JPH05251758A - 酸化物超電導限流導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導限流導体の製造方法Info
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- JPH05251758A JPH05251758A JP4046826A JP4682692A JPH05251758A JP H05251758 A JPH05251758 A JP H05251758A JP 4046826 A JP4046826 A JP 4046826A JP 4682692 A JP4682692 A JP 4682692A JP H05251758 A JPH05251758 A JP H05251758A
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- oxide superconducting
- superconducting
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 限流効果が大きく、限界端子間電圧が１００
Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造方法を得るこ
とができる。 【構成】 酸素ガスを導入して、基材に電子ビーム蒸着
法によりＹ系（ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X）酸化物超電導膜の
形成を行った。成膜後、酸素ガスの導入を遮断した後、
ガス圧１．８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中３００℃
で３０分熱処理を行った。その後、同一の雰囲気におい
て銀を蒸着によって被覆して酸化物超電導限流導体を得
た。
Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造方法を得るこ
とができる。 【構成】 酸素ガスを導入して、基材に電子ビーム蒸着
法によりＹ系（ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-X）酸化物超電導膜の
形成を行った。成膜後、酸素ガスの導入を遮断した後、
ガス圧１．８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中３００℃
で３０分熱処理を行った。その後、同一の雰囲気におい
て銀を蒸着によって被覆して酸化物超電導限流導体を得
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、酸化物超電導体を用
いて電流を通電する導体および例えば短絡電流などの過
大電流を限流することの可能な限流素子などに用いる高
性能な限流導体の製造方法に関するものである。
いて電流を通電する導体および例えば短絡電流などの過
大電流を限流することの可能な限流素子などに用いる高
性能な限流導体の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】超電導体は、臨界温度、臨界電流、臨界
磁界のうちいずれかひとつがその値を越えると超電導状
態が破壊され、常電導状態となって電気抵抗が発生、増
大する。この現象を利用して過大電流を限流する超電導
限流導体（素子）に関する研究開発が近年盛んになって
いる。この分野全般の技術に関しては、例えば刊行物
｛電気学会論文誌Ｂ、１１０巻、９号、７０５ページ
（平成２年）｝に記載されている。これらの中で、酸化
物超電導体を利用した超電導限流導体が最近注目されて
いる。これに用いる素子の構造は、棒状又は板状の超電
導体に蒸着やペーストなどを用いて、超電導体の一部に
銀、金、インジウム等の金属を付着させることによって
一対の電極を形成した簡単なものである。代表例として
は、刊行物｛Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｓｕｐｅｒｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，６９１ページ（１９８８）｝に
示されたものがある。これはＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の酸化物
超電導粉末の焼結体を用い、ドクターブレード法によっ
てジグザグ状（ミアンダ構造）のシートを形成し、臨界
電流を越える電流が流れた場合の常電導状態における高
抵抗化を利用して限流するものである。しかし、このよ
うな焼結体（線状、棒状、板状のもの）では一般に臨界
電流を高くすることができないため、短絡電流を限流で
きる割合が小さいという欠点があった。
磁界のうちいずれかひとつがその値を越えると超電導状
態が破壊され、常電導状態となって電気抵抗が発生、増
大する。この現象を利用して過大電流を限流する超電導
限流導体（素子）に関する研究開発が近年盛んになって
いる。この分野全般の技術に関しては、例えば刊行物
｛電気学会論文誌Ｂ、１１０巻、９号、７０５ページ
