JPH05251374A - バッチ式拡散・ｃｖｄ装置、それに用いる廃ガス導出部材、及び排気方法 - Google Patents
バッチ式拡散・ｃｖｄ装置、それに用いる廃ガス導出部材、及び排気方法Info
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- JPH05251374A JPH05251374A JP8494792A JP8494792A JPH05251374A JP H05251374 A JPH05251374 A JP H05251374A JP 8494792 A JP8494792 A JP 8494792A JP 8494792 A JP8494792 A JP 8494792A JP H05251374 A JPH05251374 A JP H05251374A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バッチ式拡散・ＣＶＤ装置において、複数の
基板上に、均一な成分・組成の薄膜を均一な膜厚で形成
できるようにする。 【構成】 上端部に原料ガス供給管１１を接続した縦型
円筒状の反応槽本体１３1 の下端部に、有底円筒状の多
孔部材４を同心状に設けた廃ガス導出部材１３2 を接合
する。多孔部材４の通気孔４1 の開口面積は、廃ガス排
出管１２の接続口１２1 からの距離の長、短に応じてそ
れぞれ大、小に設定する。多孔部材４の整流作用によ
り、原料ガスが反応槽１３内に均等に分散されて流過す
る。
基板上に、均一な成分・組成の薄膜を均一な膜厚で形成
できるようにする。 【構成】 上端部に原料ガス供給管１１を接続した縦型
円筒状の反応槽本体１３1 の下端部に、有底円筒状の多
孔部材４を同心状に設けた廃ガス導出部材１３2 を接合
する。多孔部材４の通気孔４1 の開口面積は、廃ガス排
出管１２の接続口１２1 からの距離の長、短に応じてそ
れぞれ大、小に設定する。多孔部材４の整流作用によ
り、原料ガスが反応槽１３内に均等に分散されて流過す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、膜としたい元素を含む
原料ガスを所定温度に加熱された基板表面に送り、分
解、酸化、還元、置換などの化学反応により薄膜を形成
させるか、あるいは更に拡散工程を行うためのバッチ式
拡散・ＣＶＤ装置、それに用いる廃ガス導出部材に関す
る。
原料ガスを所定温度に加熱された基板表面に送り、分
解、酸化、還元、置換などの化学反応により薄膜を形成
させるか、あるいは更に拡散工程を行うためのバッチ式
拡散・ＣＶＤ装置、それに用いる廃ガス導出部材に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】バッチ式拡散・ＣＶＤ装置は、例えば半
導体製造用に使用されており、その具体例として例え
ば、図６に示す減圧方式による縦型拡散炉タイプのもの
が知られている。この装置は、上端部に原料ガス供給管
１１、下端部に廃ガス排出管１２を接続した縦型円筒状
の反応槽１３内に、基板（図示せず）を搭載したボート
１４と、このボート１４の下方に保温筒１５を設けると
共に、反応槽１３の周壁を囲むヒータ（図示せず）を設
けたものである。
導体製造用に使用されており、その具体例として例え
ば、図６に示す減圧方式による縦型拡散炉タイプのもの
が知られている。この装置は、上端部に原料ガス供給管
１１、下端部に廃ガス排出管１２を接続した縦型円筒状
の反応槽１３内に、基板（図示せず）を搭載したボート
１４と、このボート１４の下方に保温筒１５を設けると
共に、反応槽１３の周壁を囲むヒータ（図示せず）を設
けたものである。
【０００３】この装置では、原料調整装置（図示せず）
からの原料ガスが原料ガス供給管１１を介して反応槽１
３に導入され、基板上に反応生成物として析出すること
により薄膜が形成され、廃ガスは廃ガス排出管１２を介
して排気装置（図示せず）に排出される。
からの原料ガスが原料ガス供給管１１を介して反応槽１
３に導入され、基板上に反応生成物として析出すること
により薄膜が形成され、廃ガスは廃ガス排出管１２を介
して排気装置（図示せず）に排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のバッチ式拡散・ＣＶＤ装置では、原料ガス供給口、
廃ガス排出口がそれぞれ１個所であるため、原料ガスが
