JPH05251371A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05251371A JPH05251371A JP4215393A JP21539392A JPH05251371A JP H05251371 A JPH05251371 A JP H05251371A JP 4215393 A JP4215393 A JP 4215393A JP 21539392 A JP21539392 A JP 21539392A JP H05251371 A JPH05251371 A JP H05251371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- epitaxial layer
- rear surface
- openings
- suppress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハの裏面にエピタキシャル層を形成し、
オートドーピング現象を防止する。 【構成】 ウエハ用ホルダ３に末広がり状の傾斜面３３
を有する開口３１を設け、ウエハ３の裏面にもエピタキ
シャル層が形成されるようにした。
オートドーピング現象を防止する。 【構成】 ウエハ用ホルダ３に末広がり状の傾斜面３３
を有する開口３１を設け、ウエハ３の裏面にもエピタキ
シャル層が形成されるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハの裏面にもエピ
タキシャル層が形成されるようにした半導体装置の製造
方法に関する。
タキシャル層が形成されるようにした半導体装置の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ａｓ等の不純物ドーパントを高濃度に含
有したシリコンウエハにエピタキシャル層を形成する場
合、その形成中にウエハ内部の前記ドーパントがその裏
面から外部に出てエピタキシャル層に取り込まれてしま
うという、いわゆるオートドーピング現象がある。
有したシリコンウエハにエピタキシャル層を形成する場
合、その形成中にウエハ内部の前記ドーパントがその裏
面から外部に出てエピタキシャル層に取り込まれてしま
うという、いわゆるオートドーピング現象がある。
【０００３】このオートドーピングはエピタキシャル層
の抵抗値を変化（一般には減少）する方向に作用するた
め、エピタキシャル層は所望の抵抗値になりにくく、バ
ラツキが生じるものである。
の抵抗値を変化（一般には減少）する方向に作用するた
め、エピタキシャル層は所望の抵抗値になりにくく、バ
ラツキが生じるものである。
【０００４】かかる抵抗値のバラツキを抑える手段とし
て、エピタキシャル層の形成工程に使用する混合ガスと
して従来は比較的低温度のＳｉＨ4 が用いられている。
て、エピタキシャル層の形成工程に使用する混合ガスと
して従来は比較的低温度のＳｉＨ4 が用いられている。
【０００５】もう１つの手段としては、予めウエハの裏
面にＳｉＯ2 或いはポリシリコン等をコーティングする
方法がある。
面にＳｉＯ2 或いはポリシリコン等をコーティングする
方法がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｓ
ｉＨ4 を使う方法では、抵抗値のバラツキは完全には抑
制できない。また、予めウエハの裏面にＳｉＯ2 又はポ
リシリコン等をコーティングする方法は、当然それだけ
余分な工程を必要とする欠点がある。
ｉＨ4 を使う方法では、抵抗値のバラツキは完全には抑
制できない。また、予めウエハの裏面にＳｉＯ2 又はポ
リシリコン等をコーティングする方法は、当然それだけ
余分な工程を必要とする欠点がある。
【０００７】本発明は、エピタキシャル層の抵抗値のバ
ラツキをほぼ完全に無くすことができる半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
ラツキをほぼ完全に無くすことができる半導体装置の製
造方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を
有する開口を設け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が
形成されるようにした。
の製造方法は、ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を
有する開口を設け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が
形成されるようにした。
【０００９】
【実施例】図１は本発明に係る半導体装置の製造方法を
実施するエピタキシャル層の形成装置の説明図、図２は
この形成装置に用いられるウエハ用ホルダの断面図であ
る。
実施するエピタキシャル層の形成装置の説明図、図２は
この形成装置に用いられるウエハ用ホルダの断面図であ
る。
【００１０】１は真空容器、２は前記真空容器１のベー
ス、、３はＳｉＣ等からなるウエハ用ホルダであって、
ウエハ用ホルダ３の下部にはウエハ用ホルダ３を加熱す
るための高周波コイル４ａ及び５ａが設けられている。
５は前記高周波コイル４ａ及び５ａに高周波電力を供給
する高周波電源、１１は混合ガスのインレットであり、
混合ガスは例えばＳｉＣｌ4 やＳｉＣｌ2 Ｈ2 或いはＳ
ｉＨ4 のガスにドーピングガスとしてフォスフィンガス
が混合したものが使用される。すなわち、前記混合ガス
はニードルバルブ７を介してインレット６に送り込まれ
るように構成してある。なお、１２は真空容器１の排気
孔である。
ス、、３はＳｉＣ等からなるウエハ用ホルダであって、
ウエハ用ホルダ３の下部にはウエハ用ホルダ３を加熱す
るための高周波コイル４ａ及び５ａが設けられている。
５は前記高周波コイル４ａ及び５ａに高周波電力を供給
する高周波電源、１１は混合ガスのインレットであり、