（平成２年）｝に記載されている。これらの中で、酸化
物超電導体を利用した超電導限流導体が最近注目されて
いる。これに用いる素子の構造は、棒状又は板状の超電
導体に蒸着やペーストなどを用いて、超電導体の一部に
銀、金、インジウム等の金属を付着させることによって
一対の電極を形成した簡単なものである。代表例として
は、刊行物｛Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｓｕｐｅｒｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ，６９１ページ（１９８８）｝に
示されたものがある。これはＹ−Ｂａ−Ｃｕ系の酸化物
超電導粉末の焼結体を用い、ドクターブレード法によっ
てジグザグ状（ミアンダ構造）のシートを形成し、臨界
電流を越える電流が流れた場合の常電導状態における高
抵抗化を利用して限流するものである。しかし、このよ
うな焼結体（線状、棒状、板状のもの）では一般に臨界
電流を高くすることができないため、短絡電流を限流で
きる割合が小さいという欠点があった。
【０００３】そこで、基材上に形成された膜状の超電導
体を応用した限流導体が考えられている。成膜技術の進
歩によって、酸化物超電導薄膜において最近非常に大き
な臨界電流を流せるものが得られるようになった。また
膜状のものは線状など前記のものと比較して冷却特性が
良好であり、しかも高抵抗にし易いことなどの限流導体
としての利点もある。ただし、酸化物超電導薄膜を用い
たものでは、膜厚を厚くすると組成ずれを起こしやすい
ことおよび大面積に形成すると組成が不均質になること
などのために、厚く大面積にわたって大きな臨界電流を
もつものを得ることが困難であるという大きな欠点を生
じることが避けられなかった。特に、比較的大面積に成
膜した場合に組成等膜質の不均質性が生じることは、現
状の超電導薄膜作製技術では不可避の課題であり、この
ために通電時に弱い部分が熔断してしまい、限流導体の
限界端子間電圧（熔断するまでの投入パワー又は回路電
圧と等価）を高くすることができなかった。
体を応用した限流導体が考えられている。成膜技術の進
歩によって、酸化物超電導薄膜において最近非常に大き
な臨界電流を流せるものが得られるようになった。また
膜状のものは線状など前記のものと比較して冷却特性が
良好であり、しかも高抵抗にし易いことなどの限流導体
としての利点もある。ただし、酸化物超電導薄膜を用い
たものでは、膜厚を厚くすると組成ずれを起こしやすい
ことおよび大面積に形成すると組成が不均質になること
などのために、厚く大面積にわたって大きな臨界電流を
もつものを得ることが困難であるという大きな欠点を生
じることが避けられなかった。特に、比較的大面積に成
膜した場合に組成等膜質の不均質性が生じることは、現
状の超電導薄膜作製技術では不可避の課題であり、この
ために通電時に弱い部分が熔断してしまい、限流導体の
限界端子間電圧（熔断するまでの投入パワー又は回路電
圧と等価）を高くすることができなかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記欠点を解消するた
め、素子部の超電導膜上に蒸着等の手法により金属の薄
膜を被覆して、一種の熱的、電気的な安定化を行うこと
が考えられる。このような技術は、例えば刊行物｛日本
物理学会編、超電導、２７６頁、昭和５４年（丸善株式
会社）｝等に記載されているような従来技術から容易に
考え得るものである。本発明者らは、このような従来技
術の応用による安定化によって限界端子間電圧を数十Ｖ
まで高めることが可能であることを見いだした。しか
し、実用レベルとしては不十分で、少なくとも１００Ｖ
以上の電圧に耐えることが必要であり、限流導体の安定
化性能をさらに高めることが望まれている。
め、素子部の超電導膜上に蒸着等の手法により金属の薄
膜を被覆して、一種の熱的、電気的な安定化を行うこと
が考えられる。このような技術は、例えば刊行物｛日本
物理学会編、超電導、２７６頁、昭和５４年（丸善株式
会社）｝等に記載されているような従来技術から容易に
考え得るものである。本発明者らは、このような従来技
術の応用による安定化によって限界端子間電圧を数十Ｖ
まで高めることが可能であることを見いだした。しか
し、実用レベルとしては不十分で、少なくとも１００Ｖ
以上の電圧に耐えることが必要であり、限流導体の安定
化性能をさらに高めることが望まれている。
【０００５】この発明は、かかる課題を解決するために
なされたもので、限流効果が大きく、しかも限界端子間
電圧が１００Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造
方法を得ることを目的とするものである。
なされたもので、限流効果が大きく、しかも限界端子間
電圧が１００Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造
方法を得ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の酸化物超電導
限流導体の製造方法は、酸化物超電導膜を形成して後、