反応槽１３内に均等に分散して流過することができず、
ガスの流れが廃ガス排出口側の上下方向に集中する結
果、薄膜膜厚の基板内ムラについてみると上記排出口側
に位置する部分が厚くなり易いばかりでなく、基板間の
膜厚ムラも大きくなってしまい、またガス流が不均一で
あるため反応槽１３内の温度分布も不均一となり、基板
面上の反応生成物の成分・組成にもムラが発生し易いと
いう問題があった。
来のバッチ式拡散・ＣＶＤ装置では、原料ガス供給口、
廃ガス排出口がそれぞれ１個所であるため、原料ガスが
反応槽１３内に均等に分散して流過することができず、
ガスの流れが廃ガス排出口側の上下方向に集中する結
果、薄膜膜厚の基板内ムラについてみると上記排出口側
に位置する部分が厚くなり易いばかりでなく、基板間の
膜厚ムラも大きくなってしまい、またガス流が不均一で
あるため反応槽１３内の温度分布も不均一となり、基板
面上の反応生成物の成分・組成にもムラが発生し易いと
いう問題があった。
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的は、反応槽内に原料ガスを均等に分散
流過させることにより、基板内及び基板間の薄膜膜厚ム
ラを大幅に減少させることができると共に、薄膜の成分
・組成を均一化することが可能なバッチ式拡散・ＣＶＤ
装置を提供することにある。
であり、その目的は、反応槽内に原料ガスを均等に分散
流過させることにより、基板内及び基板間の薄膜膜厚ム
ラを大幅に減少させることができると共に、薄膜の成分
・組成を均一化することが可能なバッチ式拡散・ＣＶＤ
装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に対応するバッ
チ式拡散・ＣＶＤ装置は、原料ガス供給管及び廃ガス排
出管を接続した槽内に基板を収納し、原料ガス構成物質
またはその反応生成物を基板上に析出させるかあるいは
析出後析出物の構成原子を拡散させるようにしたバッチ
式拡散・ＣＶＤ装置であって、前記槽内と廃ガス排出管
接続口とを、通気孔を多数形成した多孔部材により仕切
ってなり、この通気孔の開口面積は、廃ガス排出管接続
口からの距離の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定し
たことを特徴とする。
チ式拡散・ＣＶＤ装置は、原料ガス供給管及び廃ガス排
出管を接続した槽内に基板を収納し、原料ガス構成物質
またはその反応生成物を基板上に析出させるかあるいは
析出後析出物の構成原子を拡散させるようにしたバッチ
式拡散・ＣＶＤ装置であって、前記槽内と廃ガス排出管
接続口とを、通気孔を多数形成した多孔部材により仕切
ってなり、この通気孔の開口面積は、廃ガス排出管接続
口からの距離の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定し
たことを特徴とする。
【０００７】請求項２に対応するバッチ式拡散・ＣＶＤ
装置は、原料ガス供給管及び廃ガス排出管を接続した槽
内に基板を収納し、原料ガス構成物質またはその反応生
成物を基板上に析出させるかあるいは析出後析出物の構
成原子を拡散させるようにしたバッチ式拡散・ＣＶＤ装
置であって、前記槽内と原料ガス供給管接続口とを、通
気孔を多数形成した多孔部材により仕切ってなり、この
通気孔の開口面積は、原料ガス供給管接続口からの距離
の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定したことを特徴
とする。
装置は、原料ガス供給管及び廃ガス排出管を接続した槽
内に基板を収納し、原料ガス構成物質またはその反応生
成物を基板上に析出させるかあるいは析出後析出物の構
成原子を拡散させるようにしたバッチ式拡散・ＣＶＤ装
置であって、前記槽内と原料ガス供給管接続口とを、通
気孔を多数形成した多孔部材により仕切ってなり、この
通気孔の開口面積は、原料ガス供給管接続口からの距離
の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定したことを特徴
とする。
【０００８】請求項３に対応する廃ガス導出部材は、バ
ッチ式拡散・ＣＶＤ装置の槽と連結するためのフランジ
と、廃ガス排出管接続口と、通気孔を多数形成した多孔
部材とを備えてなり、かつ、槽との連結時に該多孔部材
は槽内と廃ガス排出管接続口とを仕切り、かつ、槽と通
