JPH0525229Y2 - - Google Patents
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- JPH0525229Y2 JPH0525229Y2 JP1987009846U JP984687U JPH0525229Y2 JP H0525229 Y2 JPH0525229 Y2 JP H0525229Y2 JP 1987009846 U JP1987009846 U JP 1987009846U JP 984687 U JP984687 U JP 984687U JP H0525229 Y2 JPH0525229 Y2 JP H0525229Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- thin film
- reaction
- power
- section
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【考案の詳細な説明】
（考案の技術分野）
この考案は半導体製造装置のガス制御部におい
て、製品を保護するための半導体薄膜成長装置の
保護回路に関する。
て、製品を保護するための半導体薄膜成長装置の
保護回路に関する。
（考案の技術的背景とその問題点）
シリコン等の基板上に薄膜成長、たとえば気相
成長を行うための反応部、反応部と各種ガス源と
を接続する管路網、各種ガスを必要量だけ反応部
に導く管路網途中に設けられた弁装置及び弁装置
の開閉と開度とを制御するための信号を与える制
御部等で構成される半導体薄膜成長装置の概略構
造の斜視図を第４図に示す。高周波発生部１１に
接続された薄膜成長装置本体１２，１３は反応部
Ｒ１，Ｒ２を有し、制御部１４で各反応部Ｒ１，
Ｒ２へのガス流量、各反応部内温度等が制御され
る。制御部１４の操作パネル１４Ａは操作用キー
入力部、デイスプレイユニツト等を有し、１２Ａ
及び１３Ａは反応部Ｒ１及びＲ２の開閉等の操作
を行なうための操作盤である。
成長を行うための反応部、反応部と各種ガス源と
を接続する管路網、各種ガスを必要量だけ反応部
に導く管路網途中に設けられた弁装置及び弁装置
の開閉と開度とを制御するための信号を与える制
御部等で構成される半導体薄膜成長装置の概略構
造の斜視図を第４図に示す。高周波発生部１１に
接続された薄膜成長装置本体１２，１３は反応部
Ｒ１，Ｒ２を有し、制御部１４で各反応部Ｒ１，
Ｒ２へのガス流量、各反応部内温度等が制御され
る。制御部１４の操作パネル１４Ａは操作用キー
入力部、デイスプレイユニツト等を有し、１２Ａ
及び１３Ａは反応部Ｒ１及びＲ２の開閉等の操作
を行なうための操作盤である。
第５図は第４図に示した薄膜成長装置における
制御部の動作を説明する概略ブロツク図を示し、
操作キー入力部１４Ａ−１で、カセツト磁気テー
プ１５で、または制御部１４に設けられ予め記憶
されている内部メモリ１７でプロセスプログラム
が処理部１４−１に出力される。このプロセスプ
ログラムに応じて機器駆動部１６に設けられてい
る弁装置等の開閉及び開度の制御が行なわれ、薄
膜成長装置本体１２，１３の反応部Ｒ１，Ｒ２へ
設定されたガスが流される。また、処理部１４−
１の処理内容及び入力情報はデイスプレイ１４Ａ
−２上に表示される。
制御部の動作を説明する概略ブロツク図を示し、
操作キー入力部１４Ａ−１で、カセツト磁気テー
プ１５で、または制御部１４に設けられ予め記憶
されている内部メモリ１７でプロセスプログラム
が処理部１４−１に出力される。このプロセスプ
ログラムに応じて機器駆動部１６に設けられてい
る弁装置等の開閉及び開度の制御が行なわれ、薄
膜成長装置本体１２，１３の反応部Ｒ１，Ｒ２へ
設定されたガスが流される。また、処理部１４−
１の処理内容及び入力情報はデイスプレイ１４Ａ
−２上に表示される。
第６図は反応部Ｒ１，Ｒ２に接続されるガスの
配管系統図を示し、反応部Ｒ１，Ｒ２に供給され
