JPH0524876A - 光フアイバ母材製造用タ−ゲツト支持部材 - Google Patents
光フアイバ母材製造用タ−ゲツト支持部材Info
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- JPH0524876A JPH0524876A JP20658991A JP20658991A JPH0524876A JP H0524876 A JPH0524876 A JP H0524876A JP 20658991 A JP20658991 A JP 20658991A JP 20658991 A JP20658991 A JP 20658991A JP H0524876 A JPH0524876 A JP H0524876A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01486—Means for supporting, rotating or translating the preforms being formed, e.g. lathes
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は光ファイバの大量生産用に使用され
る光ファイバ母材製造用タ−ゲット保持装置の提供を目
的とするものである。 【構成】 本発明の光ファイバ母材製造用支持部材は、
ガラス微粒子を反応容器内でタ−ゲットに付着堆積させ
る多孔質ガラス母材の形成工程および／またはこの多孔
質ガラス母材を加熱して透明な光ファイバ母材を形成す
る工程で使用するタ−ゲット支持部材において、このタ
−ゲット支持部材が揮発性金属不純物の含有量が0.5 重
量％以下であり、軟化温度または分解温度が1,600℃以
上であるセラミックスからなるものであることを特徴と
するものである。
る光ファイバ母材製造用タ−ゲット保持装置の提供を目
的とするものである。 【構成】 本発明の光ファイバ母材製造用支持部材は、
ガラス微粒子を反応容器内でタ−ゲットに付着堆積させ
る多孔質ガラス母材の形成工程および／またはこの多孔
質ガラス母材を加熱して透明な光ファイバ母材を形成す
る工程で使用するタ−ゲット支持部材において、このタ
−ゲット支持部材が揮発性金属不純物の含有量が0.5 重
量％以下であり、軟化温度または分解温度が1,600℃以
上であるセラミックスからなるものであることを特徴と
するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光ファイバ母材製造用タ
−ゲット支持部材、特には光ファイバ用母材を製造する
ための多孔質ガラス母材およびこの多孔質ガラス母材を
加熱して透明な光ファイバ用母材を製造するときに使用
される光ファイバ母材製造用のタ−ゲット支持部材に関
するものである。
−ゲット支持部材、特には光ファイバ用母材を製造する
ための多孔質ガラス母材およびこの多孔質ガラス母材を
加熱して透明な光ファイバ用母材を製造するときに使用
される光ファイバ母材製造用のタ−ゲット支持部材に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ用母材の製造方法については
種々の方法が知られているが、これらの中では大型化、
高速化が容易で経済的であることからVAD 法、OVD 法が
注目されている。この方法は反応容器内に酸水素火炎バ
−ナ−を設置してこれに酸素、水素およびガラス原料を
導き、ガラス原料の火炎加水分解で発生したガラス微粒
子をタ−ゲット上で回転している石英製のタ−ゲットに
付着堆積させて多孔質ガラス母材を作り、この多孔質ガ
ラス母材を電気炉などの加熱炉で加熱して透明な光ファ
イバ用母材とするものであるが、この多孔質ガラス母材
製造時における石英製のタ−ゲットを支持するタ−ゲッ
ト支持部材およびこの多孔質ガラス母材を加熱処理する
ときのタ−ゲット支持部材としては従来から石英製のも
のが使用されている（実公昭61-7215 号公報、特開平3-
12336 号公報参照）。
種々の方法が知られているが、これらの中では大型化、
高速化が容易で経済的であることからVAD 法、OVD 法が
注目されている。この方法は反応容器内に酸水素火炎バ
−ナ−を設置してこれに酸素、水素およびガラス原料を
導き、ガラス原料の火炎加水分解で発生したガラス微粒
子をタ−ゲット上で回転している石英製のタ−ゲットに