気孔と廃ガス排出管接続口とが一連の通気路を形成する
ことを特徴とする。
ッチ式拡散・ＣＶＤ装置の槽と連結するためのフランジ
と、廃ガス排出管接続口と、通気孔を多数形成した多孔
部材とを備えてなり、かつ、槽との連結時に該多孔部材
は槽内と廃ガス排出管接続口とを仕切り、かつ、槽と通
気孔と廃ガス排出管接続口とが一連の通気路を形成する
ことを特徴とする。
【０００９】請求項４に対応する排気方法は、原料ガス
供給管及び廃ガス排出管を接続した槽内に基板を収納
し、原料ガス構成物質またはその反応生成物を基板上に
析出させるかあるいは析出後析出物の構成原子を拡散さ
せるようにしたバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の排気方法で
あって、前記槽内と廃ガス排出管接続口とを、通気孔を
多数形成した多孔部材により仕切り、この通気口の開口
面積は、廃ガス排出管接続口からの距離の長、短に応じ
てそれぞれ大、小に設定し、原料ガス供給管から通気孔
を経て廃ガス排出管に至る流路にそってガス流を形成さ
せることを特徴とする。
供給管及び廃ガス排出管を接続した槽内に基板を収納
し、原料ガス構成物質またはその反応生成物を基板上に
析出させるかあるいは析出後析出物の構成原子を拡散さ
せるようにしたバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の排気方法で
あって、前記槽内と廃ガス排出管接続口とを、通気孔を
多数形成した多孔部材により仕切り、この通気口の開口
面積は、廃ガス排出管接続口からの距離の長、短に応じ
てそれぞれ大、小に設定し、原料ガス供給管から通気孔
を経て廃ガス排出管に至る流路にそってガス流を形成さ
せることを特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１に対応するバッチ式拡散・ＣＶＤ装置
においては、多孔部材に形成された通気孔の開口面積
が、廃ガス排出管接続口からの距離の長、短に応じてそ
れぞれ大、小となっていて、廃ガスが各通気孔から均等
な排気圧で導出されるため、反応槽内の原料ガス流が均
等化されると共に、槽内の温度分布も均一となる。
においては、多孔部材に形成された通気孔の開口面積
が、廃ガス排出管接続口からの距離の長、短に応じてそ
れぞれ大、小となっていて、廃ガスが各通気孔から均等
な排気圧で導出されるため、反応槽内の原料ガス流が均
等化されると共に、槽内の温度分布も均一となる。
【００１１】請求項２に対応するバッチ式拡散・ＣＶＤ
装置においては、多孔部材に形成された通気孔の開口面
積が、原料ガス供給管接続口からの距離の長、短に応じ
てそれぞれ大、小となっており、原料ガスが各通気孔か
ら均等の供給圧で導入されるため、反応槽内の原料ガス
流が均等化され、槽内の温度分布も均一となる。
装置においては、多孔部材に形成された通気孔の開口面
積が、原料ガス供給管接続口からの距離の長、短に応じ
てそれぞれ大、小となっており、原料ガスが各通気孔か
ら均等の供給圧で導入されるため、反応槽内の原料ガス
流が均等化され、槽内の温度分布も均一となる。
【００１２】請求項３に対応するフランジ部材は、槽と
一体になって、上記バッチ式拡散・ＣＶＤ装置を形成す
ることができる。
一体になって、上記バッチ式拡散・ＣＶＤ装置を形成す
ることができる。
【００１３】請求項４に対応する排気方法は、請求項１
の装置に記載したのと同様の作用を有する。
の装置に記載したのと同様の作用を有する。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１５】実施例１ 図１〜４に示すバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の反応槽１３
は減圧方式による縦型拡散炉タイプのものであって、上
端部に原料ガス供給管１１を接続した縦型円筒状の本体
１３1 、下端部に、側壁に廃ガス排出管１２を接続した
有底円筒状の廃ガス導出部材１３2 をフランジ１，２を
介し接合して構成され、この反応槽１３を囲んでヒータ
（図示せず）が配設されている。上記廃ガス導出部材１
３2 は廃ガス排出管１２を接続した有底円筒体３内に有
底円筒状の多孔部材４を同心状に配置すると共に、これ
らの有底円筒体３と多孔部材４の底板間に適宜間隔をあ
けて接合することにより環状空間５を形成して、反応槽
