JPH0525395B2 - - Google Patents
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- JPH0525395B2 JPH0525395B2 JP1274696A JP27469689A JPH0525395B2 JP H0525395 B2 JPH0525395 B2 JP H0525395B2 JP 1274696 A JP1274696 A JP 1274696A JP 27469689 A JP27469689 A JP 27469689A JP H0525395 B2 JPH0525395 B2 JP H0525395B2
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- semiconductor
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- silicon
- semiconductor layer
- silicon carbide
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はＮ（ソース）Ｉ（チヤネル形成領域）
Ｎ（ドレイン）またはPIP接合を有する絶縁ゲイ
ト型電界効果半導体（以下FETという）上にお
ける電極での長期信頼性を有せしめんとする構造
に関するものである。
Ｎ（ドレイン）またはPIP接合を有する絶縁ゲイ
ト型電界効果半導体（以下FETという）上にお
ける電極での長期信頼性を有せしめんとする構造
に関するものである。
従来、これらFETにおいてはＰまたはＮ型の
アモルフアス珪素上にアルミニユームを真空蒸着
方法で形成することが知られていた。しかしかか
るアモルフアス珪素とアルミニユームとの電極を
100〜150℃で加熱処理を50時間位行うと、アルミ
ニユームが半導体中にマイグレイト（異常拡散）
して、電気的劣化をおこしてしまう。このため、
PIまたはNI接合において、このアルミニユーム
がきわめて深くPIまたNI接合に至り、接合特性
を変質させてしまつていた。
アモルフアス珪素上にアルミニユームを真空蒸着
方法で形成することが知られていた。しかしかか
るアモルフアス珪素とアルミニユームとの電極を
100〜150℃で加熱処理を50時間位行うと、アルミ
ニユームが半導体中にマイグレイト（異常拡散）
して、電気的劣化をおこしてしまう。このため、
PIまたはNI接合において、このアルミニユーム
がきわめて深くPIまたNI接合に至り、接合特性
を変質させてしまつていた。
このため、ＰまたはＮ型半導体上にはこのよう
な金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電
膜を形成することが試みられている。即ちＰ型ア
モルフアス珪素に対しては透光性導電酸化膜（以
下CTOという）の酸化スズを、またＮ型アモル
フアス珪素に対しては酸化インジユームを主成分
とするCTO即ちITO（酸化スズを10重量％以下添
加した酸化インジユーム）を密接させるというこ
とが試みられている。さらに必要に応じてこの
CTO上に反射性金属であるアルミニユームまた
は銀を形成させる方法が知られている。
な金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電
膜を形成することが試みられている。即ちＰ型ア
モルフアス珪素に対しては透光性導電酸化膜（以
下CTOという）の酸化スズを、またＮ型アモル
フアス珪素に対しては酸化インジユームを主成分
とするCTO即ちITO（酸化スズを10重量％以下添
加した酸化インジユーム）を密接させるというこ
とが試みられている。さらに必要に応じてこの
CTO上に反射性金属であるアルミニユームまた
は銀を形成させる方法が知られている。
かくのごとき構造とすると、150℃で作製して
も500時間までは電気特性の劣化を10％以内に防
ぐことができた。しかし、500時間〜2000時間た
つと、例えばPIN接合を有するPVCにおいて、
初期の効率が8.3％（1.05cm2）であつたのが、そ
の変化量において５％（500時間）〜25％（2000
時間）もの特性劣化（低下）がおこつてしまつ
た。
も500時間までは電気特性の劣化を10％以内に防
ぐことができた。しかし、500時間〜2000時間た
つと、例えばPIN接合を有するPVCにおいて、
初期の効率が8.3％（1.05cm2）であつたのが、そ
の変化量において５％（500時間）〜25％（2000
時間）もの特性劣化（低下）がおこつてしまつ
た。
その原因を詳細に検討していくと、ＰまたはＮ
領域のアモルフアス半導体とCTOとの界面に酸
化珪素が薄く形成されてしまつていることが判明
した。特にＮ型アモルフアス珪素においては、
PSG（リンガラス）、Ｐ型アモルフアス珪素にお
いてはBSG（ホウ素ガラス）が形成される。これ
らガラスは最終的に絶縁性を有するものであり、
