JPH0525152B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、カード型のメモリに関し、特に、光
の反射率の高低によりデイジタル値を記憶する記
憶セルを多数配列してなるメモリ層を、カード型
の基板上に設けて成るメモリに関する。

〔従来技術〕

近年、コンピユータ・オンラインシステムの発
達に伴なつて、金融、個人識別等の情報を記憶さ
せた磁気カードが用いられている。この磁気カー
ドは、名刺程度の大きさのプラスチツク製の基板
に、所定の情報を記憶させた帯状の磁気メモリ片
を貼着して成るものである。磁気カードは、その
携帯容易性および取扱い容易性から、様々の分野
で使用されつつある。

しかし、この磁気カードは、記憶できる情報量
が少ないため、その用途が限られている。例え
ば、金融カードの場合、過去の入出金、残高等の
明細、貸付残高、返済等の明細などを通帳のよう
に記録できることの実現を望まれているが、記憶
容量が足りず実現できていない。

これに対して、最近、光メモリが注目されてい
る。光メモリには、種々の方式があるが、カード
型のメモリに適したものとしては、光の反射率の
高低によりデイジタル値を記憶する記憶セルを多
数配列してメモリ層を形成し、該メモリ層をカー
ド型の基板上に貼着して成るメモリがある。

このメモリは、記憶セルを高密度で配列してあ
るので、記憶容量が数キロバイト〜数メガバイト
程度の大容量となる。そのため、上述した用途の
ほか、医療用カルテ、教育用の各種印刷物の収納
などの利用が考えられている。

ところが、この光メモリには次のような問題点
があり、この実用化が遅れている。即ち、高密度
記憶であるため、情報の書込み、読出しの際、書
込みまたは読出しヘツドの位置決めが容易でな
い、という問題がある。

従来の磁気カードであれば、磁気メモリ片を基
板に貼着する際、多少の誤差があつても、書込み
読出しに支障がないので、カードの基板の端面等
の物理的形態を利用して位置決めを行なうことが
できる。しかし、光メモリは、高密度記録である
ため、僅かの位置ずれや角度変位があつても、書
込み、読取り誤差を生ずる。そのため、基板の端
面等を位置決めの基準に利用するには、メモリ層
を基板の特定位置に正確に配置しなければならな
い。これは、生産技術上、極めて困難であつて、
実現が容易でない。仮に、技術的に可能であると
しても、カードがコスト高となり、実用性がなく
なる。

〔発明の目的〕

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもの
で、カードの生産コストを上昇させることなく、
位置決めのための基準を精度よく形成でき、書込
みや読取りの際の位置ずれ、角度変位をできる限
り小さく抑えて、高密度記録情報を精度よく記録
または再生できる光メモリカードを提供すること
を目的とする。

〔発明の構成〕

上記目的を達成すべく本発明の構成は、 光の反射率の高低によりデイジタル値を記憶す
る記憶セルを多数配列してなるメモリ層を、カー
ド型の基板上に設けて成り、かつ、光ビームを照
射し、その反射光を検出することにより記憶情報
を読取る形式の光メモリカードにおいて、 上記メモリ層の記憶セルをマトリクス状に配列
し、かつ、該記憶セルマトリクスの列方向の一辺
に、記憶セル列の位置決めの基準となる列基準線
を設け、さらに、上記記憶セルマトリクスの行方
向の行間に、行の位置決めの基準となる行基準線
を設けてなり、該行基準線のうち、上記記憶セル
マトリクスの列方向中央に位置し上記列基準線の
中央部とＴ字形状に直交する１本を、他の行基準
線とは幅の異なる行基準母線としてなることを特
徴とする。

〔発明の作用〕

このような構成によれば、列基準線および行基
準線が記憶セルマトリクスの行および列に対応し
て設定されるので、書込み、読出しの際、ヘツド
の位置決めを、これらの基準線を基準として行な
うことができる。これらの基準線は、記憶セルマ
トリクスの形成を同時に行なうことができる。そ
のため、各基準線とマトリクスを構成する各記憶
セルとの相対位置関係を高精度に保持し得る。

また、このような構成であるから、基板の端部
等を、位置決めの基準として使用しないので、メ
モリ層と基板との相対位置関係を、特別に高精度
とする必要がない。そのため、この点で、メモリ
カードがコスト高となることが抑えられる。

〔実施例〕

本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。

＜実施例の構成＞ 第１図〜第４図に示す本発明光メモリカードの
一実施例は、例えば名刺程度の大きさのプラスチ
ツク製の基板１上に、帯状のデータバンド３を多
数並設してなるメモリ層２と、該メモリ層２の列
方向に沿つて設けられている列基準線６と、該メ
モリ層２の行方向に沿つて設けられている行基板
母線７０および行基準線７１とを有して成る。

メモリ層２は、基板１の略中央に位置してお
り、32本のデータバンド３を平行にかつ全体とし
て長方形状に配列されるように設けてある、メモ
リ層２の列方向の一辺（本実施例では左端の辺）
に列基準線６が設けてある。データバンド３は、
メモリ層２の中央部で上側16本、下側16本に二分
されており、その二分割の境界部分には、上記列
基準線６の中央部とＴ字形状に直交する行基準線
母線７０が設けてある。また、各データバンド３
間および外側のデータバンド３の辺には、各々長
手方向に沿つて行基準線７１が設けてある。

データバンド３は、デイジタルデータの１ビツ
トを記憶する記憶セル５を多数設けて構成され
る。この記憶セル５は、データバンド３の幅方向
に１列に並んでトラツク４を構成し、このトラツ
ク４がデータバンド３の長手方向に多数並設さ
れ、第３図に示すように、長手方向に長い帯状の
マトリクスを形成する。もつとも、同図では、記
憶セル５を格子状に表示してあるが、これは、説
明の便宜のためであつて、現実に格子状に線が設
けてある訳ではない。

この記憶セル５は、本実施例の場合、30μm×
32μm程度の大きさである。また、本実施例の場
合、データバンド３は、その幅方向に、この記憶
セル５が32個並んでいる。

上記各トラツク４は、各々他のデータバンド３
の対応するトラツク４と同一直線上に並ぶように
設定してある。従つて、メモリ層２は、その上の
全ての記憶セル５により記憶セルマトリクスが構
成されている。

上記メモリ層２は、具体的には第４図に示すよ
うに構成される。即ち、ポリエステル等のフイル
ムベース２１上に、下地層２２、反射層２３およ
び透明封止層２４を、この順に積層して形成して
ある。そして、フイルムベース２１を基板１に貼
付してメモリカードが構成される。

上記記憶セル５におけるデータの記憶は、反射
層２３に小穴５１を形成し、この小穴５１の有無
を、“１”，“０”に対応させて行なう。即ち、小
穴５１の有る状態を、“１”，“０”のいずれかに
対応させる。

この小穴５１は、例えば、レーザービームＬ
を、小穴を設けるべき記憶セルの領域に照射し、
反射層２３を形成する物質の融点近傍の温度で加
熱し、該反射層２３を溶融して形成する。また、
読出し専用のメモリカードの場合には、反射層２
３を形成する際に、フオトエツチング技術によ
り、格納すべきデイジタル情報に従つて、上記小
穴５１を形成する。この小穴の大きさは、例え
ば、直径数＋ミクロン程度である。

列基準線６は、隣接するトラツク４の反射層と
光学的に区別できればよく、例えば、反射層２３
を、形成すべき列基準線６の形状に剥離して形成
する。勿論、反射層２３に代えて、或いは、反射
層２３上に、該反射層とは反射率の異なる物質の
層を被着して形成してもよい。

一方、行基準母線７０と行基準線７１とは、例
えば、各データバンド３間にある反射層２３を、
剥離し、この部分に、該反射層とは反射率の異な
る物質の層を被着して形成される。この物質は、
上記列基準線６を形成したものと同じものを用い
てもよい。

なお、行基準母線７０と行基準線７１とは、図
示のように相互には幅を変えて形成される。これ
によつて、データバンク３の位置決めの際、行基
準母線７０を行基準線７１と明確に区別し、正確
に検出することができる。

上記列基準線６、行基準母線７０および行基準
線７１は、メモリ層２のデータバンド３を形成す
る際に、一連の工程により形成することができ
る。このように、一連の工程で形成すれば、これ
らの基準線と各記憶セルとの位置関係を高精度で
設定することができる。

＜実施例の作用＞ 上記実施例の光メモリカードの動作について説
明する。

上述したように構成される本実施例のカード
は、各記憶セル５の小穴５１の有無により、デイ
ジタルデータの１ビツト、即ち、“１”，“０”を
記憶するので、記憶させるべき情報をデイジタル
データに変換し、上述した方法により、記憶セル
５に書込む。

データは、データバンド単位に格納される。従
つて、まず、データを書込むべきデータバンドを
選択する。データバンドの選択は、未書込みのカ
ードであれば、任意に行なうことができる。一
方、既に、データが書込まれたカードの場合に
は、書込み可能エリヤを検出して、書込み可能の
データバンド３に書込みヘツド（図示せず。）を
送る。なお、各データバンド３の最先頭トラツク
４に、書込み禁止信号を格納する構成とすれば、
上記書込み可能エリヤの検出が容易となる。

データを書込む順序は、列方向、即ち、同一デ
ータバンドのトラツクを順次シリアルに辿つて行
なわれ、トラツク４について、上から順にデータ
を書込む。１列のトラツクにデータが書込まれる
と、隣接するトラツクの最上部に移り、データを
書込む。このようにして、そのデータバンド３の
左端のトラツク４から順次右側のトラツクに移動
して、データを書込む。勿論、複数個の記憶セル
または１トラツク全部を一時に読む構成としても
よい。

書込まれたデータの読出しは、読出しヘツドに
て行なわれ、読出すべき記憶セルに、レーザービ
ーム等の光を照射し、反射光をホトダイオード等
の受光素子にて検出することにより行なわれる。
この時、記憶セル５に小穴５１が存在すれば、反
射率が小さいので、受光素子の検出レベルが小さ
く、一方、記憶セル５に小穴５１が存在しなけれ
ば、反射層２３により照射光が高レベルで反射さ
れ、受光素子の検出レベルが大きくなる。この検
出レベルの大小を、デイジタル値に対応させるこ
とにより、情報を読出す。

上記書込みおよび読出しにおいて、情報を書込
み或いは読出すべきデータバンド３、トラツク４
および記憶セル５の位置を決めるには、例えば、
次のように行なう。

トラツクについては、列基準線６と最左端にあ
るトラツク４との境界を、専用の光電検出器また
は読出し用の受光素子を用いて検出する。一方、
データバンド３の位置は、行基準母線７０を上記
と同様の方法によつて、検出し、かつ、これを基
準として、行基準線７１を検知し、その行基準線
７１が行基準母線７０から何本目かを検知するこ
とにより検出する。

このデータを用いて、書込み或いは読出しヘツ
ドを所定距離送ることにより、列基準線６からｎ
番目のトラツク４および行基準母線７０から上に
ｍ番目のデータバンド３にある記憶セル５から情
報の書込み或いは読出しを行なう。もつとも、情
報の読出しを、ランダムではなく、常に、メモリ
層２の先頭位置からシリアルに行なう方式であれ
ば、先頭の記憶セルの位置を上記列基準線６の位
置と行基準母線７０および行基準線７１の位置と
を計測して検出し、ヘツドを列方向および行方向
に正確に送ればよい。

＜上記実施例の変形＞ 上記実施例では、データバンドをカードの長手
方向に設けているが、幅方向としてもよい。

さらに、上記実施例では、複数本のデータバン
ドを設けているが、１本であつてもよい。この場
合、行基準線は、記憶セルマトリクスの行方向の
一辺に１本設ければよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、大容量の光メモ
リカードにおいて、記憶セルをマトリクス状に配
設してメモリ層を形成すると共に、該記憶セルマ
トリクスの列方向の一辺に列基準線を設け、上記
記憶セルマトリクスの行方向の一辺または行間
に、行基準線を設けてなり、該行基準線のうち、
上記記憶セルマトリクスの列方向中央に位置し上
記列基準線の中央部とＴ字形状に直交する１本
を、他の行基準線とは幅の異なる行基準母線とし
てなる構成としたことにより、カードの生産コス
トを上昇させて、位置決めのための基準を精度よ
く形成でき、また、書込みや読取りの際の位置ず
れ、角度変位をできる限り小さく抑えて、高密度
記録情報を精度よく記録または再生できるばかり
でなく、データバンドの位置決めの際、まず行基
準母線を検出し、該基準母線を基準として目的の
トラツクの行基準線を検知すれば良いため、最大
でも、トラツク数の半分だけを走査すれば良く、
アクセスタイムの短縮を図ることができるという
効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明光メモリカードの一実施例を示
す平面図、第２図は上記実施例の部分拡大平面
図、第３図は上記第１図におけるＡ矢視部拡大平
面図、第４図は上記実施例の光メモリカードの要
部拡大断面図である。 １……基板、２……メモリ層、21……フイルム
ベース、22……下地層、23……反射層、24……透
明封止層、３……データバンド、４……トラツ
ク、５……記憶セル、６……列基準線、70……行
基準母線、71……行基準線。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 光の反射率の高低によりデイジタル値を記憶
   する記憶セルを多数配列してなるメモリ層を、カ
   ード型の基板上に設けて成り、かつ、光ビームを
   照射し、その反射光を検出することにより記憶情
   報を読取る形式の光メモリカードにおいて、 上記メモリ層の記憶セルをマトリクス状に配列
   し、かつ、該記憶セルマトリクスの列方向の一辺
   に、記憶セル列の位置決めの基準となる列基準線
   を設け、さらに、上記記憶セルマトリクスの行方
   向の行間に、行の位置決めの基準となる行基準線
   を設けてなり、該行基準線のうち、上記記憶セル
   マトリクスの列方向中央に位置し上記列基準線の
   中央部とＴ字形状に直交する１本を、他の行基準
   線とは幅の異なる行基準母線としてなることを特
   徴とする光メモリカード。