JPH05251380A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05251380A JPH05251380A JP4887592A JP4887592A JPH05251380A JP H05251380 A JPH05251380 A JP H05251380A JP 4887592 A JP4887592 A JP 4887592A JP 4887592 A JP4887592 A JP 4887592A JP H05251380 A JPH05251380 A JP H05251380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrode
- metal layer
- laser light
- electrode metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 浅い接合を形成する半導体部上に被着した電
極金属層の半導体部に対する合金化熱処理を浅い接合を
突き抜けることなく確実に行なうことができるようにす
る。 【構成】 浅い接合を形成する半導体部３上に被着した
電極金属層６にパルスレーザ光照射による合金化処理を
行い、このパルスレーザ光照射に先立って電極金属層６
上にレーザ光の波長に対し光吸収性を有する光吸収層７
を被着形成する。
極金属層の半導体部に対する合金化熱処理を浅い接合を
突き抜けることなく確実に行なうことができるようにす
る。 【構成】 浅い接合を形成する半導体部３上に被着した
電極金属層６にパルスレーザ光照射による合金化処理を
行い、このパルスレーザ光照射に先立って電極金属層６
上にレーザ光の波長に対し光吸収性を有する光吸収層７
を被着形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特にその深さが例えば０．２μｍ程度以下の０．１
μｍないしはそれ以下の浅い接合を形成する半導体領域
に対し、電極をその表面に合金化する工程を含む半導体
装置の製造方法に係わる。
法、特にその深さが例えば０．２μｍ程度以下の０．１
μｍないしはそれ以下の浅い接合を形成する半導体領域
に対し、電極をその表面に合金化する工程を含む半導体
装置の製造方法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】各種単体半導体装置、半導体集積回路等
においては、半導体基体表面の所定部にそれ自体、ある
いは他の素子との接続に供する電極をオーミックに形成
することが行われるが、この場合良好なオーミックコン
タクトを行なうためにその電極例えばＡｌを、半導体例
えばＳｉに合金化するいわゆる熱処理によるシンタリン
グが行われる。
においては、半導体基体表面の所定部にそれ自体、ある
いは他の素子との接続に供する電極をオーミックに形成
することが行われるが、この場合良好なオーミックコン
タクトを行なうためにその電極例えばＡｌを、半導体例
えばＳｉに合金化するいわゆる熱処理によるシンタリン
グが行われる。
【０００３】一方、昨今、例えば半導体集積回路におい
て、より高密度、小型化の要求に伴ってその回路素子と
しての半導体素子の面積の縮小化がはかられ、これに伴
ってこれら素子を構成する不純物の拡散、イオン注入等
の不純物の導入によって形成される接合例えばｐ−ｎ接
合は浅くなって来ている。すなわち、この浅い接合を形
成する不純物の導入された半導体層ないしは半導体領域
による半導体部は薄くなる。
て、より高密度、小型化の要求に伴ってその回路素子と
しての半導体素子の面積の縮小化がはかられ、これに伴
ってこれら素子を構成する不純物の拡散、イオン注入等
の不純物の導入によって形成される接合例えばｐ−ｎ接
合は浅くなって来ている。すなわち、この浅い接合を形
成する不純物の導入された半導体層ないしは半導体領域
による半導体部は薄くなる。
【０００４】このため上述の電極のシンタリングに際し
てその合金化が浅い接合を突き抜けて行われてしまうと
いう問題が生じてきている。
てその合金化が浅い接合を突き抜けて行われてしまうと
いう問題が生じてきている。
【０００５】通常、このシンタリングは、電気炉等の加
熱炉中に、上述の電極を形成した半導体基体（ウエフ
ァ）を挿入して、例えばそのＡｌ電極をＳｉ半導体に合
金化させる。この場合のシンタリングは４００〜４５０
℃、３０分間の熱処理によって行なう。
熱炉中に、上述の電極を形成した半導体基体（ウエフ
ァ）を挿入して、例えばそのＡｌ電極をＳｉ半導体に合
金化させる。この場合のシンタリングは４００〜４５０
℃、３０分間の熱処理によって行なう。
【０００６】ところが、このような方法では、前述した
