 are lenses, 7 is a polarizing plate (if the light source described above is a light source that can emit the required single wavelength light, the polarizing plate 7 is not necessary), 8 is an analyzer, and PCCE
is a light-charge conversion element.
第1図示の撮像装置において、被写体Oの光学
像は撮像レンズ1によつて光−光変換素子PPCE
に結像される。撮像装置がシヤツタカメラとして
構成されている場合には、光学的なシヤツタ2が
開いた状態で被写体Oの光学像が撮像レンズ1に
よつて光−光変換素子PPCEに結像されることは
いうまでもない。 In the imaging device shown in FIG.
is imaged. It goes without saying that when the imaging device is configured as a shutter camera, an optical image of the subject O is formed on the light-to-light conversion element PPCE by the imaging lens 1 with the optical shutter 2 open. Nor.
光−光変換素子PPCEとしては、例えば液晶型
光変調器、光伝導性ポツケルス効果素子、マイク
ロチヤンネル型光変調器などのような空間変調素
子、あるいはフオトクロミツク材を用いて構成さ
れた素子などが使用できる。なお、光−光変換素
子PPCEとしては、記憶機能を備えているもので
も、あるいは記憶機能を有しないものでも、目的
に応じて選択使用できる。 As the light-light conversion element PPCE, a spatial modulation element such as a liquid crystal optical modulator, a photoconductive Pockels effect element, a microchannel optical modulator, or an element constructed using a photochromic material is used. can. Note that the light-to-light conversion element PPCE can be selectively used depending on the purpose, whether it has a memory function or one without a memory function.
第4図は光−光変換素子PPCEとして使用でき
る光−光変換素子PPCEの構成原理を示す側断面
図であり、第4図に示されている光−光変換素子
PPCEにおいて、Et1,Et2は透明電極、PCLは
光導電層部材であり、また、DMLは誘電体ミラ
ー(書込み光と消去光とを透過させ、読出し光を
反射させるような波長選択特性を有する誘電体ミ
ラー)、PMLは例えばニオブ酸リチウム単結晶の
ような光変調材層部材、Lwは書込み光、Lrは読
出し光、Leは消去光、Vbは電源、SWは切換ス
イツチである。前記の切換スイツチSWは光−光
変換素子PPCEに対して書込み光Lwを入射させ
る際と読出し光を入射させる際には、それの可動
接点vが固定接点wr側に切換えられ、また、光
−光変換素子PPCEに対して消去光Leを入射させ
る際には、それの可動接点vが固定接点e側に切
換えられる。 FIG. 4 is a side sectional view showing the principle of construction of a light-to-light conversion element PPCE that can be used as a light-to-light conversion element PPCE, and the light-to-light conversion element shown in FIG.
In PPCE, Et1 and Et2 are transparent electrodes, PCL is a photoconductive layer member, and DML is a dielectric mirror (a dielectric mirror with wavelength selection characteristics that transmits writing light and erasing light and reflects readout light). PML is a light modulating material layer member such as a lithium niobate single crystal, Lw is a writing light, Lr is a reading light, Le is an erasing light, Vb is a power supply, and SW is a changeover switch. The above-mentioned changeover switch SW switches its movable contact v to the fixed contact wr side when the writing light Lw is made incident on the light-to-light conversion element PPCE and when the readout light is made incident on the light-to-light conversion element PPCE. When the erasing light Le is incident on the light conversion element PPCE, its movable contact v is switched to the fixed contact e side.
光−光変換素子PPCEにおける透明電極Et1,
Et2に対して電源Vbの電圧がスイツチSWの可
動接点vと固定接点wrとを介して与えられてい
る状態において、被写体の光学像と対応している
書込み光Lwが、光−光変換素子PPCEの透明電
極Et1を透過して光導電層部材PCLに入射する
と、光導電層部材PCLはそれに入射された被写
体の光学像に対応して電気抵抗値が変化する。 Transparent electrode Et1 in light-light conversion element PPCE,
In a state where the voltage of the power supply Vb is applied to Et2 via the movable contact v and the fixed contact wr of the switch SW, the writing light Lw corresponding to the optical image of the object is transmitted to the light-to-light conversion element PPCE. When the light passes through the transparent electrode Et1 and enters the photoconductive layer member PCL, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL changes in accordance with the optical image of the subject incident thereon.
それで、前記した光導電層部材PCLにおける
誘電体ミラーDMLとの境界の部分には、被写体
の光学像と対応している電荷像が生じる。この電
荷像は光−光変換素子PPCEにおける透明電極Et
1,Et2間をスイツチSWの可動接点vと固定接
点eとを介して同電位にした状態において、光−
光変換素子PPCEの透明電極Et2側から消去光Le
を入射させることにより消去できる。 Therefore, a charge image corresponding to the optical image of the object is generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML. This charge image is the transparent electrode Et in the light-light conversion element PPCE.
1 and Et2 are at the same potential via the movable contact v and fixed contact e of the switch SW, when the light -
Erasing light Le from the transparent electrode Et2 side of the light conversion element PPCE
It can be erased by making it incident.