これが特性劣化の原因であることが判明した。
領域のアモルフアス半導体とCTOとの界面に酸
化珪素が薄く形成されてしまつていることが判明
した。特にＮ型アモルフアス珪素においては、
PSG（リンガラス）、Ｐ型アモルフアス珪素にお
いてはBSG（ホウ素ガラス）が形成される。これ
らガラスは最終的に絶縁性を有するものであり、
これが特性劣化の原因であることが判明した。
アモルフアス珪素は化学的に結晶半導体に比べ
て不安定でありかつ反応しやすいため、これらの
劣化はアモルフアス半導体に特有の劣化特性であ
ることが判明した。
て不安定でありかつ反応しやすいため、これらの
劣化はアモルフアス半導体に特有の劣化特性であ
ることが判明した。
また半導体としてアモルフアス珪素の代わりに
微結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用
いた場合、その成分中のアモルフアス分は約50％
となつているため、ITOとCTOとの反応をアモ
ルフアス珪素のみの場合に比べて約１／２とする
ことができる。しかしこれでも本質的には劣化特
性を有することには変わりなく、さらに抜本的な
解決法が求められていた。
微結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用
いた場合、その成分中のアモルフアス分は約50％
となつているため、ITOとCTOとの反応をアモ
ルフアス珪素のみの場合に比べて約１／２とする
ことができる。しかしこれでも本質的には劣化特
性を有することには変わりなく、さらに抜本的な
解決法が求められていた。
本発明はかかる劣化の発生を防止して高信頼性
を有せしめることを目的とするものである。
を有せしめることを目的とするものである。
本発明はかかる目的のため、Ｐ型半導体及びＮ
型半導体を有する半導体装置であり、前記Ｐ型半
導体及びＮ型半導体の各々が透光性導電膜と密接
した構造のものにおいて、前記Ｐ型半導体及びＮ
型半導体の各々は珪素非単結晶半導体層とSiX
C1-X（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層
との二層から成るものであり、前記Ｐ型半導体を
構成する炭化珪素半導体層は酸化物透光性導電膜
と密接されており、前記Ｎ型半導体を構成する炭
化珪素半導体層は酸化インジユームを主成分とす
る透光性導電膜と密接されている構造としたもの
であり、つまりこの発明はＰまたはＮ型の導電型
を有し、かつ透光性をアモルフアス珪素に比べて
大きく有する半導体と、この半導体に密接して導
電性を有する透光性導電膜の電極とを密接させて
オーム接触を有せしめるに際し、この電極−半導
体界面での反応による絶縁物の発生を防ぐため、
その間にアモルフアス珪素よりも透光性を有し、
前記半導体の導電型と同一のＰまたＮ型の導電型
を有するSiXC1-X（０＜ｘ＜１）で示される炭化珪
素を介在せしめて電極と半導体界面での熱化学反
応の発生を防ぎ、その結果この炭化珪素が酸素に
対しブロツク（阻止）効果を有し、CTOを構成
している酸素が珪素中に拡散してPSG，BSGを
作ることを防ぐことができ、高信頼性の半導体装
置が得られるものである。
型半導体を有する半導体装置であり、前記Ｐ型半
導体及びＮ型半導体の各々が透光性導電膜と密接
した構造のものにおいて、前記Ｐ型半導体及びＮ
型半導体の各々は珪素非単結晶半導体層とSiX
C1-X（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層
との二層から成るものであり、前記Ｐ型半導体を
構成する炭化珪素半導体層は酸化物透光性導電膜
と密接されており、前記Ｎ型半導体を構成する炭
化珪素半導体層は酸化インジユームを主成分とす
る透光性導電膜と密接されている構造としたもの
であり、つまりこの発明はＰまたはＮ型の導電型
を有し、かつ透光性をアモルフアス珪素に比べて
大きく有する半導体と、この半導体に密接して導
電性を有する透光性導電膜の電極とを密接させて
オーム接触を有せしめるに際し、この電極−半導
体界面での反応による絶縁物の発生を防ぐため、
その間にアモルフアス珪素よりも透光性を有し、
前記半導体の導電型と同一のＰまたＮ型の導電型
を有するSiXC1-X（０＜ｘ＜１）で示される炭化珪
素を介在せしめて電極と半導体界面での熱化学反
応の発生を防ぎ、その結果この炭化珪素が酸素に
対しブロツク（阻止）効果を有し、CTOを構成
している酸素が珪素中に拡散してPSG，BSGを
作ることを防ぐことができ、高信頼性の半導体装
置が得られるものである。
SiXC1-X（０＜ｘ＜１）で示される炭化珪素半導
体は、特にｘ＝0.95〜0.8においてその酸素をブ
ロツクする作用が十分機能し、かつその厚さもト
ンネル電流を引き出す程度の100Å以下（代表的
には平均膜厚15〜40Åと推定される）の厚さで十
分のブロツク作用がある。その結果、例えばPIN