ようにその深さが０．２μｍ以下例えば０．１μｍとい
う浅い接合を形成する薄い半導体部においては、その合
金が接合を突き抜けてしまう場合が生じ接合のリーク、
したがって不良品の発生に伴う歩留りの低下を来す。
ようにその深さが０．２μｍ以下例えば０．１μｍとい
う浅い接合を形成する薄い半導体部においては、その合
金が接合を突き抜けてしまう場合が生じ接合のリーク、
したがって不良品の発生に伴う歩留りの低下を来す。
【０００７】このような不都合を回避するために、ハロ
ゲンランプを用いた赤外線照射による方法も考えられる
が、この場合その温度測定はパイロメータで行われるも
のであり、このような温度測定による場合３００〜５０
０℃での測定誤差が極めて大きいため結果的に正確な温
度制御が困難で、上述した浅い接合における電極のシン
タリングの適用が困難である。
ゲンランプを用いた赤外線照射による方法も考えられる
が、この場合その温度測定はパイロメータで行われるも
のであり、このような温度測定による場合３００〜５０
０℃での測定誤差が極めて大きいため結果的に正確な温
度制御が困難で、上述した浅い接合における電極のシン
タリングの適用が困難である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した諸問題の解決
をはかるものとして、レーザ光照射によるシンタリング
も考えられるところであり、この場合シンタリングとし
ての期待するところは大きいものの、局部的な急激な加
熱、冷却が行われるところから電極金属例えばＡｌと、
半導体例えばＳｉとの熱膨張率は１桁も異なることから
熱歪みが大きく電極の剥離、断線、更には接合の特性へ
の影響も問題となってくる。
をはかるものとして、レーザ光照射によるシンタリング
も考えられるところであり、この場合シンタリングとし
ての期待するところは大きいものの、局部的な急激な加
熱、冷却が行われるところから電極金属例えばＡｌと、
半導体例えばＳｉとの熱膨張率は１桁も異なることから
熱歪みが大きく電極の剥離、断線、更には接合の特性へ
の影響も問題となってくる。
【０００９】このような不都合を回避すべく半導体と電
極金属との間にバリアメタルの例えばＴｉＯＮ，ＴｉＮ
を介在させることも考えられるが、この場合においてバ
リアメタルの膜厚制御が難しく剥がれの問題も生じ、さ
らにオーミックコンタクト抵抗が増加するという問題が
ある。
極金属との間にバリアメタルの例えばＴｉＯＮ，ＴｉＮ
を介在させることも考えられるが、この場合においてバ
リアメタルの膜厚制御が難しく剥がれの問題も生じ、さ
らにオーミックコンタクト抵抗が増加するという問題が
ある。
【００１０】本発明は、浅い接合を形成する薄い半導体
領域ないしは半導体層等の薄い半導体部の表面に電極を
形成し、これをシンタリングさせるに、そのシンタリン
グが浅い接合を突き抜けて接合にリークを発生させ、特
性の低下ないしは不良品の発生を生じることの不都合を
確実に回避し、しかも確実に電極の半導体への合金化を
行わしめて低抵抗をもってオーミックコンタクトがなさ
れるようにする。
領域ないしは半導体層等の薄い半導体部の表面に電極を
形成し、これをシンタリングさせるに、そのシンタリン
グが浅い接合を突き抜けて接合にリークを発生させ、特
性の低下ないしは不良品の発生を生じることの不都合を
確実に回避し、しかも確実に電極の半導体への合金化を
行わしめて低抵抗をもってオーミックコンタクトがなさ
れるようにする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、浅い接
合を形成する半導体部上に被着した電極の上記半導体部
の表面に対する合金化熱処理工程を有する半導体装置の
製造方法において、その合金化熱処理を特にパルスレー
ザ光の照射によって行い、さらにこのパルスレーザ光照
射に先立って電極金属層上にレーザ光の波長に対し光吸
収性を有する光吸収層を被着する。
合を形成する半導体部上に被着した電極の上記半導体部
の表面に対する合金化熱処理工程を有する半導体装置の
製造方法において、その合金化熱処理を特にパルスレー
ザ光の照射によって行い、さらにこのパルスレーザ光照
射に先立って電極金属層上にレーザ光の波長に対し光吸
収性を有する光吸収層を被着する。
【００１２】さらに、第２の本発明においては、光吸収
層が非晶質シリコンないしは多結晶シリコンによって構
成する。
層が非晶質シリコンないしは多結晶シリコンによって構
成する。
【００１３】第３の本発明においては、光吸収層上に反
射防止膜を被着し、これの上からパルスレーザ光照射を
行なう。
射防止膜を被着し、これの上からパルスレーザ光照射を
行なう。
【００１４】また、本発明において、好ましくは上述し