１３内と廃ガス排出管１２の接続口１２1 とを上記多孔
部材４により仕切ったものである。また、上記多孔部材
４の底板にボート１４が突設され、このボート１４に基
板としてウエハ１６が複数枚、上下多段に搭載されてい
る。
は減圧方式による縦型拡散炉タイプのものであって、上
端部に原料ガス供給管１１を接続した縦型円筒状の本体
１３1 、下端部に、側壁に廃ガス排出管１２を接続した
有底円筒状の廃ガス導出部材１３2 をフランジ１，２を
介し接合して構成され、この反応槽１３を囲んでヒータ
（図示せず）が配設されている。上記廃ガス導出部材１
３2 は廃ガス排出管１２を接続した有底円筒体３内に有
底円筒状の多孔部材４を同心状に配置すると共に、これ
らの有底円筒体３と多孔部材４の底板間に適宜間隔をあ
けて接合することにより環状空間５を形成して、反応槽
１３内と廃ガス排出管１２の接続口１２1 とを上記多孔
部材４により仕切ったものである。また、上記多孔部材
４の底板にボート１４が突設され、このボート１４に基
板としてウエハ１６が複数枚、上下多段に搭載されてい
る。
【００１６】上記多孔部材４の側壁には、図２〜４に示
すように円形の通気孔４1 が多数、同一高さで環状に形
成されていると共に、これら通気孔の開口面積は、上記
接続口１２1 に近いものほど小さく、接続口１２1 から
遠いものほど大きくしてある。その結果、原料ガスは反
応槽１３内に均等に分散供給されて下向流で流過し、廃
ガスは各通気孔４1 から均等の排気圧で排気される。図
１において６はＯリング、図２及び３において７はＯリ
ング挿入溝である。
すように円形の通気孔４1 が多数、同一高さで環状に形
成されていると共に、これら通気孔の開口面積は、上記
接続口１２1 に近いものほど小さく、接続口１２1 から
遠いものほど大きくしてある。その結果、原料ガスは反
応槽１３内に均等に分散供給されて下向流で流過し、廃
ガスは各通気孔４1 から均等の排気圧で排気される。図
１において６はＯリング、図２及び３において７はＯリ
ング挿入溝である。
【００１７】この実施例１と反対に、上記有底円筒状の
多孔部材を原料ガス供給側に設け、反応槽内と原料ガス
供給管の接続口とをこの多孔部材で仕切った構造として
もよく、実施例１と同等の作用効果が得られる。この場
合、反応槽は図１を倒立させた構造に近似したものとな
る。また、実施例１では原料ガスは反応槽内に下向流で
供給するものであるが、上向流で供給するようにしても
よい。なお、反応槽は縦型に限らず、横型とすることも
できるし、減圧方式にかえて大気圧方式のＣＶＤ装置と
することもできる。
多孔部材を原料ガス供給側に設け、反応槽内と原料ガス
供給管の接続口とをこの多孔部材で仕切った構造として
もよく、実施例１と同等の作用効果が得られる。この場
合、反応槽は図１を倒立させた構造に近似したものとな
る。また、実施例１では原料ガスは反応槽内に下向流で
供給するものであるが、上向流で供給するようにしても
よい。なお、反応槽は縦型に限らず、横型とすることも
できるし、減圧方式にかえて大気圧方式のＣＶＤ装置と
することもできる。
【００１８】この実施例では、各ウエハ１６上に均一な
成分・組成の薄膜が均等な膜厚で形成されるので、性能
の優れた半導体を製造することができる。
成分・組成の薄膜が均等な膜厚で形成されるので、性能
の優れた半導体を製造することができる。
【００１９】実施例２ 図５に示す実施例も減圧方式による縦型拡散炉タイプの
ものであって、反応槽１３は、縦型円筒状の本体１
３1 、上端部に原料ガス導入部１３3 を、本体１３1 下
端部に廃ガス導出部材１３2 を、それぞれフランジを介
し接合して形成されている。そして、上記原料ガス導入
部１３3 下端部には円形の通気孔（図示せず）を多数形
成した平板状の多孔部材８が設けられ、これにより、原
料ガス供給管１１の接続口１１1 と反応槽１３内が仕切
られ、また上記廃ガス導出部材１３2上端部には上記と
同じ形体の多孔部材８が設けられ、これにより、廃ガス
排出管１２の接続口１２1 と反応槽１３内が仕切られて
いる。その他の部分の構造は実施例１と同様である。
ものであって、反応槽１３は、縦型円筒状の本体１
３1 、上端部に原料ガス導入部１３3 を、本体１３1 下
端部に廃ガス導出部材１３2 を、それぞれフランジを介
し接合して形成されている。そして、上記原料ガス導入
部１３3 下端部には円形の通気孔（図示せず）を多数形