上記酸化物超電導膜を真空雰囲気中で熱処理し、上記酸
化物超電導膜に銀被覆を施す方法である。
限流導体の製造方法は、酸化物超電導膜を形成して後、
上記酸化物超電導膜を真空雰囲気中で熱処理し、上記酸
化物超電導膜に銀被覆を施す方法である。
【０００７】
【作用】この発明において、酸化物超電導膜を形成後に
真空熱処理を行ってから銀被覆を形成すると、超電導膜
と銀被覆との界面におけるなじみが良好となり、超電導
膜の発熱時の熱はけが良くなって、安定化特性が向上す
る。
真空熱処理を行ってから銀被覆を形成すると、超電導膜
と銀被覆との界面におけるなじみが良好となり、超電導
膜の発熱時の熱はけが良くなって、安定化特性が向上す
る。
【０００８】
【実施例】実施例１．幅５ｍｍ×長さ２０ｍｍの矩形状
ＭｇＯ基板を基材として用い、次いで各成分の金属を出
発原料とし、電子ビーム蒸着法によってＹ系（ＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-X）酸化物超電導膜の形成を行った。この際
に、酸素ガスを導入してガス圧を１．５×１０-4Ｔｏｒ
ｒに調整し、成膜後この雰囲気中において一旦３００℃
まで徐冷し、酸素ガスの導入を遮断した後、ガス圧１．
８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中３００℃で３０分熱
処理を行った。その後、同一の雰囲気において銀を蒸着
によって被覆しこの発明の一実施例による酸化物超電導
限流導体を得た。次いで、超電導膜の中央部を絶縁テー
プで被覆し、両端部に無電界で金メッキを施して端子部
とし、これにリード線を取り付けて酸化物超電導限流素
子を試作した。超電導膜の臨界温度は８６Ｋ、厚さは
０.６μｍ、銀被覆の厚さは約０.３μｍであった。
ＭｇＯ基板を基材として用い、次いで各成分の金属を出
発原料とし、電子ビーム蒸着法によってＹ系（ＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-X）酸化物超電導膜の形成を行った。この際
に、酸素ガスを導入してガス圧を１．５×１０-4Ｔｏｒ
ｒに調整し、成膜後この雰囲気中において一旦３００℃
まで徐冷し、酸素ガスの導入を遮断した後、ガス圧１．
８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中３００℃で３０分熱
処理を行った。その後、同一の雰囲気において銀を蒸着
によって被覆しこの発明の一実施例による酸化物超電導
限流導体を得た。次いで、超電導膜の中央部を絶縁テー
プで被覆し、両端部に無電界で金メッキを施して端子部
とし、これにリード線を取り付けて酸化物超電導限流素
子を試作した。超電導膜の臨界温度は８６Ｋ、厚さは
０.６μｍ、銀被覆の厚さは約０.３μｍであった。
【０００９】比較例１．実施例１において、銀被覆を行
わず成膜後室温まで徐冷する他は、実施例１と同様にし
て酸化物超電導限流素子を製造した。その超電導体の臨
界温度は８６Ｋで、実施例１と同じであった。
わず成膜後室温まで徐冷する他は、実施例１と同様にし
て酸化物超電導限流素子を製造した。その超電導体の臨
界温度は８６Ｋで、実施例１と同じであった。
【００１０】比較例２．実施例１において、真空中で熱
処理を行わない他は、実施例１と同様にして酸化物超電
導限流素子を製造した。その超電導体の臨界温度は８６
Ｋで、実施例１と同じであった。
処理を行わない他は、実施例１と同様にして酸化物超電
導限流素子を製造した。その超電導体の臨界温度は８６
Ｋで、実施例１と同じであった。
【００１１】上記実施例１、比較例１および比較例２の
限流素子について、それぞれ液体窒素中に入れて冷却
し、交流回路（周波数５０Ｈｚ）を用い、素子にかかる
端子間電圧を変化させて、素子が熔断するまでの限界端
子間電圧を調査した。その結果、実施例１で製造方法し
たものは１０５Ｖ、比較例２の真空熱処理を施さずに単
に蒸着によって銀被覆を施した従来法によるものは６８
Ｖ、比較例１の全く被覆なしの従来法によるものは８Ｖ
であった。すなわち、従来法によるものはいずれも超電
導膜が不均質であり、通電時に弱い部分が熱によって熔
断するために、高い端子間電圧を印加できなかったもの
と考えられる。これに対して、この発明の一実施例によ
れば、超電導膜が不均質であっても素子の安定化性能が
向上したため、熔断する電圧が１００Ｖを越える限流導
体を製造可能であることが明らかになった。さらに、こ
の発明の一実施例による限流導体では、上記の限界端子
間電圧１０５Ｖの場合に、使用回路の推定短絡電流３５
０Ａをその約１／１５である２４Ａに大きく限流するこ
とができた。
限流素子について、それぞれ液体窒素中に入れて冷却
し、交流回路（周波数５０Ｈｚ）を用い、素子にかかる
端子間電圧を変化させて、素子が熔断するまでの限界端
子間電圧を調査した。その結果、実施例１で製造方法し
たものは１０５Ｖ、比較例２の真空熱処理を施さずに単
に蒸着によって銀被覆を施した従来法によるものは６８
Ｖ、比較例１の全く被覆なしの従来法によるものは８Ｖ
であった。すなわち、従来法によるものはいずれも超電
導膜が不均質であり、通電時に弱い部分が熱によって熔
断するために、高い端子間電圧を印加できなかったもの
と考えられる。これに対して、この発明の一実施例によ
れば、超電導膜が不均質であっても素子の安定化性能が
向上したため、熔断する電圧が１００Ｖを越える限流導
体を製造可能であることが明らかになった。さらに、こ
の発明の一実施例による限流導体では、上記の限界端子
間電圧１０５Ｖの場合に、使用回路の推定短絡電流３５
０Ａをその約１／１５である２４Ａに大きく限流するこ
とができた。
【００１２】実施例２．実施例１と同一の矩形状ＭｇＯ
基板を基材として用いた。スパッタ法によってＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-X系酸化物超電導膜の形成を行った。この際
に、酸素ガスを導入してガス圧を１．１×１０-4Ｔｏｒ
ｒに調整し、成膜後この雰囲気中において一旦２００℃
まで徐冷し、酸素ガスの導入を遮断した後、ガス圧１．
８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中２００℃で３０分熱
処理を行った。その後、同一の雰囲気において銀をスパ
ッタによって被覆してこの発明の他の実施例による酸化
物超電導限流導体を得た。次いで、超電導膜の両端部に
無電界で金メッキを施して端子部とし、これにリード線
を取り付けて酸化物超電導限流素子を試作した。超電導
膜の臨界温度は８７Ｋ、厚さは０.５μｍ、銀被覆の厚
さは約０.３μｍであった。
基板を基材として用いた。スパッタ法によってＹＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7-X系酸化物超電導膜の形成を行った。この際
に、酸素ガスを導入してガス圧を１．１×１０-4Ｔｏｒ
ｒに調整し、成膜後この雰囲気中において一旦２００℃
まで徐冷し、酸素ガスの導入を遮断した後、ガス圧１．
８×１０-6Ｔｏｒｒの真空雰囲気中２００℃で３０分熱
処理を行った。その後、同一の雰囲気において銀をスパ
ッタによって被覆してこの発明の他の実施例による酸化
物超電導限流導体を得た。次いで、超電導膜の両端部に
無電界で金メッキを施して端子部とし、これにリード線
を取り付けて酸化物超電導限流素子を試作した。超電導
膜の臨界温度は８７Ｋ、厚さは０.５μｍ、銀被覆の厚
さは約０.３μｍであった。
【００１３】比較例３．実施例２において、銀被覆を行
わず成膜後室温まで徐冷する他は、実施例２と同様にし
て酸化物超電導限流素子を製造した。その超電導体の臨
界温度は８７Ｋで、実施例２と同じであった。
わず成膜後室温まで徐冷する他は、実施例２と同様にし
て酸化物超電導限流素子を製造した。その超電導体の臨
界温度は８７Ｋで、実施例２と同じであった。
【００１４】比較例４．実施例２において、真空中で熱
処理を行わない他は、実施例２と同様にして酸化物超電
導限流素子を製造した。その超電導体の臨界温度は８７
Ｋで、実施例２と同じであった。
処理を行わない他は、実施例２と同様にして酸化物超電
導限流素子を製造した。その超電導体の臨界温度は８７
Ｋで、実施例２と同じであった。
【００１５】上記実施例２、比較例３および比較例４の
限流素子について、それぞれ液体窒素中に入れて冷却
し、交流回路（周波数５０Ｈz）を用い、上記素子にか
かる端子間電圧を変化させて、素子が熔断するまでの限
界端子間電圧を調査した。その結果、実施例１で製造し
たものは１１６Ｖ、比較例４の真空熱処理を施さずに単
にスパッタによって銀被覆を施した従来法によるものは
６６Ｖ、比較例３の全く被覆なしの従来法によるものは
７Ｖであった。すなわち、従来法によるものはいずれも
超電導膜が不均質であり、通電時に弱い部分が熱によっ
て熔断するために、高い端子間電圧を印加できなかった
ものと考えられる。これに対して、この発明の他の実施
例によれば、超電導膜が不均質であっても素子の安定化
性能が向上したため、熔断するのが１００Ｖを越える限
流導体を製造可能であることが明らかになった。さら
に、実施例２の限流導体では、上記の限界端子間電圧１
１６Ｖの場合に、使用回路の推定短絡電流３６０Ａをそ
の約１／１２である３０Ａに大きく限流することができ
た。
限流素子について、それぞれ液体窒素中に入れて冷却
し、交流回路（周波数５０Ｈz）を用い、上記素子にか
かる端子間電圧を変化させて、素子が熔断するまでの限
界端子間電圧を調査した。その結果、実施例１で製造し
たものは１１６Ｖ、比較例４の真空熱処理を施さずに単
にスパッタによって銀被覆を施した従来法によるものは
６６Ｖ、比較例３の全く被覆なしの従来法によるものは
７Ｖであった。すなわち、従来法によるものはいずれも
超電導膜が不均質であり、通電時に弱い部分が熱によっ
て熔断するために、高い端子間電圧を印加できなかった
ものと考えられる。これに対して、この発明の他の実施
例によれば、超電導膜が不均質であっても素子の安定化
性能が向上したため、熔断するのが１００Ｖを越える限
流導体を製造可能であることが明らかになった。さら
に、実施例２の限流導体では、上記の限界端子間電圧１
１６Ｖの場合に、使用回路の推定短絡電流３６０Ａをそ
の約１／１２である３０Ａに大きく限流することができ
た。
【００１６】ところで、この発明に用いる基材として
は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3、ＺｒＯ
2、Ｙ2Ｏ3などのセラミックや単結晶、金、銀、ステン
レス、銅、ニッケルなどの金属およびそれらの合金など
を使用することができる。
は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ3、ＺｒＯ
2、Ｙ2Ｏ3などのセラミックや単結晶、金、銀、ステン
レス、銅、ニッケルなどの金属およびそれらの合金など
を使用することができる。
【００１７】この発明では、超電導膜形成後に任意の真
空雰囲気中で熱処理を行い、任意の厚さの銀被覆を形成
する必要があるが、この方法としては実施例に示したよ
うに、超電導膜を成膜する場合と同一の手法を用いるの
が最適である。しかし、この発明では必ずしもこの限り
でなく、超電導膜を形成した手法と異なる成膜手法によ
って銀の被覆層を形成してもよい。熱処理温度も限定す
るものではなく、任意に選定できる。真空雰囲気によっ
ても異なるが、概ね２００〜６００℃で行うのが適当
で、超電導膜表面の酸素がある程度除去されればよい。
空雰囲気中で熱処理を行い、任意の厚さの銀被覆を形成
する必要があるが、この方法としては実施例に示したよ
うに、超電導膜を成膜する場合と同一の手法を用いるの
が最適である。しかし、この発明では必ずしもこの限り
でなく、超電導膜を形成した手法と異なる成膜手法によ
って銀の被覆層を形成してもよい。熱処理温度も限定す
るものではなく、任意に選定できる。真空雰囲気によっ
ても異なるが、概ね２００〜６００℃で行うのが適当
で、超電導膜表面の酸素がある程度除去されればよい。
【００１８】この発明における超電導膜形成方法では、
いわゆる物理蒸着法、化学気相蒸着法、および電気泳動
を利用した電着法などを用いる。この発明で基材へ酸化
物超電導膜を形成する際には、一般に酸素ガスを導入し
て成膜を行う。その酸素ガス圧としては、用いる手法に
よって大きく異なるため、任意の値を用いてよい。例え
ばＣＶＤ法では、一般にガス圧を高く取る必要があり、
スパッタ法や蒸着法ではガス圧は低い（真空度が高い）
のが普通である。
いわゆる物理蒸着法、化学気相蒸着法、および電気泳動
を利用した電着法などを用いる。この発明で基材へ酸化
物超電導膜を形成する際には、一般に酸素ガスを導入し
て成膜を行う。その酸素ガス圧としては、用いる手法に
よって大きく異なるため、任意の値を用いてよい。例え
ばＣＶＤ法では、一般にガス圧を高く取る必要があり、
スパッタ法や蒸着法ではガス圧は低い（真空度が高い）
のが普通である。
【００１９】基材上にこの発明による酸化物超電導体限
流導体を形成した後に、電極端子となる金属被覆を形成
する方法としては、気相成膜法、無電解メッキ法、電解
メッキ法もしくは圧着法いずれを用いてもよい。電極端
子としては、銀又は金が好ましい。
流導体を形成した後に、電極端子となる金属被覆を形成
する方法としては、気相成膜法、無電解メッキ法、電解
メッキ法もしくは圧着法いずれを用いてもよい。電極端
子としては、銀又は金が好ましい。
【００２０】ところで、実施例では酸化物系超電導材料
の一例としてＹ系材料を用いたが、この発明の効果はＹ
系に限らずＢｉ系、Ｔｌ系、Ｎｄ系等のいずれの酸化物
超電導材料においても発現することを実施例と同様の検
討によって確認した。また、上記実施例では限流導体を
限流素子に用いる場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば通常の電流を通電する導体として
用いた場合には、通電時の抵抗をほとんどゼロにするこ
とができるので、電力ロスがなくしかも過大電流が流れ
たときにはこれを限流することができることは言うまで
もない。
の一例としてＹ系材料を用いたが、この発明の効果はＹ
系に限らずＢｉ系、Ｔｌ系、Ｎｄ系等のいずれの酸化物
超電導材料においても発現することを実施例と同様の検
討によって確認した。また、上記実施例では限流導体を
限流素子に用いる場合について説明したが、これに限る
ものではなく、例えば通常の電流を通電する導体として
用いた場合には、通電時の抵抗をほとんどゼロにするこ
とができるので、電力ロスがなくしかも過大電流が流れ
たときにはこれを限流することができることは言うまで
もない。
【００２１】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、酸化
物超電導膜を形成して後、上記酸化物超電導膜を真空雰
囲気中で熱処理し、上記酸化物超電導膜に銀被覆を施す
ことにより、限流効果が大きく、限界端子間電圧が１０
０Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造方法を得る
ことができる。
物超電導膜を形成して後、上記酸化物超電導膜を真空雰
囲気中で熱処理し、上記酸化物超電導膜に銀被覆を施す
ことにより、限流効果が大きく、限界端子間電圧が１０
０Ｖ以上である酸化物超電導限流導体の製造方法を得る
ことができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 貞次郎 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内 (72)発明者 林 龍也 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社中央研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化物超電導膜を形成して後、上記酸化
物超電導膜を真空雰囲気中で熱処理し、上記酸化物超電
導膜に銀被覆を施す酸化物超電導限流導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046826A JPH05251758A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 酸化物超電導限流導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4046826A JPH05251758A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 酸化物超電導限流導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251758A true JPH05251758A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12758137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4046826A Pending JPH05251758A (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 酸化物超電導限流導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251758A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19634424A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter |
| US6552415B1 (en) | 1998-08-14 | 2003-04-22 | Abb Research Ltd | Electrically stabilized thin-film high-temperature superconductor and method for the production thereof |
| JP2007236108A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 超電導限流装置および電力システム |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4046826A patent/JPH05251758A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19634424A1 (de) * | 1996-08-26 | 1998-03-05 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter |
| DE19634424C2 (de) * | 1996-08-26 | 1998-07-02 | Abb Research Ltd | Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter |
| US6177856B1 (en) | 1996-08-26 | 2001-01-23 | Abb Research Ltd. | Process for producing a current limiter having a high-temperature superconductor, and current limiter |
| US6476706B1 (en) | 1996-08-26 | 2002-11-05 | Abb Research Ltd | Current limiter having a high-temperature superconductor |
| US6552415B1 (en) | 1998-08-14 | 2003-04-22 | Abb Research Ltd | Electrically stabilized thin-film high-temperature superconductor and method for the production thereof |
| JP2007236108A (ja) * | 2006-03-01 | 2007-09-13 | Toshiba Corp | 超電導限流装置および電力システム |
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