るガスは窒素N2，水素H2，ドーパントＮガス
DN，ドーパントＰガスDP及び塩化水素HC1で
あり、それぞれがガスチヤンバー１０１，１０
２，１０３，１０４，１０５内に充填されてお
り、バブリングチヤンバー１０６内には四塩化シ
リコンSicl4またはSiHCl3の液体が従来の充填さ
れている。ガスチヤンバー１０１から上方に延び
る管路には圧力スイツチPS１及び常時開状態の
弁PV１（以下、常時開状態の弁には一を付す）
が設けられ、弁PV７に通じている。同様にガス
チヤンバー１０２から上方に延びる管路にも圧力
スイツチPS２及び弁PV２が設けられ、弁PV８
に通じている。弁PV７及び弁PV８の出口ポート
は合流してそれぞれマスフロー弁MFC１及び
MFC２を介して管路PL１及びPL２に接続され
ている。管路PL１上にはさらにガス合流弁PV１
９及びPV２０が反応部Ｒ１の手前に設けられて
おり、管路PL１Ａ及びPL２Ａから供給されるガ
スがガス合流弁PV１９及びPV２０で混合され
る。同様に管路PL２上にはガス合流弁PV２１及
びPV２２が反応部Ｒ２の手前に設けられており、
管路PL１Ａ及びPL２Ａから供給されるガスがガ
ス合流弁PV２１及びPV２２で混合される。
配管系統図を示し、反応部Ｒ１，Ｒ２に供給され
るガスは窒素N2，水素H2，ドーパントＮガス
DN，ドーパントＰガスDP及び塩化水素HC1で
あり、それぞれがガスチヤンバー１０１，１０
２，１０３，１０４，１０５内に充填されてお
り、バブリングチヤンバー１０６内には四塩化シ
リコンSicl4またはSiHCl3の液体が従来の充填さ
れている。ガスチヤンバー１０１から上方に延び
る管路には圧力スイツチPS１及び常時開状態の
弁PV１（以下、常時開状態の弁には一を付す）
が設けられ、弁PV７に通じている。同様にガス
チヤンバー１０２から上方に延びる管路にも圧力
スイツチPS２及び弁PV２が設けられ、弁PV８
に通じている。弁PV７及び弁PV８の出口ポート
は合流してそれぞれマスフロー弁MFC１及び
MFC２を介して管路PL１及びPL２に接続され
ている。管路PL１上にはさらにガス合流弁PV１
９及びPV２０が反応部Ｒ１の手前に設けられて
おり、管路PL１Ａ及びPL２Ａから供給されるガ
スがガス合流弁PV１９及びPV２０で混合され
る。同様に管路PL２上にはガス合流弁PV２１及
びPV２２が反応部Ｒ２の手前に設けられており、
管路PL１Ａ及びPL２Ａから供給されるガスがガ
ス合流弁PV２１及びPV２２で混合される。
バブリングチヤンバー１０６から２本の管路
PL３Ａ及びPL３Ｂが延設され、弁VC１に接続
されている。弁VC１のポートPOに主ガスH2が
入り、ポートＰ２を出て管路PL３Ａ及び弁PV３
を通つてバブリングチヤンバー１０６に入り、液
体のSiCl4をバブリングする。そして、バブリン
グチヤンバー１０６内の空間には蒸気化した
SiCl4とH2との混合気体ができ、これが弁PV３
及び管路PL３Ｂを通つて弁VC１のポートＰ３に
入り、ポートＰ１を出て管路PL６Ａに入る。
PL３Ａ及びPL３Ｂが延設され、弁VC１に接続
されている。弁VC１のポートPOに主ガスH2が
入り、ポートＰ２を出て管路PL３Ａ及び弁PV３
を通つてバブリングチヤンバー１０６に入り、液
体のSiCl4をバブリングする。そして、バブリン
グチヤンバー１０６内の空間には蒸気化した
SiCl4とH2との混合気体ができ、これが弁PV３
及び管路PL３Ｂを通つて弁VC１のポートＰ３に
入り、ポートＰ１を出て管路PL６Ａに入る。
ガスチヤンバー１０３から上方に延びる管路に
は、弁PV５を介してマスフロー弁MFC４，
MFC５，MFC６が接続されている。マスフロー
弁MFC４，５，６の入口側は主ガスH2の管路PL
５が弁PV９を介して接続され、主ガスH2とガス
DNとが混合されてマスフロー弁MFC４，５，６
の出口側に接続されている管路PL１Ａを通つて
ガス合流弁PV１９及びPV２１に供給される。同
様にガスチヤンバー１０４から上方に延びる管路
