JPH0525368B2 - - Google Patents
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- JPH0525368B2 JPH0525368B2 JP62053657A JP5365787A JPH0525368B2 JP H0525368 B2 JPH0525368 B2 JP H0525368B2 JP 62053657 A JP62053657 A JP 62053657A JP 5365787 A JP5365787 A JP 5365787A JP H0525368 B2 JPH0525368 B2 JP H0525368B2
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- JP
- Japan
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- nickel
- terminal electrodes
- chip
- alloy
- magnetic core
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
- H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
- H01F27/292—Surface mounted devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁芯の表面上に端子電極を形成し
たチツプ型インダクタに関する。
たチツプ型インダクタに関する。
第５図は、従来のチツプ型インダクタの一例を
示す斜視図である。巻線部２ａの上下両側にフラ
ンジ部２ｂ，２ｃを有しフエライト等から成る磁
芯（コア）２の当該巻線部２ａに巻線４を巻き、
下側のフランジ部２ｃの左右両端部付近の表面上
に、当該インダクタをプリント基板等に実装する
ための一対の端子電極６ａ，６ｂを形成し、巻線
４の両端部を両端子電極６ａ，６ｂに半田等（図
示省略）で電気的に接続している。
示す斜視図である。巻線部２ａの上下両側にフラ
ンジ部２ｂ，２ｃを有しフエライト等から成る磁
芯（コア）２の当該巻線部２ａに巻線４を巻き、
下側のフランジ部２ｃの左右両端部付近の表面上
に、当該インダクタをプリント基板等に実装する
ための一対の端子電極６ａ，６ｂを形成し、巻線
４の両端部を両端子電極６ａ，６ｂに半田等（図
示省略）で電気的に接続している。
上記端子電極６ａ，６ｂには、従来、半田くわ
れ（即ち半田によつて電極材が食われて痩せるこ
と）に対処するために、銀−パラジウム（Ag−
Pd）が用いられていたが、パラジウムの含有量
を増やせば半田くわれを減少させることができる
ものの、半田付着性が低下し、しかもパラジウム
は高価である等のため、他の安価な金属への代替
が求められていた。
れ（即ち半田によつて電極材が食われて痩せるこ
と）に対処するために、銀−パラジウム（Ag−
Pd）が用いられていたが、パラジウムの含有量
を増やせば半田くわれを減少させることができる
ものの、半田付着性が低下し、しかもパラジウム
は高価である等のため、他の安価な金属への代替
が求められていた。
その一方策として、半田くわれ防止に最も効果
的でありしかも安価なたとえばニツケルを端子電
極６ａ，６ｂに用いることが考えられるが、ニツ
ケルは比抵抗が小さくしかも透磁率が大きいた
め、上記のような端子電極６ａ，６ｂに使用する
と、そこにおけるうず電流損によるインダクタの
Ｑ劣化が大きいという問題がある。
的でありしかも安価なたとえばニツケルを端子電
極６ａ，６ｂに用いることが考えられるが、ニツ
ケルは比抵抗が小さくしかも透磁率が大きいた
め、上記のような端子電極６ａ，６ｂに使用する
と、そこにおけるうず電流損によるインダクタの
Ｑ劣化が大きいという問題がある。
即ち、巻線４に生じる磁束は必然的に端子電極
６ａ，６ｂをも通ることになり、この時に端子電
極６ａ，６ｂ内にうず電流が流れる。このうず電
流ｉは一般的に、rot ｉ＝−ｋ（dB／dt）で表す
ことができ、ｋは導電率で比抵抗の逆数、Ｂは磁
束密度である。この場合、端子電極６ａ，６ｂの
透磁率が大きいと、より多くの磁束がそこに引き
込まれてそこを通るようになるため磁束密度Ｂが
大きくなり、また比抵抗が小さいと導電率ｋが大
きくなるため、うず電流ｉも大きくなり、これに
よるエネルギー損がインダクタの大きなＱ劣化と
して表れる。
６ａ，６ｂをも通ることになり、この時に端子電
極６ａ，６ｂ内にうず電流が流れる。このうず電
流ｉは一般的に、rot ｉ＝−ｋ（dB／dt）で表す
ことができ、ｋは導電率で比抵抗の逆数、Ｂは磁
束密度である。この場合、端子電極６ａ，６ｂの
透磁率が大きいと、より多くの磁束がそこに引き
込まれてそこを通るようになるため磁束密度Ｂが
大きくなり、また比抵抗が小さいと導電率ｋが大
きくなるため、うず電流ｉも大きくなり、これに
よるエネルギー損がインダクタの大きなＱ劣化と
して表れる。
そこでこの発明は、ニツケルの耐半田くわれ性
を生かしつつインダクタのＱ劣化を防止できる材
料から成る端子電極を有するチツプ型インダクタ
を提供することを目的とする。
を生かしつつインダクタのＱ劣化を防止できる材
料から成る端子電極を有するチツプ型インダクタ
を提供することを目的とする。
この発明のチツプ型インダクタは、前述したよ
うな端子電極が、ニツケルそのものよりも比抵抗
が大きくかつニツケルそのものおよび磁芯のいず
れよりも透磁率が小さい特性を持つニツケル合
金、例えばニツケルクロム合金やニツケルリン合
金から成ることを特徴とする。
うな端子電極が、ニツケルそのものよりも比抵抗
が大きくかつニツケルそのものおよび磁芯のいず
れよりも透磁率が小さい特性を持つニツケル合
金、例えばニツケルクロム合金やニツケルリン合