すなわち、消去モード時に光−光変換素子
PPCEの透明電極Et2側から入射された消去光Le
が光変調材層部材PMLと誘電体ミラー(書込み
光と消去光とを通過させ、読出し光を反射させる
ような波長選択特性を有する誘電体ミラー)
DMLとを通過して光導電層部材PCLに入射する
と、光導電層部材PCLは前記の消去光Leによつ
て電気抵抗値が低下して、光導電層部材PCLに
おける誘電体ミラーDMLとの境界の部分の電荷
像が消去されるのである。 In other words, in the erase mode, the light-light conversion element
Erasing light Le incident from the transparent electrode Et2 side of PPCE
is a light modulating material layer member PML and a dielectric mirror (a dielectric mirror with wavelength selection characteristics that allows writing light and erasing light to pass through and reflects read light)
When the photoconductive layer member PCL passes through the photoconductive layer member PCL and enters the photoconductive layer member PCL, the electrical resistance value of the photoconductive layer member PCL decreases due to the above-mentioned erasing light Le, and the photoconductive layer member PCL reaches the boundary with the dielectric mirror DML in the photoconductive layer member PCL. The charge image in the area is erased.
また、前記した光導電層部材PCLにおける誘
電体ミラーDMLとの境界の部分に生じている被
写体の光学像と対応している電荷像は、スイツチ
SWの可動接点vと固定接点Wrとを介して光−
光変換素子PPCEにおける透明電極Et1,Et2に
対して電源Vbの電圧が与えられている状態にお
いて、光−光変換素子PPCEの透明電極Et2から
読出し光Lrを入射させることにより、光−光変
換素子PPCEの透明電極Et2側から光学像として
読出すことができる。 Furthermore, the charge image corresponding to the optical image of the subject occurring at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML is
Light is transmitted through the movable contact v and fixed contact Wr of SW.
In a state where the voltage of the power supply Vb is applied to the transparent electrodes Et1 and Et2 in the light-to-light conversion element PPCE, the light-to-light conversion element It can be read out as an optical image from the transparent electrode Et2 side of PPCE.
すなわち、読出しモードにおいて光−光変換素
子PPCEの透明電極Et2側から入射された読出し
光Lrは、光変調材層部材PMLを透過して誘電体
ミラー(書込み光と消去光とを通過させ、読出し
光を反射させるような波長選択特性を有する誘電
体ミラー)DMLに達し、そこで反射されて再び
光変調材層部材PMLを透過して光−光変換素子
PPCEの透明電圧Et2側から出射するが、前記の
ようにして光変調材層部材PML内を往復した後
に光−光変換素子PPCEの透明電極Et2側から出
射した読出し光は、既述のような光導電層部材
PCLにおける誘電体ミラーDMLとの境界の部分
に生じている被写体の光学像と対応している電荷
像による電界によつて偏光面が変化されているか
ら、その出射光を検光子に通過させることによ
り、検光子の出射光は被写体の光学像と同じ光量
変化を示す光学像となる。 That is, in the read mode, the read light Lr incident from the transparent electrode Et2 side of the light-to-light conversion element PPCE is transmitted through the light modulating material layer member PML, passes through the dielectric mirror (writing light and erasing light is passed, and is read out). A dielectric mirror with wavelength selective characteristics that reflects light reaches the DML, where it is reflected and passes through the light modulating material layer member PML again to form a light-light conversion element.
The readout light is emitted from the transparent voltage Et2 side of the PPCE, but after reciprocating within the light modulating material layer member PML as described above, the readout light emitted from the transparent electrode Et2 side of the light-light conversion element PPCE is as described above. Photoconductive layer material
Since the plane of polarization is changed by the electric field caused by the charge image corresponding to the optical image of the object generated at the boundary between the PCL and the dielectric mirror DML, the emitted light must be passed through the analyzer. Therefore, the light emitted from the analyzer becomes an optical image showing the same change in light amount as the optical image of the subject.
そして、前記した読出し光として単波長光を使
用することにより、充分に高い解像度を有する再
生像が得られるのである。 By using single wavelength light as the readout light described above, a reproduced image with sufficiently high resolution can be obtained.
それで第1図示の撮像装置において、撮像レン
ズ1により光−光変換素子PPCEの透明電極Et1
側に入射した被写体Oの光学像による書込み光
Lwは、光−光変換素子PPCEにおける光導電層
部材PCLと誘電体ミラーDMLとの境界の部分に
電荷像に変換され、また、その電荷像は読出し光
として単波長光が使用された場合には、被写体の
光学像と情報内容の対応している単波長光情報と
して光−光変換素子PPCEから出射される。第1
図示の例において、前記の単波長光の読出し光
Lrは、光源5→レンズ6→偏光子7→ビームス
プリツタ4→光−光変換素子PPCEの透明電極Et
2の光路によつて光−光変換素子PPCEに入射し
ている。 Therefore, in the imaging device shown in the first figure, the transparent electrode Et1 of the light-to-light conversion element PPCE is
Writing light due to the optical image of the object O incident on the side
Lw is converted into a charge image at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the dielectric mirror DML in the light-light conversion element PPCE, and the charge image is is emitted from the light-to-light conversion element PPCE as single wavelength optical information whose information content corresponds to the optical image of the subject. 1st
In the illustrated example, the single wavelength readout light
Lr is light source 5 → lens 6 → polarizer 7 → beam splitter 4 → transparent electrode of light-light conversion element PPCE Et
The light enters the light-to-light conversion element PPCE through the optical path No. 2.