には、弁PV２３を介してマスフロー弁MFC８，
MFC９，MFC１０が接続されている。マスフロ
ー弁MFC８，９，１０の入口側は主ガスＨ２の
管路PL５が弁PV２４を介して接続され、主ガス
Ｈ２とガスDPとが混合されてマスフロー弁MFC
８，９，１０の出口側に接続されている管路PL
１９及びPV２１に供給される。
は、弁PV５を介してマスフロー弁MFC４，
MFC５，MFC６が接続されている。マスフロー
弁MFC４，５，６の入口側は主ガスH2の管路PL
５が弁PV９を介して接続され、主ガスH2とガス
DNとが混合されてマスフロー弁MFC４，５，６
の出口側に接続されている管路PL１Ａを通つて
ガス合流弁PV１９及びPV２１に供給される。同
様にガスチヤンバー１０４から上方に延びる管路
には、弁PV２３を介してマスフロー弁MFC８，
MFC９，MFC１０が接続されている。マスフロ
ー弁MFC８，９，１０の入口側は主ガスＨ２の
管路PL５が弁PV２４を介して接続され、主ガス
Ｈ２とガスDPとが混合されてマスフロー弁MFC
８，９，１０の出口側に接続されている管路PL
１９及びPV２１に供給される。
ガスチヤンバー１０５から上方に延びる管路に
は、弁PV６Ａを介してマスフロー弁MFC７が接
続され、マスフロー弁MFC７の出口側に接続さ
れている管路PL２Ａを介してガス合流弁PV２０
及びPV２２に接続されている。さらに、弁PV６
Ａの出口側には弁PV６Ｂを介して主ガスH2の管
路PL５が接続されている。
は、弁PV６Ａを介してマスフロー弁MFC７が接
続され、マスフロー弁MFC７の出口側に接続さ
れている管路PL２Ａを介してガス合流弁PV２０
及びPV２２に接続されている。さらに、弁PV６
Ａの出口側には弁PV６Ｂを介して主ガスH2の管
路PL５が接続されている。
上述した構成の半導体薄膜成長装置の反応部内
は安全上、窒素N2またはアルゴンAr等の不燃
性，不活性ガスを用いて空気と置換後、さらに主
ガスH2に置換して反応が行なわれている。その
ため反応中に停電が発生した場合、ただちに反応
部内への供給ガスをH2からN2またはAr等に切換
えていた。しかし、供給ガスをN2に切換えると、
製品（シリコンウエハ等）が高温にＮ２雰囲気に
さらされるため表面に窒素膜が形成され、製品が
不良になると共に、製品を置くサセプタも窒化に
よるダメージを受けていた。よつて、停電発生時
には製品不良を来たさない前に薄膜成長処理を中
止し、停電復帰後は装置の初期値化をN2で行つ
ていた。
は安全上、窒素N2またはアルゴンAr等の不燃
性，不活性ガスを用いて空気と置換後、さらに主
ガスH2に置換して反応が行なわれている。その
ため反応中に停電が発生した場合、ただちに反応
部内への供給ガスをH2からN2またはAr等に切換
えていた。しかし、供給ガスをN2に切換えると、
製品（シリコンウエハ等）が高温にＮ２雰囲気に
さらされるため表面に窒素膜が形成され、製品が
不良になると共に、製品を置くサセプタも窒化に
よるダメージを受けていた。よつて、停電発生時
には製品不良を来たさない前に薄膜成長処理を中
止し、停電復帰後は装置の初期値化をN2で行つ
ていた。
したがつて、停電時間が製品不良を来たさない
いわゆる瞬時停電時間のような場合においても薄
膜成長処理が中止され、停電復帰後に装置の初期
値化をするので、薄膜成長処理の円滑性を欠き、
処理効率が低下するという不都合な点がみられ
た。
いわゆる瞬時停電時間のような場合においても薄
膜成長処理が中止され、停電復帰後に装置の初期
値化をするので、薄膜成長処理の円滑性を欠き、
処理効率が低下するという不都合な点がみられ
た。
また、上述の事を避けるにはArを使えば良い
が、価格が高く製品コストを上昇させる等の種々
の問題があつた。
が、価格が高く製品コストを上昇させる等の種々
の問題があつた。
（考案の目的）
この考案は上述のような事情からなされたもの
であり、この考案の目的は、瞬時停電発生，復帰