金から成ることを特徴とする。
ニツケルクロム合金、ニツケルリン合金などの
ニツケル合金は、いずれもニツケル系であるた
め、半田くわれが少ない。しかも、ここで用いて
いるニツケル合金は、ニツケルそのものよりも比
抵抗が大きいので、端子電極内でうず電流が流れ
にくくなる。また、同ニツケル合金は、ニツケル
そのものおよび磁芯のいずれよりも透磁率が小さ
いので、端子電極内に磁束が引き込まれるのを抑
えて、多くの磁束が端子電極を通るのを防止する
ことができる。従つて、端子電極におけるうず電
流損が小さくなり、その結果インダクタのＱ劣化
も防止される。
ニツケル合金は、いずれもニツケル系であるた
め、半田くわれが少ない。しかも、ここで用いて
いるニツケル合金は、ニツケルそのものよりも比
抵抗が大きいので、端子電極内でうず電流が流れ
にくくなる。また、同ニツケル合金は、ニツケル
そのものおよび磁芯のいずれよりも透磁率が小さ
いので、端子電極内に磁束が引き込まれるのを抑
えて、多くの磁束が端子電極を通るのを防止する
ことができる。従つて、端子電極におけるうず電
流損が小さくなり、その結果インダクタのＱ劣化
も防止される。
第１図は、この発明の一実施例に係るチツプ型
インダクタを示す縦断面図である。第５図と同等
部分には同一符号を付し、以下においては従来例
との相違点を主に説明する。
インダクタを示す縦断面図である。第５図と同等
部分には同一符号を付し、以下においては従来例
との相違点を主に説明する。
この実施例においては、磁芯２のフランジ部２
ｃの表面上に、前述したような銀−パラジウムか
ら成る端子電極６ａ，６ｂの代わりに、例えば無
電解メツキ等によつて、ニツケルクロム（Ni−
Cr）合金またはニツケルリン（Ni−Ｐ）合金な
どのニツケル合金から成る端子電極１６ａ，１６
ｂを形成している。しかもこのニツケル合金は、
ニツケルそのものよりも比抵抗が大きくかつニツ
ケルそのものおよび磁芯２のいずれよりも透磁率
が小さい特性を持つものとしている。
ｃの表面上に、前述したような銀−パラジウムか
ら成る端子電極６ａ，６ｂの代わりに、例えば無
電解メツキ等によつて、ニツケルクロム（Ni−
Cr）合金またはニツケルリン（Ni−Ｐ）合金な
どのニツケル合金から成る端子電極１６ａ，１６
ｂを形成している。しかもこのニツケル合金は、
ニツケルそのものよりも比抵抗が大きくかつニツ
ケルそのものおよび磁芯２のいずれよりも透磁率
が小さい特性を持つものとしている。
ニツケルクロム合金、ニツケルリン合金などの
ニツケル合金は、いずれもニツケル系であるた
め、半田くわれが少ない。しかも、ここで用いて
いるニツケル合金は、ニツケルそのものよりも比
抵抗が大きいので、端子電極１６ａ，１６ｂ内で
うず電流が流れにくくなる。また、同ニツケル合
金は、ニツケルそのものおよび磁芯２のいずれよ
りも透磁率が小さいので、端子電極１６ａ，１６
ｂ内に磁束が引き込まれるのを抑えて、多くの磁
束が端子電極１６ａ，１６ｂを通るのを防止する
ことができる。従つて、端子電極１６ａ，１６ｂ
におけるうず電流損が小さくなり、その結果当該
チツプ型インダクタのＱ劣化も防止される。ま
た、従来の銀−パラジウム電極は一般的にペース
トの焼付けによつて形成されるのに対して、上記
のような合金電極はメツキ等で形成することがで
きるため薄膜化が可能であり、それによつてうず
電流を一層小さくしてインダクタＱ劣化を一層防
止することができるという利点もある。
ニツケル合金は、いずれもニツケル系であるた
め、半田くわれが少ない。しかも、ここで用いて
いるニツケル合金は、ニツケルそのものよりも比
抵抗が大きいので、端子電極１６ａ，１６ｂ内で
うず電流が流れにくくなる。また、同ニツケル合
金は、ニツケルそのものおよび磁芯２のいずれよ
りも透磁率が小さいので、端子電極１６ａ，１６
ｂ内に磁束が引き込まれるのを抑えて、多くの磁
束が端子電極１６ａ，１６ｂを通るのを防止する
ことができる。従つて、端子電極１６ａ，１６ｂ
におけるうず電流損が小さくなり、その結果当該
チツプ型インダクタのＱ劣化も防止される。ま
た、従来の銀−パラジウム電極は一般的にペース
トの焼付けによつて形成されるのに対して、上記
のような合金電極はメツキ等で形成することがで
きるため薄膜化が可能であり、それによつてうず
電流を一層小さくしてインダクタＱ劣化を一層防
止することができるという利点もある。
端子電極の材質の違いによるインダクタのＱ劣
化の違いの一例を第２図に示す。このグラフは、
インダクタのＱ値を端子電極形成前のものを１０
０とした指数で表したものであり、端子電極の膜
厚は、Ag−Pdの場合はペーストの焼付けのため
10μm以上とし、それ以外のものはメツキにより
2μm程度とした。グラフに示すように、端子電極
形成後のＱ劣化は、この実施例のようにNi−Ｐ
またはNi−Crを用いた場合は、Niを用いた場合
よりも!?かに小さく、しかも従来のAg−Pdを用
いた場合よりも更に小さくなることが分かる。
化の違いの一例を第２図に示す。このグラフは、
インダクタのＱ値を端子電極形成前のものを１０
０とした指数で表したものであり、端子電極の膜
厚は、Ag−Pdの場合はペーストの焼付けのため
10μm以上とし、それ以外のものはメツキにより
2μm程度とした。グラフに示すように、端子電極
形成後のＱ劣化は、この実施例のようにNi−Ｐ
またはNi−Crを用いた場合は、Niを用いた場合
よりも!?かに小さく、しかも従来のAg−Pdを用
いた場合よりも更に小さくなることが分かる。
ところで、端子電極１６ａ，１６ｂでのＱ劣化
を防止することによつて、さらに他の材料を多層
化して電極とする場合、この材料の金属メツキ等
によるＱ劣化が幾分（例えば端子電極１６ａ，１
６ｂでのＱ劣化を抑えた程度まで）許容されるよ
うになるため、端子電極１６ａ，１６ｂにさらに
種々の材料の金属メツキを施すこと等も可能とな