付着堆積させて多孔質ガラス母材を作り、この多孔質ガ
ラス母材を電気炉などの加熱炉で加熱して透明な光ファ
イバ用母材とするものであるが、この多孔質ガラス母材
製造時における石英製のタ−ゲットを支持するタ−ゲッ
ト支持部材およびこの多孔質ガラス母材を加熱処理する
ときのタ−ゲット支持部材としては従来から石英製のも
のが使用されている（実公昭61-7215 号公報、特開平3-
12336 号公報参照）。
【０００３】しかし、この光ファイバを広く普及させる
にはそのコスト低減と大量生産が必要不可欠なことであ
り、そのために最近では光ファイバ用母材の大型化や高
速製造が強く求められているのであるが、これには多孔
質ガラス母材の形成にタ−ゲットの大口径、長尺化が必
要とされ、これに伴なってバ−ナ−の大型化、ガスの大
流量、高熱化が求められ、多孔質ガラス母材の透明化工
程でも多孔質ガラス母材の大重量化と加熱炉の高温化が
不可避のものとされているのであるが、従来公知のタ−
ゲット支持部材では強度と耐熱性が不足するためにこれ
に対応できないという問題点がある。
にはそのコスト低減と大量生産が必要不可欠なことであ
り、そのために最近では光ファイバ用母材の大型化や高
速製造が強く求められているのであるが、これには多孔
質ガラス母材の形成にタ−ゲットの大口径、長尺化が必
要とされ、これに伴なってバ−ナ−の大型化、ガスの大
流量、高熱化が求められ、多孔質ガラス母材の透明化工
程でも多孔質ガラス母材の大重量化と加熱炉の高温化が
不可避のものとされているのであるが、従来公知のタ−
ゲット支持部材では強度と耐熱性が不足するためにこれ
に対応できないという問題点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不利
を解決することのできる光ファイバ母材製造用のタ−ゲ
ット支持部材に関するものであり、これはガラス微粒子
を反応容器内でタ−ゲットに付着堆積させる多孔質ガラ
ス母材の形成工程および／またはこの多孔質ガラス母材
を加熱して透明な光ファイバ用母材を形成する工程で使
用するタ−ゲット支持部材において、このタ−ゲット支
持部材が揮発性金属不純物の含有量が0.5 重量％以下で
あり、軟化温度または分解温度が1,600 ℃以上であるセ
ラミックスからなるものであることを特徴とするもので
ある。
を解決することのできる光ファイバ母材製造用のタ−ゲ
ット支持部材に関するものであり、これはガラス微粒子
を反応容器内でタ−ゲットに付着堆積させる多孔質ガラ
ス母材の形成工程および／またはこの多孔質ガラス母材
を加熱して透明な光ファイバ用母材を形成する工程で使
用するタ−ゲット支持部材において、このタ−ゲット支
持部材が揮発性金属不純物の含有量が0.5 重量％以下で
あり、軟化温度または分解温度が1,600 ℃以上であるセ
ラミックスからなるものであることを特徴とするもので
ある。
【０００５】すなわち、本発明者らは高温、高熱に耐え
るタ−ゲット支持部材を開発すべく種々検討した結果、
光ファイバ母材製造時に使用するタ−ゲット支持部材と
しては軟化温度または分解温度が1,600 ℃以上であるセ
ラミックスを使用すれば光ファイバ用母材の大重量化や
反応容器内の高温化にも対処できることを見出すと共
に、このセラミックスについてはそれが揮発性の金属不
純物を0.5 重量％以下のものとすればこの不純物が多孔
質ガラス母材、光ファイバ母材に混入することが防止さ
れるので、これから作られた光ファイバの光損失の増加
を防ぐことができることを確認して本発明を完成させ
た。以下にこれをさらに詳述する。
るタ−ゲット支持部材を開発すべく種々検討した結果、
光ファイバ母材製造時に使用するタ−ゲット支持部材と
しては軟化温度または分解温度が1,600 ℃以上であるセ
ラミックスを使用すれば光ファイバ用母材の大重量化や
反応容器内の高温化にも対処できることを見出すと共
に、このセラミックスについてはそれが揮発性の金属不
純物を0.5 重量％以下のものとすればこの不純物が多孔
質ガラス母材、光ファイバ母材に混入することが防止さ
れるので、これから作られた光ファイバの光損失の増加
を防ぐことができることを確認して本発明を完成させ
た。以下にこれをさらに詳述する。
【０００６】
【作用】本発明は光ファイバ母材製造用のタ−ゲット部
材に関するものであり、これは公知の外付け法による多
孔質ガラス母材の製造、またこの多孔質ガラス母材の加
熱による光ファイバ用母材の製造において、ここに使用