のときは、停電に伴い反応部内へ供給された不燃
性，不活性ガスを反応ガスの供給に切換え、窒素
膜形成等の製品不良を発生させずに、みかけ上ほ
ぼ連続的な薄膜成長処理ができるようにした半導
体薄膜成長装置の保護回路を提供することにあ
る。
であり、この考案の目的は、瞬時停電発生，復帰
のときは、停電に伴い反応部内へ供給された不燃
性，不活性ガスを反応ガスの供給に切換え、窒素
膜形成等の製品不良を発生させずに、みかけ上ほ
ぼ連続的な薄膜成長処理ができるようにした半導
体薄膜成長装置の保護回路を提供することにあ
る。
（考案の概要）
この考案は、前記の目的を達成するために、シ
リコン等の基板に薄膜成長を行うための反応部
と、該反応部に前記薄膜成長に必要な各種反応ガ
ス源を接続する管路網と、該管路網の途中に設け
られ前記各種反応ガスを前記反応部に必要量供給
する弁装置と、該弁装置のオン・ホフと開度を制
御する制御部とで構成され、電源オン・オフを判
断し、電源オフ時に前記弁装置を切換え、反応部
への供給ガスを反応ガスから不燃性，不活性ガス
に切換えるように制御される半導体薄膜成長装置
において、前記電源のオフ時の時刻とオン時の時
刻を記憶して停止時間を計算し、該停止時間が前
記不燃性，不活性ガスの供給による製品不良化を
来さない設定時間以下であれば前記電源オフ前の
反応ガスを前記反応部に供給するように前記弁装
置を切換える保護回路を前記制御部に具備したこ
とにある。
リコン等の基板に薄膜成長を行うための反応部
と、該反応部に前記薄膜成長に必要な各種反応ガ
ス源を接続する管路網と、該管路網の途中に設け
られ前記各種反応ガスを前記反応部に必要量供給
する弁装置と、該弁装置のオン・ホフと開度を制
御する制御部とで構成され、電源オン・オフを判
断し、電源オフ時に前記弁装置を切換え、反応部
への供給ガスを反応ガスから不燃性，不活性ガス
に切換えるように制御される半導体薄膜成長装置
において、前記電源のオフ時の時刻とオン時の時
刻を記憶して停止時間を計算し、該停止時間が前
記不燃性，不活性ガスの供給による製品不良化を
来さない設定時間以下であれば前記電源オフ前の
反応ガスを前記反応部に供給するように前記弁装
置を切換える保護回路を前記制御部に具備したこ
とにある。
（考案の実施例）
以下、この考案の実施例を添付図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図は半導体薄膜成長装置の制御部のブロツ
ク図であり、この考案を実現するため新たに記憶
部２７内に電源監視２７−１及びタイマー読込み
２７−２の処理プログラムが設けられている。以
下このブロツク図について説明すると、主計算機
の中央処理ユニツト２１にはデータバス２２及び
Ｉ／Ｏバス２３が接続されている。
ク図であり、この考案を実現するため新たに記憶
部２７内に電源監視２７−１及びタイマー読込み
２７−２の処理プログラムが設けられている。以
下このブロツク図について説明すると、主計算機
の中央処理ユニツト２１にはデータバス２２及び
Ｉ／Ｏバス２３が接続されている。
Ｉ／Ｏバス２３にはCRTインタフエイス２８
が接続されCRT２９上に表示する内容を出力し、
さらにＩ／Ｏバス２３に接続されている入力モジ
ユール３０，３２はそれぞれキーボード３１から
の入力データ信号及び圧力スイツチPSやリミツ
トスイツチLSなどのスイツチ３３からの信号を
一時記憶部２６に入力する。そしてＩ／Ｏバス２
３には出力モジユール３４，３６，３８が接続さ
れており、それぞれランプ，LED，弁等の出力
部３５，ガス弁類３７及びリレー駆動部３９に指
令を出力する。リレー駆動部３９は反応部Ｒ１，
Ｒ２内のサセプタの回転用のモータ及び炉のふた
の開閉用シリンダ駆動用の弁４０を駆動する。さ
らにＩ／Ｏバス２３にはＤ／Ａ変換モジユール４
１及びＡ／Ｄ変換モジユール４３が接続されてお
り、Ｄ／Ａ変換モジユール４１は流量制御弁４２
を流れるガス流量を指定する制御電圧をアナログ
量として与え、またＡ／Ｄ変換モジユール４３は
フイードバツク信号として各制御弁に流れている
流量を検出する検出部４４からのアナログ信号を
受けてデジタル信号に変換する。
が接続されCRT２９上に表示する内容を出力し、
さらにＩ／Ｏバス２３に接続されている入力モジ
ユール３０，３２はそれぞれキーボード３１から
の入力データ信号及び圧力スイツチPSやリミツ
トスイツチLSなどのスイツチ３３からの信号を
一時記憶部２６に入力する。そしてＩ／Ｏバス２
３には出力モジユール３４，３６，３８が接続さ
れており、それぞれランプ，LED，弁等の出力
部３５，ガス弁類３７及びリレー駆動部３９に指
令を出力する。リレー駆動部３９は反応部Ｒ１，
Ｒ２内のサセプタの回転用のモータ及び炉のふた
の開閉用シリンダ駆動用の弁４０を駆動する。さ
らにＩ／Ｏバス２３にはＤ／Ａ変換モジユール４
１及びＡ／Ｄ変換モジユール４３が接続されてお
り、Ｄ／Ａ変換モジユール４１は流量制御弁４２
を流れるガス流量を指定する制御電圧をアナログ
量として与え、またＡ／Ｄ変換モジユール４３は
フイードバツク信号として各制御弁に流れている
流量を検出する検出部４４からのアナログ信号を
受けてデジタル信号に変換する。
副中央処理装置４６はカセツト磁気テープ５１
に記憶されているプロセスプログラム群をインタ
フエイス４９を介して一時記憶部５３へ転送して
記憶する場合、またはカセツト磁気テープ５１に
対して一時記憶部５３に記憶されたプロセスプロ
グラム群を書込むために作動し、副中央処理装置
４６は記憶部５２に記憶されている処理プログラ
ムに従つて動作する。データバス４８は副中央処
理装置４６と、記憶部５２と一時記憶部５３とを
接続し、Ｉ／Ｏバス５４は副中央処理装置４６
と、インタフエイス４９と高速メモリデータ転送
部５０とを接続する。
に記憶されているプロセスプログラム群をインタ
フエイス４９を介して一時記憶部５３へ転送して
記憶する場合、またはカセツト磁気テープ５１に
対して一時記憶部５３に記憶されたプロセスプロ
グラム群を書込むために作動し、副中央処理装置
４６は記憶部５２に記憶されている処理プログラ
ムに従つて動作する。データバス４８は副中央処
理装置４６と、記憶部５２と一時記憶部５３とを
接続し、Ｉ／Ｏバス５４は副中央処理装置４６
と、インタフエイス４９と高速メモリデータ転送
部５０とを接続する。
一方、Ｉ／Ｏバス２３にはさらに高速メモリデ
ータ転送部４５が配置され、この高速メモリデー
タ転送部４５と前述の高速メモリデータ転送部５
０とがデータハイウエイ４７で接続されている。
そこで一時記憶部５３の内容を一時記憶部２３
へ、あるいは逆に高速でデータ転送することで、
カセツト磁気テープ５１からのプロセスプログラ
ムデータの読出し、書込みに要する時間が中央処
理ユニツト２１の演算処理の速度を制限するとい
う問題を解消する。上述の要素４６〜５４の代り
にＩ／Ｏバス２３と接続される入出力モジユール
を介してデータのやりとりを行つても良い。
ータ転送部４５が配置され、この高速メモリデー
タ転送部４５と前述の高速メモリデータ転送部５
０とがデータハイウエイ４７で接続されている。
そこで一時記憶部５３の内容を一時記憶部２３
へ、あるいは逆に高速でデータ転送することで、
カセツト磁気テープ５１からのプロセスプログラ
ムデータの読出し、書込みに要する時間が中央処
理ユニツト２１の演算処理の速度を制限するとい
う問題を解消する。上述の要素４６〜５４の代り
にＩ／Ｏバス２３と接続される入出力モジユール
を介してデータのやりとりを行つても良い。
一方、データバス２２には各反応部Ｒ１，Ｒ２
で遂行される一連のプロセスプログラム群を予め
記憶してある記憶部２４と、デイスプレイ装置２
９に表示される内容を一時的に記憶するCRT記
憶部２５と、このシステムの稼動中に使用される
データたとえばキーボード３１からの入力デー
タ、各種スイツチ類のオン・オフ情報またはカセ
ツトテープ等の外部記憶媒体からのプロセスプロ