成した平板状の多孔部材８が設けられ、これにより、原
料ガス供給管１１の接続口１１1 と反応槽１３内が仕切
られ、また上記廃ガス導出部材１３2上端部には上記と
同じ形体の多孔部材８が設けられ、これにより、廃ガス
排出管１２の接続口１２1 と反応槽１３内が仕切られて
いる。その他の部分の構造は実施例１と同様である。
【００２０】上記それぞれの多孔部材８では、通気口の
開口面積は上記接続口１１1 または１２1 に近いものほ
ど小さく、接続口１１1 または１２1 から遠いものほど
大きくしてある。
開口面積は上記接続口１１1 または１２1 に近いものほ
ど小さく、接続口１１1 または１２1 から遠いものほど
大きくしてある。
【００２１】この実施例では、原料ガス導入部１３3 及
び廃ガス導出部材１３2 において原料ガス流の均等化が
行なわれるので、各ウエハ１６には均等性に極めて優れ
た薄膜を形成することができる。
び廃ガス導出部材１３2 において原料ガス流の均等化が
行なわれるので、各ウエハ１６には均等性に極めて優れ
た薄膜を形成することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載のバッチ
式拡散・ＣＶＤ装置によれば、廃ガス導出部に設けた多
孔部材の整流作用によって原料ガスの流れが均等化され
るので、各基板上の薄膜の膜厚及び成分・組成を均一に
することができる。したがって、この装置により、高性
能の半導体製造装置を提供することができる。また、請
求項２に記載のバッチ式拡散・ＣＶＤ装置によれば、原
料ガス導入部に設けた多孔部材の整流作用によって、請
求項１の装置と同等の効果が得られる。また、請求項３
に記載の廃ガス導出部材は、槽と一体になって上記バッ
チ式拡散・ＣＶＤ装置を形成することができる。さら
に、請求項４に記載の排気方法は、請求項１の装置と同
様の効果が得られる。
式拡散・ＣＶＤ装置によれば、廃ガス導出部に設けた多
孔部材の整流作用によって原料ガスの流れが均等化され
るので、各基板上の薄膜の膜厚及び成分・組成を均一に
することができる。したがって、この装置により、高性
能の半導体製造装置を提供することができる。また、請
求項２に記載のバッチ式拡散・ＣＶＤ装置によれば、原
料ガス導入部に設けた多孔部材の整流作用によって、請
求項１の装置と同等の効果が得られる。また、請求項３
に記載の廃ガス導出部材は、槽と一体になって上記バッ
チ式拡散・ＣＶＤ装置を形成することができる。さら
に、請求項４に記載の排気方法は、請求項１の装置と同
様の効果が得られる。
【図１】本発明に係るバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の一実
施例の要部を示す概略縦断面図である。
施例の要部を示す概略縦断面図である。
【図２】図１実施例における廃ガス導出部材の斜視図で
ある。
ある。
【図３】図２の廃ガス導出部材の縦断面端面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明に係るバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の別の
実施例の要部を示す概略縦断面図である。
実施例の要部を示す概略縦断面図である。
【図６】従来のバッチ式拡散・ＣＶＤ装置の要部を示す
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
１，２ フランジ ３ 有底円筒体 ４ 多孔部材 ４1 通気口 ５ 環状空間 ６ Ｏリング ７ Ｏリング挿入溝 ８ 多孔部材 １１ 原料ガス供給管 １１1 接続口 １２ 廃ガス排出管 １２1 接続口 １３ 反応槽 １３1 本体 １３2 廃ガス導出部材 １３3 原料ガス導入部 １４ ボート １５ 保温筒 １６ ウエハ
Claims (4)
- 【請求項１】 原料ガス供給管及び廃ガス排出管を接続
した槽内に基板を収納し、原料ガス構成物質またはその
反応生成物を基板上に析出させるかあるいは析出後析出
物の構成原子を拡散させるようにしたバッチ式拡散・Ｃ
ＶＤ装置であって、前記槽内と廃ガス排出管接続口と
を、通気孔を多数形成した多孔部材により仕切ってな
り、この通気孔の開口面積は、廃ガス排出管接続口から
の距離の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定したこと