結合を有さない光電変換装置を150℃で保持し、
1000〜2000時間をへても、その劣化は０〜２％
（1000時間）ないし０〜３％（2000時間）と熱劣
化をまつたくなくすことができた。
体は、特にｘ＝0.95〜0.8においてその酸素をブ
ロツクする作用が十分機能し、かつその厚さもト
ンネル電流を引き出す程度の100Å以下（代表的
には平均膜厚15〜40Åと推定される）の厚さで十
分のブロツク作用がある。その結果、例えばPIN
結合を有さない光電変換装置を150℃で保持し、
1000〜2000時間をへても、その劣化は０〜２％
（1000時間）ないし０〜３％（2000時間）と熱劣
化をまつたくなくすことができた。
本発明においては、Ｉ層に接する半導体は非単
結晶半導体であつて、特に微結晶または多結晶の
ＰまたはＮ型の珪素半導体を用いても良い。
結晶半導体であつて、特に微結晶または多結晶の
ＰまたはＮ型の珪素半導体を用いても良い。
それはPIまたはNI接合においては、またはＮ
型半導体層がアモルフアス珪素においては、その
電気伝導度は10-7〜10-5（Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも0.3〜0.4eVと大きい。
型半導体層がアモルフアス珪素においては、その
電気伝導度は10-7〜10-5（Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも0.3〜0.4eVと大きい。
このため活性状態の真性または実質的に真性
（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが1017cm-3以下
である、または意図的にまたは価の不純物を
添加しない）のＩ型半導体との接合の内部電界を
有せしめんとするには、かかるアモルフアス珪素
では不十分であり、さらにこのＰまたはＮ型半導
体を透光して光をＩ型半導体に注入せんとする
時、この半導体層での光吸収損をより少なくする
ことが求められる。
（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが1017cm-3以下
である、または意図的にまたは価の不純物を
添加しない）のＩ型半導体との接合の内部電界を
有せしめんとするには、かかるアモルフアス珪素
では不十分であり、さらにこのＰまたはＮ型半導
体を透光して光をＩ型半導体に注入せんとする
時、この半導体層での光吸収損をより少なくする
ことが求められる。
そこで微結晶または多結晶のＰまたはＮ型の珪
素半導体を用いたのである。この微結晶または多
結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体は電気伝導度が
10-1〜102（Ωcm）-1を有し、さらに光吸収係数も
例えば500nmにて１×105（Ωcm）-1とアモルフア
ス珪素が３×105（Ωcm）-1であるのに対して1/3に
減少させることができるのである。
素半導体を用いたのである。この微結晶または多
結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体は電気伝導度が
10-1〜102（Ωcm）-1を有し、さらに光吸収係数も
例えば500nmにて１×105（Ωcm）-1とアモルフア
ス珪素が３×105（Ωcm）-1であるのに対して1/3に
減少させることができるのである。
かかる微結晶または多結晶の珪素の粒径はそれ
ぞれ５〜200Å及び200〜2000Åである。
ぞれ５〜200Å及び200〜2000Åである。
以下に図面に従つて本発明を示す。
第１図Ａは基板１、透光性絶縁基板１５を通つ
て光１０が照射されたPVCを示す。
て光１０が照射されたPVCを示す。
図面において、ガラス基板１上に第１のCTO
２を形成した。図面ではこれをフツ素のごときハ
ロゲン元素が添加された酸化スズ（300〜2000Å）
またはITO（300〜1500Å）＋酸化スズ（200〜400
Å）の２層構造とした。さらに、このCTO２上
にＰ型のSiXC1-X（０＜ｘ＜１例えばｘ＝0.8）を
プラズマ気相法（PCVD法）によりSiH4とCH4
で実施した。その際、B2H6を0.5濃度％添加して
200℃の温度、出力20Wにて形成させた。その平
均厚さは約100Åであつた。
２を形成した。図面ではこれをフツ素のごときハ
ロゲン元素が添加された酸化スズ（300〜2000Å）
またはITO（300〜1500Å）＋酸化スズ（200〜400
Å）の２層構造とした。さらに、このCTO２上
にＰ型のSiXC1-X（０＜ｘ＜１例えばｘ＝0.8）を
プラズマ気相法（PCVD法）によりSiH4とCH4
で実施した。その際、B2H6を0.5濃度％添加して
200℃の温度、出力20Wにて形成させた。その平
均厚さは約100Åであつた。
さらにこの上面にＩ型非晶質または非晶質珪素
をPCVD法、光CVD法、光プラズマ気相法また
はLT CVD法（低温気相法）（HOMO CVD法と