そして、光−光変換素子PPCEから出射された
前記の被写体の光学像と情報内容の対応している
単波長光情報は、ビームスプリツタ4→検光子8
→レンズ9(縮少光学系として構成されていても
よい)→の光路を介して光−電荷変換素子
PCCCEに結像され、光−電荷変換素子PCCCEに
記録される。 Then, the single wavelength light information whose information content corresponds to the optical image of the subject emitted from the light-to-light conversion element PPCE is transferred from the beam splitter 4 to the analyzer 8.
→Lens 9 (which may be configured as a reduction optical system)→Light-to-charge conversion element
The image is formed on PCCCE and recorded on the photo-charge conversion element PCCCE.
これまでの実施例の説明においては、撮像装置
に使用されている光−光変換素子PPCEが、書き
込み光と消去光とを透過させるとともに、読出し
光を反射させうるような波長選択特性を有する誘
電体ミラーを備えているものである、とされてい
たが、本発明の実施に当つて使用されるべき光−
光変換素子PPCEとしては、読出し光に対して光
−光変換素子PPCEにおける光導電層部材が感度
を有せず、かつ、光導電層部材が読出し光を反射
できるようなものの場合には、誘電体ミラーを備
えていない構成形態の光−光変換素子PPCEが用
いられてもよいことは勿論である。 In the description of the embodiments so far, the light-to-light conversion element PPCE used in the imaging device is a dielectric material that has wavelength selective characteristics that allows writing light and erasing light to pass through, and allows reading light to be reflected. The light to be used in carrying out the present invention is
As the photoconversion element PPCE, if the photoconductive layer member in the light-to-photoconversion element PPCE has no sensitivity to the readout light and the photoconductive layer member can reflect the readout light, a dielectric layer may be used. Of course, the light-light conversion element PPCE having a configuration without a body mirror may also be used.
また、実施例の説明においては光−光変換素子
PPCEから単波長光情報が読出されるものとされ
ているが、光−光変換素子PPCEから単波長情報
でない光情報が読出されるように実施されてもよ
いことはいうまでもない。 In addition, in the description of the examples, the light-light conversion element
Although it is assumed that single-wavelength optical information is read out from the PPCE, it goes without saying that the embodiment may be implemented so that optical information other than single-wavelength information is read out from the light-to-light conversion element PPCE.
第5図は光−電荷変換素子PCCEに1例構成を
示している側断面図であり、この第5図に示す光
−電荷変換素子PCCEは、透明電極Etと光導電層
部材PCLと、電荷蓄積層部材CMLと、電極Eと
の積層構造のものである。そして前記した電荷蓄
積層部材CMLとしては、それに与えられた電荷
像を長時間にわたつて保持しうるように充分に高
い絶縁抵抗値を有する材料、例えばシリコシン樹
脂、あるいはポリエステル等の材料が用いられて
よい。 FIG. 5 is a side sectional view showing one example of the structure of the photo-charge conversion element PCCE, and the photo-charge conversion element PCCE shown in FIG. It has a laminated structure of a storage layer member CML and an electrode E. As the charge storage layer member CML, a material having a sufficiently high insulation resistance value, such as silicosine resin or polyester, is used to retain the charge image applied thereto for a long period of time. It's fine.
第5図において、光−電荷変換素子PCCEにお
ける透明電極Etと電極Eとの間には電源Vcが接
続されているから、透明電極Et側に記録光Lcが
入射して光導電層部材PCLの電気抵抗値が前記
した記録光Lcの光量の分布と対応している態様
で変化すると、前記した記録光Lcおける光量の
分布と対応している態様で変化して5る光導電層
部材PCLの電気抵抗値の変化パターンと対応し
ているような電荷像が光導電層部材PCLと電荷
蓄積層部材CMLとの境界に生じる。また、電荷
像の消去は、透明電極Etと電極Eとを同電位に
して透明電極Et側から消去光を入射すればよい。 In FIG. 5, since a power supply Vc is connected between the transparent electrode Et and the electrode E in the photo-charge conversion element PCCE, the recording light Lc is incident on the transparent electrode Et side and the photoconductive layer member PCL is When the electrical resistance value changes in a manner corresponding to the distribution of the light amount of the recording light Lc described above, the value of the photoconductive layer member PCL changes in a manner corresponding to the distribution of the light amount of the recording light Lc described above. A charge image corresponding to the pattern of change in electrical resistance value is generated at the boundary between the photoconductive layer member PCL and the charge storage layer member CML. Further, the charge image can be erased by setting the transparent electrode Et and the electrode E to the same potential and injecting the erasing light from the transparent electrode Et side.