グラム群を記憶する記憶部２６と、このシステム
を働かせるための各処理プログラムを記憶してい
る記憶部２７とが接続されている。
で遂行される一連のプロセスプログラム群を予め
記憶してある記憶部２４と、デイスプレイ装置２
９に表示される内容を一時的に記憶するCRT記
憶部２５と、このシステムの稼動中に使用される
データたとえばキーボード３１からの入力デー
タ、各種スイツチ類のオン・オフ情報またはカセ
ツトテープ等の外部記憶媒体からのプロセスプロ
グラム群を記憶する記憶部２６と、このシステム
を働かせるための各処理プログラムを記憶してい
る記憶部２７とが接続されている。
この記憶部２７で示した処理プログラムの種類
としては、記憶部２６に記憶したプロセスプログ
ラム群（以下、PPGという）を順次読出して中
央処理ユニツト２１で各プロセスプログラム（以
下、PPという）に対応するシーケンス命令にデ
コードするように中央処理ユニツト２１を制御す
るためのプロセスプログラム処理プログラム２７
−３、記憶２６に記憶されているPPGの内容を
修正するよう中央処理ユニツト２１を制御する修
正処理プログラム２７−４、キーボード３１を用
いて必要データを入力して新規なPPGを生成す
るためのプロセスプログラム生成処理プログラム
２７−５、現在進行中のプロセスをCRT２９へ
表示させるためのRUN処理プログラム２７−６，
PPGの中の任意のPPを他のPPに変換処理する処
理プログラム２７−７、外部記憶媒体へ記憶部２
６に記憶されているPPGを記憶部５３を介して
転送するための処理プログラム２７−８、処理プ
ログラム２７−８と逆の作用をする処理プログラ
ム２７−９、記憶部２６に記憶されているPPG
を処理プログラム２７−３にかける前に確認する
確認処理プログラム２７−１０、このシステムの
稼動中自己診断を行う処理プログラム２７−１
１、１つのPPGの稼動中の経過時間を算出する
処理プログラム２７−１２、各種テスト機能を遂
行させる処理プログラム２７−１３、そして新た
に電源のオン・オフを監視する電源監視プログラ
ム２７−１及び電源投入時に一定周期でタイマー
値を読込むタイマー読込プロブラム２７−２が記
憶され、中央処理ユニツト２１はこれらのプログ
ラムの１つを指定することで演算を行なう。
としては、記憶部２６に記憶したプロセスプログ
ラム群（以下、PPGという）を順次読出して中
央処理ユニツト２１で各プロセスプログラム（以
下、PPという）に対応するシーケンス命令にデ
コードするように中央処理ユニツト２１を制御す
るためのプロセスプログラム処理プログラム２７
−３、記憶２６に記憶されているPPGの内容を
修正するよう中央処理ユニツト２１を制御する修
正処理プログラム２７−４、キーボード３１を用
いて必要データを入力して新規なPPGを生成す
るためのプロセスプログラム生成処理プログラム
２７−５、現在進行中のプロセスをCRT２９へ
表示させるためのRUN処理プログラム２７−６，
PPGの中の任意のPPを他のPPに変換処理する処
理プログラム２７−７、外部記憶媒体へ記憶部２
６に記憶されているPPGを記憶部５３を介して
転送するための処理プログラム２７−８、処理プ
ログラム２７−８と逆の作用をする処理プログラ
ム２７−９、記憶部２６に記憶されているPPG
を処理プログラム２７−３にかける前に確認する
確認処理プログラム２７−１０、このシステムの
稼動中自己診断を行う処理プログラム２７−１
１、１つのPPGの稼動中の経過時間を算出する
処理プログラム２７−１２、各種テスト機能を遂
行させる処理プログラム２７−１３、そして新た
に電源のオン・オフを監視する電源監視プログラ
ム２７−１及び電源投入時に一定周期でタイマー
値を読込むタイマー読込プロブラム２７−２が記
憶され、中央処理ユニツト２１はこれらのプログ
ラムの１つを指定することで演算を行なう。
このような構成の制御部において、この考案部
分の動作について、第２図に示すフローチヤート
を参照して説明する。