たパルスレーザ光照射による熱処理工程を電極としての
パターン化前の全面的に形成され電極金属層に対して行
い、その後この電極金属層に対するパターン化を行なっ
て所望のパターンを有する電極を形成する。
たパルスレーザ光照射による熱処理工程を電極としての
パターン化前の全面的に形成され電極金属層に対して行
い、その後この電極金属層に対するパターン化を行なっ
て所望のパターンを有する電極を形成する。
【００１５】
【作用】上述の本発明においては、シンタリング処理を
行なうべき電極金属層上にレーサ光に対して光吸収性を
有する光吸収層を設けたことによってこの光吸収層にレ
ーザ光が効率よく吸収されて熱に変換され、その熱が効
率良く電極金属層に供給されるようにしたこと、またそ
のレーザ光照射をパルスレーザ光としたことによって電
極金属層及び半導体部との接合に与えられる加熱は瞬時
的に高温に加熱されかつ急冷し得ることからのこのシン
タリングが浅い接合を突き抜けることを効果的に回避で
きる。
行なうべき電極金属層上にレーサ光に対して光吸収性を
有する光吸収層を設けたことによってこの光吸収層にレ
ーザ光が効率よく吸収されて熱に変換され、その熱が効
率良く電極金属層に供給されるようにしたこと、またそ
のレーザ光照射をパルスレーザ光としたことによって電
極金属層及び半導体部との接合に与えられる加熱は瞬時
的に高温に加熱されかつ急冷し得ることからのこのシン
タリングが浅い接合を突き抜けることを効果的に回避で
きる。
【００１６】また電極金属層上には光吸収層が形成され
ていて、これによって電極金属層がいわば機械的に抑え
こまれた状態にあることによって電極金属層の変形剥離
が効果的に回避される。
ていて、これによって電極金属層がいわば機械的に抑え
こまれた状態にあることによって電極金属層の変形剥離
が効果的に回避される。
【００１７】さらに、この電極金属層をシンタリング後
にパターン化するときは電極の変形、剥離、断線をより
効果的に回避することかできる。
にパターン化するときは電極の変形、剥離、断線をより
効果的に回避することかできる。
【００１８】また光吸収層上に反射防止膜を設ける場合
は、さらにパルスレーザ光照射を効果的に吸収すること
ができ、より効果的なシンタリングを行なうことができ
る。
は、さらにパルスレーザ光照射を効果的に吸収すること
ができ、より効果的なシンタリングを行なうことができ
る。
【００１９】
【実施例】本発明による半導体装置の製造方法の一例を
図１〜図２に示す製造工程図を参照して詳細に説明す
る。
図１〜図２に示す製造工程図を参照して詳細に説明す
る。
【００２０】この場合、シリコン等よりなる半導体基体
１上に熱酸化等によって回路素子間いわゆるフィールド
部に形成されたＳｉＯ2 膜いわゆるＬＯＣＯＳよりなる
例えば素子間分離用の絶縁層２が例えば２０００〜３０
００Åの厚さに形成され、この絶縁層２が形成されてい
ないいわゆるアクティブ領域に、浅い接合Ｊ例えば深さ
０．１μｍ以下の浅い接合を形成するように例えば選択
的拡散、注入等によって形成されたあるいはエピタキシ
ー等によって形成された薄い半導体領域、あるいは半導
体層よりなる半導体部３が形成され、この半導体部３に
対して金属電極をオーミックにコンタクトするものであ
る。
１上に熱酸化等によって回路素子間いわゆるフィールド
部に形成されたＳｉＯ2 膜いわゆるＬＯＣＯＳよりなる
例えば素子間分離用の絶縁層２が例えば２０００〜３０
００Åの厚さに形成され、この絶縁層２が形成されてい
ないいわゆるアクティブ領域に、浅い接合Ｊ例えば深さ
０．１μｍ以下の浅い接合を形成するように例えば選択
的拡散、注入等によって形成されたあるいはエピタキシ
ー等によって形成された薄い半導体領域、あるいは半導
体層よりなる半導体部３が形成され、この半導体部３に
対して金属電極をオーミックにコンタクトするものであ
る。
【００２１】またこの場合、半導体基体１上には２層以
上に電極、配線層等が積層される構造を採る場合で例え
ば１０００〜２０００Åの厚さに、例えばリンシリケイ
トガラス（ＰＳＧ）による層間絶縁層４が被着形成され
る場合を示している。
上に電極、配線層等が積層される構造を採る場合で例え
ば１０００〜２０００Åの厚さに、例えばリンシリケイ
トガラス（ＰＳＧ）による層間絶縁層４が被着形成され
る場合を示している。
【００２２】この場合図１Ａに示すように層間絶縁層４
に対して周知のフォトリソグラフィによる選択的エッチ
ングによって電極のオーミックコンタクトを行なうべき
部分の半導体部３上に、電極コンタクト窓を穿設する。
に対して周知のフォトリソグラフィによる選択的エッチ
ングによって電極のオーミックコンタクトを行なうべき
部分の半導体部３上に、電極コンタクト窓を穿設する。