前記した光−電荷変換素子PCCEは図示されて
いない駆動機構により所定の移動態様で移動でき
るようになされていてもよい。すなわち、撮像装
置がシヤツタカメラとしての動作モードで動作し
ている場合には、光学的なシヤツタ2が所定の時
間巾にわたり開放されてから閉じた後に、光−電
荷変換素子PCCEが一駒分(一枚の画像分)だけ
移送されるようになされ、また、撮像装置が動画
カメラとしての動作モードで動作している場合に
は、所定の時間巾にわたり静止して各一枚の画像
の記録が行われた後に、光−電荷変換素子PCCE
を一駒分(一枚の画像分)だけ急速に移送させる
ような間欠的な送りが行われるようになされても
よいのであり、前記した光−電荷変換素子PCCE
の間欠移送機構としては、映画の撮影機で周知の
移送機構と同様な機構が採用されてもよい。ま
た、第1図中に示されている光−電荷変換素子
PCCEはテープ状のもの、デイスク状、シート
状、その他どのような構成形態のものであつても
構わない。 The above-described photo-charge conversion element PCCE may be moved in a predetermined movement manner by a drive mechanism (not shown). That is, when the imaging device operates in the shutter camera operation mode, after the optical shutter 2 is opened for a predetermined period of time and then closed, the light-to-charge conversion element PCCE is If the imaging device is operating in the operating mode as a video camera, each image is recorded while remaining stationary for a predetermined period of time. After that, the photo-charge conversion element PCCE
Intermittent feeding may be performed to rapidly transfer one frame (one image), and the aforementioned photo-charge conversion element PCCE
As the intermittent transfer mechanism, a mechanism similar to a well-known transfer mechanism used in movie shooting machines may be adopted. In addition, the light-charge conversion element shown in FIG.
The PCCE may be in the form of a tape, disk, sheet, or any other form.
前記した第1図に示す実施例の撮像装置には、
信号処理機能を付加したり、光電変換機能を付加
したりしてもよいのであり、例えば、第1図中の
光−光変換素子PPCEから出射した単波長光情報
をビームスプリツタ4に後続する別のビームスプ
リツタを介して信号処理装置に与えて、その信号
処理装置において、それに入射された光学像情報
に基づいて編集、トリミング、光増幅などの各種
の信号処理を行わせるようにしてもよい(信号処
理装置としては制御性の空間変調素子、可逆性の
並列メモリ、制御性の並列機能素子、制御性の機
能結合素子などを用いて構成されたものが使用さ
れてもよく、また前記した信号処理装置で光並列
信号処理が行われるようになされてもよい)。 The imaging device of the embodiment shown in FIG. 1 described above has the following features:
A signal processing function or a photoelectric conversion function may be added. For example, the single wavelength optical information emitted from the light-to-light conversion element PPCE shown in FIG. 1 is sent to the beam splitter 4. Alternatively, the signal may be sent to a signal processing device via another beam splitter, and the signal processing device may perform various signal processing such as editing, trimming, and optical amplification based on the optical image information incident thereon. (As the signal processing device, one configured using a controllable spatial modulation element, a reversible parallel memory, a controllable parallel functional element, a controllable functional coupling element, etc. may be used. (optical parallel signal processing may be performed by a signal processing device that has been used).
次に、第2図に示されている撮像装置は、光−
光変換素子PPCEから出射した単波長光情報をビ
ームスプリツタ4に後続する光路中に設けた別の
ビームスプリツタ14によつて反射させた光情報
をレンズ15によつて光電変換器16(光電変換
器16としては、所要に応じて2次元センサ、1
次元センサ、フオトダイオード等が選択使用でき
る)に与えて、光電変換器16から所定の信号形
態の電気信号が出力されるように構成した場合の
構成例であり、この第2図において10は読出し
光の光源として用いられているレーザ光源、11
は消去光の光源として用いられているレーザ光
源、12はビームスプリツタ、13は光学的にバ
イアスを設定するための波長板、14はビームス
プリツタ、15はレンズ、16は光電変換器であ
る。 Next, the imaging device shown in FIG.
The single-wavelength optical information emitted from the optical conversion element PPCE is reflected by another beam splitter 14 provided in the optical path following the beam splitter 4, and the optical information is transmitted through the lens 15 to the photoelectric converter 16 (photoelectric As the converter 16, a two-dimensional sensor, 1
This is an example of a configuration in which an electrical signal in a predetermined signal form is output from a photoelectric converter 16 (a dimensional sensor, a photodiode, etc. can be selectively used), and 10 in FIG. Laser light source used as a light source, 11
12 is a beam splitter, 13 is a wave plate for optically setting bias, 14 is a beam splitter, 15 is a lens, and 16 is a photoelectric converter. .