る。
を防止することによつて、さらに他の材料を多層
化して電極とする場合、この材料の金属メツキ等
によるＱ劣化が幾分（例えば端子電極１６ａ，１
６ｂでのＱ劣化を抑えた程度まで）許容されるよ
うになるため、端子電極１６ａ，１６ｂにさらに
種々の材料の金属メツキを施すこと等も可能とな
る。
例えば、第３図の実施例は、端子電極１６ａ，
１６ｂの表面にスズ、半田等の半田付け性の良好
な金属１８を電解メツキ等によつてメツキしたも
のであり、これによつて端子電極１６ａ，１６ｂ
に対する半田付け性が一層良くなる。また第４図
の実施例は、更に、端子電極１６ａ，１６ｂと磁
芯２との間に、チタン等のようにフエライト等か
ら成る磁芯２との密着性の良い金属層２０をスパ
ツタリング等によつて形成したものであり、これ
によつて端子電極１６ａ，１６ｂの耐剥離性が一
層向上する。
１６ｂの表面にスズ、半田等の半田付け性の良好
な金属１８を電解メツキ等によつてメツキしたも
のであり、これによつて端子電極１６ａ，１６ｂ
に対する半田付け性が一層良くなる。また第４図
の実施例は、更に、端子電極１６ａ，１６ｂと磁
芯２との間に、チタン等のようにフエライト等か
ら成る磁芯２との密着性の良い金属層２０をスパ
ツタリング等によつて形成したものであり、これ
によつて端子電極１６ａ，１６ｂの耐剥離性が一
層向上する。
尚、上記のような端子電極は、磁芯の表面上に
それを形成する場合の全てに有効であり、磁芯の
形状は必ずしも図示例のようなものに限定される
ものではなく任意である。従つて例えば、つぼ型
コア等においても上記と同様の効果が得られる。
それを形成する場合の全てに有効であり、磁芯の
形状は必ずしも図示例のようなものに限定される
ものではなく任意である。従つて例えば、つぼ型
コア等においても上記と同様の効果が得られる。
以上のようにこの発明に係るチツプ型インダク
タによれば、端子電極の半田くわれを小さくする
ことができると共に、当該インダクタのＱ劣化を
防止することができる。
タによれば、端子電極の半田くわれを小さくする
ことができると共に、当該インダクタのＱ劣化を
防止することができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るチツプ型
インダクタを示す縦断面図である。第２図は、端
子電極の材質の違いによるインダクタのＱ劣化の
違いの一例を示すグラフである。第３図および第
４図は、それぞれ、この発明の他の実施例に係る
チツプ型インダクタを示す縦断面図である。第５
図は、従来のチツプ型インダクタの一例を示す斜
視図である。 ２……磁芯、４……巻線、１６ａ，１６ｂ……
端子電極、１８……メツキされた金属、２０……
金属層。
インダクタを示す縦断面図である。第２図は、端
子電極の材質の違いによるインダクタのＱ劣化の
違いの一例を示すグラフである。第３図および第
４図は、それぞれ、この発明の他の実施例に係る
チツプ型インダクタを示す縦断面図である。第５
図は、従来のチツプ型インダクタの一例を示す斜
視図である。 ２……磁芯、４……巻線、１６ａ，１６ｂ……
端子電極、１８……メツキされた金属、２０……
金属層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁芯の表面上に端子電極を形成したチツプ型
インダクタにおいて、当該端子電極が、ニツケル
そのものよりも比抵抗が大きくかつニツケルその
ものおよび磁芯のいずれよりも透磁率が小さい特
性を持つニツケル合金から成ることを特徴とする
チツプ型インダクタ。 ２ 前記ニツケル合金がニツケルクロム合金また
はニツケルリン合金である特許請求の範囲第１項
記載のチツプ型インダクタ。 ３ 前記端子電極の表面に金属メツキが施されて
いる特許請求の範囲第１項または第２項記載のチ
ツプ型インダクタ。 ４ 前記端子電極と磁芯との間に金属層が形成さ
れている特許請求の範囲第１項ないし第３項のい
ずれかに記載のチツプ型インダクタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053657A JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
| US07/165,763 US4797648A (en) | 1987-03-09 | 1988-03-09 | Chip inductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053657A JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220506A JPS63220506A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0525368B2 true JPH0525368B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=12948930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053657A Granted JPS63220506A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | チツプ型インダクタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4797648A (ja) |
| JP (1) | JPS63220506A (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0614423Y2 (ja) * | 1988-11-30 | 1994-04-13 | ミツミ電機株式会社 | チップ型コイル |