するタ−ゲット支持部材を揮発性の金属不純物量が0.5
重量％以下であり、軟化温度または分解温度が1,600 ℃
以上であるセラミックスからなるものとすることを要旨
とするものである。
材に関するものであり、これは公知の外付け法による多
孔質ガラス母材の製造、またこの多孔質ガラス母材の加
熱による光ファイバ用母材の製造において、ここに使用
するタ−ゲット支持部材を揮発性の金属不純物量が0.5
重量％以下であり、軟化温度または分解温度が1,600 ℃
以上であるセラミックスからなるものとすることを要旨
とするものである。
【０００７】本発明の光ファイバ母材製造用のタ−ゲッ
ト支持部材は反応容器内に酸水素火炎バ−ナ−を設置
し、これに酸素、水素および四塩化けい素などのような
ガラス原料となるけい素化合物を導き、このガラス原料
の火炎加水分解で発生したガラス微粒子を回転している
石英製などのタ−ゲット上に付着堆積させて多孔質ガラ
ス母材を作り、ついでこの多孔質ガラス母材を電気炉な
どの加熱炉で加熱して光ファイバ母材とする方法におい
てこのタ−ゲットを支持するものである。
ト支持部材は反応容器内に酸水素火炎バ−ナ−を設置
し、これに酸素、水素および四塩化けい素などのような
ガラス原料となるけい素化合物を導き、このガラス原料
の火炎加水分解で発生したガラス微粒子を回転している
石英製などのタ−ゲット上に付着堆積させて多孔質ガラ
ス母材を作り、ついでこの多孔質ガラス母材を電気炉な
どの加熱炉で加熱して光ファイバ母材とする方法におい
てこのタ−ゲットを支持するものである。
【０００８】しかして、このタ−ゲット支持部材は、従
来このタ−ゲットが通常は石英ガラス棒とされてている
ことから同じ石英で作られていたのであるが、近時この
光ファイバ母材にその大型化や高速製造が求められてい
ることからバ−ナ−が大型化し、ガスの流量が増加し、
高熱化され、したがって光ファイバ母材が大重量化さ
れ、加熱炉内の高温化も不可避とされることになったこ
とから、このタ−ゲット支持部材も石英では強度と耐熱
性が不足となり、これを使用していると軸ずれや偏心が
生じ、目的とする多孔質ガラス母材や光ファイバ母材の
寸法精度が低下し、光ファイバ母材の品質を低下させる
という不利が与えられる。
来このタ−ゲットが通常は石英ガラス棒とされてている
ことから同じ石英で作られていたのであるが、近時この
光ファイバ母材にその大型化や高速製造が求められてい
ることからバ−ナ−が大型化し、ガスの流量が増加し、
高熱化され、したがって光ファイバ母材が大重量化さ
れ、加熱炉内の高温化も不可避とされることになったこ
とから、このタ−ゲット支持部材も石英では強度と耐熱
性が不足となり、これを使用していると軸ずれや偏心が
生じ、目的とする多孔質ガラス母材や光ファイバ母材の
寸法精度が低下し、光ファイバ母材の品質を低下させる
という不利が与えられる。
【０００９】しかるに本発明にしたがってこの光ファイ
バ母材製造用タ−ゲット支持部材を軟化温度または分解
温度が1,600 ℃以上であるセラミックスで製造すると、
これに大きな回転モ−メントで高温が加えられてもこれ
が強度および耐熱性の強いものであることからこれに軸
ずれや偏心が発生せず、したがって目的とする多孔質ガ
ラス母材や光ファイバ用母材の寸法精度が低下すること
がなくなるという有利性が与えられるし、このセラミッ
クスは揮発性の金属不純物量が0.5 重量％以下のものと
されているので、、この支持部材から金属不純物が多孔
質ガラス母材あるいは光ファイバ用母材に混入すること
もないので、光ファイバにこれが混入することはなく、
したがって光ファイバが光損失の大きいものになるとい
う不利も免れることができるという有利性が与えられ
る。
バ母材製造用タ−ゲット支持部材を軟化温度または分解
温度が1,600 ℃以上であるセラミックスで製造すると、
これに大きな回転モ−メントで高温が加えられてもこれ
が強度および耐熱性の強いものであることからこれに軸
ずれや偏心が発生せず、したがって目的とする多孔質ガ
ラス母材や光ファイバ用母材の寸法精度が低下すること
がなくなるという有利性が与えられるし、このセラミッ
クスは揮発性の金属不純物量が0.5 重量％以下のものと
されているので、、この支持部材から金属不純物が多孔
質ガラス母材あるいは光ファイバ用母材に混入すること
もないので、光ファイバにこれが混入することはなく、
したがって光ファイバが光損失の大きいものになるとい