前記した第2図示の撮像装置ではハーフプリズ
ム14で反射した光学像情報を直接にモニタスク
リーンに光投影して、光−電荷変換素子PCCEに
記録されるべき光学像をモニタできるようにして
もよいのである。 In the image pickup device shown in the second diagram, the optical image information reflected by the half prism 14 may be directly projected onto a monitor screen so that the optical image to be recorded on the photo-charge conversion element PCCE can be monitored. It is.
第3図に示されている撮像装置は光−電荷変換
素子PCCEにおける光学像情報の記録再生がフオ
ログラフイー法で行われるようにした場合の本発
明の他の実施例のブロツク図であり、第3図にお
いてOは被写体、1は撮像レンズ、2は撮像装置
がシヤツタカメラとして構成された場合に設けら
れる光学的なシヤツタ、PPCEは光−光変換素子
であり、第3図において18はレンズ、PCCEは
光−電荷変換素子である。 The imaging device shown in FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention in which recording and reproduction of optical image information in the photo-charge conversion element PCCE is performed by the fluorography method. In FIG. 3, O is an object, 1 is an imaging lens, 2 is an optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE is a light-to-light conversion element, and in FIG. 3, 18 is a lens, PCCE is a photo-charge conversion element.
第3図示の撮像装置において、被写体Oの光学
像は撮像レンズ1によつて光−光変換素子PPCE
に結像されるが、撮像装置がシヤツタカメラとし
て構成されている場合には、光学的なシヤツタ2
が開いた状態で被写体Oの光学像が撮像レンズ1
によつて光−光変換素子PPCEに結像されること
はいうまでもない。 In the imaging device shown in FIG.
However, if the imaging device is configured as a shutter camera, an optical shutter 2
When the camera is open, the optical image of the subject O is captured by the imaging lens 1.
Needless to say, the image is formed on the light-to-light conversion element PPCE by .
19は前記した光−光変換素子PPCEに対して
読出し光として使用される光と、光−電荷変換素
子PCCEに対するフオログラムの撮像時と光−電
荷変換素子PCCEからの波面再生時とに共用され
る可干渉光を出射させる光源であり、例えは半導
体レーザが使用される。 Reference numeral 19 is used for the light used as readout light for the light-to-light conversion element PPCE, for imaging a fluorogram for the light-to-charge conversion element PCCE, and for reproducing a wavefront from the light-to-charge conversion element PCCE. A light source that emits coherent light, such as a semiconductor laser.
光−光変換素子PPCEからの光学像の読出し
と、フオログラムの撮影用とに兼用される光は、
光源19から光源19→ハーフミラー20→凹レ
ンズ22→光−光変換素子PPCEの経路で光−光
変換素子PPCEに供給される。それにより、光−
光変換素子PPCEには被写体の光学像に対応した
光学像が現われ、また、その光学像はフオログラ
フイ法における信号波としてレンズ18に与えら
れることにより、前記のレンズ18によつて光−
電荷変換素子PCCEに結像する。光−電荷変換素
子PCCEには前記した光源19から出射された可
干渉光が、光源19→ハーフミラー20→凹レン
ズ21→光一電荷変換素子PCCEに供給されてい
るから、光−電荷変換素子PCCEには前記した光
−光変換素子PPCEの出力側に現われた被写体の
光学像に対応したフオログラムが形成記録され
る。 The light that is used both for reading out the optical image from the light-to-light conversion element PPCE and for photographing the fluorogram is
The light is supplied from the light source 19 to the light-to-light conversion element PPCE through the path of the light source 19 → half mirror 20 → concave lens 22 → light-to-light conversion element PPCE. As a result, light-
An optical image corresponding to the optical image of the object appears on the light conversion element PPCE, and the optical image is applied to the lens 18 as a signal wave in the fluorography method, so that the lens 18 converts the light into
The image is formed on the charge conversion element PCCE. The coherent light emitted from the light source 19 described above is supplied to the light-to-charge conversion element PCCE from the light source 19 → half mirror 20 → concave lens 21 → the light-to-charge conversion element PCCE. A fluorogram corresponding to the optical image of the object appearing on the output side of the light-to-light conversion element PPCE is formed and recorded.
このように、第3図示の撮像装置によれば被写
体Oの光学像はフオログラムとして光−電荷変換
素子PCCEに記録される。 In this way, according to the imaging device shown in the third figure, the optical image of the subject O is recorded as a fluorogram on the photo-charge conversion element PCCE.