分の動作について、第２図に示すフローチヤート
を参照して説明する。
制御装置内にバツテリーでバツクアツプされた
タイマーを有し、薄膜成長処置中に電源がオフ
（停電）したことを確認すると、弁PV７を開に、
弁PV８を閉に切換え、反応部Ｒ１，Ｒ２への供
給ガスを主ガス水素H2から窒素N2にすると共
に、その時のタイマー値（旧タイマー値）を記憶
し、再び電源がオン（復帰）したことを確認する
と（ステツプS1），その時のタイマー値（新タイ
マー値）を読み込む（ステツプS2）。新タイマー
値と旧タイマー値の差を求め（ステツプS3）、そ
の差（停止時間Ｔ）が前記H2から切換わつたN2
の供給による製品不良（窒化膜の形成等）に至ら
ないいわゆる瞬時停電時間（設定時間）以上であ
るかどうかを確認し（ステツプS4），瞬時停電時
間を超える場合は薄膜成長処理を中止する。一
方、判断ステツプS4において瞬時停電時間以下
の場合は、反応部Ｒ１，Ｒ２へのN2ガスの供給
を断ち、反応ガスの主ガス水素H2を供給するよ
うに弁PV７を閉に、弁PV８を開に切換える（ス
テツプS5）。
タイマーを有し、薄膜成長処置中に電源がオフ
（停電）したことを確認すると、弁PV７を開に、
弁PV８を閉に切換え、反応部Ｒ１，Ｒ２への供
給ガスを主ガス水素H2から窒素N2にすると共
に、その時のタイマー値（旧タイマー値）を記憶
し、再び電源がオン（復帰）したことを確認する
と（ステツプS1），その時のタイマー値（新タイ
マー値）を読み込む（ステツプS2）。新タイマー
値と旧タイマー値の差を求め（ステツプS3）、そ
の差（停止時間Ｔ）が前記H2から切換わつたN2
の供給による製品不良（窒化膜の形成等）に至ら
ないいわゆる瞬時停電時間（設定時間）以上であ
るかどうかを確認し（ステツプS4），瞬時停電時
間を超える場合は薄膜成長処理を中止する。一
方、判断ステツプS4において瞬時停電時間以下
の場合は、反応部Ｒ１，Ｒ２へのN2ガスの供給
を断ち、反応ガスの主ガス水素H2を供給するよ
うに弁PV７を閉に、弁PV８を開に切換える（ス
テツプS5）。
そして、それぞれの弁PV７，弁PV８の切換え
により、他ガス管路網が初期値化され（ステツプ
S6）、薄膜成長処理を継続して、成長後に処理を
終了する。
により、他ガス管路網が初期値化され（ステツプ
S6）、薄膜成長処理を継続して、成長後に処理を
終了する。
旧タイマー値は記憶部２６にバツテリバツクア
ツプされて保存されており、電源投入後は一定周
期でタイマー読込みがされ旧タイマー値が更新さ
れる。そのときのタイマーの読込みのフローチヤ
ートを第３図に示す。対象ICより年の値を読込
み（ステツプS11）、旧タイマー年領域に記憶さ
れる（ステツプS12）。以下同様に月，日，時，
分，秒が読込み記憶され（ステツプS13〜22）、
処理を終了する。
ツプされて保存されており、電源投入後は一定周
期でタイマー読込みがされ旧タイマー値が更新さ
れる。そのときのタイマーの読込みのフローチヤ
ートを第３図に示す。対象ICより年の値を読込
み（ステツプS11）、旧タイマー年領域に記憶さ
れる（ステツプS12）。以下同様に月，日，時，
分，秒が読込み記憶され（ステツプS13〜22）、
処理を終了する。
なお、ここで使用するタイマーはCPU周辺IC
としてバス直結形でバツテリバツクアツプ形の万
年カレンダー付リアルタイムロツク等、特に限定
しない。
としてバス直結形でバツテリバツクアツプ形の万
年カレンダー付リアルタイムロツク等、特に限定
しない。
（考案の効果）
以上のように、この考案の半導体製造装置の保
護回路によれば、瞬時停電発生、復帰のときは瞬
時停電前の状態で引続き運転が行なわれるため、
製品の不良化もなく薄膜成長処理効率が向上する
と共にコストダウンも図ることができるようにな
る。
護回路によれば、瞬時停電発生、復帰のときは瞬
時停電前の状態で引続き運転が行なわれるため、
製品の不良化もなく薄膜成長処理効率が向上する
と共にコストダウンも図ることができるようにな
る。
第１図はこの考案を実現する半導体薄膜成長装
置の制御部のプロツク図、第２はこの考案の動作
を説明するフローチヤート、第３図にタイマー読
み込みのフローチヤート、第４図は一般的な半導
体薄膜成長装置の概略機構の斜視図、第５図はそ
の装置の制御部の動作を説明する概略ブロツク
図、第６図はその装置のガスの配管系統図であ
る。 １１……高周波発生部、Ｒ１，Ｒ２……反応
部、１４……制御部、２７−１……電源監視、２
７−２……タイマー読込。
置の制御部のプロツク図、第２はこの考案の動作
を説明するフローチヤート、第３図にタイマー読
み込みのフローチヤート、第４図は一般的な半導
体薄膜成長装置の概略機構の斜視図、第５図はそ
の装置の制御部の動作を説明する概略ブロツク
図、第６図はその装置のガスの配管系統図であ
る。 １１……高周波発生部、Ｒ１，Ｒ２……反応
部、１４……制御部、２７−１……電源監視、２
７−２……タイマー読込。
Claims (1)
- シリコン等の基板に薄膜成長を行うための反応
部と、該反応部に前記薄膜成長に必要な各種反応
ガス源を接続する管路網と、該管路網の途中に設
けられ前記各種反応ガスを前記反応部に必要量供
給する弁装置と、該弁装置のオン・オフと開度を
制御する制御部とで構成され、電源のオン・オフ
を判断し、電源オフ時に前記弁装置を切換え、反
応部への供給ガスを反応ガスから不燃性、不活性
ガスに切換えるように制御される半導体薄膜成長
装置において、前記電源のオフ時の時刻とオン時
の時刻を記憶して停止時間を計算し、該停止時間
が前記不燃性、不活性ガスの供給による製品不良
化を来さない設定時間以下であれば前記電源オフ
前の反応ガスを前記反応部に供給するように前記
弁装置を切換える保護回路を前記制御部に具備し
たことを特徴とする半導体薄膜成長装置の保護回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987009846U JPH0525229Y2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987009846U JPH0525229Y2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63119233U JPS63119233U (ja) | 1988-08-02 |
| JPH0525229Y2 true JPH0525229Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=30795546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987009846U Expired - Lifetime JPH0525229Y2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525229Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4943696A (ja) * | 1972-08-30 | 1974-04-24 | ||
| JPS58128728A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-01 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体気相成長装置 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP1987009846U patent/JPH0525229Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63119233U (ja) | 1988-08-02 |
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