もいう）またはこれらを組み合わせた気相法によ
り0.2〜0.8μ例えば0.5μの厚さに形成させた。この
時同時にホウ素を平均濃度が1017cm-3以下添加
し、かつ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効
率の向上を図ることは有効であつた。またこの水
素およびハロゲン元素が添加された珪素半導体中
の酸素は少なくとも５×1019cm-3以下好ましくは
５×1018cm-3以下にし、酸素による光照射劣化を
防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在による電気的導
電性の低下を防いだ。
をPCVD法、光CVD法、光プラズマ気相法また
はLT CVD法（低温気相法）（HOMO CVD法と
もいう）またはこれらを組み合わせた気相法によ
り0.2〜0.8μ例えば0.5μの厚さに形成させた。この
時同時にホウ素を平均濃度が1017cm-3以下添加
し、かつ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効
率の向上を図ることは有効であつた。またこの水
素およびハロゲン元素が添加された珪素半導体中
の酸素は少なくとも５×1019cm-3以下好ましくは
５×1018cm-3以下にし、酸素による光照射劣化を
防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在による電気的導
電性の低下を防いだ。
次にＮ型の非単結晶半導体層５をPH3／SiH4
＝１％，SiH4／H2＝30％として、PCVD法によ
り10Wの出力で100〜300Å例えば200Åの厚さに
形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜15原子％添加されている）
が形成された。さらにこの上面にPH3／SiH4＝
１％，CH4／（SiH4＋CH4）＝５〜50％とし、SiX
C1-X（例えばｘ＝0.95〜0.8）２１として作製し
た。この膜厚は100Å以下例えば30Åとした。さ
らにこの後、ITOを裏面電極１９として公知の電
子ビーム蒸着法により形成せしめた。
＝１％，SiH4／H2＝30％として、PCVD法によ
り10Wの出力で100〜300Å例えば200Åの厚さに
形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜15原子％添加されている）
が形成された。さらにこの上面にPH3／SiH4＝
１％，CH4／（SiH4＋CH4）＝５〜50％とし、SiX
C1-X（例えばｘ＝0.95〜0.8）２１として作製し
た。この膜厚は100Å以下例えば30Åとした。さ
らにこの後、ITOを裏面電極１９として公知の電
子ビーム蒸着法により形成せしめた。
これに対応したエネルギバンド図を第１図Ｂに
示す。
示す。
かかる構造において、AM1（100mW／cm2）に
て1.05cm2（3.5cm×３mm）において、8.91％（開放
電圧0.89V、短絡電流18mA／cm2、曲線因子0.55）
を得た。これを150℃で大気中に放置すると、
1000〜2000時間を経てその劣化は初期に比べて０
〜３％（1000時間）、また０〜５％（2000時間）
を試料数30にて得ることができ、その劣化は３％
以内で従来が20％を越えていたことに比べて実用
上きわめて著しい信頼性の向上であつた。
て1.05cm2（3.5cm×３mm）において、8.91％（開放
電圧0.89V、短絡電流18mA／cm2、曲線因子0.55）
を得た。これを150℃で大気中に放置すると、
1000〜2000時間を経てその劣化は初期に比べて０
〜３％（1000時間）、また０〜５％（2000時間）
を試料数30にて得ることができ、その劣化は３％
以内で従来が20％を越えていたことに比べて実用
上きわめて著しい信頼性の向上であつた。
また第１図Ａに対し、Ｎ型半導体上のITO７上
にさらに反射性電極として銀（500〜1000Å）お
よびこの上にアルミニユーム3000Åを電子ビーム
蒸着法により作製した。するとこの反射性電極に
より600〜800nmの長波長光を照射してＩ型半導
体層中に閉じ込めることができるため、初期変換
効率は9.82％（開放電圧0.89V、短絡電流
19.3mA、曲線因子0.57）を得ることができた。
その信頼性特性に関しても、150℃、1000時間放
置の条件でも初期値に比べて３％以下の劣化しか
なかつた。
にさらに反射性電極として銀（500〜1000Å）お
よびこの上にアルミニユーム3000Åを電子ビーム
蒸着法により作製した。するとこの反射性電極に
より600〜800nmの長波長光を照射してＩ型半導
体層中に閉じ込めることができるため、初期変換
効率は9.82％（開放電圧0.89V、短絡電流
19.3mA、曲線因子0.57）を得ることができた。
その信頼性特性に関しても、150℃、1000時間放
置の条件でも初期値に比べて３％以下の劣化しか
なかつた。
以下に本発明の特徴を最も良くあらわす実施例
を示す。
を示す。
第２図はIG FETに本発明を用いた例であり、
Ｎ（ソース）Ｉ（チヤネル形成領域）Ｎ（ドレイン）
またはPIP接合を有する絶縁ゲイト型電界効果半
導体（以下FETという）上における電極での長
期信頼性を有せしめんとする構造に関するもので
ある。
Ｎ（ソース）Ｉ（チヤネル形成領域）Ｎ（ドレイン）
またはPIP接合を有する絶縁ゲイト型電界効果半
導体（以下FETという）上における電極での長
期信頼性を有せしめんとする構造に関するもので
ある。
図面において、石英基板１上にＮ型の珪素より
なるゲイト電極（厚さ0.2μ、巾5μ）を第１のマス
クにて作製した。さらにゲイト絶縁物をハロゲン
元素雰囲気で1100℃の温度で酸化をして300〜
1200Åの厚さに作製した。さらにホウ素が1PPM
の濃度に注入したＰ型の真性の半導体（Ｉ型珪
素）を公知のプラズマ気相法またはLT CVD法
（HOMO CVD法ともいう）、光CVD法のごとき
LP CVD法（減圧気相法）により0.3μの厚さに作
製した。
なるゲイト電極（厚さ0.2μ、巾5μ）を第１のマス
クにて作製した。さらにゲイト絶縁物をハロゲン
元素雰囲気で1100℃の温度で酸化をして300〜
1200Åの厚さに作製した。さらにホウ素が1PPM
の濃度に注入したＰ型の真性の半導体（Ｉ型珪
素）を公知のプラズマ気相法またはLT CVD法
（HOMO CVD法ともいう）、光CVD法のごとき
LP CVD法（減圧気相法）により0.3μの厚さに作
製した。
次に酸化珪素をCVD法にて1μの厚さに作製し
た後、フオトレジストをコーテイングし、下側よ
りレーザ光を照射してゲイト電極上方以外のレジ
ストを除去した。さらにレジストを除去して、酸
化珪素のみを残存させた。さらにこれら全面にプ
ラズマ気相法により微結晶のＮの珪素半導体を
500Åの厚さに２１として形成し、さらにSiXC1-X
（０＜ｘ＜１ここではｘ＝0.9）２２を100Å以下
の厚さここでは50Åの厚さに同一反応炉により連
続して形成した。さらにITOを500Åの厚さに電
子ビーム蒸着法により形成した。この後、酸化珪
素をリフトオフ法により除去し、ゲイト電極の両
端とその両端とを概略一致させて、Ｎ型半導体２
１を形成させた。その結果、ソース１２とドレイ
ン１４とをゲイト電極１１とセルフアラインをし
て形成させた。
た後、フオトレジストをコーテイングし、下側よ
りレーザ光を照射してゲイト電極上方以外のレジ
ストを除去した。さらにレジストを除去して、酸
化珪素のみを残存させた。さらにこれら全面にプ
ラズマ気相法により微結晶のＮの珪素半導体を
500Åの厚さに２１として形成し、さらにSiXC1-X
（０＜ｘ＜１ここではｘ＝0.9）２２を100Å以下
の厚さここでは50Åの厚さに同一反応炉により連
続して形成した。さらにITOを500Åの厚さに電
子ビーム蒸着法により形成した。この後、酸化珪
素をリフトオフ法により除去し、ゲイト電極の両
端とその両端とを概略一致させて、Ｎ型半導体２
１を形成させた。その結果、ソース１２とドレイ
ン１４とをゲイト電極１１とセルフアラインをし
て形成させた。
この場合、Ｎ１２，Ｉ１３，Ｎ１４またはＮ１
４，Ｉ１３，Ｎ２０のインバータ集積化構造を構
成させることができた。
４，Ｉ１３，Ｎ２０のインバータ集積化構造を構
成させることができた。
図面においてはこの後、シランとアンモニアと
の水銀励起法による光CVDにより窒化珪素膜の
パツシベイシヨン膜１５を500〜1000Åの厚さに
形成させた。さらにポリイミド樹脂例えばPIQ１
６を約2μの厚さに形成し、電極用穴開けをして、
電源（VDD）１９、接地（Vss）１７、出力１
８のアノードをアルミニユームにより作製した。
の水銀励起法による光CVDにより窒化珪素膜の
パツシベイシヨン膜１５を500〜1000Åの厚さに
形成させた。さらにポリイミド樹脂例えばPIQ１
６を約2μの厚さに形成し、電極用穴開けをして、
電源（VDD）１９、接地（Vss）１７、出力１
８のアノードをアルミニユームにより作製した。
このPIQの穴あけの時、入力（ゲイト電極１
１、負荷のゲイト電極１１′にも穴あけを行い
（図示せず）インバータ構造を有せしめた。
１、負荷のゲイト電極１１′にも穴あけを行い
（図示せず）インバータ構造を有せしめた。
図面において明らかなごとく、Ｎ型半導体は微
結晶または多結晶構造のＮ型半導体２１SiXC1-X
（０＜ｘ＜１）半導体２２，CTO２３よりなり、
かかるＮ−Ｎ−CTO接合とした場合、このFET
またICを150℃、1000時間の放置を行つても、
FET特性の劣化による変化がまつたく見られず、
従来の単にＮ型珪素半導体上に金属を積層した場
合に比べてきわめて高信頼性を有せしめることが
できた。
結晶または多結晶構造のＮ型半導体２１SiXC1-X
（０＜ｘ＜１）半導体２２，CTO２３よりなり、
かかるＮ−Ｎ−CTO接合とした場合、このFET
またICを150℃、1000時間の放置を行つても、
FET特性の劣化による変化がまつたく見られず、
従来の単にＮ型珪素半導体上に金属を積層した場
合に比べてきわめて高信頼性を有せしめることが
できた。
本発明において、以上の実施例はＮ型非単結晶
半導体にITO等の酸化インジユームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体−Ｐ型
炭化珪素（SiXC1-X０＜ｘ＜１）半導体−酸化ス
ズのCTOによる電極構造を同時に作ることは有
効である。
半導体にITO等の酸化インジユームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体−Ｐ型
炭化珪素（SiXC1-X０＜ｘ＜１）半導体−酸化ス
ズのCTOによる電極構造を同時に作ることは有
効である。
以上の説明のごとく、本発明は絶縁ゲイト型電
界効果トランジスタ等の非単結晶半導体を用いる
半導体装置における電極構造において、Ｉ型半導
体に密接した電気伝導度のよい結晶性の非単結晶
半導体を形成し、さらにその上面に化学的にきわ
めて安定なSiXC1-X（０＜ｘ＜１）の炭化珪素を設
け、この結果非単結晶珪素半導体とCTOとの反
応による絶縁膜の形成を防ぐことができ、高信頼
性の半導体層を作ることが可能となつた。
界効果トランジスタ等の非単結晶半導体を用いる
半導体装置における電極構造において、Ｉ型半導
体に密接した電気伝導度のよい結晶性の非単結晶
半導体を形成し、さらにその上面に化学的にきわ
めて安定なSiXC1-X（０＜ｘ＜１）の炭化珪素を設
け、この結果非単結晶珪素半導体とCTOとの反
応による絶縁膜の形成を防ぐことができ、高信頼
性の半導体層を作ることが可能となつた。
第１図は光電変換装置に本発明を応用した場合
の縦断面図を示す。第２図は本発明構造を用いた
絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの集積化構造
の縦断面図である。
の縦断面図を示す。第２図は本発明構造を用いた
絶縁ゲイト型電界効果トランジスタの集積化構造
の縦断面図である。
Claims (1)
- １ Ｎ型の導電型の半導体からなるソース及びド
レイン領域を有する絶縁ゲイト型電界効果トラン
ジスタにおいて、前記Ｎ型の導電型の半導体が珪
素非単結晶半導体層とSiXC1-X（０＜Ｘ＜１）で示
される炭化珪素半導体層との二層から成るもので
あり、前記炭化珪素半導体層は酸化インジユーム
を主成分とする透光性導電膜と密接されているこ
とを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果トランジス
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274696A JPH0340470A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274696A JPH0340470A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151405A Division JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0340470A JPH0340470A (ja) | 1991-02-21 |
| JPH0525395B2 true JPH0525395B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=17545296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274696A Granted JPH0340470A (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0340470A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6713783B1 (en) | 1991-03-15 | 2004-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Compensating electro-optical device including thin film transistors |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274696A patent/JPH0340470A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0340470A (ja) | 1991-02-21 |
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