JPS6328495B2 - - Google Patents
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- JPS6328495B2 JPS6328495B2 JP57011997A JP1199782A JPS6328495B2 JP S6328495 B2 JPS6328495 B2 JP S6328495B2 JP 57011997 A JP57011997 A JP 57011997A JP 1199782 A JP1199782 A JP 1199782A JP S6328495 B2 JPS6328495 B2 JP S6328495B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の気相成長装置に係り、特に１
回の気相成長を遂行するための複数のシーケンス
プロセスにおいて、各シーケンスプロセスに対し
それぞれ必要とされるプロセスパラメータとして
の時間、ガスおよび温度に関する情報を１組にし
て備えるプロセスプログラムを単位として形成
し、オペレータがこのプロセスプログラムを単位
としてこれを対話形式により修正しながら実行で
きるよう構成した汎用性のある自動制御可能な半
導体気相成長装置に関する。 〔従来の技術〕 今日、半導体チツプの製造法として、半導体の
ウエハ上に気相成長を行う気相成長装置が多用さ
れるようになると共にこの種装置の運転について
その自動化が要求されるようになつた。現在使用
されている気相成長装置としては、反応炉内のプ
ロセスの進行を指示するシーケンスプログラム
（以下プロセスプログラムと称する）を、ピンボ
ードスイツチ等によりシーケンスの進行を指定す
る方式が一般的に採用されている。この場合、使
用ガスの流量の指定、炉内温度の指定について
は、制御装置に取付けられている可変抵抗器をオ
ペレータが調節して設定するものであり、制御に
際し多くの熟練と経験を伴う判断要素が存在す
る。例えば、第１図は従来のピンボードスイツチ
方式により反応炉内のプロセスの進行を制御する
よう構成したシステムを示す。第１図において、
ピンボードスイツチの設定パネルＡ上にはプロセ
スプログラムPPi（ｉ＝１〜17）毎にそれらの遂
行される順番にピンが挿入され、また各指定され
た順番のプロセスプログラムのシーケンス時間
が、時、分、秒の単位で設定できるようになつて
いる。また、リレーラダー回路Ｂには、シーケン
スの順序すなわちstep，，……，に対応
してプロセスプログラムPP2，PP3，PP1，PP4，
PP6，PP5，PP7の順にその内容を有効にすると
いう指令が与えられ、各指令のプロセスに対応す
る弁装置等への制御信号が与えられるようになつ
ている。しかしながら、このピンボードスイツチ
方式による制御では、各プロセスシーケンスの時
間を設定できるのみであり、そのプロセスにおい
て使用されるガスの流量や炉内温度は別の制御対
象（可変抵抗器）で設定しなければならない。 また、第１図に示すピンボードスイツチ方式の
他に、汎用のシーケンスコントローラを使用する
制御方式も実施されているが、これらの制御方式
においても流量や温度を直接プログラムされたデ
ータによつて指定するものではなく、可変抵抗器
等の設定器を備えている。 このような観点から、オペレータの作業を可能
な限り少なくするため、ガス流量、温度および時
間の如きプロセスパラメータをコンピユータによ
るDDC方式で行う制御システムが提案されてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 今日、半導体の製造工程は、素材からチツプと
して完成するまで、他産業に比べて非常に多くの
工程を要し、気相成長工程はその一部である。
種々の工程は、チツプとして完成に至る関係にお
いて有機的に結合され、単独である１つの工程部
分を相当する装置を大幅に増設したりすること
は、製造工程やラインのバランスの点から困難で
ある。 また、今日における絶えざる半導体チツプの集
積度増大化の要求、精度向上の要求が厳しいた
め、半導体製造装置の技術開発においては、例え
ばCVD反応炉内での物理・化学的現象の解明、
新しい測定方法の開発等が複雑に影響しつつ進行
している。特に、気相成長装置の場合、膜厚等に
対するデータの修正や補正といつた作業が装置の
稼動状況の中で要求される。具体例を示せば次の
通りである。 バブラータンクの液量変化により、膜厚の成
長速度が変るため、オペレータは定期点検を行
うと共にソースガス流量またはシーケンス時間
の変更もしくは修正によつてこれに対応しなけ
ればならない。 ウエハ載置用のサセプタ全面に対し均一な温
度分布が保証されないと、膜厚分布、比抵抗分
布が悪くなるが、その原因としてサセプタ製造
時のバラツキ等があり、誘導加熱コイルのピツ
チ調整等により均熱調整を行わなければならな
い。特に、サセプタの新規交換に際し、既存の
プロセスプログラムを利用してサセプタを昇温
させる場合、ガスを排除して温度調整を行う操
作が必要であり、この操作は数回行うことによ
つて良好な均熱分布が得られる。また、均熱分
布が良好であつても、必ずしも良好な制品が得
られるとは限らないため、モニタウエハ（評価
用ウエハ）を投入して、一度膜付けを行い、そ
の結果バラツキが大きければ再度均熱調整、昇
温等のサイクルを繰返す。 気相成長プロセスの中で、ウエハに対する膜
厚および比抵抗の仕様が変更された場合、モニ
タウエハをサセプタ上に２，３枚載置し、試験
プロセスを実行させて規格に合うための処理条
件を種々変化させながらこれを決定するプロセ
ス技術者による評価作業とオペレータによるデ
ータ修正作業が必要である。 ウエハ上に気相成長膜を生成させることは、
サセプタ上にも成長膜が生成され、この生成さ
れた膜がウエハに対し悪影響を及ぼす（オート
ドーピング）ので、この生成膜層を除去するこ
とが必要である。この場合、オペレータは反応
炉内のサセプタ上の膜の除去状態を監視し、そ
の除去具合が悪ければ制御の一時停止（シーケ
ンスホールド）を行つて膜の除去作業を継続さ
せる必要がある。なお、サセプタの寿命は、昇
温時間やサイクル数によつて著しく影響を受け
るため、サセプタを定期的に交換しなければな
らない。この場合、新たなサセプタは、反応炉
の前で温度を測定しながら徐々に出力を上昇さ
せ、温度衝撃を少くする必要があり、このため
予め定めた昇温プロセス中のパラメータをオペ
レータが現場で修正する作業も必要となる。 しかしながら、従来のピンボードスイツチ方式
やシーケンスコントローラを使用する制御方式で
は、前述したようにある一定の品質のチツプを製
造するに際して、半導体気相成長装置の運転には
ガス流量や温度条件に関して多くの条件設定の変
更を繰返し行う必要があるため、プロセスプログ
ラムの順番やそのシーケンス時間はプログラマブ
ルに設定してもガス流量や炉内温度については別
に設けた設定器（可変抵抗器等）でオペレータが
直接操作するようになつている。このことは、オ
ペレータの立場から見ると、安心して反応炉の操
作を遂行できるという利点はあるが、適正条件が
得られた場合の記録やこれらとシーケンス内容と
の関係を直ちに判別できないため、装置の運転に
際してオペレータの判断要素が制御操作の大部分
を占めている。 また、ガス流量、温度および時間等のプロセス
パラメータとして設定し、コンピユータによる
DDC方式で行う制御システムでは、前述したよ
うな条件設定の変更を行うにはプロセスプログラ
ムの内容を修正する必要があり、このためプロセ
スプログラムの内容修正のためのプログラムをシ
ステムプログラムの一部として含むようにシステ
ムプログラムを構築しなければならない。しかし
ながら、この種の制御システムでは、予め設定さ
れたプロセスプログラムの実行が開始されると、
途中で運転停止を行うか１回の処理操作を完了す
るまでプロセスプログラムの内容修正を行うこと
ができない。このため、前述したような条件設定
の変更を簡便に行うことができないため、製品の
歩留りが低下するばかりでなく、装置の稼動率も
低減するという欠点を有する。 そこで、本発明の目的は、１回の気相成長を遂
行するための複数のシーケンスプロセスにおい
て、各シーケンスプロセスに対しそれぞれ必要と
されるプロセスパラメータとしての時間、ガス、
温度に関する情報をプロセスプログラムとしてス
トアし、このプロセスプログラムを単位としてオ
ペレータがその内容を呼び出してこれを表示手段
に表示させ、各プロセスパラメータの修正を可能
としかつその内容をリアルタイムで実行可能と
し、現実に要求される各種の操作を一連のプロセ
スプログラムによつて簡便に実現することができ
る半導体気相成長装置を提供するにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に係る半導体気相成長装置は、シリコン
等の基板上に気相成長を行わしめる反応炉と、前
記基板を加熱する手段と、気相成長に必要な各種
ガス源と前記反応炉との間を接続する管路網と、
該管路網上に設けられ前記各種ガスに対しその所
望量を前記反応炉に導くよう前記管路網を形成せ
しめる弁装置とこの弁装置のオン、オフないしは
その開度を制御するための信号および前記加熱手
段を制御する信号を与える制御装置とからなる半
導体気相成長装置において、 前記制御装置は、前記炉内における１回の気相
成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応し
て必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時
間内において供給されるべき１つまたは複数のガ
スの種類およびその流量と前記シーケンス時間内
において炉内で実現すべき温度とに関する情報を
前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータ
データとしてストアし得るプロセスプログラムを
形成し、このプロセスプログラムを単位としてこ
れの複数個からなる前記１回の気相成長に対応し
たプロセスプログラム群を１つないし複数個貯蔵
する第１メモリ手段と、 キー入力手段と、 前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力
手段に応答して表示せしめる表示手段と、 前記プロセスプログラム群内の各プロセスプロ
グラムを順次デコードして前記弁装置および加熱
手段への前記各制御信号を形成せしめるためのデ
コード用処理プログラムおよび前記表示手段上に
表示されたプロセスプログラムの内容を修正する
ための修正用処理プログラムを貯蔵する第２メモ
リ手段とから構成することを特徴とする。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を第２図以下の図面を参照
して説明する。 第２図は本発明実施例の半導体気相成長装置の
外観図である。同図において１１は高周波発生
部、１２，１３は反応炉Ｒ１，Ｒ２を備えた気相
成長装置本体である。１４は制御部であつて各反
応炉内へのガス流量、各炉内温度等を制御する。
１４Ａは制御部１４の操作パネルで操作用キー入
力部、デイスプレイユニツト等を含む。その詳細
を第５図に示す。１２Ａ，１３Ａは反応炉Ｒ１，
Ｒ２の開閉等の操作を行うための操作盤である。 第３図は第２図に示した気相成長装置における
操作の遂行される部分を説明する概念的なブロツ
ク図であつて、操作キー入力部１４Ａ―１、カセ
ツト磁気テープ（CMT）又は制御部１４に設け
られている内部メモリに予じめストアされている
プロセスプログラムが処理部１４―１に与えられ
るようになつておりこの入力されたプロセスプロ
グラムに応答して機器駆動部１６に設けられてい
る弁装置等の開閉、その開度の制御のための動作
が行われるようになつている。 又処理部１４―１の処理の内容や同処理部１４
―１への入力情報はデイスプレイ１４Ａ―２上に
表示できるようになつている。１２，１３は第２
図に対応する装置本体でその反応炉Ｒ１，Ｒ２へ
は機器駆動部１６によつて設定されたガスが流入
されるようになつている。尚、上述の機器駆動部
１６や必要な管路、弁類などは第１図の各装置１
２，１３の裏側底部に配設されている。又、管
路、弁類のレイアウトを示す管路網の詳細を第７
図に示す。 第４図は本発明実施例装置の制御システムのブ
ロツク図詳細である。同図において ２１は主計算機の中央処理ユニツトCPUであ
つて同CPU２１にはデータバス２２、ｉ／Ｏバ
ス２３が接続されている。データバス２２には各
反応炉Ｒ１又はＲ２において遂行される一連のプ
ロセスプログラム群を予じめ貯蔵してある記憶部
２４、デイスプレイ装置CRT２９に表示すべき
内容を一時的にストアするCRT RAM２５、さ
らに一時記憶部２６および本システムを働かせる
ための各処理プログラムをストアしている記憶部
２７がそれぞれ接続されている。 前述の一時記憶部２６には本システムの稼動中
において使用されるデータ例えばキーボード３１
からの入力データとか各種スイツチ類のON，
OFF情報あるいはカセツトテープ等の外部記憶
媒体から与えられるプロセスプログラム群を貯え
ることなどに用いられる。さらにｉ／Ｏバス２３
にはCRTインタフエイス２８が接続されており
CRT２９上に表示すべき内容をCRT２９に与え
る。さらに３０，３２は入力モジユールであつて
それぞれキーボード３１からの入力データ信号お
よび、圧力スイツチRSやリミツトスイツチLS等
のスイツチからの信号を一時記憶部２６へとり込
むように作用する。 さらにｉ／Ｏバス２３には出力モジユール３
４，３６，３８が接続されておりそれぞれラン
プ、LED、弁等の出力部３５、ガス弁類３７、
リレー駆動部３９に出力指令を与えるようになつ
ている。４０はリレー駆動部３９により駆動され
るモータおよび、弁であつてそれぞれ反応炉Ｒ
１，Ｒ２内のサセプタの回転用のモータおよび炉
の蓋の開閉用シリンダ駆動用の弁である。 さらにｉ／Ｏバス２３にはＤ／Ａ変換モジユー
ル（DAM）４１、Ａ／Ｄ変換モジユール
（ADM）４３が接続されておりDAM４１は流量
制御弁MFC TiC，VC１を流れるガスの流量を
指定する制御電圧をアナログ量として与える。 又ADM４３は、フイードバツク信号として各
制御弁に流れている流量を検出する検出部からの
アナログ信号を受けるようになつておりこれをデ
イジイタル信号に変換するものである。 ４６は副中央処理装置であつてカセツト磁気テ
ープ（CMT）５１に記録されているプロセスプ
ログラム群をインタフエイス４９を介して１時記
憶部（RAM）５３へ転送して貯蔵する場合、あ
るいは又CMT５１に対してRAM５３にストア
されたプロセスプログラム群をそれへ書込むため
に作動する。そしてこのCPU４６は記憶部ROM
５２にストアされている処理プログラムに従つて
動作する。４８は前述したROM５２，RAM５
３とCPU４６とを接続するデータバス、５４は
インタフエイス４９および高速メモリデータ転送
部（HMT）５０とCPU４６とを接続するｉ／Ｏ
バスである。 一方前述のｉ／Ｏバス２３にはもう１つの高速
メモリデータ転送部（HMT）４５が配置されて
おりこのHMT４５とHMT５０との間はデータ
ハイウエイ４７により接続されており従つて
RAM５３の内容をRAM２６へあるいは逆に
RAM２６の内容をRAM５３に高速でデータ転
送せしめるよう作用する。こうすることにより
CMT５１（あるいは磁気カード等）からのプロ
セスプログラムデータの読出しやCMT５１への
同データの書き込みに要する時間がCPU２１の
演算処理の速度を制限するという問題を回避でき
る。 勿論要素４６〜５５の代りにこれらをｉ／Ｏバ
ス２３と接続される入出力モジユールを介してデ
ータのやりとりを行わしめるようにしてもよい。
又ROM２７で示した処理プログラムの種類とし
てはRAM２６にストアしたプロセスプログラム
群（以下PPGと称する）を順次読み出しこれを
CPU２１でその各プロセスプログラム（以下PP
と称する）に対応するシーケンス命令にデコード
するようCPU２１を制御するための処理プログ
ラム即ちプロセスプログラム処理プログラム
（PROCESS・Ｃ）、 さらにRAM２６にストアされているPPGの内
容を修正するようCPU２１を制御する修正処理
プログラム（MODiFY）、 キーボード３１を用いて必要データを入力して