| JP2598826B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1997-04-09 | 株式会社村田製作所 | チップコイル |
| JPH04277607A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| US6578253B1 (en) * | 1991-10-04 | 2003-06-17 | Fmtt, Inc. | Transformer and inductor modules having directly bonded terminals and heat-sink fins |
| DE19710462C2 (de) * | 1997-03-13 | 1999-05-20 | Siemens Matsushita Components | Elektrisches Bauelement, insbesondere Chipinduktivität |
| JP2001052937A (ja) * | 1999-08-13 | 2001-02-23 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタ及びその製造方法 |
| JP3617426B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2005-02-02 | 株式会社村田製作所 | インダクタ及びその製造方法 |
| US6870456B2 (en) | 1999-11-23 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US6891461B2 (en) | 1999-11-23 | 2005-05-10 | Intel Corporation | Integrated transformer |
| US6815220B2 (en) * | 1999-11-23 | 2004-11-09 | Intel Corporation | Magnetic layer processing |
| US6856228B2 (en) * | 1999-11-23 | 2005-02-15 | Intel Corporation | Integrated inductor |
| US6452247B1 (en) * | 1999-11-23 | 2002-09-17 | Intel Corporation | Inductor for integrated circuit |
| US7852185B2 (en) * | 2003-05-05 | 2010-12-14 | Intel Corporation | On-die micro-transformer structures with magnetic materials |
| JP2005327876A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Tdk Corp | コイル部品及びその製造方法 |
| US8134548B2 (en) * | 2005-06-30 | 2012-03-13 | Micron Technology, Inc. | DC-DC converter switching transistor current measurement technique |
| JP5336543B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2013-11-06 | 太陽誘電株式会社 | コイル部品 |
| JP6508029B2 (ja) * | 2015-12-16 | 2019-05-08 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP7010159B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-01-26 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP7120194B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2022-08-17 | 株式会社村田製作所 | コイル部品およびドラム状コア |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3413711A (en) * | 1966-09-07 | 1968-12-03 | Western Electric Co | Method of making palladium copper contact for soldering |
| US3812442A (en) * | 1972-02-29 | 1974-05-21 | W Muckelroy | Ceramic inductor |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62053657A patent/JPS63220506A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-09 US US07/165,763 patent/US4797648A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63220506A (ja) | 1988-09-13 |
| US4797648A (en) | 1989-01-10 |
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| JPH0115145Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |