JPS62128520A - 半導体ウエ−ハ及びその製造方法 - Google Patents
半導体ウエ−ハ及びその製造方法Info
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- JPS62128520A JPS62128520A JP26983885A JP26983885A JPS62128520A JP S62128520 A JPS62128520 A JP S62128520A JP 26983885 A JP26983885 A JP 26983885A JP 26983885 A JP26983885 A JP 26983885A JP S62128520 A JPS62128520 A JP S62128520A
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- blocking film
- circumferential surface
- film
- semiconductor wafer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各種半導体装置の基板等として用いられる半導
体ウェーハ及びそのｉ遣方法に関するものである。
体ウェーハ及びそのｉ遣方法に関するものである。
通学エピタキシャルウェーハは不純物を高濃度にドープ
してｐ型、或いはｎ型のいずれかの導電型を備えるよう
構成されることが多い。
してｐ型、或いはｎ型のいずれかの導電型を備えるよう
構成されることが多い。
例えば、導電型をｐ型とする場合には不純物としてボロ
ン（Ｂ）等が、またｎ型とする場合にはリン（Ｐ）、ア
ンチモン（Ｓｂ）、ヒ素（Ａｓ）等が夫々シリコンウェ
ーハに高濃度にドープされる。しかしこのようなドープ
されたウェーハ上にシリコンをエピタキシャル成長させ
るべくウェーハを高温（１０００〜１２００℃）に加熱
したような場合、Ｂ。
ン（Ｂ）等が、またｎ型とする場合にはリン（Ｐ）、ア
ンチモン（Ｓｂ）、ヒ素（Ａｓ）等が夫々シリコンウェ
ーハに高濃度にドープされる。しかしこのようなドープ
されたウェーハ上にシリコンをエピタキシャル成長させ
るべくウェーハを高温（１０００〜１２００℃）に加熱
したような場合、Ｂ。
Ｐ、 Ｓｂ、 Ａｓ等が基板ウェーハから飛び出し、エ
ピタキシャル成長層中に入る、所謂オートドープ現象が
発生して電気的特性を変化させてしまうことが知られて
いる。
ピタキシャル成長層中に入る、所謂オートドープ現象が
発生して電気的特性を変化させてしまうことが知られて
いる。
ウェーハからのＢ、 Ｐ、 Ｓｂ、 Ａｓ等の飛び出
しは表面側はエピタキシャル成長層の形成によって抑制
されるので、主としてウェーハの周面及び裏面側からで
ある。そこで従来にあってはこの部分にオートドープを
防止するためにブロッキング膜として５ｉＯｚ及び／又
はＳｉ３Ｎ＋等の膜を形成する方法が採られている。
しは表面側はエピタキシャル成長層の形成によって抑制
されるので、主としてウェーハの周面及び裏面側からで
ある。そこで従来にあってはこの部分にオートドープを
防止するためにブロッキング膜として５ｉＯｚ及び／又
はＳｉ３Ｎ＋等の膜を形成する方法が採られている。
第７図は従来のウェーハにエピタキシャル層を形成する
過程の説明図であり、第７図（イ）に示す如く円板形ウ
ェーハｌの周縁部を取扱い時の欠損等を防止するため上
、下から面取りして周面を傾斜面１ａ、 ｌｂ及びこの
間の弧状部ＩＣからなるよう形成し、化学的エツチング
にてダメージ層を除去した後、常圧ＣｖＤ法、熟酸化法
にてウェーハ１にブロッキング膜を形成する。第７図（
ロ）は常圧ＣＶＤ法に依って、また第７図（口′）は熱
酸化法に依って５ｉ０２及び／又はＳｉ３Ｎ４裂のブロ
ッキング膜を１又は２層積層形成した場合を夫々示して
いる。常圧ＣＶＤ法に依った場合、ブロッキング膜はウ
ェーハｌの主面では薄くなり、熱酸化法に依った場合は
全面に亘って略一様な厚さとなる。
過程の説明図であり、第７図（イ）に示す如く円板形ウ
ェーハｌの周縁部を取扱い時の欠損等を防止するため上
、下から面取りして周面を傾斜面１ａ、 ｌｂ及びこの
間の弧状部ＩＣからなるよう形成し、化学的エツチング
にてダメージ層を除去した後、常圧ＣｖＤ法、熟酸化法
にてウェーハ１にブロッキング膜を形成する。第７図（
ロ）は常圧ＣＶＤ法に依って、また第７図（口′）は熱
酸化法に依って５ｉ０２及び／又はＳｉ３Ｎ４裂のブロ
ッキング膜を１又は２層積層形成した場合を夫々示して
いる。常圧ＣＶＤ法に依った場合、ブロッキング膜はウ
ェーハｌの主面では薄くなり、熱酸化法に依った場合は
全面に亘って略一様な厚さとなる。
ブロッキング膜２の形成が終了すると、ウェーハ１の主
面にポリッシングを施し、主面上に形成されたブロッキ
ング膜２を研磨除去すると共に主面を鏡面に仕上げる。
面にポリッシングを施し、主面上に形成されたブロッキ
ング膜２を研磨除去すると共に主面を鏡面に仕上げる。
これによって第７図（ハ）に示す如く裏側全面及び周面
のうち主面側の傾斜面１ａの略半分を除く部分にブロッ
キング膜２を付着させたウェーハ１を得る。このような
ウェーハ１の主面に第７図（ニ）に示す如くエピタキシ
ャル層３を形成する。
のうち主面側の傾斜面１ａの略半分を除く部分にブロッ
キング膜２を付着させたウェーハ１を得る。このような
ウェーハ１の主面に第７図（ニ）に示す如くエピタキシ
ャル層３を形成する。
ところで上述の如くして得たブロッキング膜２を有する
ウェーハｌを用いてその主面上にシリコンのエピタキシ
ャル成長を行うと、た゛しかにウェーハ１の主面にエピ
タキシャル層３が形成されてゆ（過程ではウェーハ１の
周面及び裏面にはブロッキング膜２が形成されているた
め、ウェー７１１からエピタキシャルＮ３へのオートド
ープは著しく抑制され、エピタキシャル層３自体の品質
の向上は図れる。
ウェーハｌを用いてその主面上にシリコンのエピタキシ
ャル成長を行うと、た゛しかにウェーハ１の主面にエピ
タキシャル層３が形成されてゆ（過程ではウェーハ１の
周面及び裏面にはブロッキング膜２が形成されているた
め、ウェー７１１からエピタキシャルＮ３へのオートド
ープは著しく抑制され、エピタキシャル層３自体の品質
の向上は図れる。
第８図はブロッキング膜を形成した場合（実線）と形成
しない場合（破線）とにおけるオートドープの程度をＳ
Ｒ（スプレディングレジスタンス）の検査結果として示
すグラフであり、横軸にエピタキシャル層表面からの深
さを、また縦軸に不純物濃度（対数任意単位）をとって
示してあり、エピタキシャル層における不純物濃度はブ
ロッキング膜を形成することによって格段に低減せしめ
られていることが解る。
しない場合（破線）とにおけるオートドープの程度をＳ
Ｒ（スプレディングレジスタンス）の検査結果として示
すグラフであり、横軸にエピタキシャル層表面からの深
さを、また縦軸に不純物濃度（対数任意単位）をとって
示してあり、エピタキシャル層における不純物濃度はブ
ロッキング膜を形成することによって格段に低減せしめ
られていることが解る。
しかし反面においては第７図（ニ）からも明らかなよう
にウェーハ１の主面へのエピタキシャル成長過程で、反
応ガス中のシリコンがポリシリコンとしてブロッキング
ｌｌ１１２、特にウェーハ１の周面部上に多数塊粒状に
生成され、この塊粒状シリコン３ａが半導体デバイス（
ｊ！！品）の製造過程でブロッキング膜の表面から脱落
し、エピタキシャル層３表面等に付着して汚染の原因と
なり、歩留を低下させるという問題があった。
にウェーハ１の主面へのエピタキシャル成長過程で、反
応ガス中のシリコンがポリシリコンとしてブロッキング
ｌｌ１１２、特にウェーハ１の周面部上に多数塊粒状に
生成され、この塊粒状シリコン３ａが半導体デバイス（
ｊ！！品）の製造過程でブロッキング膜の表面から脱落
し、エピタキシャル層３表面等に付着して汚染の原因と
なり、歩留を低下させるという問題があった。
第９図（イ）は第７図（ニ）の■−■線による顕微鏡写
真図、また第９図（ロ）は第７図（ニ）の■′−■′線
による顕微鏡写真図である。これかられかるように周面
のブロッキング膜表面にはＳｉの塊粒状物が多数生成さ
れている。
真図、また第９図（ロ）は第７図（ニ）の■′−■′線
による顕微鏡写真図である。これかられかるように周面
のブロッキング膜表面にはＳｉの塊粒状物が多数生成さ
れている。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところはＳｉの塊粒状物が周面のブロッキ
ング膜上に形成されることに着目して、ウェーハの周面
、更にはオートドープの影響が許容できる範囲内で裏面
のブロッキング膜を可及的に広範囲に除去することによ
ってＳｔ塊粒状物の生成が殆どなく、これに起因する汚
染を防止出来て、歩留の大幅な向上を図り得るようにし
た半導体ウェーハ及びその製造方法を提供するにある。
の目的とするところはＳｉの塊粒状物が周面のブロッキ
ング膜上に形成されることに着目して、ウェーハの周面
、更にはオートドープの影響が許容できる範囲内で裏面
のブロッキング膜を可及的に広範囲に除去することによ
ってＳｔ塊粒状物の生成が殆どなく、これに起因する汚
染を防止出来て、歩留の大幅な向上を図り得るようにし
た半導体ウェーハ及びその製造方法を提供するにある。
本発明に係る半導体ウェーハは、その周縁部を除く裏面
にオートドープ防止用のブロッキング膜を有しているこ
とを特徴とする。
にオートドープ防止用のブロッキング膜を有しているこ
とを特徴とする。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明に係る半導体ウェーハ（以下本
発明品という）の断面構造図であり、図中ｌはＳｉ製の
半導体ウェーハ（以下単にウェーハという）を示してい
る。ウェーハ１の周面は上、下から周縁部の面取りをし
て傾斜面１ａ、Ｉｂ及びこの両頭斜面１ａ、 ｌｂの外
端縁を結ぶ略円弧状をなす弧状部ＩＣからなり、また裏
面には下側の傾斜面１ｂの端縁部から数龍（３ｆｌ程度
）中心側に寄った位置までを除く裏側全面にブロッキン
グ膜２が付着せしめられている。ブロッキング膜は５ｉ
０２（又は５ｉ３Ｎ４）製であって厚さは０．１〜１μ
鰯程度である。このブロッキング膜２の形成域は必ずし
も上述の範囲に限るものではな（、Ｓｉの塊粒状物が形
成され易いウェーハの周面、即ち傾斜面１ａ＋ ｌｂ及
び弧状部ＩＣ１を除くウェーハ１の裏側であって、オー
トドープの影響が許容できる範囲であればよい。なおブ
ロッキング膜２の領域を過小にするとオートドープ現象
が発生して電気特性を変えてしまうことになるので好ま
しくない。
明する。第１図は本発明に係る半導体ウェーハ（以下本
発明品という）の断面構造図であり、図中ｌはＳｉ製の
半導体ウェーハ（以下単にウェーハという）を示してい
る。ウェーハ１の周面は上、下から周縁部の面取りをし
て傾斜面１ａ、Ｉｂ及びこの両頭斜面１ａ、 ｌｂの外
端縁を結ぶ略円弧状をなす弧状部ＩＣからなり、また裏
面には下側の傾斜面１ｂの端縁部から数龍（３ｆｌ程度
）中心側に寄った位置までを除く裏側全面にブロッキン
グ膜２が付着せしめられている。ブロッキング膜は５ｉ
０２（又は５ｉ３Ｎ４）製であって厚さは０．１〜１μ
鰯程度である。このブロッキング膜２の形成域は必ずし
も上述の範囲に限るものではな（、Ｓｉの塊粒状物が形
成され易いウェーハの周面、即ち傾斜面１ａ＋ ｌｂ及
び弧状部ＩＣ１を除くウェーハ１の裏側であって、オー
トドープの影響が許容できる範囲であればよい。なおブ
ロッキング膜２の領域を過小にするとオートドープ現象
が発生して電気特性を変えてしまうことになるので好ま
しくない。
ブロッキング膜２の材質は５ｉ０２膜のみに限るもので
はなく、Ｓｉ３Ｎ４膜、或いは５ｉ０２ 、 Ｓｉ３
Ｎ４夫々を材料とする２つの膜を積層形成して構成して
もよい。
はなく、Ｓｉ３Ｎ４膜、或いは５ｉ０２ 、 Ｓｉ３
Ｎ４夫々を材料とする２つの膜を積層形成して構成して
もよい。
第２図は上記した本発明品の製造工程を示す模式図であ
り、先ず第２図（イ）に示す如く、ウェーハ１はその周
囲を面取りして傾斜面１ａ、 ｌｂ及び弧状部１ｃを形
成しておき、これに第２図（ロ）。
り、先ず第２図（イ）に示す如く、ウェーハ１はその周
囲を面取りして傾斜面１ａ、 ｌｂ及び弧状部１ｃを形
成しておき、これに第２図（ロ）。
（口′）に示す如くブロッキング膜２を付着せしめる。
例えば常圧ＣＶＤ法に依る場合はウェーハｌの主面１ｄ
を下側にして反応炉内のバンド（図示せず）上に配置し
、ウェーハ１を加熱して上側に向けた下面及び傾斜面１
ａ、 ｌｂ、弧状部１ｃを含む周面に５ｉ０２ （及
び／又は５ｉ３Ｎ４）を所要厚さく０．１〜１．０μ＋
ｗ）に付着せしめる。常圧ＣＶＤ法による場合はパッド
とウェーハ１の主面１ｄとの間には僅かであるが、隙間
が形成されるためブロッキング膜２は第２図（ロ）に示
す如くウェーハ１の裏面。
を下側にして反応炉内のバンド（図示せず）上に配置し
、ウェーハ１を加熱して上側に向けた下面及び傾斜面１
ａ、 ｌｂ、弧状部１ｃを含む周面に５ｉ０２ （及
び／又は５ｉ３Ｎ４）を所要厚さく０．１〜１．０μ＋
ｗ）に付着せしめる。常圧ＣＶＤ法による場合はパッド
とウェーハ１の主面１ｄとの間には僅かであるが、隙間
が形成されるためブロッキング膜２は第２図（ロ）に示
す如くウェーハ１の裏面。
周面ば勿論、主面１ｄにも薄く形成されることとなる。
なお、常圧ＣＶＤ法に代えて熱酸化法によって形成して
もよく、この場合は第２図（口′）に示す如くウェーハ
１の全表面にわたって略均−にブロッキング膜２が形成
されることとなる。
もよく、この場合は第２図（口′）に示す如くウェーハ
１の全表面にわたって略均−にブロッキング膜２が形成
されることとなる。
ブロッキング膜２の形成を終了した基板１は第２図（ハ
）、（ハ′）に示す如くウェーハｌの少なくとも傾斜面
１ａ、 ｌｂ及び弧状部１ｃを含む周面、又はこれを越
えて更にウェーハ１の裏面の周縁部、即ち端縁部から中
心側にＯ〜５鶴程度迄に形成されているブロッキング膜
２を除去する。第３．４図は上述した部分のブロッキン
グ膜２の除去方法を示す模式図であり、第３図は化学エ
ツチング法、第４図は機械研磐法による場合を示してい
る。
）、（ハ′）に示す如くウェーハｌの少なくとも傾斜面
１ａ、 ｌｂ及び弧状部１ｃを含む周面、又はこれを越
えて更にウェーハ１の裏面の周縁部、即ち端縁部から中
心側にＯ〜５鶴程度迄に形成されているブロッキング膜
２を除去する。第３．４図は上述した部分のブロッキン
グ膜２の除去方法を示す模式図であり、第３図は化学エ
ツチング法、第４図は機械研磐法による場合を示してい
る。
第３図はウェーハ１を回転駆動軸１１のチャック１２に
固定し、駆動軸１１回りに回転させつつウェーハ１の周
面を含む除去すべきブロッキング膜２表面に、エツチン
グ液を浸み込ませた不織布１３を内蔵するヘッド１４を
押し当ててウェーハ１の周面及び一部表、裏面にわたる
ブロッキング膜２を除去し、第２図（ハ）に示す如く周
面及び周縁部を除く主面、裏面にブロッキング膜２を残
したウェーハ１を得る。
固定し、駆動軸１１回りに回転させつつウェーハ１の周
面を含む除去すべきブロッキング膜２表面に、エツチン
グ液を浸み込ませた不織布１３を内蔵するヘッド１４を
押し当ててウェーハ１の周面及び一部表、裏面にわたる
ブロッキング膜２を除去し、第２図（ハ）に示す如く周
面及び周縁部を除く主面、裏面にブロッキング膜２を残
したウェーハ１を得る。
第４図に示す機械的研磨法はウェーハ１を同じく回転駆
動軸１１のチャック１２に固定し、ウェーハｌを回転さ
せつつポリッシング砥石１５をウェーハ１の周面におけ
る傾斜面１ａ＋弧状部１ｃ、 傾斜面１ｂ。
動軸１１のチャック１２に固定し、ウェーハｌを回転さ
せつつポリッシング砥石１５をウェーハ１の周面におけ
る傾斜面１ａ＋弧状部１ｃ、 傾斜面１ｂ。
更には主面、裏面の周縁部にわたるよう移動させてブロ
ッキング膜２を除去するようになっている。
ッキング膜２を除去するようになっている。
次に裏面及び主面にブロッキングＩ！１ｉ１２を付着さ
せた状態のウェーハ１の主面ｌｄ側に鏡面加工を施し、
主面１ｄに形成されているブロッキング膜２を除去する
と共に、主面１ｄを鏡面に仕上げて第１図に示す如き本
発明品を得る。なお上述の実施例ではウェーハエの周面
に対するプロンキング膜の除去を行った後、主面１ｄに
対する鏡面加工を行う場合につき説明したが、先に主面
１ｄに対する鏡面加工を施すこととしてもよい。
せた状態のウェーハ１の主面ｌｄ側に鏡面加工を施し、
主面１ｄに形成されているブロッキング膜２を除去する
と共に、主面１ｄを鏡面に仕上げて第１図に示す如き本
発明品を得る。なお上述の実施例ではウェーハエの周面
に対するプロンキング膜の除去を行った後、主面１ｄに
対する鏡面加工を行う場合につき説明したが、先に主面
１ｄに対する鏡面加工を施すこととしてもよい。
第５図は上述の如くして得た第１図に示す如きｉ：ｒ−
−ハｌの主面ｌａ上にエピタキシャルＮヲＨＩＦｇ形成
した状態の模式的断面図であり、図中３はエピタキシャ
ル層を示している。他の部分は第１図に示す実施例と同
じであり、対応する部分には同じ番号を付して説明を省
略する。
−ハｌの主面ｌａ上にエピタキシャルＮヲＨＩＦｇ形成
した状態の模式的断面図であり、図中３はエピタキシャ
ル層を示している。他の部分は第１図に示す実施例と同
じであり、対応する部分には同じ番号を付して説明を省
略する。
第６図（イ）は第５図に示す如き本発明品の周縁部をＶ
−Ｖ線側から撮影した顕微鏡写真、第６図（ロ）は同じ
く本発明品の主面にエピタキシャル成長層を形成した状
態の周面をｖ’−ｖ’線側から撮影した顕微鏡写真を示
している。
−Ｖ線側から撮影した顕微鏡写真、第６図（ロ）は同じ
く本発明品の主面にエピタキシャル成長層を形成した状
態の周面をｖ’−ｖ’線側から撮影した顕微鏡写真を示
している。
これら各写真から明らかなように、従来品にあっては第
９図（ロ）に示す如く塊粒状シリコン３ａがウェーハ周
面に多数形成されているが、本発明品には第６図（ロ）
に示す如＜Ｓｔ塊粒が全（生成されていないことが解る
。
９図（ロ）に示す如く塊粒状シリコン３ａがウェーハ周
面に多数形成されているが、本発明品には第６図（ロ）
に示す如＜Ｓｔ塊粒が全（生成されていないことが解る
。
〔効果〕
以上の如く本発明品及び本発明方法にあってはブロッキ
ング膜をウェーハの裏面にのみ形成しであるからエピタ
キシャル成長を行う過程で反応ガスがウェーハ周面と接
触してもＳｉ塊粒が生成されることがなく、従って半導
体デバイスの製造工程において塊粒状シリコンがウェー
ハ表面から親藩しウェーハ土面に付着して汚染の原因と
なることがないという優れた効果を奏するものである。
ング膜をウェーハの裏面にのみ形成しであるからエピタ
キシャル成長を行う過程で反応ガスがウェーハ周面と接
触してもＳｉ塊粒が生成されることがなく、従って半導
体デバイスの製造工程において塊粒状シリコンがウェー
ハ表面から親藩しウェーハ土面に付着して汚染の原因と
なることがないという優れた効果を奏するものである。
第１図は本発明品の断面図、第２図は本発明方法の製造
過程を示す説明図、第３．４図はウェーハに形成したブ
ロッキング膜の除去方法の実施状態を示す模式図、第５
図は第１図に示すウェーハ上にエピタキシャル層を形成
したときの断面図、第６図（イ）は第５図のＶ−Ｖ線方
向からみた顕微鏡写真図、第６図（ロ）は第５図のｖ’
−ｖ’線からみた顕微鏡写真図、第７図は従来品の製造
工程を示す説明図、第８図はウェーハからエピタキシャ
ル層への不純物の拡散状態を示すグラフ、第９図（イ）
は第７図（ニ）の■−■線による顕微鏡写真図、第９図
（ロ）は第７図（ニ）の■′−■′線による顕微鏡写真
図である。 １・・・ウェーハ ｌａ、 ｌｂ・・・傾斜面 １ｃ・
・・弧状部２・・・ブロッキング膜 ３・・・エピタキ
シャル層特 許 出願人 九州電子金屈株式会社代理
人 弁理士 河 野 登 夫算 １ 因 ！ （イｌ ｌｂ ＄ ２ 図 算 ３ 凹 ＄ ４ 図 箒 ５ 悶 図面の浄ＩＦ（内η 一−１ｏｏ、ｇ鴎−一 （ロ） に変更なし） （イ） 第 ９ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２６’１８３８号 ２、発明の名称 半導体ウェーハ及びその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 佐賀県杵島郡江北町大字上小田２２０１番地名
称 九州電子金属株式会社 代表者 池 島 俊 雄 ４、代理人 〒５４３ 住 所 大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番２２号
日進ビル２０７号 河畔特許事務所（電話０６−７７９−３０８８ ）昭和
６１年２月５日（発送日６１． ２．２５）「図面の簡
単な説明」の欄及び図面 ７、ｉ＃正の内容 ７−１「図面の簡単な説明」の欄 （１１明細書の第１２頁１３行目乃至１５行目に［第６
図（イ）は・・・顕微鏡写真図、」とあるを次のとおり
に訂正する。 「第６図（イ）は第５図のＶ−Ｖ線方向からみた模式的
部分平面図、第６図（ロ）は第５図のＶ′−ｖ’線の方
向からみた模式的部分側面図、」（２） 第１２頁１
８行目乃至２０行目に「第９図（イ）は・・・顕微鏡写
真図」とあるを、次のとおりに訂正する。 「第９図（イ）は第７図（ニ）の■−■線方向からみた
模式的部分平面図、第９図（ロ）は第７図（ニ）の■′
−■′線の方向からみた。模式的部分側面図」 ７−２図面 第６，９図を別紙のとおりに訂正する。 ８、 添付Ｗ頬の目録 （１） 訂正図面 １通手続
補正書（自発） 昭和６１年３月４日
過程を示す説明図、第３．４図はウェーハに形成したブ
ロッキング膜の除去方法の実施状態を示す模式図、第５
図は第１図に示すウェーハ上にエピタキシャル層を形成
したときの断面図、第６図（イ）は第５図のＶ−Ｖ線方
向からみた顕微鏡写真図、第６図（ロ）は第５図のｖ’
−ｖ’線からみた顕微鏡写真図、第７図は従来品の製造
工程を示す説明図、第８図はウェーハからエピタキシャ
ル層への不純物の拡散状態を示すグラフ、第９図（イ）
は第７図（ニ）の■−■線による顕微鏡写真図、第９図
（ロ）は第７図（ニ）の■′−■′線による顕微鏡写真
図である。 １・・・ウェーハ ｌａ、 ｌｂ・・・傾斜面 １ｃ・
・・弧状部２・・・ブロッキング膜 ３・・・エピタキ
シャル層特 許 出願人 九州電子金屈株式会社代理
人 弁理士 河 野 登 夫算 １ 因 ！ （イｌ ｌｂ ＄ ２ 図 算 ３ 凹 ＄ ４ 図 箒 ５ 悶 図面の浄ＩＦ（内η 一−１ｏｏ、ｇ鴎−一 （ロ） に変更なし） （イ） 第 ９ 図 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和６０年特許願第２６’１８３８号 ２、発明の名称 半導体ウェーハ及びその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 佐賀県杵島郡江北町大字上小田２２０１番地名
称 九州電子金属株式会社 代表者 池 島 俊 雄 ４、代理人 〒５４３ 住 所 大阪市天王寺区四天王寺１丁目１４番２２号
日進ビル２０７号 河畔特許事務所（電話０６−７７９−３０８８ ）昭和
６１年２月５日（発送日６１． ２．２５）「図面の簡
単な説明」の欄及び図面 ７、ｉ＃正の内容 ７−１「図面の簡単な説明」の欄 （１１明細書の第１２頁１３行目乃至１５行目に［第６
図（イ）は・・・顕微鏡写真図、」とあるを次のとおり
に訂正する。 「第６図（イ）は第５図のＶ−Ｖ線方向からみた模式的
部分平面図、第６図（ロ）は第５図のＶ′−ｖ’線の方
向からみた模式的部分側面図、」（２） 第１２頁１
８行目乃至２０行目に「第９図（イ）は・・・顕微鏡写
真図」とあるを、次のとおりに訂正する。 「第９図（イ）は第７図（ニ）の■−■線方向からみた
模式的部分平面図、第９図（ロ）は第７図（ニ）の■′
−■′線の方向からみた。模式的部分側面図」 ７−２図面 第６，９図を別紙のとおりに訂正する。 ８、 添付Ｗ頬の目録 （１） 訂正図面 １通手続
補正書（自発） 昭和６１年３月４日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、その周縁部を除く裏面にオートドープ防止用のブロ
ッキング膜を備えることを特徴とする半導体ウェーハ。 ２、前記オートドープ防止用のブロッキング膜が、シリ
コンの酸化膜、窒化膜、又は酸化膜と窒化膜の複合二層
構造よりなる膜である特許請求の範囲第１項記載の半導
体ウェーハ。 ３、その周縁部を除く裏面にオートドープ防止用のブロ
ッキング膜を備え、主面にはエピタキシャル層を成長せ
しめてなることを特徴とする半導体ウェーハ。 ４、前記オートドープ防止用のブロッキング膜が、シリ
コンの酸化膜、窒化膜、又は酸化膜と窒化膜の複合二層
構造よりなる膜である特許請求の範囲第３項記載の半導
体ウェーハ。 ５、半導体ウェーハの主面を除く、表面の一部にオート
ドープ防止用のブロッキング膜を形成した円盤状の半導
体ウェーハを製造する方法において、少なくとも半導体
ウェーハの主面と反対側の裏側の全面及び周面に亘って
ブロッキング膜を形成する工程と、前記周面のブロッキ
ング膜を除去する工程とを有することを特徴とする半導
体ウェーハの製造方法。
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