前記した光−電荷変換素子PCCEに図示されて
いない駆動機構によつて所定の移動態様で移動さ
れるようになされてもよい。その場合に、第3図
示の撮像装置がシヤツタカメラとしての動作モー
ドで動作している場合には、光学的なシヤツタ2
が所定の時間巾にわたり開放されてから閉じた後
に、光−電荷変換素子PCCEが一駒分(一枚の画
像分)だけ移送されるようになされ、また、撮像
装置が動画カメラとしての動作モードで動作して
いる場合には、所定の時間巾にわたり静止して各
一枚の画像の記録が行われた後に、光−電荷変換
素子PCCEを一駒分(一枚の画像分)だけ急速に
移送させるような間欠的な送りが行われるように
なされる。なお、前記した光−電荷変換素子
PCCEの間欠移送機構としては、映画の撮影機で
周知の移送機構と同様な機構が採用されてもよ
い。 The photo-charge conversion element PCCE may be moved in a predetermined manner by a drive mechanism (not shown). In that case, if the imaging device shown in the third figure is operating in the shutter camera operation mode, the optical shutter 2
is opened for a predetermined period of time and then closed, the photo-charge conversion element PCCE is moved by one frame (one image), and the imaging device is set in the operation mode as a video camera. When operating in Intermittent feeding such as transport is performed. In addition, the above-mentioned light-charge conversion element
As the intermittent transfer mechanism of the PCCE, a mechanism similar to a well-known transfer mechanism used in movie shooting machines may be adopted.
なお、前記した第1図乃至第3図示の実施例の
撮像装置によつて光−電荷変換素子PCCEに電荷
像として記録された情報は、光−電荷変換素子
PCCEにおける透明電極Etと電極Eとを同電位の
状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおける透明
電極Et側に針状電極、多針電極などを接近させ
て、電荷像として記録されている情報を静電的に
読出すようにしたり、あるいは、光−電荷変換素
子PCCEにおける透明電極Etと電極Eとを同電位
の状態にし、光−電荷変換素子PCCEにおける透
明電極Et側に透明電極と光変調材層部材と誘電
体ミラーとの積層構造された状態の情報読出し用
ヘツドにおける誘電体ミラー側を接近させて、前
記の情報読出し用ヘツドにおける透明電極側から
読出し光を入射させ、前記した情報読出し用ヘツ
ドに入射された光が透明電極→光変調材層部材→
誘電体ミラー→光変調材層部材→透明電極の経路
によつて再び前記の情報読出し用ヘツドにおける
透明電極から出射した光を検光子に与えて、光−
電荷変換素子PCCEにおける電荷像の電荷量のパ
ターンと対応している光量パターンを有する光学
像として再生したり、前記のようにして得た光学
像を光電変換して電気信号に変換したりすること
により高精細度を有する情報として読出すことが
できる。 Note that the information recorded as a charge image on the photo-charge conversion element PCCE by the image pickup apparatus of the embodiment shown in FIGS.
The transparent electrode Et and the electrode E in the PCCE are brought into a state of the same potential, and a needle-like electrode, multi-needle electrode, etc. is brought close to the transparent electrode Et side in the photo-charge conversion element PCCE, and the information recorded as a charge image is Alternatively, the transparent electrode Et and the electrode E in the photo-charge conversion element PCCE may be set at the same potential, and the transparent electrode and the light modulator may be read out on the transparent electrode Et side of the photo-charge conversion element PCCE. The dielectric mirror side of the information reading head, which has a laminated structure of the material layer member and the dielectric mirror, is brought close to each other, and the reading light is incident from the transparent electrode side of the information reading head to perform the information reading described above. The light incident on the head passes through the transparent electrode → light modulating material layer member →
The light emitted from the transparent electrode in the information reading head is applied to the analyzer again through the path of dielectric mirror→light modulating material layer member→transparent electrode, and the light-
Reproducing the optical image as an optical image having a light amount pattern corresponding to the charge amount pattern of the charge image in the charge conversion element PCCE, or photoelectrically converting the optical image obtained as described above into an electrical signal. Therefore, it is possible to read out information with high definition.
また、本発明の撮像装置をカラー画像の撮像装
置として構成する場合には、各実施例における光
−光変換素子PPCEにおける透明電極Et1の前面
に、周知構成の光学的色分解縞状フイルタを配置
すればよい。 In addition, when the imaging device of the present invention is configured as a color image imaging device, an optical color separation striped filter having a known configuration is arranged in front of the transparent electrode Et1 in the light-to-light conversion element PPCE in each embodiment. do it.
(発明の効果)
以上、詳細に説明したところから明らかなよう
に本発明の撮像装置は、2つの透明電極の間に少
なくとも光導電層部材と光変調材層部材とを備え
て構成された光一光変換素子に対して、撮像レン
ズによつて被写体の光学像を結像させる手段と、
前記した光一光変換素子から光を用いて被写体の
光学像と対応する光学像情報を読出す手段と、前
記の光−変換素子から読出された光学情報を、少
なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材とを備え
て構成されている光−電荷変換素子に入射させる
手段とを備えた撮像装置及び2つの透明電極の間
に少なくとも光導電層部材と光変調材層部材とを
備えて構成された光−光変換素子に対して、撮像
レンズによつて被写体の光学像を結像させる手段
と、前記した光−光変換素子から光を用いて被写
体の光学像と対応する光学像情報を読出す手段
と、少なくとも光導電層部材と電荷蓄積層部材と
を備えて構成されている光−電荷変換素子と、前
記の光−電荷変換素子に対して前記の光−光変換
素子から読出された光学情報とともに、フオログ
ラム形成用の参照光をも入射させる手段とを備え
た撮像装置であるから、この本発明の撮像装置で
は光−光変換素子PPCEにおける光導電層部材
PCLの境界の部分に生じさせた被写体の光学像
と対応している電荷像を読出し光で読出すことに
より、充分に高い解像度を有する再生像を得て、
それを光−電荷変換素子PCCEに記録できるので
あり、また光一光変換素子PPCEから出射した光
情報を光電変換器(所要に応じて2次元センサ、
1次元センサ、フオトダイオード等が選択使用で
きる)に与えて、光電変換器から所定の信号形態
の電気信号が出力されるようにしてもよく、さら
に、光−電荷変換素子PCCEにおける光学像情報
の記録再生がフオログラフイー法で行われるよう
にしてもよく、さらにまた、光一電荷変換素子
PCCEに電荷像として記録された情報は、光−電
荷変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極Eと
を同電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCEに
おける透明電極Et側に針状電極、多針電極など
を接近させて、電荷像として記録されている情報
を静電的に読出すようにしたり、あるいは、光−
電荷変換素子PCCEにおける透明電極Etと電極E
とを同電位の状態にし、光−電荷変換素子PCCE
における透明電極Et側に透明電極と光変調材層
部材と誘電体ミラーとの積層構造された状態の情
報読出し用ヘツドにおける誘電体ミラー側を接近
させて、前記の情報読出し用ヘツドにおける透明
電極側から読出し光を入射させ、前記した情報読
出し用ヘツドに入射された光が透明電極→光変調
材層部材→誘電体ミラー→光変調材層部材→透明
電極の経路によつて再び前記の情報読出し用ヘツ
ドにおける透明電極から出射した光を検光子に与
えて、光−電荷変換素子PCCEにおける電荷像の
電荷量のパターンと対応している光量パターンを
有する光学像として再生したり、前記のようにし
て得た光学像を光電変換して電気信号に変換した
りすることにより高精細度を有する情報として読
出すことができるのであつて、本発明によれば既
述した従来の欠点を良好に解決できる高解像度の
再生像を撮像できる撮像装置を提供することがで
きる。(Effects of the Invention) As is clear from the above detailed description, the imaging device of the present invention has a light source including at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. means for forming an optical image of a subject on the light conversion element using an imaging lens;
means for reading optical image information corresponding to an optical image of a subject using light from the light-to-light conversion element; an imaging device comprising a means for causing light to enter a light-to-charge conversion element comprising a member; and at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes. A means for forming an optical image of a subject using an imaging lens on a light-to-light conversion element, and reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element. a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member; and an optical signal read out from the light-to-light conversion element to the light-to-charge conversion element. Since the imaging device is equipped with a means for inputting reference light for forming a fluorogram as well as information, in the imaging device of the present invention, the photoconductive layer member in the light-to-light conversion element PPCE is
By reading out the charge image corresponding to the optical image of the object generated at the boundary of the PCL with a readout light, a reconstructed image with sufficiently high resolution is obtained.
This can be recorded on the light-to-charge conversion element PCCE, and the optical information emitted from the light-to-light conversion element PPCE can be recorded on the photoelectric converter (or a two-dimensional sensor as required).
(one-dimensional sensor, photodiode, etc. can be selectively used), the photoelectric converter may output an electrical signal in a predetermined signal form, and furthermore, the optical image information in the photo-charge conversion element PCCE may be outputted from the photoelectric converter. Recording and reproduction may be performed by a fluorography method, and furthermore, a photoelectric charge conversion element may be used.
The information recorded in the PCCE as a charge image is obtained by setting the transparent electrode Et and the electrode E in the photo-charge conversion element PCCE to the same potential state, and installing a needle-like electrode and a multi-needle electrode on the transparent electrode Et side of the photo-charge conversion element PCCE. By bringing electrodes close together, information recorded as a charge image can be read out electrostatically, or by optical
Transparent electrode Et and electrode E in charge conversion element PCCE
are at the same potential, and the photo-charge conversion element PCCE
The dielectric mirror side of the information reading head in a laminated structure of the transparent electrode, the light modulating material layer member, and the dielectric mirror is brought close to the transparent electrode Et side of the information reading head. The light incident on the information reading head described above is read out again through the path of transparent electrode → light modulating material layer member → dielectric mirror → light modulating material layer member → transparent electrode. The light emitted from the transparent electrode in the optical head is applied to an analyzer and reproduced as an optical image having a light amount pattern corresponding to the charge amount pattern of the charge image in the photo-charge conversion element PCCE, or as described above. By photoelectrically converting the obtained optical image into an electrical signal, it is possible to read out high-definition information.According to the present invention, the above-mentioned conventional drawbacks can be satisfactorily solved. It is possible to provide an imaging device that can capture a high-resolution reproduced image.
第1図乃至第3図は本発明の撮像装置の実施例
の概略構成を示すブロツク図であり、また、第4
図は本発明の撮像装置の構成中で使用される光−
光変換素子の構成原理を説明するための側断面
図、第5図は本発明の撮像装置の構成中で使用さ
れる光−電荷変換素子の構成原理を説明するため
の側断面図である。
O……被写体、1……撮像レンズ、2……撮像
装置がシヤツタカメラとして構成された場合に設
けられる光学的なシヤツタ、PPCE……光−光変
換素子、4,14……ハーフプリズム、5……光
−光変換素子PPCEからの光学像情報を単波長光
の光学情報して読出す際に用いられる読出し光の
光源、6,9,15,18……レンズ、7……偏
光板、8……検光子、PCCE……光−電荷変換素
子、Et,Et1,Et2……透明電極、PCL……光
導電層部材、DML……誘電体ミラー、PML……
光変調材層部材、Lw……書込み光、Lr……読出
し光、Le……消去光、Vb……電源、SW……切
換スイツチ、CML……電荷蓄積層部材、16…
…光電変換器(光電変換器16としては、所要に
応じて2次元センサ、1次元センサ、フオトダイ
オード)、10……読出し光の光源として用いら
れているレーザ光源、11……消去光の光源とし
て用いられているレーザ光源、12……ビームス
プリツタ、13……光学的なバイアスを設定する
ための波長板、19……光源19、20……ハー
フミラー、21,22→凹レンズ。
1 to 3 are block diagrams showing the schematic configuration of an embodiment of the imaging device of the present invention, and FIG.
The figure shows the light used in the configuration of the imaging device of the present invention.
FIG. 5 is a side sectional view for explaining the construction principle of a light conversion element. FIG. O... Subject, 1... Imaging lens, 2... Optical shutter provided when the imaging device is configured as a shutter camera, PPCE... Light-light conversion element, 4, 14... Half prism, 5... ...Light source of readout light used when reading optical image information from the light-light conversion element PPCE as optical information of single wavelength light, 6, 9, 15, 18... Lens, 7... Polarizing plate, 8 ...Analyzer, PCCE...Photo-charge conversion element, Et, Et1, Et2...Transparent electrode, PCL...Photoconductive layer member, DML...Dielectric mirror, PML...
Light modulating material layer member, Lw...writing light, Lr...reading light, Le...erasing light, Vb...power supply, SW...changeover switch, CML...charge storage layer member, 16...
...Photoelectric converter (as the photoelectric converter 16, a two-dimensional sensor, a one-dimensional sensor, a photodiode as required), 10... Laser light source used as a light source of readout light, 11... Light source of erasing light 12...beam splitter, 13...wave plate for setting optical bias, 19...light sources 19, 20...half mirror, 21, 22→concave lens.
Claims (1)
材と、光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによつて被写体
の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変
換素子から光を用いて被写体の光学像と対応する
光学像情報を読出す手段と、前記の光−光変換素
子から読出された光学情報を、少なくとも光導電
層部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されてい
る光−電荷変換素子に入射させる手段とを備えた
撮像装置。 2 2つの透明電極の間に少なくとも光導電層部
材と、光変調材層部材とを備えて構成された光−
光変換素子に対して、撮像レンズによつて被写体
の光学像を結像させる手段と、前記した光−光変
換素子から光を用いて被写体の光学像と対応する
光学像情報を読出す手段と、少なくとも光導電層
部材と電荷蓄積層部材とを備えて構成されている
光−電荷変換素子と、前記の光−電荷変換素子に
対して前記の光−光変換素子から読出された光学
情報とともに、フオログラム形成用の参照光をも
入射させる手段とを備えた撮像装置。[Scope of Claims] 1. A light source comprising at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes.
means for forming an optical image of a subject on the light conversion element using an imaging lens; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element. An imaging device comprising means for causing optical information read from the light-to-light conversion element to enter a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member. 2. A light source comprising at least a photoconductive layer member and a light modulating material layer member between two transparent electrodes.
means for forming an optical image of a subject on the light conversion element using an imaging lens; and means for reading optical image information corresponding to the optical image of the subject using light from the light-to-light conversion element. , a light-to-charge conversion element comprising at least a photoconductive layer member and a charge storage layer member, and optical information read from the light-to-light conversion element to the light-to-charge conversion element; , and means for also inputting a reference light for forming a fluorogram.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013943A JPH0229081A (en) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Image pickup device |
| EP89300633A EP0327236B1 (en) | 1988-01-24 | 1989-01-24 | Image pickup apparatus |
| US07/301,324 US4956714A (en) | 1988-01-24 | 1989-01-24 | Image pickup apparatus |
| DE68919481T DE68919481T2 (en) | 1988-01-24 | 1989-01-24 | Image capture device. |
| US07/538,975 US5027216A (en) | 1988-01-24 | 1990-06-15 | Image pickup apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63013943A JPH0229081A (en) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | Image pickup device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0229081A JPH0229081A (en) | 1990-01-31 |
| JPH0524706B2 true JPH0524706B2 (en) | 1993-04-08 |
Family
ID=11847290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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