【００２３】そして、図１Ｂに示すように、コンタクト
窓５内を含んで電極金属層６例えばＡｌ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ
ｏ，Ａｕ，Ｃｕ等を全面的に蒸着、スパッタ等によって
被着する。そして、これの上に光吸収層例えば多結晶シ
リコンを１０〜５０ｎｍの範囲、望ましくは１０〜２０
ｎｍによって成膜温度４５０℃以下でプラズマＣＶＤ
（プラズマ化学的気相成長法）あるいは光ＣＶＤ法によ
って被着形成する。この場合の成膜温度は電極金属層と
の合金反応が生じない程度の例えば４５０℃以下で行わ
れることが望まれる。
窓５内を含んで電極金属層６例えばＡｌ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃ
ｏ，Ａｕ，Ｃｕ等を全面的に蒸着、スパッタ等によって
被着する。そして、これの上に光吸収層例えば多結晶シ
リコンを１０〜５０ｎｍの範囲、望ましくは１０〜２０
ｎｍによって成膜温度４５０℃以下でプラズマＣＶＤ
（プラズマ化学的気相成長法）あるいは光ＣＶＤ法によ
って被着形成する。この場合の成膜温度は電極金属層と
の合金反応が生じない程度の例えば４５０℃以下で行わ
れることが望まれる。
【００２４】また、電極金属層６としては、Ｓｉを１％
含有したＡｌ−Ｓｉを用いることが好ましく、こように
することによってＳｉとＡｌの相互拡散を防止すること
ができる。
含有したＡｌ−Ｓｉを用いることが好ましく、こように
することによってＳｉとＡｌの相互拡散を防止すること
ができる。
【００２５】また、光吸収層５としては熱膨張係数の小
さい上述した多結晶シリコンが用いられることが望まし
い。
さい上述した多結晶シリコンが用いられることが望まし
い。
【００２６】さらに、この光吸収層５上に例えばＳｉＯ
2 よりなる反射防止膜を７０〜１００ｎｍの例えば５０
ｎｍをもってＣＶＤ等によって全面的に被着形成する。
2 よりなる反射防止膜を７０〜１００ｎｍの例えば５０
ｎｍをもってＣＶＤ等によって全面的に被着形成する。
【００２７】また、反射防止膜８は、照射するレーザ光
の波長に応じてその干渉効果によって効果的に反射防止
が除去される厚さに選定されるものであり、短波長にお
いては７０〜１００ｎｍに選定される。
の波長に応じてその干渉効果によって効果的に反射防止
が除去される厚さに選定されるものであり、短波長にお
いては７０〜１００ｎｍに選定される。
【００２８】その後、この反射防止膜８上からパルスレ
ーザを照射する。このパルスレーザは、そのエネルギー
密度が４００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは５０
０〜７００ｍＪ／ｃｍ2 とし、ビーム面積は例えば４ｍ
ｍ×４ｍｍ〜１５ｍｍ×１５ｍｍの方形スポットとして
これを１か所１回のパルス光が照射されるように、ステ
ップ移動させて全領域少なくとも電極金属層６の少なく
とも半導体部３にコンタクトすべき部分を含んで走査す
る。また、このパルスレーザのパルス幅は２０〜１００
ｎｓｅｃ、好ましくは４０ｎｓｅｃ〜５０ｎｓｅｃに選
定する。
ーザを照射する。このパルスレーザは、そのエネルギー
密度が４００〜１５００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは５０
０〜７００ｍＪ／ｃｍ2 とし、ビーム面積は例えば４ｍ
ｍ×４ｍｍ〜１５ｍｍ×１５ｍｍの方形スポットとして
これを１か所１回のパルス光が照射されるように、ステ
ップ移動させて全領域少なくとも電極金属層６の少なく
とも半導体部３にコンタクトすべき部分を含んで走査す
る。また、このパルスレーザのパルス幅は２０〜１００
ｎｓｅｃ、好ましくは４０ｎｓｅｃ〜５０ｎｓｅｃに選
定する。
【００２９】さらに、レーザとしては、エキシマレーザ
例えばＸｅＦレーザ（波長λ＝３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ
レーザ（λ＝３０８ｎｍ）、ＫｒＦレーザ（λ＝２４９
ｎｍ）、ＡｒＦレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、ルビーレー
ザ（λ＝６９４ｎｍ）を用い得る。
例えばＸｅＦレーザ（波長λ＝３５１ｎｍ）、ＸｅＣｌ
レーザ（λ＝３０８ｎｍ）、ＫｒＦレーザ（λ＝２４９
ｎｍ）、ＡｒＦレーザ（λ＝１９３ｎｍ）、ルビーレー
ザ（λ＝６９４ｎｍ）を用い得る。
【００３０】光吸収層７としては、上述した多結晶シリ
コンないしはアモルファスシリコンによって構成するこ
とが望ましく、この場合短波長に対して大きな吸収係数
をもっている。例えばＸｅＣｌレーザ光（λ＝３０８ｎ