新規なPPGを生成するためのプロセスプログラ
ム生成処理プログラム（PROCESS）、さらに 現在進行中のプロセスをCRT２９へ表示させ
るためのRUN処理プログラム、PPGの中の任意
のPP（ｉ）を同他のPP（ｊ）に変換処理する処理
プログラム（STEP）、さらに外部記憶媒体（例
えばCMT５１）へRAM２６にストアされてい
るPPGををRAM５３を介して転送するための処
理プログラム（STORE）、さらにSTORE機能と
逆の作用を行わしめる処理プログラム（SORT）、 さらにRAM２６にストアされているPPGを処
理プログラムPROCESS・Ｃにかける前にこれを
確認するための確認処理プログラム
（VERiFY）、 さらに本システムの稼動中自己診断を行う処理
プログラム（DiAGNOSiS）、 さらに１つのPPGの稼動中の経過時間をサー
ビスするためのプロセス、経過時間を算出する処
理プログラム（USED TiME）、 さらに各種のテスト機能を遂行せしめる処理プ
ログラム（TEST）などが処理プログラムとして
ROM２７に貯蔵されておりこれらの１つを指定
することによりCPU２１は、その各処理プログ
ラムに従つて必要な演算機能を果すようになつて
いる。 尚第４図のROM２７中の各処理プログラムの
作用の詳細は後でフローチヤートにより説明す
る。 第５図は第２図の制御装置のパネル操作盤の正
面図である。同図において６１はデイスプレイ装
置、６２はカセツト磁気テープを装着するカセツ
トテープ装着部、６３はキー入力装置、６４は温
度制御部であり６４―１は炉内温度、６４―２は
温度設定用スイツチである。６５はプロセスプロ
グラム群PPGの種類を表示している表示部であ
る。エリア６６には警報用のブザー６６―１とア
ラームリセツト釦６６―２が設けられている。デ
ータ入力エリア６７にはプログラムスタート押釦
６７―１、ガス選択切換スイツチ６７―２、反応
炉選択パターン用サムホイールスイツチ６７―
３、PPG選択指定サムホイールスイツチ６７―
４がある。スイツチ６７―３は０→Ｒ１のみ、１
→Ｒ２のみ、３→Ｒ１＋Ｒ２の如くである。６７
―５は押釦で、６７―１と両方押されたとき有効
となる。 エリア６８において６８―１はスタートスイツ
チを示しており、６８―２はストツプスイツチで
あつて１つのPPGのシーケンスプロセスを開始
させるための指令として用いられる。６８―３は
誘導加熱炉、６９はその上段に反応の進行中のプ
ロセスの種類に関して順次該当するLEDを点燈
させるようになつている。各PPGは１〜１７の
シーケンスプロセスの適宜な組合せからなつてい
る。その下段にはアラーム表示用の各LEDが設
けられている。 第６図は、反応炉Ｒ１又はＲ２の断面詳細図で
ある。同図において底板７１の中央下方には炉内
で気相成長に供されるガスの導入口７２が設けら
れており同ガスは底板７１の中央から上方に伸び
る管路７４内を上昇し頂部の排（噴）気孔７３か
ら排出されるようになつている。さらに前述の管
路７４の外周部にはその上部にてサセプタ７５を
その頂部にて支承する回転部材７６が配置されて
おり同部材７６は減速機付モータ７７により回転
されるようになつている。サセプタ７５の下方に
はカバー７８を隔てて誘導加熱用コイル７９が配
置されている。８０はコイル７９の重量支えを兼
ねた絶縁板であつてボルト８１により底板７１の
上方に固定される。８２，８３は誘導加熱用コイ
ル７９の外部との接続継手部分である。同コイル
内には高周波電流による熱がコイル自体を損傷す
るのを防ぐため内部に水を流すようにしてある。
底板７１に向つている天井蓋９０は三層からなつ
ておりそれぞれ内側から石英層８４、第１ステン
レス層８５、第２ステンレス層８６からなつてい
る。各層８４，８５，８６の間は空隙である。８
８はクランプ部材でエアシリンダ装置８９の励起
により天井蓋９０のつば８７を下方に押圧するよ
うになつている。 天井蓋９０にはサセプタ７５及び同７５上のウ
エハ９１を観察するための観察窓９２が取付けら
れている。さらに天井蓋９０上にはウエハ９１サ
セプタ７５の温度を石英層８４を介して入つてく
る光により検出すべきセンサTSを取付けた温度
検出窓９３が設けられている。 ９４は天井蓋９０と一体的に構成されたプラケ
ツトであつて図示しないシリンダのピストンと結
合され上下に移動できるようになつている。そし
て例えばサセプタ７５上のウエハ９１の取り換え
等の場合には天井蓋９０を上方へ移動させるよう
にしている。 第７図は反応炉Ｒ１，Ｒ２に接続されるガスの
配管概念系統図である。同図において反応炉Ｒ
１，Ｒ２に対し供給されるガスは同図下方におい
て左方よりN2，H2，DN，DPおよびHClの各ガス
チヤンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１
０５として示される。１０６はバブリングチヤン
バーで四塩化シリコンSiCl4又はSiHCl3の液体が
入つている。 チヤンバー１０１から上方へ延びる管路には圧
力スイツチPS１、常時開状態の弁１、（以下
同様に常時開状態の弁には−を付してある）が設
けられ弁PV７に通じている。 同様にチヤンバー１０２から上方へ延びる管路
には圧力スイツチPS２、弁PV２が設けられ弁
PV８に通じている。弁PV７とPV８の出口ボー
トは合流してそれぞれマスフロー弁MFC１及び
MFC２を介してPL１，PL２に接続されている。 管路PL１上にはさらにガス合流弁PV１９，
PV２０が反応炉Ｒ１との間に設けられており管
路PL１Ａ，PL２Ａにより供給されるガスを弁
PV１９，PV２０を励起せしめることにより混合
できるようになつている。 同様に管路PL２上にはガス合流弁PV２１，
PV２２が反応炉Ｒ２との間に設けられており管
路PL１Ａ，PL２Ａにより供給されるガスを弁
PV２１，PV２２を励起せしめることにより混合
できるようになつている。 チヤンバー１０６からは２本の管路PL３Ａ，
PL３Ｂが延設されており弁VC１に接続されてい
る。同弁VC１のポートPOにはガスH2が入り同
H2はポートＰ２を出て管路PL３Ａ、弁PV３Ａ
を通つてバブリングチヤンバー１０６に入り液体
のSiCl4中にて排出されたバブリングが行われる。
従つてチヤンバ１０６内の空間には蒸気化した
SiCl4とH2の混合気体が出来これが管路PL３Ｂ上
の弁PV３Ｂを通つて弁VC１の入力ポートＰ３、
出力ポートＰ１を通り管路PL６Ａに接続されて
いる。 ドーパントＮガスのチヤンバー１０３から上方
に延びる管路には弁PV５を介してマスフロー弁
MFC４、MFC５、MFC６が接続されている。 同弁MFC４―６の入力側は水素ガスH2の管路
PL５に弁PV９を介して接続されており、混合さ
れたガスが、出力側より管路PL１Ａに供給可能
に接続されている。 同様な配管系統がドーパントＰガスチヤンバー
１０４から上方へ延びる管路に対しても形成され
ている。各弁PV２３、PV２４、MFC８、MFC
９、MFC１０は、前述の各弁に対応しているこ
とは図面から理解されよう。 ガスHClのチヤンバー１０５から延びる管路上
には弁PV６Ａ、マスフロー弁MFC７が設けられ
それぞれ合流弁PV２０、PV２２を混合ポートに
入力されている。前記マスフロー弁MFC７の上
流側には弁６を介して管路PL５が合流され
ている。 第８図は第３図のMASTER CPU２１を含む
制御装置からマスフロー４２に対する指令値電圧
が各Ｄ／Ａ変換器１２３を介して与えられてい
る。そして同各マスフローに取付けた流量検出部
からの出力はアナログマルチプレキサー１２２に
よつて順次取出されＡ／Ｄ変換器１２１によりデ
イジタル信号として前述の制御装置へ取り込まれ
るようになつている。 第９図において左欄の１〜17の番号は各プロセ
スプログラムに対応しておりその右側Time欄に
はそのシーケンスの継続時間が分秒を単位として
数値で示されている。 又Time欄の右側にはそのシーケンスで使用さ
れるガスの流量が記入されるようにしたGAS
FLOW欄が設けられている。GAS FLOW欄の右
には反応炉内の温度θ℃を指定する温度設定欄が
設けられている。 今第７図の管路に対し第９図の動作表が適用さ
れた場合について説明する。 第９図でプロセスプログラムPP(1)の内容は
N2Purgeであつて３分間N2をFN1l／分の流量で
供給する。第７図のチヤンバ１０１からはガス
N2が弁１、弁PV７、MFC１を通りさらに
PV１９，PV２０を通つて反応炉Ｒ１内に入りそ
の排気口に至りパージングが行われる。尚流量
FN1l／分はMFC１への電圧指令値として与えら
れる。プロセスプログラムPP(2)はH2Purgeであ
つて３分間、FH2l／分の流量が設定される。ガ
スH2はPV２、PV８、MFC１、PV１９、PV２
０を通つて反応炉Ｒ１に入りN2Purgeの場合と同
様排出される。 次のプロセスプログラムPP(3)（以下PP(i)とす
る）はHEAT ON(1)であつて反応炉Ｒ１に対し
ガスH2の供給量はFH2l／分とし各弁の状態は変
えない。そして誘導加熱炉を第１段階のレベルに
設定して第１の設定温度θ1となるよう３分間加熱
する。 次いでPP(4)でガスH2は同じ流量のまゝ設定温
度θ2となるよう第２段階のレベルに設定して３分
間加熱する。次にPP(5)はHCl VENTである。 設定内容は３分間で、H2がFH2l／分、HClが
FHCLl／分の流量である。ガスHClは弁PV６
Ａ、MFC７を通りベント口へと流れる。HCl
FHCLl／分はMFC７への指令電圧によつてその
流量が設定される。 次にPP(6)はHCl ETCHであつて３分間持続さ
れる。そのためPP(5)に対し合流弁PV２０でH2
と合流し反応炉Ｒ１へ供給される。 次にPP(7)で再び３分間H2Purgeとされる。 PP(8)はHEAT DOWNで炉内をθ2℃からθ3℃
にする。３分間のPP(8)のプロセスが終ると気相
成長の準備がほゞ整い次いでPP(9)に移る。PP(9)
はEPi VENT(1)であつて３分間、H2はFH2l／
分、ドーパントガスDPをFDPcc／分、SiCl4を
FS1g／分の割合で供給する。ガスH2はPV２→
VC１→PV３→チヤンバー１０６に到つて同チヤ
ンバー１０６からはガス状のSiCl4とH2との混合
気体がPV３→VC１に到り、管路PL６Ａに供給
される。チヤンバー１０４からPV２３、MFC
８、MFC９、MFC１０を通つてドーパントガス
DPが供給されているのでこのガスDPと管路PL６
Ａに達しているH2＋SiCl4とが合流しベント
VFNTに排出される。 次いでPP(10)となるとEPi DEPOであつて各ガ
スの流量はPP(9)と同じであつてPV１９がONと
される。これが３分間続く。従つて管路PL１Ａ
の前述したガス（DP＋H2＋SiCl4）はPV１９で
合流しさらにPV２０の主ポートを通つて反応炉
Ｒ１に入りサセプタ上のウエハにＰ型半導体を気
相成長させる。この場合の成長反応は下式のよう
な水素還元の可逆反応が行われる。 SiCl4＋2H2Si＋4HCl こうしてSiがウエハ上にちくせきされるのであ
る。ドーパントガスDPとしては通常ホスフイン
（Phosphine）PH3が使用される。 尚Ｎ型半導体を形成するためのドーパントガス
DNとしては通常B2H6（Diborane）が用いられる。
PP(10)で３分間が経過すると気相成長が終了し次
いでPP(11)とされH2 PurgeのためガスH2を
FH2l／分の流量で３分間供給する。 次いでPP(12)、PP(13)、PP(14)は使用されてい
ないのでPP(15)に達するとHEAT OFFであつて
誘導加熱コイルへの電力供給をカツトオフする。
時間は３分間とされるのは炉内温度の低下に要す
る時間を見込んでいるからである。この間もH2
をFH2l／分の流量で供給する。 PP(16)はH2 Purgeであつて３分間持続される。
次いでPP(17)に移りN2 PurgeでN2ガスFN17l／
分が３分間持続される。 第９図でもしＮ型半導体の層を形成するためド
ーパントガスDNを用いる場合には第７図のチヤ
ンバー１０３からPV５、PV９、MFC４、MFC
５が有効となることは容易に理解されよう。 又、第７図で反応炉Ｒ１の代りにＲ２を使用す
る場合には、PV２１、PV２２がPV１９、PV２
０の代りに作動されることも容易に理解されよ
う。 第１０図は、反応炉Ｒ１とＲ２とをパラレル運
転する場合の説明図である。ここで、本願におけ
るパラレル運転とは第６図に示した反応炉内を誘
導加熱する方式において電力を効果的に利用する
ための１方策であり、具体的にいえば反応炉Ｒ１
とＲ２の各誘導コイルへの通電を同時にはしない
けれども出来る限り効果的にすなわちパラレル運
転状態では各コイルへの通電がどちらかになされ
ているようにするものである。 第１０図において上段側には反応炉Ｒ１の炉内
温度θ℃と各プロセスプログラムPP(i)の推移の
関係を示すグラフが示されており、又下段側には
反応炉Ｒ２に関する各プロセスプログラムPP(i)
の推移が示されている。同図で反応炉Ｒ１に関し
て起動スイツチＳ１が時刻t0でONされるとプロ
セスプログラム群PPG(1)がスタートし図示のよ
うにプロセスプログラムPP(1)、PP(2)が終了する
とPP(3)に移り誘導コイルがONされ以後PP(15)ま
で反応炉Ｒ１は加熱状態が続く。 反応炉Ｒ２側の誘導コイルへの電力の供給はＲ
１側のPP(15)が終了したとき直ちにONされるよ
うにしている。このために炉Ｒ２に対するスター
トスイツチＳ２はＳ１スイツチONされてから時
間Ｔ４だけ経過したときONにされているとす
る。 今Ｓ２スイツチONからプロセスプログラム群
PPG(2)の第１のプロセスプログラムPP(1)がスタ
ートするまでの時間をＴ３，Ｒ２とし、さらに
PP(1)から同PP(3)がスタートするまでの時間をＴ
２，Ｒ２とすると、パラレル運転においては T1（R1） ＝T4（R2）＋T3（R2）＋T2（R2） という関係を保つようにすることである。 Ｓ２スイツチの押される時刻は任意であるので
（一般には炉Ｒ２の内へ気相成長反応させるべき
ウエハを載せるなどの準備作業が終了したときＳ
２スイツチをONにする。今図では時刻ｔ１とし
てある。）PPG(2)の実際のスタート時刻tSを予じ
め定めることは困難である。この問題を解決した
方法として実際に第１０図の如きパラレル運転を
するためには第１１図のように行うことができ
る。尚第１０図において時間間隔Ｔ１，Ｒ１、Ｔ
２，Ｒ２は既知であつて予じめプログラムされて
いる時間データである。第１１図においてレジス
タ１３１には時間Ｔ１とＴ２の差がストアされて
いる。一方カウンタ１３２は毎秒ごとのパルス
（秒計数パルス）をＳ１スイツチONからＳ２ス
イツチONまでの間計数する。１３３はもう１つ
のカウンタであつてＳ２スイツチONの時点でレ
ジスタ１３１の値（T1―T2）とカウンタ１３２
の値（T4）との差（T3）をセツトしこれがＳ２
スイツチONとされた以後秒計数パルスにより減
算されカウントアウトしたときPPG(2)が実際に
スタートされるようになつている。 又他の方法としては図示しないがカウンタを１
つ設けＴ１を設定しておいてＳ１スイツチON以
後秒計数パルスにより減算計数を行い、Ｓ２スイ
ツチONとなつた時点でＴ２を減算したものをさ
らに秒計数パルスにより減算すればやはりこのカ
ウンタが零となつたときにPPG(2)の実際のスタ
ート指令が与えられるようにしてもよい。 第１２図には本装置の処理プログラムの処理対
称となるプロセスプログラムPPと、一連の同プ
ロセスプログラムからなるプロセスプログラム群
PPGのデータ構造を同図イ，ロとして示す。同
図イには１つ分のプロセスプログラムの内容が示
されており、最初のメモリ領域にはプロセスのシ
ーケンス番号ｉがストアされる。次のメモリ領域
には以下の各メモリ領域の合計のデータサイズが
示される。 データとしてはこのプロセスシーケンスの継続
時間が分、秒の単位で示される。さらに次のメモ
リ領域には８ビツトのデータビツトコードがスト
アされる。その具体例を下方に示す。次のメモリ
領域には出力データのうち炉内温度が設定されて
いる。 さらに次のメモリ領域にはガスH2の流量が設
定されている。今出力データとして温度とガス
H2が与えられている場合にはデータビツトコー
ドは左端とその二つ右のビツト＝１となつてい
る。第１２図イは１つのPP(i)の例であるが出力
データとして温度指定のない場合や各種ガスを同
時に複数種出力する場合はそれぞれ対応するビツ
ト＝１とされ出力データのメモリ領域に順次出力
しようとするガスの流量がストアされるようにな
つている。 第１２図ロには第１０図に示したパラレル運転
に対応したプロセスプログラム群PPG(1)、PPG
(2)のデータ構造が示されている。即ち左側の反応
炉Ｒ１に対応してPPG(1)が最初のメモリ領域に
ストアされている。 以下パラレル運転時間Ｔ１、パラレル初期時間
Ｔ２が設定されている。このパラレル初期時間Ｔ
２は第１０図においてPPG(1)ではPP(1)とPP(2)の
シーケンス時間の和である。パラレル初期時間Ｔ
２のの次からPP(1)、PP(2)、…、PP(17)までの各
プロセスプログラムデータがストアされるように
なつており、次いでEND OF PROGRAMとな
る。 第１３図は本システムのシステムプログラムの
処理過程をフローチヤートにて示す。（ROM２
４の内容）同図においてプログラムステツプスタ
ート後の第１のステツプ（以下ST１と称する）
では、第５図のスイツチ６７―４の設定値、ある
いはキー入力部６３からの入力例えば＄
PROCESS.C、＄RUN、＄FETCH…などのキー
入力により指定された処理プログラム（第４図２
７にそのいくつかが記号で示されている）に対応
したフラグをRAM２７内のフラグメモリにおい
てセツトする。次いでST２においてプロセス制
御フラグ（＄PROCESS.Cが入力されているこ
と）のフラグビツトをチエツクする。ST２にて
YESならST３においてプロセスを制御する。ST
２にてNOならST４へ移行する。次いでST４に
おいて反応炉Ｒ１，Ｒ２の各操作部スイツチ（例
えば反応炉の開閉押釦やモータの回転など）が
ONか否かチエツクされONであるとST５にて対
応するスイツチ内容を実行する指令を与える。 ST４でNOならST６へ移行する。ST６以下
ST２５までの各ステツプは第４図ROM２７中の
MODiFYからTESTまでの各処理プログラムに
対応している。ST６〜ST２５は通常１つだけ選
択され有効とされる。 第１４図は第１３図のサブルーチンST３に対
応するプロセス制御の詳細フローチヤートであ
る。ST３の具体的内容であることを示すため各
処理ステツプにST３を付してある。同図におい
てST３―１で反応炉Ｒ１のスタートスイツチが
押されているとST３―２に移りここでＲ１に関
係するプロセスプログラム群PPG(1)中の現在作
動しているプロセスプログラムPP(i)のシーケン
ス残り時間＝０か否かをチエツクする。このシー
ケンス残り時間は第２２図に示す秒処理プログラ
ムのフローチヤートで示されるようにある１つの
PP(i)のシーケンス時間をレジスタにとり込んで
これを１秒ごとに減算しこの減算結果がシーケン
ス残り時間となるのである。 さてST３―２においてシーケンス残り時間＝
０となるとST３―４において次のプロセスプロ
グラムPP(i)が指定されそのデータを取込む。次
いでST３―５において、新たに指定されたPP(i)
のシーケンス時間をセツトする。そしてこれによ
り前述した秒処理プログラムが作動する。次いで
ST３―６において出力データである指示された
ガスの流量、炉内温度に関するデータを出力せし
めさらにST３―７において各種の弁に対しON、
OFFの指令を与える。次いでST３―８において
次のシーケンスセツトの準備として ｉ←ｉ＋１ にインクリメントされる。 尚、ST３―１でＲ１のスタートスイツチが
OFFのときはST３―３に移りここで反応炉Ｒ２
のスタートスイツチのON、OFFをチエツクす
る。ST３―３においてYESの場合にはさらにST
３―９に移りＲ２に関するプロセスプログラム群
PPG(2)のうちの現在有効なプロセスプログラム
のシーケンス残り時間が０か否かチエツクする。
以下ST３―１０からST３―１４までの各処理ス
テツプの内容はST３―４からST３―８までに対
応している。 ST３―２でNOの場合には合流点を介して
ST３―３に移る。又ST３―３、ST３―９でNO
の場合は直接ENDに到りこのサブルーチンST３
の処理を終える。第１５図は第１３図のサブルー
チンST７の詳細フローチヤートである。修正操
作にあたつては＄MODiFYがキー入力されると
システム側から MODiFY BELL−JAR＝ とメツセージが出される。反応炉Ｒ１，Ｒ２をＲ
１→Ｌ、Ｒ２→Ｒを入力する。ここにＬは
LEFT、ＲはRiGHTの意である。続いて付加情
報として修正後に形成されるプロセス名（PPG
(i)、EPiなど）作成年月日、作成者等を登録す
る。次にプロセスパターンとしてどのタイプのプ
ロセスプログラム群PPGを修正するのかを入力
する。 次にシステム側から次のメツセージが出されそ
れに必要な情報を入力登録して１つのプロセスプ
ログラムPPを修正する。 ある１つのPPに対応したメツセージとそれを
修正した状態を次に示す。 SEQUENCE＝PP(3) N2＝50 45 TiME＝300 230 この例ではガスN2を50／分から45／分へ、
又その時間を３分00秒から２分30秒にそれぞれ修
正したことを示す。 第１５図にはMODiFYの処理フローの詳細が
示されている。同図においてST７―１において
修正したいプロセスプログラムPP(i)を入力する。
ST７―２に移りその入力されたPP(i)が対応する
PPGに属しているか否かをチエツクする。ST７
―２でNOであるとST７―３で修正操作が終了
か否かチエツクされYESならサブルーチンST７
はENDとなる。又ST７―３でNOならオペレー
タへのアラーム指令をST７―４で与える。ST７
―２でYESであるとST７―５に移りPP(i)の出力
データのうち時間データ（シーケンス時間）が取
り出され表示される。次いでST７―６に移り時
間データの修正をしたい場合にはST７―７で時
間を前述のように修正する。これによりパラレル
運転時間が変更されなければならないのでST７
―８においてその計算を行いその結果をPPGの
パラレル運転時間のメモリエリアへストアせしめ
める。次いでST７―９、ST７―１０に移り温度
データの修正をしたい場合にはST７―１１にて
修正を行う。さらにST７―１２、ST７―１３に
てガス流量を修正したい場合にはST７―１４に
て修正を行う。以下当該PPG中の必要なプロセ
スプログラムPP(i)を逐次指定して修正を行うこ
とができるようになつている。 尚MODiFY操作の終了をシステム側に知らせ
るには○＄を入力する。 次に第１３図のサブルーチンST９について説
明する。PROCESSは実行したいプロセスプログ
ラム群を生成する処理機能である。＄PROCESS
と入力されるとシステム側から次のメツセージが
出される。 PROCESS BELL−JAR＝ 続いて使用したい反応炉Ｒ１，Ｒ２をキー入力
する。（Ｌ又はＲ又はＬ＋Ｒを入力する）入力終
了によりシステム側に受けつけられれば良いが誤
つた入力をするとエラーメツセージがシステムか
ら出され再度上述のメツセージが表示され再入力
となるなどして対話形式により正しく入力される
ようにしている。続いて付加情報としてプロセス
名、作成年月日、作成者などをデイレクトリとし
て登録する。 次にプロセスパターンとして、どのタイプのプ
ロセスを実行するのか入力する。Ｎタイプの気相
成長を行うのであれば次の如き表示の入力とな
る。 PROCESS PATTERN＝EPi Ｎ ……(1) 下線部が入力部分である。このようにして各種
の情報が入力されると次に実行すべきプロセスプ
ログラムPPの生成を行う。次いでシステム側よ
り次のメツセージが出されこれに対して必要な情
報を入力し、順次EPiNを構成するところのプロ
セスプログラムを生成して行き完成させてゆくの
である。 SEQUENCE＝PP(1) ……(2) N2＝50 ……(3) TiME＝300 ……(4) (2)はシーケンス名であり、(3)，(4)はそのシーケ
ンスに付随する必要な情報であり、(4)の場合は使
用ガスとしてN2ガスを使用し、その流量を数値
入力しており50／分である。続く(4)はそのシー
ケンスに要する実行時間を入力している。第１６
図は＄RUNである。 ＄RUNとキー入力されると現在実行中のプロ
セス（１つのプロセスプログラムに対応する）の
各状態変化の最新情報を表示せしめる。反応炉Ｒ
１又はＲ２においてプロセスが実行中であれば例
えば次のように表示される。 ＊RUN BELL−JAR＝R1 SEQUENCE＝EPi １ DEPO SET TiME＝1234 ×× CURRENT DATA TEMP＝1200 H2＝55 DN＝10 SiCl4＝22 TiME＝59（減算） （STOP TiME＝××××（増加）） × RUN BELL−JAR＝R2 SEQUENCE＝N2 PURGE SET TiME＝300 ×× CURRENT DATA N2＝55 TiME＝59 次に１つのプロセスが終了しておれば＄＄＄の
表示を行う。上述した各表示内容は以下に説明す
る第１６図のフローチヤートに示す手順の各処理
ステツプによつて遂行される。以下第１６図の各
処理ステツプを説明する。 先ず、ST１１−１においてプロセスの実行中
か否かがチエツクされる。実行中でなければST
１１―２に移りプロセス終了（＄＄＄）を表示す
る。ST１１―１で実行中であるとST１１―３に
移り実行中のシーケンスであるプロセスプログラ
ムPP(i)の名称を表示する。次いでST１１―４に
移り実行中のシーケンスPP(i)のシーケンス時間
（SET TiME）を表示する。次にST１１―５に
おいてシーケンス停止か否かをチエツクする。
YESであるとST１１―７に移り、実行中のシー
ケンスPP(i)の停止時間を積算表示する。シーケ
ンス停止とはオペレータが自動運転中に何らかの
異常等のためシーケンスの停止を指令することに
より生ずるものであり正常な自動運転中はシーケ
ンス停止は生じないのが普通である。さてST１
１―５でNOであるとST１１―６に移り実行中
のシーケンスの経過時間TiMEを表示する。 次いでST１１―８に移り実行シーケンスPP(i)
が温度管理をしているか否かチエツクする。ST
１１―８でYESならST１１―９に移り現在の炉
内測定温度を表示する。ST１１―８でNOなら
ST１１―１０に移り、実行中のシーケンスPP(i)
がガス流量を管理しているか否かチエツクする。
ST１１―１０でYESならST１１―１１で現在の
実流量を表示する。ST１１―１０でNOなら合
流点に戻る。 次に第４図の処理プログラムSTEPについて説
明する。この処理プログラムSTEPはある１つの
プロセスプログラム群PPG(i)中の各プロセスプ
ログラムPP(i)の順序変更を行うために用意され
ており＄STEPとキー入力すると STEP BELL JAR＝R1 と表示される。下線部は反応炉Ｒ１であることを
示しておりオペレータがキー入力する。続いて付
加情報としてプロセスプログラム群の名詳、作成
年月日、作成者等をデイレクトリとして必要な事
項を登録する。次いでシステム側からプロセスパ
ターンとしてどのタイプのPPGの順序変更を行
いたいのかが質問される。この表示を次に示す。 PROCESS PATERN＝EPi Ｎ 下線部はオペレータの入力部でありＮ型の気相
成長であることを示す。 次いでシステム側から以下に示すようにEPiN
（１つのプロセスプログラム群）中の各プロセス
プログラムPP(i)がSEQUENCEとして下記のよ
うに順次示されるのでそれに必要な情報を等号の
右辺側にキー入力せしめる。 SEQUENCE＝PP(1) SEQUENCE＝PP(2) SEQUENCE＝PP(9) SEQUENCE＝PP(4) 〓 SEQUENCE＝PP（17） STEPの終了のためには＄を入力する。 第１７図にサブルーチンST１３（第１３図）
の詳細を示す。同図で＄STEPが入力されると
ST１３―１においてSTEP用のメモリ領域を確
保する。次いでST１３―２に移りシーケンス番
号ｉを入力する。次いでST１３―３に移りここ
でシーケンス番号ｉか否かをチエツクする。ST
１３―３でYESであるPP(i)のデータを確保され
ているメモリ領域に転送する。ST１３―３で
NOならばST１３―５に移りSTEP終了か否かを
チエツクする。YESならSTEP終了（END）と
なりNOならST１３―６へ移り存在しないシー
ケンス番号が有りとしてオペレータに警告表示し
このSTEP処理を終了することになる。 次に第４図ののROM２７中のSTOREについ
て説明する。処理プログラムSTOREは生成
（PROCESS）あるいは修正（MODiFY）したプ
ロセスプログラム群PPGを本システムの外部記
憶媒体であるカセツト磁気テープ、あるいはミニ
フロツピーデイスク、バブルメモリ等へ移す作用
を行わせるものである。第１８には第１３図のサ
ブルーチンST１５の詳細なフローチヤートを示
す。 同図においてST１５―１ではこれから外部記
憶媒体へ貯えようとするプロセスプログラム群
PPG（Ｋ）の先頭プロセスプログラム（PP(i)、ｉ
＝１）をセツトし次いでST１５―２で使用する
外部記憶媒体（CMT５１）の初期値化を行い、
同装置が使用可能か否かをチエツクする。次いで
判定のステツプであるST１５―３に移る。この
ステツプではRAM２６からすべてのPP(i)が
RAM５３へ転送済か否かをチエツクする。YES
ならRAM２６からRAM５３へのデータ（１つ
のPPG（Ｋ）について）の転送が終了したことに
なり次いでST１５―４に移りRAM５３から
CMT５１へのデータの転送がROM５２のプロ
グラムにより実行される。CMT５１への転送が
終了するとST１５―５にて終了をオペレータに
伝える。一方ST１５―３においてNOであれば
ST１５―６に移りPP(i)のデータをRAM５３へ
転送する。 次いでST１５―７に移り異常の有無をチエツ
クしてYESならST１５―９にて異常発生をオペ
レータに伝える。ST１５―７でNOならST１５
―８に移り次のシーケンスであるPP（ｉ＋１）を
指定するようｉをｉ＋１にインクリメントする。
ST１５―８が終了すると再びST１５―３に戻り
以下これをくり返す。第４図に示すシステムのブ
ロツク図から判るように、STOREのプロセスは
RAM２６にストアされているPPG（Ｋ）をｉ／
Ｏバス２３、高速メモリデータ転送部（HMT）
４５、データハイウエイ４７、HMT５０、デー
タバス４８を通つてRAM５３に一旦ストアさせ
る。そしてRAM５３にストアされたPPG（Ｋ）
はSUB―MASTER・CPU４６、ROM５２によ
つてカセツトMTiFを介して外部記憶媒体の１つ
であるカセツト磁気テープ５１（CMT）にスト
アせしめるのである。 次に第４図の処理プログラムSORTについて説
明する。このSORTは前述のSTOREとは逆の作
用をするものであつて第４図で説明するとCMT
５１にストアされているPPG（Ｋ）をRAM５３
を介してRAM２６へ転送するよう作用するもの
である。SORTに対応する第１３図のサブルーチ
ンST１７の詳細フローチヤートを第１９図に示
す。同図においてST１７―１ではこれから
SORTしたいある１つのプロセスプログラム群
PPG（Ｋ）のストアされている外部記憶媒体を指
定する。次いでST１７―２に移り、ST１７―１
にて指定された外部記憶媒体CMT５１にPPG
（Ｋ）が現実にストアされているか否かをチエツ
クする。ST１７―２でPPG（Ｋ）が保管されて
いない場合にはST１７―３に移り保管されてい
ないことをオペレータに伝える。ST１７―２で
YESならばST１７―４に移りCMT５１から
RAM５３へ１つのPPG（Ｋ）に関するデータを
転送せしめる。（ROM５２、CPU４６によつて）
次いでST１７―５に移りCMT５１からRAM５
３への転送が終了したか否かをチエツクする。
NOであればST１７―４に戻る。YESならST１
７―６に移りここで各PP(i)のデータを主メモリ
であるRAM２６へ転送する。 次いでST１７―７にて異常の有無をチエツク
し、異常があればST１７―８でオペレータにそ
れを伝える。 異常なければST１７―９に移り次のシーケン
スとしてPP（ｉ＋１）を設定するようｉをインク
リメントさせる。次いでST１７―１０へ移り
RAM５３からRAM２６への転送が終了したか
否かをチエツクする。YESならSORTの処理が
終了ということになり＄＄＄を表示する。又ST
１７―１０でNOならST１７―６へ戻りこのル
ープをくり返す。 次に第４図のVERiFY処理プログラムについ
て説明する。この処理プログラムは一旦RAM２
６にストアされたプロセスプログラム群をCRT
２９に表示しオペレータがそれを確認するために
用いられる。 ＄ VERiFYと入力されると VERiFY NAME＝ とメツセージが出され下線部にプロセス名を入力
することにより該当プロセスプログラム群PPG
（Ｋ）の内容が出力される。表示出力の一例を示
すと次の如くである。 PROCESS NAME＝Ｎ N2 PURGE TiME＝1234 FLOW N2＝55 H2 PURGE 〓 N2 PURGE FLOW N2＝55 こうして次々とサービス（表示）を行いシーケ
ンス最後のN2 PURGEの内容を出力し終了す
る。 第２０図には第１３図のサブルーチンST１９
の詳細フローチヤートを示す。 同図においてST１９―１では今対象とされた
PPG（Ｋ）の先頭のプロセスプログラムPP(i)をセ
ツトする。次いでST１９―２に移りそのセツト
されたPP(i)をセツトする。次いでST１９―２に
移りそのセツトされたPP(i)のシーケンス番号ｉ
をチエツクする。ｉでなければST１９―３に移
りVERiFYプログラムの終了をチエツクする。
終了していないならST１９―４に移り存在しな
いシーケンス番号が現われたものとしてオペレー
タに警告表示する。 ST１９―２においてYESならST１９―５に移
りPP(i)のデータ内の時間データ（シーケンス時
間）をCRT RAM２５へとりこむ。ついでST１
９―６に移りその時間データをCRT２９に表示
する。次いでST１９―７においてPP(i)データの
中で温度データの有無をチエツクし、有ればST
１９―８にてその温度データをCRT２９に表示
せしめる。次いでST１９―９にてPP(i)のデータ
の中で使用ガスの流量データの有無をチエツク
し、有ればST１９―１０にて流量データをCRT
２９に表示せしめる。 次いでST１９―１１に移り次のシーケンスPP
（ｉ＋１）のためにｉをインクリメントし、合流
点に戻り以下上述のST１９―２〜ST１９―１
１をくりかえし実行する。 次に第４図の処理プログラムDiAGNOSiSを説
明する。 ＄ DiAGNOSiSとキー入力されると現時点で
のプロセスの異常についてその内容をサービスす
る。（Fault Message）例えば次の如くである。
回の気相成長を遂行するための複数のシーケンス
プロセスにおいて、各シーケンスプロセスに対し
それぞれ必要とされるプロセスパラメータとして
の時間、ガスおよび温度に関する情報を１組にし
て備えるプロセスプログラムを単位として形成
し、オペレータがこのプロセスプログラムを単位
としてこれを対話形式により修正しながら実行で
きるよう構成した汎用性のある自動制御可能な半
導体気相成長装置に関する。 〔従来の技術〕 今日、半導体チツプの製造法として、半導体の
ウエハ上に気相成長を行う気相成長装置が多用さ
れるようになると共にこの種装置の運転について
その自動化が要求されるようになつた。現在使用
されている気相成長装置としては、反応炉内のプ
ロセスの進行を指示するシーケンスプログラム
（以下プロセスプログラムと称する）を、ピンボ
ードスイツチ等によりシーケンスの進行を指定す
る方式が一般的に採用されている。この場合、使
用ガスの流量の指定、炉内温度の指定について
は、制御装置に取付けられている可変抵抗器をオ
ペレータが調節して設定するものであり、制御に
際し多くの熟練と経験を伴う判断要素が存在す
る。例えば、第１図は従来のピンボードスイツチ
方式により反応炉内のプロセスの進行を制御する
よう構成したシステムを示す。第１図において、
ピンボードスイツチの設定パネルＡ上にはプロセ
スプログラムPPi（ｉ＝１〜17）毎にそれらの遂
行される順番にピンが挿入され、また各指定され
た順番のプロセスプログラムのシーケンス時間
が、時、分、秒の単位で設定できるようになつて
いる。また、リレーラダー回路Ｂには、シーケン
スの順序すなわちstep，，……，に対応
してプロセスプログラムPP2，PP3，PP1，PP4，
PP6，PP5，PP7の順にその内容を有効にすると
いう指令が与えられ、各指令のプロセスに対応す
る弁装置等への制御信号が与えられるようになつ
ている。しかしながら、このピンボードスイツチ
方式による制御では、各プロセスシーケンスの時
間を設定できるのみであり、そのプロセスにおい
て使用されるガスの流量や炉内温度は別の制御対
象（可変抵抗器）で設定しなければならない。 また、第１図に示すピンボードスイツチ方式の
他に、汎用のシーケンスコントローラを使用する
制御方式も実施されているが、これらの制御方式
においても流量や温度を直接プログラムされたデ
ータによつて指定するものではなく、可変抵抗器
等の設定器を備えている。 このような観点から、オペレータの作業を可能
な限り少なくするため、ガス流量、温度および時
間の如きプロセスパラメータをコンピユータによ
るDDC方式で行う制御システムが提案されてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 今日、半導体の製造工程は、素材からチツプと
して完成するまで、他産業に比べて非常に多くの
工程を要し、気相成長工程はその一部である。
種々の工程は、チツプとして完成に至る関係にお
いて有機的に結合され、単独である１つの工程部
分を相当する装置を大幅に増設したりすること
は、製造工程やラインのバランスの点から困難で
ある。 また、今日における絶えざる半導体チツプの集
積度増大化の要求、精度向上の要求が厳しいた
め、半導体製造装置の技術開発においては、例え
ばCVD反応炉内での物理・化学的現象の解明、
新しい測定方法の開発等が複雑に影響しつつ進行
している。特に、気相成長装置の場合、膜厚等に
対するデータの修正や補正といつた作業が装置の
稼動状況の中で要求される。具体例を示せば次の
通りである。 バブラータンクの液量変化により、膜厚の成
長速度が変るため、オペレータは定期点検を行
うと共にソースガス流量またはシーケンス時間
の変更もしくは修正によつてこれに対応しなけ
ればならない。 ウエハ載置用のサセプタ全面に対し均一な温
度分布が保証されないと、膜厚分布、比抵抗分
布が悪くなるが、その原因としてサセプタ製造
時のバラツキ等があり、誘導加熱コイルのピツ
チ調整等により均熱調整を行わなければならな
い。特に、サセプタの新規交換に際し、既存の
プロセスプログラムを利用してサセプタを昇温
させる場合、ガスを排除して温度調整を行う操
作が必要であり、この操作は数回行うことによ
つて良好な均熱分布が得られる。また、均熱分
布が良好であつても、必ずしも良好な制品が得
られるとは限らないため、モニタウエハ（評価
用ウエハ）を投入して、一度膜付けを行い、そ
の結果バラツキが大きければ再度均熱調整、昇
温等のサイクルを繰返す。 気相成長プロセスの中で、ウエハに対する膜
厚および比抵抗の仕様が変更された場合、モニ
タウエハをサセプタ上に２，３枚載置し、試験
プロセスを実行させて規格に合うための処理条
件を種々変化させながらこれを決定するプロセ
ス技術者による評価作業とオペレータによるデ
ータ修正作業が必要である。 ウエハ上に気相成長膜を生成させることは、
サセプタ上にも成長膜が生成され、この生成さ
れた膜がウエハに対し悪影響を及ぼす（オート
ドーピング）ので、この生成膜層を除去するこ
とが必要である。この場合、オペレータは反応
炉内のサセプタ上の膜の除去状態を監視し、そ
の除去具合が悪ければ制御の一時停止（シーケ
ンスホールド）を行つて膜の除去作業を継続さ
せる必要がある。なお、サセプタの寿命は、昇
温時間やサイクル数によつて著しく影響を受け
るため、サセプタを定期的に交換しなければな
らない。この場合、新たなサセプタは、反応炉
の前で温度を測定しながら徐々に出力を上昇さ
せ、温度衝撃を少くする必要があり、このため
予め定めた昇温プロセス中のパラメータをオペ
レータが現場で修正する作業も必要となる。 しかしながら、従来のピンボードスイツチ方式
やシーケンスコントローラを使用する制御方式で
は、前述したようにある一定の品質のチツプを製
造するに際して、半導体気相成長装置の運転には
ガス流量や温度条件に関して多くの条件設定の変
更を繰返し行う必要があるため、プロセスプログ
ラムの順番やそのシーケンス時間はプログラマブ
ルに設定してもガス流量や炉内温度については別
に設けた設定器（可変抵抗器等）でオペレータが
直接操作するようになつている。このことは、オ
ペレータの立場から見ると、安心して反応炉の操
作を遂行できるという利点はあるが、適正条件が
得られた場合の記録やこれらとシーケンス内容と
の関係を直ちに判別できないため、装置の運転に
際してオペレータの判断要素が制御操作の大部分
を占めている。 また、ガス流量、温度および時間等のプロセス
パラメータとして設定し、コンピユータによる
DDC方式で行う制御システムでは、前述したよ
うな条件設定の変更を行うにはプロセスプログラ
ムの内容を修正する必要があり、このためプロセ
スプログラムの内容修正のためのプログラムをシ
ステムプログラムの一部として含むようにシステ
ムプログラムを構築しなければならない。しかし
ながら、この種の制御システムでは、予め設定さ
れたプロセスプログラムの実行が開始されると、
途中で運転停止を行うか１回の処理操作を完了す
るまでプロセスプログラムの内容修正を行うこと
ができない。このため、前述したような条件設定
の変更を簡便に行うことができないため、製品の
歩留りが低下するばかりでなく、装置の稼動率も
低減するという欠点を有する。 そこで、本発明の目的は、１回の気相成長を遂
行するための複数のシーケンスプロセスにおい
て、各シーケンスプロセスに対しそれぞれ必要と
されるプロセスパラメータとしての時間、ガス、
温度に関する情報をプロセスプログラムとしてス
トアし、このプロセスプログラムを単位としてオ
ペレータがその内容を呼び出してこれを表示手段
に表示させ、各プロセスパラメータの修正を可能
としかつその内容をリアルタイムで実行可能と
し、現実に要求される各種の操作を一連のプロセ
スプログラムによつて簡便に実現することができ
る半導体気相成長装置を提供するにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明に係る半導体気相成長装置は、シリコン
等の基板上に気相成長を行わしめる反応炉と、前
記基板を加熱する手段と、気相成長に必要な各種
ガス源と前記反応炉との間を接続する管路網と、
該管路網上に設けられ前記各種ガスに対しその所
望量を前記反応炉に導くよう前記管路網を形成せ
しめる弁装置とこの弁装置のオン、オフないしは
その開度を制御するための信号および前記加熱手
段を制御する信号を与える制御装置とからなる半
導体気相成長装置において、 前記制御装置は、前記炉内における１回の気相
成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応し
て必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時
間内において供給されるべき１つまたは複数のガ
スの種類およびその流量と前記シーケンス時間内
において炉内で実現すべき温度とに関する情報を
前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータ
データとしてストアし得るプロセスプログラムを
形成し、このプロセスプログラムを単位としてこ
れの複数個からなる前記１回の気相成長に対応し
たプロセスプログラム群を１つないし複数個貯蔵
する第１メモリ手段と、 キー入力手段と、 前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力
手段に応答して表示せしめる表示手段と、 前記プロセスプログラム群内の各プロセスプロ
グラムを順次デコードして前記弁装置および加熱
手段への前記各制御信号を形成せしめるためのデ
コード用処理プログラムおよび前記表示手段上に
表示されたプロセスプログラムの内容を修正する
ための修正用処理プログラムを貯蔵する第２メモ
リ手段とから構成することを特徴とする。 〔実施例〕 以下本発明の実施例を第２図以下の図面を参照
して説明する。 第２図は本発明実施例の半導体気相成長装置の
外観図である。同図において１１は高周波発生
部、１２，１３は反応炉Ｒ１，Ｒ２を備えた気相
成長装置本体である。１４は制御部であつて各反
応炉内へのガス流量、各炉内温度等を制御する。
１４Ａは制御部１４の操作パネルで操作用キー入
力部、デイスプレイユニツト等を含む。その詳細
を第５図に示す。１２Ａ，１３Ａは反応炉Ｒ１，
Ｒ２の開閉等の操作を行うための操作盤である。 第３図は第２図に示した気相成長装置における
操作の遂行される部分を説明する概念的なブロツ
ク図であつて、操作キー入力部１４Ａ―１、カセ
ツト磁気テープ（CMT）又は制御部１４に設け
られている内部メモリに予じめストアされている
プロセスプログラムが処理部１４―１に与えられ
るようになつておりこの入力されたプロセスプロ
グラムに応答して機器駆動部１６に設けられてい
る弁装置等の開閉、その開度の制御のための動作
が行われるようになつている。 又処理部１４―１の処理の内容や同処理部１４
―１への入力情報はデイスプレイ１４Ａ―２上に
表示できるようになつている。１２，１３は第２
図に対応する装置本体でその反応炉Ｒ１，Ｒ２へ
は機器駆動部１６によつて設定されたガスが流入
されるようになつている。尚、上述の機器駆動部
１６や必要な管路、弁類などは第１図の各装置１
２，１３の裏側底部に配設されている。又、管
路、弁類のレイアウトを示す管路網の詳細を第７
図に示す。 第４図は本発明実施例装置の制御システムのブ
ロツク図詳細である。同図において ２１は主計算機の中央処理ユニツトCPUであ
つて同CPU２１にはデータバス２２、ｉ／Ｏバ
ス２３が接続されている。データバス２２には各
反応炉Ｒ１又はＲ２において遂行される一連のプ
ロセスプログラム群を予じめ貯蔵してある記憶部
２４、デイスプレイ装置CRT２９に表示すべき
内容を一時的にストアするCRT RAM２５、さ
らに一時記憶部２６および本システムを働かせる
ための各処理プログラムをストアしている記憶部
２７がそれぞれ接続されている。 前述の一時記憶部２６には本システムの稼動中
において使用されるデータ例えばキーボード３１
からの入力データとか各種スイツチ類のON，
OFF情報あるいはカセツトテープ等の外部記憶
媒体から与えられるプロセスプログラム群を貯え
ることなどに用いられる。さらにｉ／Ｏバス２３
にはCRTインタフエイス２８が接続されており
CRT２９上に表示すべき内容をCRT２９に与え
る。さらに３０，３２は入力モジユールであつて
それぞれキーボード３１からの入力データ信号お
よび、圧力スイツチRSやリミツトスイツチLS等
のスイツチからの信号を一時記憶部２６へとり込
むように作用する。 さらにｉ／Ｏバス２３には出力モジユール３
４，３６，３８が接続されておりそれぞれラン
プ、LED、弁等の出力部３５、ガス弁類３７、
リレー駆動部３９に出力指令を与えるようになつ
ている。４０はリレー駆動部３９により駆動され
るモータおよび、弁であつてそれぞれ反応炉Ｒ
１，Ｒ２内のサセプタの回転用のモータおよび炉
の蓋の開閉用シリンダ駆動用の弁である。 さらにｉ／Ｏバス２３にはＤ／Ａ変換モジユー
ル（DAM）４１、Ａ／Ｄ変換モジユール
（ADM）４３が接続されておりDAM４１は流量
制御弁MFC TiC，VC１を流れるガスの流量を
指定する制御電圧をアナログ量として与える。 又ADM４３は、フイードバツク信号として各
制御弁に流れている流量を検出する検出部からの
アナログ信号を受けるようになつておりこれをデ
イジイタル信号に変換するものである。 ４６は副中央処理装置であつてカセツト磁気テ
ープ（CMT）５１に記録されているプロセスプ
ログラム群をインタフエイス４９を介して１時記
憶部（RAM）５３へ転送して貯蔵する場合、あ
るいは又CMT５１に対してRAM５３にストア
されたプロセスプログラム群をそれへ書込むため
に作動する。そしてこのCPU４６は記憶部ROM
５２にストアされている処理プログラムに従つて
動作する。４８は前述したROM５２，RAM５
３とCPU４６とを接続するデータバス、５４は
インタフエイス４９および高速メモリデータ転送
部（HMT）５０とCPU４６とを接続するｉ／Ｏ
バスである。 一方前述のｉ／Ｏバス２３にはもう１つの高速
メモリデータ転送部（HMT）４５が配置されて
おりこのHMT４５とHMT５０との間はデータ
ハイウエイ４７により接続されており従つて
RAM５３の内容をRAM２６へあるいは逆に
RAM２６の内容をRAM５３に高速でデータ転
送せしめるよう作用する。こうすることにより
CMT５１（あるいは磁気カード等）からのプロ
セスプログラムデータの読出しやCMT５１への
同データの書き込みに要する時間がCPU２１の
演算処理の速度を制限するという問題を回避でき
る。 勿論要素４６〜５５の代りにこれらをｉ／Ｏバ
ス２３と接続される入出力モジユールを介してデ
ータのやりとりを行わしめるようにしてもよい。
又ROM２７で示した処理プログラムの種類とし
てはRAM２６にストアしたプロセスプログラム
群（以下PPGと称する）を順次読み出しこれを
CPU２１でその各プロセスプログラム（以下PP
と称する）に対応するシーケンス命令にデコード
するようCPU２１を制御するための処理プログ
ラム即ちプロセスプログラム処理プログラム
（PROCESS・Ｃ）、 さらにRAM２６にストアされているPPGの内
容を修正するようCPU２１を制御する修正処理
プログラム（MODiFY）、 キーボード３１を用いて必要データを入力して
新規なPPGを生成するためのプロセスプログラ
ム生成処理プログラム（PROCESS）、さらに 現在進行中のプロセスをCRT２９へ表示させ
るためのRUN処理プログラム、PPGの中の任意
のPP（ｉ）を同他のPP（ｊ）に変換処理する処理
プログラム（STEP）、さらに外部記憶媒体（例
えばCMT５１）へRAM２６にストアされてい
るPPGををRAM５３を介して転送するための処
理プログラム（STORE）、さらにSTORE機能と
逆の作用を行わしめる処理プログラム（SORT）、 さらにRAM２６にストアされているPPGを処
理プログラムPROCESS・Ｃにかける前にこれを
確認するための確認処理プログラム
（VERiFY）、 さらに本システムの稼動中自己診断を行う処理
プログラム（DiAGNOSiS）、 さらに１つのPPGの稼動中の経過時間をサー
ビスするためのプロセス、経過時間を算出する処
理プログラム（USED TiME）、 さらに各種のテスト機能を遂行せしめる処理プ
ログラム（TEST）などが処理プログラムとして
ROM２７に貯蔵されておりこれらの１つを指定
することによりCPU２１は、その各処理プログ
ラムに従つて必要な演算機能を果すようになつて
いる。 尚第４図のROM２７中の各処理プログラムの
作用の詳細は後でフローチヤートにより説明す
る。 第５図は第２図の制御装置のパネル操作盤の正
面図である。同図において６１はデイスプレイ装
置、６２はカセツト磁気テープを装着するカセツ
トテープ装着部、６３はキー入力装置、６４は温
度制御部であり６４―１は炉内温度、６４―２は
温度設定用スイツチである。６５はプロセスプロ
グラム群PPGの種類を表示している表示部であ
る。エリア６６には警報用のブザー６６―１とア
ラームリセツト釦６６―２が設けられている。デ
ータ入力エリア６７にはプログラムスタート押釦
６７―１、ガス選択切換スイツチ６７―２、反応
炉選択パターン用サムホイールスイツチ６７―
３、PPG選択指定サムホイールスイツチ６７―
４がある。スイツチ６７―３は０→Ｒ１のみ、１
→Ｒ２のみ、３→Ｒ１＋Ｒ２の如くである。６７
―５は押釦で、６７―１と両方押されたとき有効
となる。 エリア６８において６８―１はスタートスイツ
チを示しており、６８―２はストツプスイツチで
あつて１つのPPGのシーケンスプロセスを開始
させるための指令として用いられる。６８―３は
誘導加熱炉、６９はその上段に反応の進行中のプ
ロセスの種類に関して順次該当するLEDを点燈
させるようになつている。各PPGは１〜１７の
シーケンスプロセスの適宜な組合せからなつてい
る。その下段にはアラーム表示用の各LEDが設
けられている。 第６図は、反応炉Ｒ１又はＲ２の断面詳細図で
ある。同図において底板７１の中央下方には炉内
で気相成長に供されるガスの導入口７２が設けら
れており同ガスは底板７１の中央から上方に伸び
る管路７４内を上昇し頂部の排（噴）気孔７３か
ら排出されるようになつている。さらに前述の管
路７４の外周部にはその上部にてサセプタ７５を
その頂部にて支承する回転部材７６が配置されて
おり同部材７６は減速機付モータ７７により回転
されるようになつている。サセプタ７５の下方に
はカバー７８を隔てて誘導加熱用コイル７９が配
置されている。８０はコイル７９の重量支えを兼
ねた絶縁板であつてボルト８１により底板７１の
上方に固定される。８２，８３は誘導加熱用コイ
ル７９の外部との接続継手部分である。同コイル
内には高周波電流による熱がコイル自体を損傷す
るのを防ぐため内部に水を流すようにしてある。
底板７１に向つている天井蓋９０は三層からなつ
ておりそれぞれ内側から石英層８４、第１ステン
レス層８５、第２ステンレス層８６からなつてい
る。各層８４，８５，８６の間は空隙である。８
８はクランプ部材でエアシリンダ装置８９の励起
により天井蓋９０のつば８７を下方に押圧するよ
うになつている。 天井蓋９０にはサセプタ７５及び同７５上のウ
エハ９１を観察するための観察窓９２が取付けら
れている。さらに天井蓋９０上にはウエハ９１サ
セプタ７５の温度を石英層８４を介して入つてく
る光により検出すべきセンサTSを取付けた温度
検出窓９３が設けられている。 ９４は天井蓋９０と一体的に構成されたプラケ
ツトであつて図示しないシリンダのピストンと結
合され上下に移動できるようになつている。そし
て例えばサセプタ７５上のウエハ９１の取り換え
等の場合には天井蓋９０を上方へ移動させるよう
にしている。 第７図は反応炉Ｒ１，Ｒ２に接続されるガスの
配管概念系統図である。同図において反応炉Ｒ
１，Ｒ２に対し供給されるガスは同図下方におい
て左方よりN2，H2，DN，DPおよびHClの各ガス
チヤンバー１０１，１０２，１０３，１０４，１
０５として示される。１０６はバブリングチヤン
バーで四塩化シリコンSiCl4又はSiHCl3の液体が
入つている。 チヤンバー１０１から上方へ延びる管路には圧
力スイツチPS１、常時開状態の弁１、（以下
同様に常時開状態の弁には−を付してある）が設
けられ弁PV７に通じている。 同様にチヤンバー１０２から上方へ延びる管路
には圧力スイツチPS２、弁PV２が設けられ弁
PV８に通じている。弁PV７とPV８の出口ボー
トは合流してそれぞれマスフロー弁MFC１及び
MFC２を介してPL１，PL２に接続されている。 管路PL１上にはさらにガス合流弁PV１９，
PV２０が反応炉Ｒ１との間に設けられており管
路PL１Ａ，PL２Ａにより供給されるガスを弁
PV１９，PV２０を励起せしめることにより混合
できるようになつている。 同様に管路PL２上にはガス合流弁PV２１，
PV２２が反応炉Ｒ２との間に設けられており管
路PL１Ａ，PL２Ａにより供給されるガスを弁
PV２１，PV２２を励起せしめることにより混合
できるようになつている。 チヤンバー１０６からは２本の管路PL３Ａ，
PL３Ｂが延設されており弁VC１に接続されてい
る。同弁VC１のポートPOにはガスH2が入り同
H2はポートＰ２を出て管路PL３Ａ、弁PV３Ａ
を通つてバブリングチヤンバー１０６に入り液体
のSiCl4中にて排出されたバブリングが行われる。
従つてチヤンバ１０６内の空間には蒸気化した
SiCl4とH2の混合気体が出来これが管路PL３Ｂ上
の弁PV３Ｂを通つて弁VC１の入力ポートＰ３、
出力ポートＰ１を通り管路PL６Ａに接続されて
いる。 ドーパントＮガスのチヤンバー１０３から上方
に延びる管路には弁PV５を介してマスフロー弁
MFC４、MFC５、MFC６が接続されている。 同弁MFC４―６の入力側は水素ガスH2の管路
PL５に弁PV９を介して接続されており、混合さ
れたガスが、出力側より管路PL１Ａに供給可能
に接続されている。 同様な配管系統がドーパントＰガスチヤンバー
１０４から上方へ延びる管路に対しても形成され
ている。各弁PV２３、PV２４、MFC８、MFC
９、MFC１０は、前述の各弁に対応しているこ
とは図面から理解されよう。 ガスHClのチヤンバー１０５から延びる管路上
には弁PV６Ａ、マスフロー弁MFC７が設けられ
それぞれ合流弁PV２０、PV２２を混合ポートに
入力されている。前記マスフロー弁MFC７の上
流側には弁６を介して管路PL５が合流され
ている。 第８図は第３図のMASTER CPU２１を含む
制御装置からマスフロー４２に対する指令値電圧
が各Ｄ／Ａ変換器１２３を介して与えられてい
る。そして同各マスフローに取付けた流量検出部
からの出力はアナログマルチプレキサー１２２に
よつて順次取出されＡ／Ｄ変換器１２１によりデ
イジタル信号として前述の制御装置へ取り込まれ
るようになつている。 第９図において左欄の１〜17の番号は各プロセ
スプログラムに対応しておりその右側Time欄に
はそのシーケンスの継続時間が分秒を単位として
数値で示されている。 又Time欄の右側にはそのシーケンスで使用さ
れるガスの流量が記入されるようにしたGAS
FLOW欄が設けられている。GAS FLOW欄の右
には反応炉内の温度θ℃を指定する温度設定欄が
設けられている。 今第７図の管路に対し第９図の動作表が適用さ
れた場合について説明する。 第９図でプロセスプログラムPP(1)の内容は
N2Purgeであつて３分間N2をFN1l／分の流量で
供給する。第７図のチヤンバ１０１からはガス
N2が弁１、弁PV７、MFC１を通りさらに
PV１９，PV２０を通つて反応炉Ｒ１内に入りそ
の排気口に至りパージングが行われる。尚流量
FN1l／分はMFC１への電圧指令値として与えら
れる。プロセスプログラムPP(2)はH2Purgeであ
つて３分間、FH2l／分の流量が設定される。ガ
スH2はPV２、PV８、MFC１、PV１９、PV２
０を通つて反応炉Ｒ１に入りN2Purgeの場合と同
様排出される。 次のプロセスプログラムPP(3)（以下PP(i)とす
る）はHEAT ON(1)であつて反応炉Ｒ１に対し
ガスH2の供給量はFH2l／分とし各弁の状態は変
えない。そして誘導加熱炉を第１段階のレベルに
設定して第１の設定温度θ1となるよう３分間加熱
する。 次いでPP(4)でガスH2は同じ流量のまゝ設定温
度θ2となるよう第２段階のレベルに設定して３分
間加熱する。次にPP(5)はHCl VENTである。 設定内容は３分間で、H2がFH2l／分、HClが
FHCLl／分の流量である。ガスHClは弁PV６
Ａ、MFC７を通りベント口へと流れる。HCl
FHCLl／分はMFC７への指令電圧によつてその
流量が設定される。 次にPP(6)はHCl ETCHであつて３分間持続さ
れる。そのためPP(5)に対し合流弁PV２０でH2
と合流し反応炉Ｒ１へ供給される。 次にPP(7)で再び３分間H2Purgeとされる。 PP(8)はHEAT DOWNで炉内をθ2℃からθ3℃
にする。３分間のPP(8)のプロセスが終ると気相
成長の準備がほゞ整い次いでPP(9)に移る。PP(9)
はEPi VENT(1)であつて３分間、H2はFH2l／
分、ドーパントガスDPをFDPcc／分、SiCl4を
FS1g／分の割合で供給する。ガスH2はPV２→
VC１→PV３→チヤンバー１０６に到つて同チヤ
ンバー１０６からはガス状のSiCl4とH2との混合
気体がPV３→VC１に到り、管路PL６Ａに供給
される。チヤンバー１０４からPV２３、MFC
８、MFC９、MFC１０を通つてドーパントガス
DPが供給されているのでこのガスDPと管路PL６
Ａに達しているH2＋SiCl4とが合流しベント
VFNTに排出される。 次いでPP(10)となるとEPi DEPOであつて各ガ
スの流量はPP(9)と同じであつてPV１９がONと
される。これが３分間続く。従つて管路PL１Ａ
の前述したガス（DP＋H2＋SiCl4）はPV１９で
合流しさらにPV２０の主ポートを通つて反応炉
Ｒ１に入りサセプタ上のウエハにＰ型半導体を気
相成長させる。この場合の成長反応は下式のよう
な水素還元の可逆反応が行われる。 SiCl4＋2H2Si＋4HCl こうしてSiがウエハ上にちくせきされるのであ
る。ドーパントガスDPとしては通常ホスフイン
（Phosphine）PH3が使用される。 尚Ｎ型半導体を形成するためのドーパントガス
DNとしては通常B2H6（Diborane）が用いられる。
PP(10)で３分間が経過すると気相成長が終了し次
いでPP(11)とされH2 PurgeのためガスH2を
FH2l／分の流量で３分間供給する。 次いでPP(12)、PP(13)、PP(14)は使用されてい
ないのでPP(15)に達するとHEAT OFFであつて
誘導加熱コイルへの電力供給をカツトオフする。
時間は３分間とされるのは炉内温度の低下に要す
る時間を見込んでいるからである。この間もH2
をFH2l／分の流量で供給する。 PP(16)はH2 Purgeであつて３分間持続される。
次いでPP(17)に移りN2 PurgeでN2ガスFN17l／
分が３分間持続される。 第９図でもしＮ型半導体の層を形成するためド
ーパントガスDNを用いる場合には第７図のチヤ
ンバー１０３からPV５、PV９、MFC４、MFC
５が有効となることは容易に理解されよう。 又、第７図で反応炉Ｒ１の代りにＲ２を使用す
る場合には、PV２１、PV２２がPV１９、PV２
０の代りに作動されることも容易に理解されよ
う。 第１０図は、反応炉Ｒ１とＲ２とをパラレル運
転する場合の説明図である。ここで、本願におけ
るパラレル運転とは第６図に示した反応炉内を誘
導加熱する方式において電力を効果的に利用する
ための１方策であり、具体的にいえば反応炉Ｒ１
とＲ２の各誘導コイルへの通電を同時にはしない
けれども出来る限り効果的にすなわちパラレル運
転状態では各コイルへの通電がどちらかになされ
ているようにするものである。 第１０図において上段側には反応炉Ｒ１の炉内
温度θ℃と各プロセスプログラムPP(i)の推移の
関係を示すグラフが示されており、又下段側には
反応炉Ｒ２に関する各プロセスプログラムPP(i)
の推移が示されている。同図で反応炉Ｒ１に関し
て起動スイツチＳ１が時刻t0でONされるとプロ
セスプログラム群PPG(1)がスタートし図示のよ
うにプロセスプログラムPP(1)、PP(2)が終了する
とPP(3)に移り誘導コイルがONされ以後PP(15)ま
で反応炉Ｒ１は加熱状態が続く。 反応炉Ｒ２側の誘導コイルへの電力の供給はＲ
１側のPP(15)が終了したとき直ちにONされるよ
うにしている。このために炉Ｒ２に対するスター
トスイツチＳ２はＳ１スイツチONされてから時
間Ｔ４だけ経過したときONにされているとす
る。 今Ｓ２スイツチONからプロセスプログラム群
PPG(2)の第１のプロセスプログラムPP(1)がスタ
ートするまでの時間をＴ３，Ｒ２とし、さらに
PP(1)から同PP(3)がスタートするまでの時間をＴ
２，Ｒ２とすると、パラレル運転においては T1（R1） ＝T4（R2）＋T3（R2）＋T2（R2） という関係を保つようにすることである。 Ｓ２スイツチの押される時刻は任意であるので
（一般には炉Ｒ２の内へ気相成長反応させるべき
ウエハを載せるなどの準備作業が終了したときＳ
２スイツチをONにする。今図では時刻ｔ１とし
てある。）PPG(2)の実際のスタート時刻tSを予じ
め定めることは困難である。この問題を解決した
方法として実際に第１０図の如きパラレル運転を
するためには第１１図のように行うことができ
る。尚第１０図において時間間隔Ｔ１，Ｒ１、Ｔ
２，Ｒ２は既知であつて予じめプログラムされて
いる時間データである。第１１図においてレジス
タ１３１には時間Ｔ１とＴ２の差がストアされて
いる。一方カウンタ１３２は毎秒ごとのパルス
（秒計数パルス）をＳ１スイツチONからＳ２ス
イツチONまでの間計数する。１３３はもう１つ
のカウンタであつてＳ２スイツチONの時点でレ
ジスタ１３１の値（T1―T2）とカウンタ１３２
の値（T4）との差（T3）をセツトしこれがＳ２
スイツチONとされた以後秒計数パルスにより減
算されカウントアウトしたときPPG(2)が実際に
スタートされるようになつている。 又他の方法としては図示しないがカウンタを１
つ設けＴ１を設定しておいてＳ１スイツチON以
後秒計数パルスにより減算計数を行い、Ｓ２スイ
ツチONとなつた時点でＴ２を減算したものをさ
らに秒計数パルスにより減算すればやはりこのカ
ウンタが零となつたときにPPG(2)の実際のスタ
ート指令が与えられるようにしてもよい。 第１２図には本装置の処理プログラムの処理対
称となるプロセスプログラムPPと、一連の同プ
ロセスプログラムからなるプロセスプログラム群
PPGのデータ構造を同図イ，ロとして示す。同
図イには１つ分のプロセスプログラムの内容が示
されており、最初のメモリ領域にはプロセスのシ
ーケンス番号ｉがストアされる。次のメモリ領域
には以下の各メモリ領域の合計のデータサイズが
示される。 データとしてはこのプロセスシーケンスの継続
時間が分、秒の単位で示される。さらに次のメモ
リ領域には８ビツトのデータビツトコードがスト
アされる。その具体例を下方に示す。次のメモリ
領域には出力データのうち炉内温度が設定されて
いる。 さらに次のメモリ領域にはガスH2の流量が設
定されている。今出力データとして温度とガス
H2が与えられている場合にはデータビツトコー
ドは左端とその二つ右のビツト＝１となつてい
る。第１２図イは１つのPP(i)の例であるが出力
データとして温度指定のない場合や各種ガスを同
時に複数種出力する場合はそれぞれ対応するビツ
ト＝１とされ出力データのメモリ領域に順次出力
しようとするガスの流量がストアされるようにな
つている。 第１２図ロには第１０図に示したパラレル運転
に対応したプロセスプログラム群PPG(1)、PPG
(2)のデータ構造が示されている。即ち左側の反応
炉Ｒ１に対応してPPG(1)が最初のメモリ領域に
ストアされている。 以下パラレル運転時間Ｔ１、パラレル初期時間
Ｔ２が設定されている。このパラレル初期時間Ｔ
２は第１０図においてPPG(1)ではPP(1)とPP(2)の
シーケンス時間の和である。パラレル初期時間Ｔ
２のの次からPP(1)、PP(2)、…、PP(17)までの各
プロセスプログラムデータがストアされるように
なつており、次いでEND OF PROGRAMとな
る。 第１３図は本システムのシステムプログラムの
処理過程をフローチヤートにて示す。（ROM２
４の内容）同図においてプログラムステツプスタ
ート後の第１のステツプ（以下ST１と称する）
では、第５図のスイツチ６７―４の設定値、ある
いはキー入力部６３からの入力例えば＄
PROCESS.C、＄RUN、＄FETCH…などのキー
入力により指定された処理プログラム（第４図２
７にそのいくつかが記号で示されている）に対応
したフラグをRAM２７内のフラグメモリにおい
てセツトする。次いでST２においてプロセス制
御フラグ（＄PROCESS.Cが入力されているこ
と）のフラグビツトをチエツクする。ST２にて
YESならST３においてプロセスを制御する。ST
２にてNOならST４へ移行する。次いでST４に
おいて反応炉Ｒ１，Ｒ２の各操作部スイツチ（例
えば反応炉の開閉押釦やモータの回転など）が
ONか否かチエツクされONであるとST５にて対
応するスイツチ内容を実行する指令を与える。 ST４でNOならST６へ移行する。ST６以下
ST２５までの各ステツプは第４図ROM２７中の
MODiFYからTESTまでの各処理プログラムに
対応している。ST６〜ST２５は通常１つだけ選
択され有効とされる。 第１４図は第１３図のサブルーチンST３に対
応するプロセス制御の詳細フローチヤートであ
る。ST３の具体的内容であることを示すため各
処理ステツプにST３を付してある。同図におい
てST３―１で反応炉Ｒ１のスタートスイツチが
押されているとST３―２に移りここでＲ１に関
係するプロセスプログラム群PPG(1)中の現在作
動しているプロセスプログラムPP(i)のシーケン
ス残り時間＝０か否かをチエツクする。このシー
ケンス残り時間は第２２図に示す秒処理プログラ
ムのフローチヤートで示されるようにある１つの
PP(i)のシーケンス時間をレジスタにとり込んで
これを１秒ごとに減算しこの減算結果がシーケン
ス残り時間となるのである。 さてST３―２においてシーケンス残り時間＝
０となるとST３―４において次のプロセスプロ
グラムPP(i)が指定されそのデータを取込む。次
いでST３―５において、新たに指定されたPP(i)
のシーケンス時間をセツトする。そしてこれによ
り前述した秒処理プログラムが作動する。次いで
ST３―６において出力データである指示された
ガスの流量、炉内温度に関するデータを出力せし
めさらにST３―７において各種の弁に対しON、
OFFの指令を与える。次いでST３―８において
次のシーケンスセツトの準備として ｉ←ｉ＋１ にインクリメントされる。 尚、ST３―１でＲ１のスタートスイツチが
OFFのときはST３―３に移りここで反応炉Ｒ２
のスタートスイツチのON、OFFをチエツクす
る。ST３―３においてYESの場合にはさらにST
３―９に移りＲ２に関するプロセスプログラム群
PPG(2)のうちの現在有効なプロセスプログラム
のシーケンス残り時間が０か否かチエツクする。
以下ST３―１０からST３―１４までの各処理ス
テツプの内容はST３―４からST３―８までに対
応している。 ST３―２でNOの場合には合流点を介して
ST３―３に移る。又ST３―３、ST３―９でNO
の場合は直接ENDに到りこのサブルーチンST３
の処理を終える。第１５図は第１３図のサブルー
チンST７の詳細フローチヤートである。修正操
作にあたつては＄MODiFYがキー入力されると
システム側から MODiFY BELL−JAR＝ とメツセージが出される。反応炉Ｒ１，Ｒ２をＲ
１→Ｌ、Ｒ２→Ｒを入力する。ここにＬは
LEFT、ＲはRiGHTの意である。続いて付加情
報として修正後に形成されるプロセス名（PPG
(i)、EPiなど）作成年月日、作成者等を登録す
る。次にプロセスパターンとしてどのタイプのプ
ロセスプログラム群PPGを修正するのかを入力
する。 次にシステム側から次のメツセージが出されそ
れに必要な情報を入力登録して１つのプロセスプ
ログラムPPを修正する。 ある１つのPPに対応したメツセージとそれを
修正した状態を次に示す。 SEQUENCE＝PP(3) N2＝50 45 TiME＝300 230 この例ではガスN2を50／分から45／分へ、
又その時間を３分00秒から２分30秒にそれぞれ修
正したことを示す。 第１５図にはMODiFYの処理フローの詳細が
示されている。同図においてST７―１において
修正したいプロセスプログラムPP(i)を入力する。
ST７―２に移りその入力されたPP(i)が対応する
PPGに属しているか否かをチエツクする。ST７
―２でNOであるとST７―３で修正操作が終了
か否かチエツクされYESならサブルーチンST７
はENDとなる。又ST７―３でNOならオペレー
タへのアラーム指令をST７―４で与える。ST７
―２でYESであるとST７―５に移りPP(i)の出力
データのうち時間データ（シーケンス時間）が取
り出され表示される。次いでST７―６に移り時
間データの修正をしたい場合にはST７―７で時
間を前述のように修正する。これによりパラレル
運転時間が変更されなければならないのでST７
―８においてその計算を行いその結果をPPGの
パラレル運転時間のメモリエリアへストアせしめ
める。次いでST７―９、ST７―１０に移り温度
データの修正をしたい場合にはST７―１１にて
修正を行う。さらにST７―１２、ST７―１３に
てガス流量を修正したい場合にはST７―１４に
て修正を行う。以下当該PPG中の必要なプロセ
スプログラムPP(i)を逐次指定して修正を行うこ
とができるようになつている。 尚MODiFY操作の終了をシステム側に知らせ
るには○＄を入力する。 次に第１３図のサブルーチンST９について説
明する。PROCESSは実行したいプロセスプログ
ラム群を生成する処理機能である。＄PROCESS
と入力されるとシステム側から次のメツセージが
出される。 PROCESS BELL−JAR＝ 続いて使用したい反応炉Ｒ１，Ｒ２をキー入力
する。（Ｌ又はＲ又はＬ＋Ｒを入力する）入力終
了によりシステム側に受けつけられれば良いが誤
つた入力をするとエラーメツセージがシステムか
ら出され再度上述のメツセージが表示され再入力
となるなどして対話形式により正しく入力される
ようにしている。続いて付加情報としてプロセス
名、作成年月日、作成者などをデイレクトリとし
て登録する。 次にプロセスパターンとして、どのタイプのプ
ロセスを実行するのか入力する。Ｎタイプの気相
成長を行うのであれば次の如き表示の入力とな
る。 PROCESS PATTERN＝EPi Ｎ ……(1) 下線部が入力部分である。このようにして各種
の情報が入力されると次に実行すべきプロセスプ
ログラムPPの生成を行う。次いでシステム側よ
り次のメツセージが出されこれに対して必要な情
報を入力し、順次EPiNを構成するところのプロ
セスプログラムを生成して行き完成させてゆくの
である。 SEQUENCE＝PP(1) ……(2) N2＝50 ……(3) TiME＝300 ……(4) (2)はシーケンス名であり、(3)，(4)はそのシーケ
ンスに付随する必要な情報であり、(4)の場合は使
用ガスとしてN2ガスを使用し、その流量を数値
入力しており50／分である。続く(4)はそのシー
ケンスに要する実行時間を入力している。第１６
図は＄RUNである。 ＄RUNとキー入力されると現在実行中のプロ
セス（１つのプロセスプログラムに対応する）の
各状態変化の最新情報を表示せしめる。反応炉Ｒ
１又はＲ２においてプロセスが実行中であれば例
えば次のように表示される。 ＊RUN BELL−JAR＝R1 SEQUENCE＝EPi １ DEPO SET TiME＝1234 ×× CURRENT DATA TEMP＝1200 H2＝55 DN＝10 SiCl4＝22 TiME＝59（減算） （STOP TiME＝××××（増加）） × RUN BELL−JAR＝R2 SEQUENCE＝N2 PURGE SET TiME＝300 ×× CURRENT DATA N2＝55 TiME＝59 次に１つのプロセスが終了しておれば＄＄＄の
表示を行う。上述した各表示内容は以下に説明す
る第１６図のフローチヤートに示す手順の各処理
ステツプによつて遂行される。以下第１６図の各
処理ステツプを説明する。 先ず、ST１１−１においてプロセスの実行中
か否かがチエツクされる。実行中でなければST
１１―２に移りプロセス終了（＄＄＄）を表示す
る。ST１１―１で実行中であるとST１１―３に
移り実行中のシーケンスであるプロセスプログラ
ムPP(i)の名称を表示する。次いでST１１―４に
移り実行中のシーケンスPP(i)のシーケンス時間
（SET TiME）を表示する。次にST１１―５に
おいてシーケンス停止か否かをチエツクする。
YESであるとST１１―７に移り、実行中のシー
ケンスPP(i)の停止時間を積算表示する。シーケ
ンス停止とはオペレータが自動運転中に何らかの
異常等のためシーケンスの停止を指令することに
より生ずるものであり正常な自動運転中はシーケ
ンス停止は生じないのが普通である。さてST１
１―５でNOであるとST１１―６に移り実行中
のシーケンスの経過時間TiMEを表示する。 次いでST１１―８に移り実行シーケンスPP(i)
が温度管理をしているか否かチエツクする。ST
１１―８でYESならST１１―９に移り現在の炉
内測定温度を表示する。ST１１―８でNOなら
ST１１―１０に移り、実行中のシーケンスPP(i)
がガス流量を管理しているか否かチエツクする。
ST１１―１０でYESならST１１―１１で現在の
実流量を表示する。ST１１―１０でNOなら合
流点に戻る。 次に第４図の処理プログラムSTEPについて説
明する。この処理プログラムSTEPはある１つの
プロセスプログラム群PPG(i)中の各プロセスプ
ログラムPP(i)の順序変更を行うために用意され
ており＄STEPとキー入力すると STEP BELL JAR＝R1 と表示される。下線部は反応炉Ｒ１であることを
示しておりオペレータがキー入力する。続いて付
加情報としてプロセスプログラム群の名詳、作成
年月日、作成者等をデイレクトリとして必要な事
項を登録する。次いでシステム側からプロセスパ
ターンとしてどのタイプのPPGの順序変更を行
いたいのかが質問される。この表示を次に示す。 PROCESS PATERN＝EPi Ｎ 下線部はオペレータの入力部でありＮ型の気相
成長であることを示す。 次いでシステム側から以下に示すようにEPiN
（１つのプロセスプログラム群）中の各プロセス
プログラムPP(i)がSEQUENCEとして下記のよ
うに順次示されるのでそれに必要な情報を等号の
右辺側にキー入力せしめる。 SEQUENCE＝PP(1) SEQUENCE＝PP(2) SEQUENCE＝PP(9) SEQUENCE＝PP(4) 〓 SEQUENCE＝PP（17） STEPの終了のためには＄を入力する。 第１７図にサブルーチンST１３（第１３図）
の詳細を示す。同図で＄STEPが入力されると
ST１３―１においてSTEP用のメモリ領域を確
保する。次いでST１３―２に移りシーケンス番
号ｉを入力する。次いでST１３―３に移りここ
でシーケンス番号ｉか否かをチエツクする。ST
１３―３でYESであるPP(i)のデータを確保され
ているメモリ領域に転送する。ST１３―３で
NOならばST１３―５に移りSTEP終了か否かを
チエツクする。YESならSTEP終了（END）と
なりNOならST１３―６へ移り存在しないシー
ケンス番号が有りとしてオペレータに警告表示し
このSTEP処理を終了することになる。 次に第４図ののROM２７中のSTOREについ
て説明する。処理プログラムSTOREは生成
（PROCESS）あるいは修正（MODiFY）したプ
ロセスプログラム群PPGを本システムの外部記
憶媒体であるカセツト磁気テープ、あるいはミニ
フロツピーデイスク、バブルメモリ等へ移す作用
を行わせるものである。第１８には第１３図のサ
ブルーチンST１５の詳細なフローチヤートを示
す。 同図においてST１５―１ではこれから外部記
憶媒体へ貯えようとするプロセスプログラム群
PPG（Ｋ）の先頭プロセスプログラム（PP(i)、ｉ
＝１）をセツトし次いでST１５―２で使用する
外部記憶媒体（CMT５１）の初期値化を行い、
同装置が使用可能か否かをチエツクする。次いで
判定のステツプであるST１５―３に移る。この
ステツプではRAM２６からすべてのPP(i)が
RAM５３へ転送済か否かをチエツクする。YES
ならRAM２６からRAM５３へのデータ（１つ
のPPG（Ｋ）について）の転送が終了したことに
なり次いでST１５―４に移りRAM５３から
CMT５１へのデータの転送がROM５２のプロ
グラムにより実行される。CMT５１への転送が
終了するとST１５―５にて終了をオペレータに
伝える。一方ST１５―３においてNOであれば
ST１５―６に移りPP(i)のデータをRAM５３へ
転送する。 次いでST１５―７に移り異常の有無をチエツ
クしてYESならST１５―９にて異常発生をオペ
レータに伝える。ST１５―７でNOならST１５
―８に移り次のシーケンスであるPP（ｉ＋１）を
指定するようｉをｉ＋１にインクリメントする。
ST１５―８が終了すると再びST１５―３に戻り
以下これをくり返す。第４図に示すシステムのブ
ロツク図から判るように、STOREのプロセスは
RAM２６にストアされているPPG（Ｋ）をｉ／
Ｏバス２３、高速メモリデータ転送部（HMT）
４５、データハイウエイ４７、HMT５０、デー
タバス４８を通つてRAM５３に一旦ストアさせ
る。そしてRAM５３にストアされたPPG（Ｋ）
はSUB―MASTER・CPU４６、ROM５２によ
つてカセツトMTiFを介して外部記憶媒体の１つ
であるカセツト磁気テープ５１（CMT）にスト
アせしめるのである。 次に第４図の処理プログラムSORTについて説
明する。このSORTは前述のSTOREとは逆の作
用をするものであつて第４図で説明するとCMT
５１にストアされているPPG（Ｋ）をRAM５３
を介してRAM２６へ転送するよう作用するもの
である。SORTに対応する第１３図のサブルーチ
ンST１７の詳細フローチヤートを第１９図に示
す。同図においてST１７―１ではこれから
SORTしたいある１つのプロセスプログラム群
PPG（Ｋ）のストアされている外部記憶媒体を指
定する。次いでST１７―２に移り、ST１７―１
にて指定された外部記憶媒体CMT５１にPPG
（Ｋ）が現実にストアされているか否かをチエツ
クする。ST１７―２でPPG（Ｋ）が保管されて
いない場合にはST１７―３に移り保管されてい
ないことをオペレータに伝える。ST１７―２で
YESならばST１７―４に移りCMT５１から
RAM５３へ１つのPPG（Ｋ）に関するデータを
転送せしめる。（ROM５２、CPU４６によつて）
次いでST１７―５に移りCMT５１からRAM５
３への転送が終了したか否かをチエツクする。
NOであればST１７―４に戻る。YESならST１
７―６に移りここで各PP(i)のデータを主メモリ
であるRAM２６へ転送する。 次いでST１７―７にて異常の有無をチエツク
し、異常があればST１７―８でオペレータにそ
れを伝える。 異常なければST１７―９に移り次のシーケン
スとしてPP（ｉ＋１）を設定するようｉをインク
リメントさせる。次いでST１７―１０へ移り
RAM５３からRAM２６への転送が終了したか
否かをチエツクする。YESならSORTの処理が
終了ということになり＄＄＄を表示する。又ST
１７―１０でNOならST１７―６へ戻りこのル
ープをくり返す。 次に第４図のVERiFY処理プログラムについ
て説明する。この処理プログラムは一旦RAM２
６にストアされたプロセスプログラム群をCRT
２９に表示しオペレータがそれを確認するために
用いられる。 ＄ VERiFYと入力されると VERiFY NAME＝ とメツセージが出され下線部にプロセス名を入力
することにより該当プロセスプログラム群PPG
（Ｋ）の内容が出力される。表示出力の一例を示
すと次の如くである。 PROCESS NAME＝Ｎ N2 PURGE TiME＝1234 FLOW N2＝55 H2 PURGE 〓 N2 PURGE FLOW N2＝55 こうして次々とサービス（表示）を行いシーケ
ンス最後のN2 PURGEの内容を出力し終了す
る。 第２０図には第１３図のサブルーチンST１９
の詳細フローチヤートを示す。 同図においてST１９―１では今対象とされた
PPG（Ｋ）の先頭のプロセスプログラムPP(i)をセ
ツトする。次いでST１９―２に移りそのセツト
されたPP(i)をセツトする。次いでST１９―２に
移りそのセツトされたPP(i)のシーケンス番号ｉ
をチエツクする。ｉでなければST１９―３に移
りVERiFYプログラムの終了をチエツクする。
終了していないならST１９―４に移り存在しな
いシーケンス番号が現われたものとしてオペレー
タに警告表示する。 ST１９―２においてYESならST１９―５に移
りPP(i)のデータ内の時間データ（シーケンス時
間）をCRT RAM２５へとりこむ。ついでST１
９―６に移りその時間データをCRT２９に表示
する。次いでST１９―７においてPP(i)データの
中で温度データの有無をチエツクし、有ればST
１９―８にてその温度データをCRT２９に表示
せしめる。次いでST１９―９にてPP(i)のデータ
の中で使用ガスの流量データの有無をチエツク
し、有ればST１９―１０にて流量データをCRT
２９に表示せしめる。 次いでST１９―１１に移り次のシーケンスPP
（ｉ＋１）のためにｉをインクリメントし、合流
点に戻り以下上述のST１９―２〜ST１９―１
１をくりかえし実行する。 次に第４図の処理プログラムDiAGNOSiSを説
明する。 ＄ DiAGNOSiSとキー入力されると現時点で
のプロセスの異常についてその内容をサービスす
る。（Fault Message）例えば次の如くである。
【表】
｛ ｛ ｛
＊ FLOW ERROR N2 □□ □□
ここでA0はどの流量制御器であるかを示し、
A1は設定流量、A2異常時の実流量である。第２
１図１は第１３図のサブルーチンST２１の詳細
フローチヤートである。同図１においてST２１
―１はエラー登録があるか否かをチエツクする。
このエラー登録は同図２の自己診断用プログラム
の遂行によりRAM２６，５５のエラーコード登
録領域（同図３）をチエツクすることにより行わ
れる。ST２１―１でエラー登録があればST２１
―２に移りエラー登録の数（同図３のＫ）をとり
出し次いでST２１―３にて各エラーコードを取
り次いでST２１―４にて取り出されたエラーコ
ードを対応するフオルトメツセージに変換しこれ
をCRT上に表示する。 次いでST２１―５に移りエラー登録数を１つ
減じる。そしてST２１―６においてエラー登録
数（未表示エラー数）が零か否かチエツクし零で
なければST２１―３に戻る。又、零であればこ
の処理プログラムは終了となる。 第２１図２は前述したPROCESS・Ｃ処理プロ
グラムの説明において説明を略したところの、プ
ロセス進行中における自己診断機能の詳細であつ
てST２１―１０において異常状態の有無がチエ
ツクされる。このチエツクの項目には温度、流
量、各種弁装置への供給電圧などが含まれる。
ST２１―１０で異常有の場合には、ST２１―１
１に移り反応炉Ｒ１，Ｒ２あるいはその周辺部の
機器に関する異常状態を解除するために必要な指
令を与える。例えばシーケンスの進行自体を一時
的に停止させることにより行う。 次いでST２１―２１においてアラームを表示
しオペレータに警告を与える。そしてST２１―
１３にてエラーコードをRAM２６の対応するメ
モリ領域に登録する。 次に第４図のUSED TiMEの処理プログラム
について説明する。 USED TiMEは各反応炉Ｒ１，Ｒ２それぞれ
の現在までの使用時間をサービスするものであり ＄ USED TiME とキー入力すると
＊ FLOW ERROR N2 □□ □□
ここでA0はどの流量制御器であるかを示し、
A1は設定流量、A2異常時の実流量である。第２
１図１は第１３図のサブルーチンST２１の詳細
フローチヤートである。同図１においてST２１
―１はエラー登録があるか否かをチエツクする。
このエラー登録は同図２の自己診断用プログラム
の遂行によりRAM２６，５５のエラーコード登
録領域（同図３）をチエツクすることにより行わ
れる。ST２１―１でエラー登録があればST２１
―２に移りエラー登録の数（同図３のＫ）をとり
出し次いでST２１―３にて各エラーコードを取
り次いでST２１―４にて取り出されたエラーコ
ードを対応するフオルトメツセージに変換しこれ
をCRT上に表示する。 次いでST２１―５に移りエラー登録数を１つ
減じる。そしてST２１―６においてエラー登録
数（未表示エラー数）が零か否かチエツクし零で
なければST２１―３に戻る。又、零であればこ
の処理プログラムは終了となる。 第２１図２は前述したPROCESS・Ｃ処理プロ
グラムの説明において説明を略したところの、プ
ロセス進行中における自己診断機能の詳細であつ
てST２１―１０において異常状態の有無がチエ
ツクされる。このチエツクの項目には温度、流
量、各種弁装置への供給電圧などが含まれる。
ST２１―１０で異常有の場合には、ST２１―１
１に移り反応炉Ｒ１，Ｒ２あるいはその周辺部の
機器に関する異常状態を解除するために必要な指
令を与える。例えばシーケンスの進行自体を一時
的に停止させることにより行う。 次いでST２１―２１においてアラームを表示
しオペレータに警告を与える。そしてST２１―
１３にてエラーコードをRAM２６の対応するメ
モリ領域に登録する。 次に第４図のUSED TiMEの処理プログラム
について説明する。 USED TiMEは各反応炉Ｒ１，Ｒ２それぞれ
の現在までの使用時間をサービスするものであり ＄ USED TiME とキー入力すると
＄ CR
NAME＝ CR
OPEN（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR 又は CR
NO＝ CR
NO＝ CR
NO＝ CR EV5，EV10を閉
NAME＝ CR
OPEN（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR
NO＝ CR
NO＝ CR EV7を開
NAME＝他機能呼び出し
MF機能
プロセス制御用のマスフロー・ペーパーライザ
ーコントローラを動作させるためのものである。 NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ 入力動作を行ないたいのか、出力動作を行ない
たいのか質問する。 入力動作の時は、 CR と入力する。 NO＝ マスフロー番号 CR DATA＝×× ××：データ量 NO＝ 〓 順次番号指定で入力時点のデータが１分間のみ
サービスされる。 終了はNO＝ CR である。 出力動作の時は、 CR 又は CR と入力
する。 NO＝ マスフロー番号 CR DATA＝流量 CR NO＝ 〓 順次番号指定で、流量を設定出来る。 終了は CR である。 〔example〕 ＄ TEST NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR 又は
CR NO＝ CR DATA＝ CR
15指定（MFC5） NO＝ CR DATA＝ CR
300c.c.指定（MFC8） NO＝ CR NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR NO＝ CR DATA＝××
１分間サービス（MFC5） NO＝ CR DATA＝××
１分間サービス（MFC8） NO＝ CR NAME＝ CRT機能 CRTデイスプレイユニツトに、キヤラクタジ
エネレータの文字をすべてサービスし、１ページ
分（80文字×25行）出力終了すると、ページを
CLEARして終了する。 NAME＝ CR 文字サービス NAME＝ 他機能呼び出し LAMP機能 操作盤Ｒ１，Ｒ２及び制御装置パネル上のラン
プ、LED、BUZZERを順次点灯して行き、すべ
ての出力が終了すると、CLEARを行ない、この
回数を５回行なつた後この機能を終了する。 NAME＝ CR 出力サービス NAME＝ 他の機能呼び出し SOL機能 切換えSW、ダンパー、R1クランプ、R1ロツ
ク、R1シール、R1排気、R2クランプ、R2ロツ
ク、R2シール、R2排気に使用される電磁弁を
ON／OFFする。 NAME＝ CR ON（Ｙ，＊Ｎ）＝ バルブをON動作、OFF動作を行ないたいのか
質問する。 ON動作の時は CR を入力する。 OFF動作の時は CR 又は CR を入力す
る。続いて NO＝ バルブ番号 CR により、指定したバルブのON／OFF動作を実行
する。 ATC機能 ATC機能が呼び出されると、システムとして
は、自動的にローカル レベルに入る。この機能
の使い方としては、昇温テスト、均熱テスト等に
利用する。 NAME＝ CR BELL―JAR＝ 使用するベルジヤはどちらかＲ１，Ｒ２を質問
する。以外の文字が入力されると、すべてＲ
２側を使用すると判断する。続いて、ガスシステ
ムは、N2パージラインに切換り、ベルジヤは、
密閉される動作に入る。密閉されると、排気バル
ブが開く。この時真空引きは、N2パージなので
行なわない。すなわち、システムとしては、すべ
て、選択されたベルジヤでのプロセス実行可能状
態になる。 ただし、インターロツク上異常状態が発見され
れば、ATC機能をキヤンセルする。 第２３図は第１０図に示されるパラレル運転に
おける待ち時間の計算をさせる場合の詳細フロー
チヤートであつて、第４図のROM２４にストア
されているシステムプログラム内の１つのプログ
ラムである。同図のステツプST１Ｓにおいては
反応炉Ｒ１用のスタートスイツチがONか否かを
チエツクする。NOの場合はST７Ｓに移る。
YESの場合はST２Ｓに移りここでもう一方の反
応炉Ｒ２がすでにプロセス実行中か否かをチエツ
クする。すでに実行中ならばサブルーチンSTS
３に移りＲ１の待ち時間を計算する。 一方ST２ＳでNOすなわちＲ２のスタートス
イツチがまだONされていなければST４Ｓに移
りＲ１がプロセス実行中は否かを再度チエツク
し、すでに実行中ならST７Ｓへ移る。ST４Ｓで
NOであればST５Ｓに移りＲ１プロセスを実行
せしめるためにプロセス制御フラグをセツトす
る。次いでST６３においてPP(i)すなわちこれか
らＲ１において実行されるプロセスプログラム群
PPGの最初のプロセスプログラムPP(i)のシーケ
ンス時間を零にする。次いでST７Ｓに移る。ス
テツプST７ＳからST１２ＳまではＲ２とＲ１と
置きかえることによつてST１Ｓ→ST７Ｓ、ST
２Ｓ→ST８Ｓ、ST３Ｓ―ST９Ｓ、ST４Ｓ→
ST１０Ｓ、ST５Ｓ→ST１１Ｓ、ST６Ｓ→ST
１２Ｓの如くそれぞれ処理の内容が対応してい
る。 これまで第１図から第２３図にわたつて説明し
たが以上の説明では反応炉Ｒ１又はＲ２は、誘導
加熱コイルを設けた構造として説明し、且つパラ
レル運転時における加熱コイル電源の効果的使用
方法の一例をその中で説明した。しかし乍ら本発
明による制御システムの適用に際しては、このよ
うな誘導加熱方式に限定されるものではなく例え
ばランプ加熱方式（第２４図）の場合にも十分適
用されるものである。第２４図にはランプ加熱方
式の反応炉の概略構成を示している。 同図において２０１は反応炉２０７内に導びか
れる各種ガスの供給部であつて管路２０２を通つ
て反応炉２０７内に矢印で示すように導かれるよ
うになつている。反応炉２０７内には下方に向け
て径が大なるよう形成されたサセプタ２０９が上
方より回転可能に支持されておりその外周面に
は、気相成長を行わせる半導体基板２０８が載置
されている。そして温度センサ２１０からの信号
はライン２０３を経て温度コントローラ２０４に
与えられるようになつている。コントローラ２０
４はパワー変換部２０５に対し制御信号を与えパ
ワー変換部２０５は炉２０７の外壁の周囲に配列
されているランプ２０６へ電力を供給し、従つて
ランプ２０６の発する光が石英等で製作された外
壁を貫通して半導体基板２０８に達するようにな
つている。このランプ加熱方式の場合は外壁を通
してランプから直接半導体基板２０８を加熱する
ものであり又消費電力も誘導コイル方式の場合に
比して少ないなどの点で特徴がある。このような
ランプ加熱方式による反応炉の複数台を各種ガス
のガス源と接続することにより各反応炉はその中
で互いに他の反応炉のプロセス状態に依存するこ
となく独立にプロセスを遂行することが可能であ
る。 〔発明の効果〕 前述した実施例から明らかなように、本発明に
よれば、シーケンスプロセスにおけるプロセスパ
ラメータとして、シーケンス時間、ガスの種類と
その流量、温度条件をプロセスプログラムの単位
として設定し、これらのプロセスプログラムを適
宜組合せて１回の気相成長に対応したプロセスプ
ログラム群を作成して装置の自動運転を可能とし
たものであるから、従来のピンボードスイツチ方
式や汎用のシーケンスプログラマを使用した制御
方式に較べてガス流量や温度条件の設定について
のオペレータの手作業および判断要素を著しく低
減し、作業性の優れた装置を提供することができ
る。 また、本発明装置においては、オペレータの要
求によりプロセスプログラムを単位毎に呼び出し
てこれを表示手段に表示させ、各プロセスパラメ
ータの修正を可能とすると共にその内容をリアル
タイムで実行可能であるから、現実に要求されて
いる各種の操作を実際の物理的・化学的条件に適
合させたシーケンスプロセスとして対応すること
ができ、しかもその内容を直ちに把握することが
できる。 従つて、本発明装置によれば、最適な製造工程
の準備段階におけるプロセスパラメータの条件設
定の変更をプログラマブルにしかも迅速に達成す
ることができるので、品質の安定した製品の歩留
りが向上するばかりでなく、装置の稼動率も増大
し、従来のコンピユータを使用したDDC方式に
よる制御システムの問題点を全て克服し、極めて
制御性能の優れた半導体気相成長装置を提供する
ことができる。
ーコントローラを動作させるためのものである。 NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ 入力動作を行ないたいのか、出力動作を行ない