う不利も免れることができるという有利性が与えられ
る。
【００１０】本発明において使用されるセラミックスは
前記したように揮発性の金属不純物、例えば鉄、銅、亜
鉛などの量が0.5 重量％以下であり、軟化温度または分
解温度が1,600 ℃以上のものとされるが、これには窒化
アルミニウム、窒化けい素、窒化ほう素、窒化チタン、
ほう化チタンなどの焼結体やCVD 成形体などが例示され
る。
前記したように揮発性の金属不純物、例えば鉄、銅、亜
鉛などの量が0.5 重量％以下であり、軟化温度または分
解温度が1,600 ℃以上のものとされるが、これには窒化
アルミニウム、窒化けい素、窒化ほう素、窒化チタン、
ほう化チタンなどの焼結体やCVD 成形体などが例示され
る。
【００１１】なお、このセラミックスとして焼結体を用
いるときには揮発性の金属不純物量を減らすために焼結
バインダ−としては純度の高い希土類酸化物やアルミ
ナ、マグネシアを選択することがよい。またこのセラミ
ックスとしては光ファイバ製造時の熱ショックに強く、
さらに万一セラミックス本体から極く微量の分解物がと
び出しても光ファイバに与える影響が少ないということ
から、これには窒化アルミニウム、窒化けい素が好まし
い材料とされるが、中でもこの窒化けい素の常圧焼結体
は断熱性と強度が大きく、製造工程で発生する塩酸や脱
水に使用する塩素ガスなどの腐蝕性ガスにも強く、さら
には低コストであることから、本発明のタ−ゲット支持
部材としては最適のものとされる。
いるときには揮発性の金属不純物量を減らすために焼結
バインダ−としては純度の高い希土類酸化物やアルミ
ナ、マグネシアを選択することがよい。またこのセラミ
ックスとしては光ファイバ製造時の熱ショックに強く、
さらに万一セラミックス本体から極く微量の分解物がと
び出しても光ファイバに与える影響が少ないということ
から、これには窒化アルミニウム、窒化けい素が好まし
い材料とされるが、中でもこの窒化けい素の常圧焼結体
は断熱性と強度が大きく、製造工程で発生する塩酸や脱
水に使用する塩素ガスなどの腐蝕性ガスにも強く、さら
には低コストであることから、本発明のタ−ゲット支持
部材としては最適のものとされる。
【００１２】なお、本発明は上記したようにタ−ゲット
支持部材に関するものであるが、このタ−ゲット支持部
材へのタ−ゲットの固定は通常このタ−ゲット支持部材
に固定ピンを打ち込むという方法で行なわれているが、
この固定ピンについても強さと耐熱性が要求されること
から、この固定ピンもこのタ−ゲット支持部材と同じよ
うなセラミックスで作られたものとすることがよい。
支持部材に関するものであるが、このタ−ゲット支持部
材へのタ−ゲットの固定は通常このタ−ゲット支持部材
に固定ピンを打ち込むという方法で行なわれているが、
この固定ピンについても強さと耐熱性が要求されること
から、この固定ピンもこのタ−ゲット支持部材と同じよ
うなセラミックスで作られたものとすることがよい。
【００１３】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例、比較例
反応容器内に設置した酸水素火炎バ−ナ−に酸素、水素
およびガラス原料としての四塩化けい素とド−パントと
しての四塩化ゲルマニウムの混合ガスを導入し、ここに
発生したシリカ微粒子とゲルマニア微粒子を石英製のタ
−ゲット上に付着堆積して５kgの多孔質ガラス母材を作
った。
およびガラス原料としての四塩化けい素とド−パントと
しての四塩化ゲルマニウムの混合ガスを導入し、ここに
発生したシリカ微粒子とゲルマニア微粒子を石英製のタ
−ゲット上に付着堆積して５kgの多孔質ガラス母材を作
った。
【００１４】ついで図１に示したように、石英製のタ−
ゲット２の上にシリカ微粒子を堆積させて作った多孔質
ガラス母材１を、イットリア（３重量％）とアルミナ
（２重量％）を焼結バインダ−として常圧焼結して作っ
た窒化けい素（揮発性金属不純物量0.3 重量％）を用い
て製作した直径20mmφ×長さ1,000mm のタ−ゲット支持
部材４に同じ窒化けい素で製作した直径２mmφの固定ピ
ンで固定し、これを回転部５に装着した。
ゲット２の上にシリカ微粒子を堆積させて作った多孔質
ガラス母材１を、イットリア（３重量％）とアルミナ
（２重量％）を焼結バインダ−として常圧焼結して作っ
た窒化けい素（揮発性金属不純物量0.3 重量％）を用い
て製作した直径20mmφ×長さ1,000mm のタ−ゲット支持
部材４に同じ窒化けい素で製作した直径２mmφの固定ピ
ンで固定し、これを回転部５に装着した。
【００１５】つぎにこの支持部材４を回転軸５を用いて
30rpm で回転させて多孔質ガスス母材１も回転させ、ヒ
−タ−６で内筒７の内を1,500℃に加熱し、ガス導入口
８から塩素を混合したヘリウムガスを流出させて多孔質
ガスス母材を透明ガラス化して光ファイバ用母材を作成
した。
30rpm で回転させて多孔質ガスス母材１も回転させ、ヒ
−タ−６で内筒７の内を1,500℃に加熱し、ガス導入口
８から塩素を混合したヘリウムガスを流出させて多孔質
ガスス母材を透明ガラス化して光ファイバ用母材を作成
した。
【００１６】しかして、本実施例においてはこの操作を
180 回くり返して行なったが、このタ−ゲット支持材お
よび固定ピンは先端がやや褪色したのみで、これには偏
心や変形などが全くなく、得られた光ファイバ用母材に
も全く異常は認められなかったけれども、比較のために
このタ−ゲット支持部材および固定ピンを同一寸法の石
英製のものとしたところ、この場合には12回目で偏心と
変形が生じたために、得られた光ファイバ母材に径むら
が発生したため、以後は使用することができなかった。
180 回くり返して行なったが、このタ−ゲット支持材お
よび固定ピンは先端がやや褪色したのみで、これには偏
心や変形などが全くなく、得られた光ファイバ用母材に
も全く異常は認められなかったけれども、比較のために
このタ−ゲット支持部材および固定ピンを同一寸法の石
英製のものとしたところ、この場合には12回目で偏心と
変形が生じたために、得られた光ファイバ母材に径むら
が発生したため、以後は使用することができなかった。
【００１７】
【発明の効果】本発明は光ファイバ用母材製造用タ−ゲ
ット支持装置に関するものであり、これは多孔質ガラス
母材の形成工程、多孔質ガラス母材からの光ファイバ用
母材の形成工程におけるタ−ゲット支持装置を、揮発性
金属不純物の含有量が0.5 重量％以下であり、軟化温度
または分解温度が1,600 ℃以上であるセラミックスから
なるものを特徴とするものであるが、これによればこの
タ−ゲット支持部材が強度が強く、1,600 ℃の高温に耐
えるセラミックスで製られているので、光ファイバの大
量生産に伴なう光ファイバ用母材の大重量化、反応容器
内の高温化でもこのものが偏心したり、変形することが
ないし、これはまたこれに含有される揮発性金属不純物
量が0.5 重量％以下と少なく、したがってこれが光ファ
イバ用母材に混入することもないので、これから作られ
る光ファイバの光損失が増加することもない増加ので、
品質のよい光ファイバを有利に生産することができると
いう効果が与えられる。
ット支持装置に関するものであり、これは多孔質ガラス
母材の形成工程、多孔質ガラス母材からの光ファイバ用
母材の形成工程におけるタ−ゲット支持装置を、揮発性
金属不純物の含有量が0.5 重量％以下であり、軟化温度
または分解温度が1,600 ℃以上であるセラミックスから
なるものを特徴とするものであるが、これによればこの
タ−ゲット支持部材が強度が強く、1,600 ℃の高温に耐
えるセラミックスで製られているので、光ファイバの大
量生産に伴なう光ファイバ用母材の大重量化、反応容器
内の高温化でもこのものが偏心したり、変形することが
ないし、これはまたこれに含有される揮発性金属不純物
量が0.5 重量％以下と少なく、したがってこれが光ファ
イバ用母材に混入することもないので、これから作られ
る光ファイバの光損失が増加することもない増加ので、
品質のよい光ファイバを有利に生産することができると
いう効果が与えられる。
【図１】本発明により多孔質ガラス母材を加熱処理して
光ファイバ用母材を製造する装置の縦断面図を示したも
のである。
光ファイバ用母材を製造する装置の縦断面図を示したも
のである。
１・・・多孔質ガラス母材 ２・・・タ−ゲ
ット ３・・・固定ピン ４・・・タ−ゲ
ット支持部材 ５・・・回転部 ６・・・ヒ−タ
− ７・・・円筒 ８・・・ガス導
入口
ット ３・・・固定ピン ４・・・タ−ゲ
ット支持部材 ５・・・回転部 ６・・・ヒ−タ
− ７・・・円筒 ８・・・ガス導
入口
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 栗山 収
群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化
学工業株式会社磯部工場内
Claims (6)
- 【請求項１】ガラス微粒子を反応容器内でタ−ゲットに
付着堆積させる多孔質ガラス母材の形成工程および／ま
たはこの多孔質ガラス母材を加熱して透明な光ファイバ
用母材を形成する工程で使用するタ−ゲット支持部材に
おいて、このタ−ゲット支持部材が揮発性金属不純物の
含有量が0.5 重量％以下であり、軟化温度または分解温
度が1,600 ℃以上であるセラミックスからなるものであ
ることを特徴とする光ファイバ母材製造用タ−ゲット支
持部材。 - 【請求項２】セラミックスがアルミニウムおよび／また
はシリコンの窒化物である請求項１に記載した光ファイ
バ母材製造用タ−ゲット支持部材。 - 【請求項３】セラミックスが窒化けい素の常圧焼結体で
ある請求項１に記載した光ファイバ母材製造用タ−ゲッ
ト支持部材。 - 【請求項４】タ−ゲット支持部材へのタ−ゲットの固定
が該タ−ゲット支持部材に固定ピンを打ち込む方法で行
なわれる請求項１に記載した光ファイバ母材製造用タ−
ゲット支持部材。 - 【請求項５】固定ピンがアルミニウムおよび／またはシ
リコンの窒化物で作られたものである請求項４に記載し
た光ファイバ母材製造用タ−ゲット支持部材。 - 【請求項６】固定ピンが窒化けい素の常圧焼結体で作ら
れたものである請求項５に記載した光ファイバ母材製造
用タ−ゲット支持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206589A JP2622210B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光ファイバ母材製造用タ−ゲット支持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3206589A JP2622210B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光ファイバ母材製造用タ−ゲット支持部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0524876A true JPH0524876A (ja) | 1993-02-02 |
| JP2622210B2 JP2622210B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=16525908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3206589A Expired - Lifetime JP2622210B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光ファイバ母材製造用タ−ゲット支持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622210B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115151513A (zh) * | 2020-02-28 | 2022-10-04 | 京瓷株式会社 | 光学玻璃制造装置用构件 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60145923A (ja) * | 1984-01-05 | 1985-08-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造装置 |
| JPS62144945U (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | ||
| JPH02204339A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高純度石英母材製造用の加熱炉 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP3206589A patent/JP2622210B2/ja not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| JP2622210B2 (ja) | 1997-06-18 |
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