を特徴とするバッチ式拡散・ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 原料ガス供給管及び廃ガス排出管を接続
した槽内に基板を収納し、原料ガス構成物質またはその
反応生成物を基板上に析出させるかあるいは析出後析出
物の構成原子を拡散させるようにしたバッチ式拡散・Ｃ
ＶＤ装置であって、前記槽内と原料ガス供給管接続口と
を、通気孔を多数形成した多孔部材により仕切ってな
り、この通気孔の開口面積は、原料ガス供給管接続口か
らの距離の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定したこ
とを特徴とするバッチ式拡散・ＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 バッチ式拡散・ＣＶＤ装置の槽と連結す
るためのフランジと、廃ガス排出管接続口と、通気孔を
多数形成した多孔部材とを備えてなり、かつ、槽との連
結時に該多孔部材は槽内と廃ガス排出管接続口とを仕切
り、かつ、槽と通気孔と廃ガス排出管接続口とが一連の
通気路を形成することを特徴とするバッチ式拡散・ＣＶ
Ｄ装置用廃ガス導出部材。 - 【請求項４】 原料ガス供給管及び廃ガス排出管を接続
した槽内に基板を収納し、原料ガス構成物質またはその
反応生成物を基板上に析出させるかあるいは析出後析出
物の構成原子を拡散させるようにしたバッチ式拡散・Ｃ
ＶＤ装置の排気方法であって、前記槽内と廃ガス排出管
接続口とを、通気孔を多数形成した多孔部材により仕切
り、この通気口の開口面積は、廃ガス排出管接続口から
の距離の長、短に応じてそれぞれ大、小に設定し、原料
ガス供給管から通気孔を経て廃ガス排出管に至る流路に
そってガス流を形成させることを特徴とする排気方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8494792A JPH05251374A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | バッチ式拡散・ｃｖｄ装置、それに用いる廃ガス導出部材、及び排気方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8494792A JPH05251374A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | バッチ式拡散・ｃｖｄ装置、それに用いる廃ガス導出部材、及び排気方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251374A true JPH05251374A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=13844840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8494792A Pending JPH05251374A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | バッチ式拡散・ｃｖｄ装置、それに用いる廃ガス導出部材、及び排気方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000306851A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の処理装置 |
| JP2003045808A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-14 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置および縦型熱処理方法 |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP8494792A patent/JPH05251374A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000306851A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の処理装置 |
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