たいのか質問する。 入力動作の時は、 CR と入力する。 NO＝ マスフロー番号 CR DATA＝×× ××：データ量 NO＝ 〓 順次番号指定で入力時点のデータが１分間のみ
サービスされる。 終了はNO＝ CR である。 出力動作の時は、 CR 又は CR と入力
する。 NO＝ マスフロー番号 CR DATA＝流量 CR NO＝ 〓 順次番号指定で、流量を設定出来る。 終了は CR である。 〔example〕 ＄ TEST NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR 又は
CR NO＝ CR DATA＝ CR
15指定（MFC5） NO＝ CR DATA＝ CR
300c.c.指定（MFC8） NO＝ CR NAME＝ CR iNPUT（Ｙ，＊Ｎ）＝ CR NO＝ CR DATA＝××
１分間サービス（MFC5） NO＝ CR DATA＝××
１分間サービス（MFC8） NO＝ CR NAME＝ CRT機能 CRTデイスプレイユニツトに、キヤラクタジ
エネレータの文字をすべてサービスし、１ページ
分（80文字×25行）出力終了すると、ページを
CLEARして終了する。 NAME＝ CR 文字サービス NAME＝ 他機能呼び出し LAMP機能 操作盤Ｒ１，Ｒ２及び制御装置パネル上のラン
プ、LED、BUZZERを順次点灯して行き、すべ
ての出力が終了すると、CLEARを行ない、この
回数を５回行なつた後この機能を終了する。 NAME＝ CR 出力サービス NAME＝ 他の機能呼び出し SOL機能 切換えSW、ダンパー、R1クランプ、R1ロツ
ク、R1シール、R1排気、R2クランプ、R2ロツ
ク、R2シール、R2排気に使用される電磁弁を
ON／OFFする。 NAME＝ CR ON（Ｙ，＊Ｎ）＝ バルブをON動作、OFF動作を行ないたいのか
質問する。 ON動作の時は CR を入力する。 OFF動作の時は CR 又は CR を入力す
る。続いて NO＝ バルブ番号 CR により、指定したバルブのON／OFF動作を実行
する。 ATC機能 ATC機能が呼び出されると、システムとして
は、自動的にローカル レベルに入る。この機能
の使い方としては、昇温テスト、均熱テスト等に
利用する。 NAME＝ CR BELL―JAR＝ 使用するベルジヤはどちらかＲ１，Ｒ２を質問
する。以外の文字が入力されると、すべてＲ
２側を使用すると判断する。続いて、ガスシステ
ムは、N2パージラインに切換り、ベルジヤは、
密閉される動作に入る。密閉されると、排気バル
ブが開く。この時真空引きは、N2パージなので
行なわない。すなわち、システムとしては、すべ
て、選択されたベルジヤでのプロセス実行可能状
態になる。 ただし、インターロツク上異常状態が発見され
れば、ATC機能をキヤンセルする。 第２３図は第１０図に示されるパラレル運転に
おける待ち時間の計算をさせる場合の詳細フロー
チヤートであつて、第４図のROM２４にストア
されているシステムプログラム内の１つのプログ
ラムである。同図のステツプST１Ｓにおいては
反応炉Ｒ１用のスタートスイツチがONか否かを
チエツクする。NOの場合はST７Ｓに移る。
YESの場合はST２Ｓに移りここでもう一方の反
応炉Ｒ２がすでにプロセス実行中か否かをチエツ
クする。すでに実行中ならばサブルーチンSTS
３に移りＲ１の待ち時間を計算する。 一方ST２ＳでNOすなわちＲ２のスタートス
イツチがまだONされていなければST４Ｓに移
りＲ１がプロセス実行中は否かを再度チエツク
し、すでに実行中ならST７Ｓへ移る。ST４Ｓで
NOであればST５Ｓに移りＲ１プロセスを実行
せしめるためにプロセス制御フラグをセツトす
る。次いでST６３においてPP(i)すなわちこれか
らＲ１において実行されるプロセスプログラム群
PPGの最初のプロセスプログラムPP(i)のシーケ
ンス時間を零にする。次いでST７Ｓに移る。ス
テツプST７ＳからST１２ＳまではＲ２とＲ１と
置きかえることによつてST１Ｓ→ST７Ｓ、ST
２Ｓ→ST８Ｓ、ST３Ｓ―ST９Ｓ、ST４Ｓ→
ST１０Ｓ、ST５Ｓ→ST１１Ｓ、ST６Ｓ→ST
１２Ｓの如くそれぞれ処理の内容が対応してい
る。 これまで第１図から第２３図にわたつて説明し
たが以上の説明では反応炉Ｒ１又はＲ２は、誘導
加熱コイルを設けた構造として説明し、且つパラ
レル運転時における加熱コイル電源の効果的使用
方法の一例をその中で説明した。しかし乍ら本発
明による制御システムの適用に際しては、このよ
うな誘導加熱方式に限定されるものではなく例え
ばランプ加熱方式（第２４図）の場合にも十分適
用されるものである。第２４図にはランプ加熱方
式の反応炉の概略構成を示している。 同図において２０１は反応炉２０７内に導びか
れる各種ガスの供給部であつて管路２０２を通つ
て反応炉２０７内に矢印で示すように導かれるよ
うになつている。反応炉２０７内には下方に向け
て径が大なるよう形成されたサセプタ２０９が上
方より回転可能に支持されておりその外周面に
は、気相成長を行わせる半導体基板２０８が載置
されている。そして温度センサ２１０からの信号
はライン２０３を経て温度コントローラ２０４に
与えられるようになつている。コントローラ２０
４はパワー変換部２０５に対し制御信号を与えパ
ワー変換部２０５は炉２０７の外壁の周囲に配列
されているランプ２０６へ電力を供給し、従つて
ランプ２０６の発する光が石英等で製作された外
壁を貫通して半導体基板２０８に達するようにな
つている。このランプ加熱方式の場合は外壁を通
してランプから直接半導体基板２０８を加熱する
ものであり又消費電力も誘導コイル方式の場合に
比して少ないなどの点で特徴がある。このような
ランプ加熱方式による反応炉の複数台を各種ガス
のガス源と接続することにより各反応炉はその中
で互いに他の反応炉のプロセス状態に依存するこ
となく独立にプロセスを遂行することが可能であ
る。 〔発明の効果〕 前述した実施例から明らかなように、本発明に
よれば、シーケンスプロセスにおけるプロセスパ
ラメータとして、シーケンス時間、ガスの種類と
その流量、温度条件をプロセスプログラムの単位
として設定し、これらのプロセスプログラムを適
宜組合せて１回の気相成長に対応したプロセスプ
ログラム群を作成して装置の自動運転を可能とし
たものであるから、従来のピンボードスイツチ方
式や汎用のシーケンスプログラマを使用した制御
方式に較べてガス流量や温度条件の設定について
のオペレータの手作業および判断要素を著しく低
減し、作業性の優れた装置を提供することができ
る。 また、本発明装置においては、オペレータの要
求によりプロセスプログラムを単位毎に呼び出し
てこれを表示手段に表示させ、各プロセスパラメ
ータの修正を可能とすると共にその内容をリアル
タイムで実行可能であるから、現実に要求されて
いる各種の操作を実際の物理的・化学的条件に適
合させたシーケンスプロセスとして対応すること
ができ、しかもその内容を直ちに把握することが
できる。 従つて、本発明装置によれば、最適な製造工程
の準備段階におけるプロセスパラメータの条件設
定の変更をプログラマブルにしかも迅速に達成す
ることができるので、品質の安定した製品の歩留
りが向上するばかりでなく、装置の稼動率も増大
し、従来のコンピユータを使用したDDC方式に
よる制御システムの問題点を全て克服し、極めて
制御性能の優れた半導体気相成長装置を提供する
ことができる。
第１図は従来の気相成長制御装置の作用を説明
する図、第２図は本発明の一実施例装置の概略構
成図、第３図は第２図の制御系における制御情報
の流れを説明するブロツク図、第４図は本発明に
よる気相成長制御システムのブロツク構成図、第
５図は第２図の制御装置のパネル正面詳細図、第
６図は誘導コイル内蔵の反応炉要部断面図、第７
図は第６図に示される反応炉と各種のガス供給源
との間を接続する管路網、第８図は流量制御器と
制御装置との間に設けられるガス流量を検出する
マスフローメータとその周辺部との関係を示す
図、第９図は管路網内の流量等を示す動作表、第
１０図は反応炉Ｒ１，Ｒ２をパラレル運転する場
合のタイムチヤート、第１１図はパラレル運転時
の時間演算部のブロツク図、第１２図イ，ロはプ
ロセスプログラム及びプロセスプログラム群のデ
ータ構造を説明する図、第１３図は本システムの
システムプログラムの処理過程を示す図、第１４
図は第１３図のサブルーチンST３の詳細フロー
チヤート、第１５図は第１３図のサブルーチン
ST７の詳細フローチヤート、第１６図は第１３
図のサブルーチンST１０の詳細フローチヤート、
第１７図は第１３図のサプルーチンST１３の詳
細フローチヤート、第１８図は第１３図のサブル
ーチンST１５の詳細フローチヤート、第１９図
は第１３図のサブルーチンST１７の詳細フロー
チヤート、第２０図は第１３図のサブルーチン
ST１９の詳細フローチヤート、第２１図は第１
３図のサブルーチンST２１の詳細フローチヤー
ト、第２２図は第１３図のサブルーチンST２３
に関連した秒処理プログラムのフローチヤート、
第２３図は待ち時間計算のフローチヤート、第２
４図はランプ加熱方式の反応炉の要部構成図であ
る。 ２１，４６……CPU、２２，４８……データ
バス、２３，５４……ｉ／Ｏバス、２４……
ROM、２５……CRT RAM、２６……RAM、
２７……ROM、４５，５０……高速メモリデー
タ転送部、４７……データハイウエイ、５１……
外部記憶媒体。
する図、第２図は本発明の一実施例装置の概略構
成図、第３図は第２図の制御系における制御情報
の流れを説明するブロツク図、第４図は本発明に
よる気相成長制御システムのブロツク構成図、第
５図は第２図の制御装置のパネル正面詳細図、第
６図は誘導コイル内蔵の反応炉要部断面図、第７
図は第６図に示される反応炉と各種のガス供給源
との間を接続する管路網、第８図は流量制御器と
制御装置との間に設けられるガス流量を検出する
マスフローメータとその周辺部との関係を示す
図、第９図は管路網内の流量等を示す動作表、第
１０図は反応炉Ｒ１，Ｒ２をパラレル運転する場
合のタイムチヤート、第１１図はパラレル運転時
の時間演算部のブロツク図、第１２図イ，ロはプ
ロセスプログラム及びプロセスプログラム群のデ
ータ構造を説明する図、第１３図は本システムの
システムプログラムの処理過程を示す図、第１４
図は第１３図のサブルーチンST３の詳細フロー
チヤート、第１５図は第１３図のサブルーチン
ST７の詳細フローチヤート、第１６図は第１３
図のサブルーチンST１０の詳細フローチヤート、
第１７図は第１３図のサプルーチンST１３の詳
細フローチヤート、第１８図は第１３図のサブル
ーチンST１５の詳細フローチヤート、第１９図
は第１３図のサブルーチンST１７の詳細フロー
チヤート、第２０図は第１３図のサブルーチン
ST１９の詳細フローチヤート、第２１図は第１
３図のサブルーチンST２１の詳細フローチヤー
ト、第２２図は第１３図のサブルーチンST２３
に関連した秒処理プログラムのフローチヤート、
第２３図は待ち時間計算のフローチヤート、第２
４図はランプ加熱方式の反応炉の要部構成図であ
る。 ２１，４６……CPU、２２，４８……データ
バス、２３，５４……ｉ／Ｏバス、２４……
ROM、２５……CRT RAM、２６……RAM、
２７……ROM、４５，５０……高速メモリデー
タ転送部、４７……データハイウエイ、５１……
外部記憶媒体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン等の基板上に気相成長を行わしめる
反応炉と、前記基板を加熱する手段と、気相成長
に必要な各種ガス源と前記反応炉との間を接続す
る管路網と、該管路網上に設けられ前記各種ガス
に対しその所望量を前記反応炉に導くよう前記管
路網を形成せしめる弁装置とこの弁装置のオン、
オフないしはその開度を制御するための信号およ
び前記加熱手段を制御する信号を与える制御装置
とからなる半導体気相成長装置において、 前記制御装置は、前記炉内における１回の気相
成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応し
て必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時
間内において供給されるべき１つまたは複数のガ
スの種類およびその流量と前記シーケンス時間内
において炉内で実現すべき温度とに関する情報を
前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータ
データとしてストアし得るプロセスプログラムを
形成し、このプロセスプログラムを単位としてこ
れの複数個からなる前記１回の気相成長に対応し
たプロセスプログラム群を１つないし複数個貯蔵
する第１メモリ手段と、 キー入力手段と、 前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力
手段に応答して表示せしめる表示手段と、 前記プロセスプログラム群内の各プロセスプロ
グラムを順次デコードして前記弁装置および加熱
手段への前記各制御信号を形成せしめるためのデ
コード用処理プログラムおよび前記表示手段上に
表示されたプロセスプログラムの内容を修正する
ための修正用処理プログラムを貯蔵する第２メモ
リ手段とからなる半導体気相成長装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の半導体気相成長
装置において、前記第２メモリ手段は新たなプロ
セスプログラム群を前記入力および表示手段を用
いて生成するためのプロセスプログラム生成用処
理プログラムを貯蔵することを特徴とする半導体
気相成長装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011997A JPS58128728A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 半導体気相成長装置 |
| US06/461,231 US4430959A (en) | 1982-01-28 | 1983-01-26 | Semiconductor vapor phase growing apparatus |
| EP19830100728 EP0085397B1 (en) | 1982-01-28 | 1983-01-27 | Semiconductor vapor phase growing apparatus |
| DE8383100728T DE3376432D1 (en) | 1982-01-28 | 1983-01-27 | Semiconductor vapor phase growing apparatus |
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| US07/204,364 USRE33326E (en) | 1982-01-28 | 1988-06-09 | Semiconductor vapor phase growing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57011997A JPS58128728A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 半導体気相成長装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25355687A Division JPS63126216A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体気相成長装置 |
| JP25355587A Division JPS63126215A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体気相成長装置 |
Publications (2)
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Family
ID=11793220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (3)
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