ｍ）に対して１．４×１０6ｃｍ-1程度である。
コンないしはアモルファスシリコンによって構成するこ
とが望ましく、この場合短波長に対して大きな吸収係数
をもっている。例えばＸｅＣｌレーザ光（λ＝３０８ｎ
ｍ）に対して１．４×１０6ｃｍ-1程度である。
【００３１】図３は光子エネルギー（光の波長）に対す
る、シリコンの光の吸収係数αの関係を示すもので、実
線曲線は結晶シリコンの場合、破線曲線２２はシリコン
の打ち込みによってアモルファス化したシリコンの場合
である（セミコンダクタ・アンド・セミメタルスＶｏ
１．２３ Academic Press社より）。尚、多結晶シリコ
ンの場合は、これら曲線の間の特性を示すものと推測さ
れる。これより明らかなように短波長に対してまた高範
囲にわたってシリコンは、高い光吸収係数αを示す。
る、シリコンの光の吸収係数αの関係を示すもので、実
線曲線は結晶シリコンの場合、破線曲線２２はシリコン
の打ち込みによってアモルファス化したシリコンの場合
である（セミコンダクタ・アンド・セミメタルスＶｏ
１．２３ Academic Press社より）。尚、多結晶シリコ
ンの場合は、これら曲線の間の特性を示すものと推測さ
れる。これより明らかなように短波長に対してまた高範
囲にわたってシリコンは、高い光吸収係数αを示す。
【００３２】この光吸収係数αは、数１で与えられる。
【００３３】
【数１】Ｉ＝Ｉ0 exp （−αｘ）
【００３４】Ｉは光の強度、Ｉ0 は入射光強度、ｘは接
合の深さであることから、今、ＸｅＣｌレーザ光に対し
てα＝１．４×１０6 ｃｍ-1の光吸収係数を示すとする
場合、表面から７０Åの深さで光のエネルギーの２／３
が吸収されてほとんど熱に変化するということになる。
合の深さであることから、今、ＸｅＣｌレーザ光に対し
てα＝１．４×１０6 ｃｍ-1の光吸収係数を示すとする
場合、表面から７０Åの深さで光のエネルギーの２／３
が吸収されてほとんど熱に変化するということになる。
【００３５】そして、電極金属層６の熱伝導率は室温で
層間絶縁層４のそれの５０倍であるので、光吸収層７で
変換された熱は、直ちに熱伝導率の高い電極金属層６に
伝達してコンタクト窓５を通じて半導体部３とのコンタ
クト部を加熱し、シンタリングが瞬時的に行われる。
層間絶縁層４のそれの５０倍であるので、光吸収層７で
変換された熱は、直ちに熱伝導率の高い電極金属層６に
伝達してコンタクト窓５を通じて半導体部３とのコンタ
クト部を加熱し、シンタリングが瞬時的に行われる。
【００３６】その後、図２Ａに示すように、必要に応じ
て例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって反
射防止膜８及びそれの下の光吸収層７を必要に応じて除
去する。
て例えばＲＩＥ（反応性イオンエッチング）によって反
射防止膜８及びそれの下の光吸収層７を必要に応じて除
去する。
【００３７】その後、図２Ｂに示すように周知の技術フ
ォトリソグラフィを適用した選択的エッチングによって
電極金属層６をパターンエッチングして電極パターンと
する。上述の本発明方法によって電極金属層６を半導体
部３にシンタリングした場合、最終的に得た電極９は、
良好に半導体部３にオーミックコンタクトされた。
ォトリソグラフィを適用した選択的エッチングによって
電極金属層６をパターンエッチングして電極パターンと
する。上述の本発明方法によって電極金属層６を半導体
部３にシンタリングした場合、最終的に得た電極９は、
良好に半導体部３にオーミックコンタクトされた。
【００３８】上述の本発明方法では、電極金属層６上に
光吸収層７を設け、ここにおいてレーザ光を効率良く吸
収させるので、電極金属層６に効率良くシンタリングの
ための熱を与えることができる。
光吸収層７を設け、ここにおいてレーザ光を効率良く吸
収させるので、電極金属層６に効率良くシンタリングの
ための熱を与えることができる。
【００３９】また、このレーザ光照射がパルス照射であ
ることから瞬時的な加熱・冷却によってシンタリングが
行われる。したがって効果的に浅く、半導体部３に対す
る電極金属層のシンタリングを行なうことができる。ま
た、電極金属層６上には光吸収層３が存在していてこれ
が非晶質あるいは多結晶シリコンである場合これの熱膨
張係数が例えばＡｌが２．９×１０-5であるに比し、シ
リコンのそれは２．４×１０-6であることから、この光
吸収による加熱によっても光吸収層の熱膨張が小さいこ
とから、Ａｌの変形、剥離等が抑制される。
ることから瞬時的な加熱・冷却によってシンタリングが
行われる。したがって効果的に浅く、半導体部３に対す
る電極金属層のシンタリングを行なうことができる。ま
た、電極金属層６上には光吸収層３が存在していてこれ