混合ガスは例えばＳｉＣｌ4 やＳｉＣｌ2 Ｈ2 或いはＳ
ｉＨ4 のガスにドーピングガスとしてフォスフィンガス
が混合したものが使用される。すなわち、前記混合ガス
はニードルバルブ７を介してインレット６に送り込まれ
るように構成してある。なお、１２は真空容器１の排気
孔である。
【００１１】そして、前記ウエハ用ホルダ３は回転軸３
４により所定の回転数でもって回転されるごとく構成し
てある。
４により所定の回転数でもって回転されるごとく構成し
てある。
【００１２】図２はウエハ用ホルダ３の断面図であり、
これにウエハ８が載置されたところを図示してある。
これにウエハ８が載置されたところを図示してある。
【００１３】ウエハ用ホルダ３は円板状で、ウエハ８の
裏面が露出するように開口３１が複数個設けてあり、そ
の開口３１の形状はウエハ８を載置する段部３２とその
下部分に末広がり状の傾斜面３３が形成してある。特
に、開口３１を末広がり状にしたことで、ウエハ８の裏
面にも混合ガスが集中し易くなるので、ウエハ８の裏面
におけるエピタキシャル層の成長が促進される。
裏面が露出するように開口３１が複数個設けてあり、そ
の開口３１の形状はウエハ８を載置する段部３２とその
下部分に末広がり状の傾斜面３３が形成してある。特
に、開口３１を末広がり状にしたことで、ウエハ８の裏
面にも混合ガスが集中し易くなるので、ウエハ８の裏面
におけるエピタキシャル層の成長が促進される。
【００１４】このように形成したウエハ用ホルダ３を使
用すれば、エピタキシャル層を形成する場合、ウエハ８
の内部から外部に出た不純物ドーパントはウエハ８の裏
面において、エピタキシャル層を形成することになる。
用すれば、エピタキシャル層を形成する場合、ウエハ８
の内部から外部に出た不純物ドーパントはウエハ８の裏
面において、エピタキシャル層を形成することになる。
【００１５】このようにウエハ８の裏面に形成されたエ
ピタキシャル層はさらに外部に出ようとする不純物ドー
パントの放出を抑制する効果があるので、オートドーピ
ング現象を防止する役目を果たす。
ピタキシャル層はさらに外部に出ようとする不純物ドー
パントの放出を抑制する効果があるので、オートドーピ
ング現象を防止する役目を果たす。
【００１６】なお、上述した実施例では、円板状のウエ
ハ用ホルダ３を用いたが、本発明はそれに限定されるこ
となく、例えばバレル形状や縦型、横型等いずれの形状
であってもよい。
ハ用ホルダ３を用いたが、本発明はそれに限定されるこ
となく、例えばバレル形状や縦型、横型等いずれの形状
であってもよい。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る半導体装置の製造方法は、
ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を有する開口を設
け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が形成されるよう
にしたので、有害なるオートドーピング現象を抑制でき
る。一方、ウエハの裏面に形成されたエピタキシャル層
は単にオートドーピング防止の役目をもつものである
故、その膜厚等の管理は特に重要ではない。そして、従
来必要としていたウエハの裏面のＳｉＯ2 或いはポリシ
リコン等のコーティングは不要となる効果を有する。
ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を有する開口を設
け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が形成されるよう
にしたので、有害なるオートドーピング現象を抑制でき
る。一方、ウエハの裏面に形成されたエピタキシャル層
は単にオートドーピング防止の役目をもつものである
故、その膜厚等の管理は特に重要ではない。そして、従
来必要としていたウエハの裏面のＳｉＯ2 或いはポリシ
リコン等のコーティングは不要となる効果を有する。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法を実施する
エピタキシャル層の形成装置の説明図である。
エピタキシャル層の形成装置の説明図である。
【図２】この形成装置に用いられるウエハ用ホルダの断
面図である。
面図である。
３ ウエハ用ホルダ ３１ 開口 ３２ 段部 ３３ 傾斜面
Claims (1)
- 【請求項１】 ウエハ用ホルダに末広がり状の傾斜面を
有する開口を設け、ウエハ裏面にもエピタキシャル層が
形成されるようにしたことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215393A JPH05251371A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4215393A JPH05251371A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251371A true JPH05251371A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=16671576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215393A Pending JPH05251371A (ja) | 1992-07-20 | 1992-07-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251371A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146464A (en) * | 1994-02-25 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| JP2009046377A (ja) * | 2007-05-17 | 2009-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4856581A (ja) * | 1971-10-27 | 1973-08-08 | ||