が非晶質あるいは多結晶シリコンである場合これの熱膨
張係数が例えばＡｌが２．９×１０-5であるに比し、シ
リコンのそれは２．４×１０-6であることから、この光
吸収による加熱によっても光吸収層の熱膨張が小さいこ
とから、Ａｌの変形、剥離等が抑制される。
【００４０】また、上述したように電極金属層６の半導
体部３に対するシンタリングを行なって後にすなわち加
熱処理を行なって後に電極形成すなわち電極金属層６の
パターン化を行なうときは、一様に全面的に電極金属層
６が形成された状態で加熱がなされることから、より電
極金属層６が変形しにくく、最終的に得た半導体装置に
おける電極のオーミックコンタクトはより良好に、また
剥離、断線等の発生も回避され、さらに接合に対する歪
みの影響等も改善され、安定した特性を有し、信頼性の
向上と共に、不良品の発生率が抑制される。
体部３に対するシンタリングを行なって後にすなわち加
熱処理を行なって後に電極形成すなわち電極金属層６の
パターン化を行なうときは、一様に全面的に電極金属層
６が形成された状態で加熱がなされることから、より電
極金属層６が変形しにくく、最終的に得た半導体装置に
おける電極のオーミックコンタクトはより良好に、また
剥離、断線等の発生も回避され、さらに接合に対する歪
みの影響等も改善され、安定した特性を有し、信頼性の
向上と共に、不良品の発生率が抑制される。
【００４１】
【発明の効果】上述したように本発明方法によれば、安
定した電極の形成とこの電極の、浅い接合を有する半導
体部へのオーミックコンタクトを良好に行なうことがで
きるので歩留りの高く目的とする信頼性の高い半導体装
置を得ることができ、その工業的な利益は大である。
定した電極の形成とこの電極の、浅い接合を有する半導
体部へのオーミックコンタクトを良好に行なうことがで
きるので歩留りの高く目的とする信頼性の高い半導体装
置を得ることができ、その工業的な利益は大である。
【図１】本発明による半導体装置の製造方法の一例の製
造工程図（その１）である。
造工程図（その１）である。
【図２】本発明による半導体装置の製造方法の一例の製
造工程図（その２）である。
造工程図（その２）である。
【図３】本発明の説明に供する光子エネルギーとＳｉの
吸収係数の関係の曲線図である。
吸収係数の関係の曲線図である。
１ 半導体基体 ２ 絶縁層 ３ 半導体部 ４ 層間絶縁膜 ５ 電極コンタクト窓 ６ 電極金属層 ７ 光吸収層 ８ 反射防止膜 ９ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 浅い接合を形成する半導体部上に被着し
た電極の上記半導体部の表面に対する合金化熱処理工程
を有する半導体装置の製造方法において、 上記合金化熱処理を、パルスレーザ光照射によって行
い、 該パルスレーザ光照射に先立って電極金属層上に、上記
レーザ光に対し光吸収性を有する光吸収層を被着するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 光吸収層が非晶質シリコンないしは多結
晶シリコンよりなることを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体装置の製造方法
において、 光吸収層上に、反射防止膜を被着しこれの上からパルス
レーザ光照射を行なうことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887592A JPH05251380A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4887592A JPH05251380A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251380A true JPH05251380A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12815465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4887592A Pending JPH05251380A (ja) | 1992-03-05 | 1992-03-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251380A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072205A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | 熱処理方法、配線パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
-
1992
- 1992-03-05 JP JP4887592A patent/JPH05251380A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005072205A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | 熱処理方法、配線パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5329152A (en) | Ablative etch resistant coating for laser personalization of integrated circuits | |
| EP0037685B1 (en) | Method of producing a semiconductor device | |
| US4646426A (en) | Method of producing MOS FET type semiconductor device | |
| US5401666A (en) | Method for selective annealing of a semiconductor device | |
| EP0178447B1 (en) | A manufacturing method of an integrated circuit based on semiconductor-on-insulator technology | |
| US5405804A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device by laser annealing a metal layer through an insulator | |
| JP3277533B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004119406A (ja) | 半導体装置の作製方法並びに熱処理方法 | |
| US4549064A (en) | Laser treatment of silicon nitride | |
| JP2890584B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6635541B1 (en) | Method for annealing using partial absorber layer exposed to radiant energy and article made with partial absorber layer | |
| CN102405528A (zh) | 一种用于制备具有局部开口的电介质层的半导体装置特别是太阳能电池的方法以及相应的半导体装置 | |
| EP0045593B1 (en) | Process for producing semiconductor device | |
| EP0113522B1 (en) | The manufacture of semiconductor devices | |
| JP2997375B2 (ja) | 多結晶シリコン薄膜の製造方法 | |
| US6952269B2 (en) | Apparatus and method for adiabatically heating a semiconductor surface | |
| JPH05251380A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60227484A (ja) | 半導体装置作製方法 | |
| EP0199388B1 (en) | Method of converting polycrystalline semiconductor material into monocrystalline semiconductor material | |
| JPH01125937A (ja) | 集積回路の製造方法 | |
| JP3404928B2 (ja) | 薄膜集積回路の製造方法 | |
| JP3104080B2 (ja) | 半導体基体の処理方法 | |
| JPH0766152A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3297770B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3136692B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 |