| JPS5244169A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS62128520A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 |
| JPS6313324A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Rohm Co Ltd | 基板の製造方法 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP4215393A patent/JPH05251371A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4856581A (ja) * | 1971-10-27 | 1973-08-08 | ||
| JPS5244169A (en) * | 1975-10-06 | 1977-04-06 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS62128520A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Kyushu Denshi Kinzoku Kk | 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 |
| JPS6313324A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-01-20 | Rohm Co Ltd | 基板の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146464A (en) * | 1994-02-25 | 2000-11-14 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| JP2009046377A (ja) * | 2007-05-17 | 2009-03-05 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物半導体結晶の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3725598B2 (ja) | エピタキシャルウェハの製造方法 | |
| US11749525B2 (en) | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method | |
| JP2020102533A (ja) | ＳｉＣ化学気相成長装置 | |
| CN1217563A (zh) | 硅基片及其制造方法 | |
| JP2003273037A (ja) | Ｃｖｄ反応器中で半導体ウェーハの表側をエピタキシャル被覆する方法、この種の被覆された半導体ウェーハおよびｃｖｄ反応器用サセプタ | |
| CN118407127A (zh) | 用于硅片的外延生长的基座、装置及方法、外延硅晶圆 | |
| JPH10321361A (ja) | 高周波誘導加熱コイル、半導体製造装置、および高周波誘導加熱コイルの製造方法 | |
| US6776841B2 (en) | Method for fabricating a semiconductor epitaxial wafer having doped carbon and a semiconductor epitaxial wafer | |
| CN1434883A (zh) | 消除自动掺杂和背面晕圈的外延硅晶片 | |
| JPH05251371A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001010894A (ja) | 結晶成長用サセプタとこれを用いた結晶成長装置、およびエピタキシャル・ウェーハとその製造方法 | |
| JP3344205B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハ | |
| JPH10189695A (ja) | 気相成長用サセプタ及びその製造方法 | |
| TWI742550B (zh) | 磊晶生長設備和磊晶生長方法（一） | |
| JPH06151864A (ja) | 半導体基板及びその製造方法 | |
| US6916373B2 (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| JPH0782997B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2000315656A (ja) | エピタキシャルシリコン基板の製造方法 | |
| KR20110087440A (ko) | 반도체 제조용 서셉터 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 | |
| JPH07111958B2 (ja) | 半導体のエピタキシャル成長方法 | |
| JPS60154524A (ja) | エピタキシヤル層の成長法 | |
| JP3184550B2 (ja) | 気相成長方法及びその装置 | |
| JPS6058613A (ja) | エピタキシャル装置 | |
| JPH0817737A (ja) | エピタキシャル成長法及びエピタキシャル成長基板 | |
| JP3277726B2 (ja) | ２段階エピタキシャル成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |