JPH0669096B2 - 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ - Google Patents
絶縁ゲート型電界効果トランジスタInfo
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタに関する
ものである。
ものである。
従来、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの外表面は、
半導体層を保護する目的から有機樹脂等の保護膜で覆わ
れている。
半導体層を保護する目的から有機樹脂等の保護膜で覆わ
れている。
たとえば、特開昭58−134476号公報に記載されている絶
縁ゲート型電界効果トランジスタについて説明する。
縁ゲート型電界効果トランジスタについて説明する。
ガラス基板の上面には、クロムからなるゲート電極が形
成されている。そして、ゲート電極の上面を被うように
シリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜が形成されてい
る。さらに、ゲート絶縁膜の上面には、アモルファスシ
リコン層が形成されている。そして、上記アモルファス
シリコン層の上面には、ソース電極およびドレイン電極
が前記ゲート電極を挟むように対向して配設されてい
る。
成されている。そして、ゲート電極の上面を被うように
シリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜が形成されてい
る。さらに、ゲート絶縁膜の上面には、アモルファスシ
リコン層が形成されている。そして、上記アモルファス
シリコン層の上面には、ソース電極およびドレイン電極
が前記ゲート電極を挟むように対向して配設されてい
る。
以上のような絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、前
記アモルファスシリコン層、ソース電極、およびドレイ
ン電極がシリコン窒化膜、およびポリイミド樹脂からな
る絶縁保護膜によって被われている。
記アモルファスシリコン層、ソース電極、およびドレイ
ン電極がシリコン窒化膜、およびポリイミド樹脂からな
る絶縁保護膜によって被われている。
このような絶縁保護膜の構成により、従来の絶縁ゲート
型電界効果トランジスタは、それ自体からの水（湿度）
の侵入、またはクラックの発生による水の侵入等による
特性の劣化を防止している。また、前記ソース電極ある
いはドレイン電極を形成しているＰ型またはＮ型のアモ
ルファスシリコン層上にアルミニウム電極が真空蒸着方
法によって形成される。上記真空蒸着方法は、アモルフ
ァスシリコン層とアルミニウム電極とを100℃ないし150
℃で、加熱処理を50時間程度行なっている。
型電界効果トランジスタは、それ自体からの水（湿度）
の侵入、またはクラックの発生による水の侵入等による
特性の劣化を防止している。また、前記ソース電極ある
いはドレイン電極を形成しているＰ型またはＮ型のアモ
ルファスシリコン層上にアルミニウム電極が真空蒸着方
法によって形成される。上記真空蒸着方法は、アモルフ
ァスシリコン層とアルミニウム電極とを100℃ないし150
℃で、加熱処理を50時間程度行なっている。
しかし、アルミニウムは、アモルファスシリコン中に異
常拡散して、電気的劣化をおこしてしまう。このため、
アルミニウムは、PI接合またはNI接合において、深く侵
入して接合特性を変質させてしまっていた。
常拡散して、電気的劣化をおこしてしまう。このため、
アルミニウムは、PI接合またはNI接合において、深く侵
入して接合特性を変質させてしまっていた。
このため、Ｐ型またはＮ型アモルファスシリコン上に
は、アルミニウムのような金属を真空蒸着させるのでは
なく、酸化物導電膜を形成することが試みられている。
すなわち、Ｐ型アモルファスシリコンに対しては、酸化
スズからなる透光性導電酸化膜を、またＮ型アモルファ
スシリコンに対しては、酸化インジウムを主成分とする
透光性導電酸化膜（酸化スズを10重量％以下添加した酸
化インジウム）を密接させるということが試みられてい
る。
は、アルミニウムのような金属を真空蒸着させるのでは
なく、酸化物導電膜を形成することが試みられている。
すなわち、Ｐ型アモルファスシリコンに対しては、酸化
スズからなる透光性導電酸化膜を、またＮ型アモルファ
スシリコンに対しては、酸化インジウムを主成分とする
透光性導電酸化膜（酸化スズを10重量％以下添加した酸
化インジウム）を密接させるということが試みられてい
る。
さらに、必要に応じてその透光性導電酸化膜上に反射性
金属であるアルミニウム、または銀を形成させる方法が
知られている。
金属であるアルミニウム、または銀を形成させる方法が
知られている。
上記従来例のような絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
のごとき構造とすると、150℃で作製しても500時間まで
は、電気特性の劣化を10％以内に防ぐことができた。
のごとき構造とすると、150℃で作製しても500時間まで
は、電気特性の劣化を10％以内に防ぐことができた。
しかし、上記絶縁ゲート型電界効果トランジスタは、同
じ条件で、500時間ないし2000時間経つと、初期の効率
が8.3％（1.05cm2）であったのが、その５％（500時
間）ないし25％（2000時間）に劣化（低下）する。
じ条件で、500時間ないし2000時間経つと、初期の効率
が8.3％（1.05cm2）であったのが、その５％（500時
間）ないし25％（2000時間）に劣化（低下）する。
その原因を詳細に検討していくと、Ｐ型またはＮ型領域
のアモルファス半導体と透光性導電酸化膜との界面に
は、透光性導電酸化膜からの酸素がアモルファス半導体
のシリコンと結びつき、酸化珪素膜を形成する。特に、
Ｎ型アモルファスシリコンは、リンガラスに、Ｐ型アモ
ルファスシリコンは、ホウ素ガラスになる。
のアモルファス半導体と透光性導電酸化膜との界面に
は、透光性導電酸化膜からの酸素がアモルファス半導体
のシリコンと結びつき、酸化珪素膜を形成する。特に、
Ｎ型アモルファスシリコンは、リンガラスに、Ｐ型アモ
ルファスシリコンは、ホウ素ガラスになる。
そして、これらのガラスは、絶縁性を有するため、、絶
縁ゲート型電界効果トランジスタの特性劣化の原因とな
ることが判明した。
縁ゲート型電界効果トランジスタの特性劣化の原因とな
ることが判明した。
すなわち、アモルファスシリコンは、化学的に結晶半導
体に比べて不安定でありかつ反応し易いため、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタにおける劣化がアモルファス
シリコン中のシリコンにあることが判明した。
体に比べて不安定でありかつ反応し易いため、絶縁ゲー
ト型電界効果トランジスタにおける劣化がアモルファス
シリコン中のシリコンにあることが判明した。
また、半導体としてアモルファスシリコンの代わりに微
結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用いた場
合、その成分中のアモルファスシリコン分は、約50％と
なっているため、酸化スズ・インジウムや透光性導電酸
化膜との反応をアモルファスシリコンのみの場合に比べ
て約１／２とすることができる。
結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を用いた場
合、その成分中のアモルファスシリコン分は、約50％と
なっているため、酸化スズ・インジウムや透光性導電酸
化膜との反応をアモルファスシリコンのみの場合に比べ
て約１／２とすることができる。
しかし、微結晶または多結晶の結晶性を有する半導体を
用いた場合においても、本質的に劣化特性を有すること
には変わりがなく、さらに抜本的な解決法が求められて
いた。
用いた場合においても、本質的に劣化特性を有すること
には変わりがなく、さらに抜本的な解決法が求められて
いた。
本発明は、以上のような課題を解決するためのもので、
特性や信頼性を向上させることができる絶縁ゲート型電
界効果トランジスタを提供することを目的とする。
特性や信頼性を向上させることができる絶縁ゲート型電
界効果トランジスタを提供することを目的とする。
本発明は、電極からソース領域およびドレイン領域への
異常拡散を防ぐことができる絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタを提供することを目的とする。
異常拡散を防ぐことができる絶縁ゲート型電界効果トラ
ンジスタを提供することを目的とする。
前記目的を達成するために、本発明の絶縁ゲート型電界
効果トランジスタは、基板（１）と、当該基板（１）上
に、ゲート絶縁膜によって絶縁されるように形成された
ゲート電極（11）、（11′）と、前記基板（１）および
ゲート電極（11）、（11′）上に形成されたソース領域
（12）、（14）、ドレイン領域（14）、（20）、および
チャネル形成領域（13）、（13′）からなる非単結晶半
導体層（21）と、上記ソース領域（12）、（14）および
ドレイン領域（14）、（20）上に形成された炭化珪素半
導体層（22）と、当該炭化珪素半導体層（22）上に形成
された酸化物透光性導電膜（23）と、当該酸化物透光性
導電膜（23）および非単結晶半導体層（21）上に形成さ
れた窒化珪素膜（15）と、当該窒化珪素膜（15）上に形
成された有機樹脂保護絶縁膜（16）と、上記窒化珪素膜
（15）および有機樹脂保護絶縁膜（16）に開けられた開
口部を介して各領域と電気的に接続する電極（17）、
（18）、（19）とから構成される。
効果トランジスタは、基板（１）と、当該基板（１）上
に、ゲート絶縁膜によって絶縁されるように形成された
ゲート電極（11）、（11′）と、前記基板（１）および
ゲート電極（11）、（11′）上に形成されたソース領域
（12）、（14）、ドレイン領域（14）、（20）、および
チャネル形成領域（13）、（13′）からなる非単結晶半
導体層（21）と、上記ソース領域（12）、（14）および
ドレイン領域（14）、（20）上に形成された炭化珪素半
導体層（22）と、当該炭化珪素半導体層（22）上に形成
された酸化物透光性導電膜（23）と、当該酸化物透光性
導電膜（23）および非単結晶半導体層（21）上に形成さ
れた窒化珪素膜（15）と、当該窒化珪素膜（15）上に形
成された有機樹脂保護絶縁膜（16）と、上記窒化珪素膜
（15）および有機樹脂保護絶縁膜（16）に開けられた開
口部を介して各領域と電気的に接続する電極（17）、
（18）、（19）とから構成される。
ソース領域およびドレイン領域が形成されている非単結
晶半導体層上には、たとえばSiｘＣ１−ｘ（０＜Ｘ＜
１）からなる炭化珪素半導体層が形成されている。ま
た、炭化珪素半導体層上には、酸化物透光性導電膜が形
成されている。すなわち、酸化物透光性導電膜は、電極
と同じ導電性であり、オーム接触をしている。
晶半導体層上には、たとえばSiｘＣ１−ｘ（０＜Ｘ＜
１）からなる炭化珪素半導体層が形成されている。ま
た、炭化珪素半導体層上には、酸化物透光性導電膜が形
成されている。すなわち、酸化物透光性導電膜は、電極
と同じ導電性であり、オーム接触をしている。
また、非単結晶半導体の導電型と同じＰ型またはＮ型の
炭化珪素半導体は、両接合界面における熱化学反応を防
止している。
炭化珪素半導体は、両接合界面における熱化学反応を防
止している。
さらに、炭化珪素半導体は、炭素と珪素との結合が固い
ため、酸化物透光性導電膜から酸素が遊離しても炭化珪
素半導体の珪素と結合することがない。
ため、酸化物透光性導電膜から酸素が遊離しても炭化珪
素半導体の珪素と結合することがない。
すなわち、炭化珪素半導体層は、酸化物透光性導電膜か
らの酸素を阻止する働きをする。
らの酸素を阻止する働きをする。
このように、ソース領域およびドレイン領域が形成され
ている非単結晶半導体層と電極が形成されている酸化物
透光性導電膜との間に炭化珪素半導体層を形成すること
によって、電極および酸化物透光性導電膜から非単結晶
半導体層へ反応し易い物質の異常拡散を防止できる。
ている非単結晶半導体層と電極が形成されている酸化物
透光性導電膜との間に炭化珪素半導体層を形成すること
によって、電極および酸化物透光性導電膜から非単結晶
半導体層へ反応し易い物質の異常拡散を防止できる。
以上のように、炭化珪素半導体層を本発明のような構成
とすることで、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを劣
化させる原因を無くすことができた。
とすることで、絶縁ゲート型電界効果トランジスタを劣
化させる原因を無くすことができた。
第１図は本発明の一実施例である絶縁ゲート型電界効果
トランジスタにおける集積化構造の縦断面図である。
トランジスタにおける集積化構造の縦断面図である。
第１図において、石英基板（１）上には、Ｎ型の珪素よ
りなるゲート電極（11）、（11′）が厚さ0.2μｍ、幅
５μｍとなるように第１のマスクを用いて作製される。
さらに、ゲート電極（11）、（11′）の上には、ゲート
絶縁膜がハロゲン元素雰囲気で1100℃の温度で酸化され
て30Åないし1200Åの厚さに形成される。
りなるゲート電極（11）、（11′）が厚さ0.2μｍ、幅
５μｍとなるように第１のマスクを用いて作製される。
さらに、ゲート電極（11）、（11′）の上には、ゲート
絶縁膜がハロゲン元素雰囲気で1100℃の温度で酸化され
て30Åないし1200Åの厚さに形成される。
さらに、上記石英基板（１）およびゲート絶縁膜上に
は、ホウ素を1PPMの濃度で注入したＰ型の真性の半導体
（Ｉ型珪素）が公知のプラズマ気相法または低温気相法
（LT CVD法）、光CVD法のごとき減圧気相法（LP CVD
法）により0.3μｍの厚さに形成される。
は、ホウ素を1PPMの濃度で注入したＰ型の真性の半導体
（Ｉ型珪素）が公知のプラズマ気相法または低温気相法
（LT CVD法）、光CVD法のごとき減圧気相法（LP CVD
法）により0.3μｍの厚さに形成される。
次に、酸化珪素は、CVD法にて１μｍの厚さに形成され
た後、フォトレジストがコーティングされ、下側よりレ
ーザ光を照射して、ゲート電極（11）、（11′）の上方
以外のレジストが除去される。
た後、フォトレジストがコーティングされ、下側よりレ
ーザ光を照射して、ゲート電極（11）、（11′）の上方
以外のレジストが除去される。
さらに、ゲート電極（11）、（11′）の上方に形成され
ていたレジストは、除去されて酸化珪素のみを残存させ
る。
ていたレジストは、除去されて酸化珪素のみを残存させ
る。
さらに、これら全面にプラズマ気相法により、微結晶の
Ｎ型珪素半導体層（21）が500Åの厚さに形成される。
さらに、炭化珪素半導体層（22）、たとえばSiｘＣ
１−ｘ（０＜Ｘ＜１ここではｘ＝0.9）は、100Å以下の
厚さ、ここでは50Åの厚さに同一反応炉により連続して
形成される。
Ｎ型珪素半導体層（21）が500Åの厚さに形成される。
さらに、炭化珪素半導体層（22）、たとえばSiｘＣ
１−ｘ（０＜Ｘ＜１ここではｘ＝0.9）は、100Å以下の
厚さ、ここでは50Åの厚さに同一反応炉により連続して
形成される。
さらに、透光性導電膜（23）は、炭化珪素半導体層（2
2）上に電子ビーム蒸着法により500Åの厚さで形成され
る。
2）上に電子ビーム蒸着法により500Åの厚さで形成され
る。
この後、酸化珪素をリフトオフ法により除去し、ゲート
電極（11）および（11′）の両端とその両端とを概略一
致させて、Ｎ型珪素半導体層（21）を形成させる。その
結果、ソース領域（12）とドレイン領域（14）とをゲー
ト電極（11）とセルファラインをして形成させる。
電極（11）および（11′）の両端とその両端とを概略一
致させて、Ｎ型珪素半導体層（21）を形成させる。その
結果、ソース領域（12）とドレイン領域（14）とをゲー
ト電極（11）とセルファラインをして形成させる。
この場合、Ｎ型ソース領域（12）、Ｉ型チャネル形成領
域（13）、Ｎ型ドレイン領域（14）、またはＮ型ソース
領域（14）、Ｉ型チャネル形成領域（13′）、Ｎ型ドレ
イン領域（20）のインバータ集積化構造を構成させる。
域（13）、Ｎ型ドレイン領域（14）、またはＮ型ソース
領域（14）、Ｉ型チャネル形成領域（13′）、Ｎ型ドレ
イン領域（20）のインバータ集積化構造を構成させる。
その後、窒化珪素膜（15）からなるパッシベイション膜
が作製される。この窒化珪素膜（15）は、透光性導電膜
（23）の表面、炭化珪素半導体層（SiｘＣ１−ｘ）（2
2）の表面、Ｎ型珪素半導体層（21）の表面、真性の半
導体の表面、Ｎ型珪素半導体層（14）の表面、透光性導
電膜（23）の表面を覆って形成される。
が作製される。この窒化珪素膜（15）は、透光性導電膜
（23）の表面、炭化珪素半導体層（SiｘＣ１−ｘ）（2
2）の表面、Ｎ型珪素半導体層（21）の表面、真性の半
導体の表面、Ｎ型珪素半導体層（14）の表面、透光性導
電膜（23）の表面を覆って形成される。
この窒化珪素膜（15）は、領域（30）に形成されている
ばかりでなく、領域（31）にも領域（30）と同様に形成
されている。
ばかりでなく、領域（31）にも領域（30）と同様に形成
されている。
この窒化珪素膜（15）の作製は、100℃ないし300℃好ま
しくは、150℃ないし250℃の温度において、シランとア
ンモニアとを反応炉に導入し、そこに光エネルギーを供
給して水銀励起法による光CVD法により形成される。窒
化珪素膜（15）の厚さは、500Åないし1000Åの厚さに
形成させる。
しくは、150℃ないし250℃の温度において、シランとア
ンモニアとを反応炉に導入し、そこに光エネルギーを供
給して水銀励起法による光CVD法により形成される。窒
化珪素膜（15）の厚さは、500Åないし1000Åの厚さに
形成させる。
その後、さらに絶縁ゲート型電界効果トランジスタを保
護する絶縁物である有機樹脂保護絶縁膜（16）、たとえ
ばポリイミド樹脂は、約２μｍの厚さに形成される。そ
し、窒化珪素膜（15）および有機樹脂保護絶縁膜（16）
には、電極用穴が開けられ、電源電極（VDD）（19）、
接地電極（Vss）（17）、出力電極（18）のアノードが
アルミニウムにより形成される。
護する絶縁物である有機樹脂保護絶縁膜（16）、たとえ
ばポリイミド樹脂は、約２μｍの厚さに形成される。そ
し、窒化珪素膜（15）および有機樹脂保護絶縁膜（16）
には、電極用穴が開けられ、電源電極（VDD）（19）、
接地電極（Vss）（17）、出力電極（18）のアノードが
アルミニウムにより形成される。
この窒化珪素膜（15）および有機樹脂保護絶縁膜（16）
の穴あけの時には、入力ゲート電極（11）、負荷のゲー
ト電極（11′）にも穴があけられ（図示せず）、インバ
ータ構造を有せしめた。
の穴あけの時には、入力ゲート電極（11）、負荷のゲー
ト電極（11′）にも穴があけられ（図示せず）、インバ
ータ構造を有せしめた。
前記のように形成させた窒化珪素膜（15）は、その後に
形成した絶縁物の樹脂からの水（湿度）、あるいは絶縁
物に生じたクラックなどからの水（湿度）が真性の半導
体、あるいはその他のＮ型の珪素半導体等に影響するこ
とを防ぐことに効果がある。
形成した絶縁物の樹脂からの水（湿度）、あるいは絶縁
物に生じたクラックなどからの水（湿度）が真性の半導
体、あるいはその他のＮ型の珪素半導体等に影響するこ
とを防ぐことに効果がある。
また、水（湿度）に対して効果を有するばかりでなく、
前記半導体層を保護する絶縁物を形成する際の不純物の
半導体層への影響を防ぐことができ、さらに前記電源電
極（19）、接地電極（17）、出力電極（18）のアノード
からの不純物拡散による半導体層への影響を防止するこ
とができる。特に、真性半導体のチャネル形成領域（1
3）に対する本発明の効果は大きいものがある。
前記半導体層を保護する絶縁物を形成する際の不純物の
半導体層への影響を防ぐことができ、さらに前記電源電
極（19）、接地電極（17）、出力電極（18）のアノード
からの不純物拡散による半導体層への影響を防止するこ
とができる。特に、真性半導体のチャネル形成領域（1
3）に対する本発明の効果は大きいものがある。
図面において明らかなごとく、Ｎ型半導体は、微結晶ま
たは多結晶構造のＮ型珪素半導体層（21）、炭化珪素半
導体層（22）SiｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１）、透光性導電
膜（23）よりなり、かかるＮ−Ｎ−透光性導電膜接合と
した場合、この絶縁ゲート型電界効果トランジスタまた
は集積回路装置を150℃、1000時間の放置を行っても、
絶縁ゲート型電界効果トランジスタの特性の劣化による
変化がまったく見られず、従来の単にＮ型珪素半導体層
上に金属を積層した場合に比べてきわめて高信頼性を有
せしめることができた。
たは多結晶構造のＮ型珪素半導体層（21）、炭化珪素半
導体層（22）SiｘＣ１−ｘ（０＜ｘ＜１）、透光性導電
膜（23）よりなり、かかるＮ−Ｎ−透光性導電膜接合と
した場合、この絶縁ゲート型電界効果トランジスタまた
は集積回路装置を150℃、1000時間の放置を行っても、
絶縁ゲート型電界効果トランジスタの特性の劣化による
変化がまったく見られず、従来の単にＮ型珪素半導体層
上に金属を積層した場合に比べてきわめて高信頼性を有
せしめることができた。
本発明によれば、ソース領域およびドレイン領域が形成
されている非単結晶半導体層と、電極が形成されている
酸化物透光性導電膜との間に炭化珪素半導体層を形成し
たため、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの経年変化
による劣化を防止することができた。
されている非単結晶半導体層と、電極が形成されている
酸化物透光性導電膜との間に炭化珪素半導体層を形成し
たため、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの経年変化
による劣化を防止することができた。
第１図は本発明の一実施例である絶縁ゲート型電界効果
トランジスタにおける集積化構造の縦断面図である。 １……石英基板 11、11′……ゲート電極 12……ソース領域 13……チャネル形成領域 14……ドレイン領域 15……窒化珪素膜 16……有機樹脂保護絶縁膜 17……接地電極 18……出力電極 19……電源電極 21……Ｎ型珪素半導体層 22……炭化珪素半導体層 23……透光性導電膜。
トランジスタにおける集積化構造の縦断面図である。 １……石英基板 11、11′……ゲート電極 12……ソース領域 13……チャネル形成領域 14……ドレイン領域 15……窒化珪素膜 16……有機樹脂保護絶縁膜 17……接地電極 18……出力電極 19……電源電極 21……Ｎ型珪素半導体層 22……炭化珪素半導体層 23……透光性導電膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板と、 当該基板上に、ゲート絶縁膜によって絶縁されるように
形成されたゲート電極と、 前記基板およびゲート電極上に形成されたソース領域、
ドレイン領域、およびチャネル形成領域からなる非単結
晶半導体層と、 上記ソース領域およびドレイン領域上に形成された炭化
珪素半導体層と、 当該炭化珪素半導体層上に形成された酸化物透光性導電
膜と、 当該酸化物透光性導電膜および非単結晶半導体層上に形
成された窒化珪素膜と、 当該窒化珪素膜上に形成された有機樹脂保護絶縁膜と、 上記窒化珪素膜および有機樹脂保護絶縁膜に開けられた
開口部を介して各領域と電気的に接続する電極と、 から構成されることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果
トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1274697A JPH0669096B2 (ja) | 1983-08-19 | 1989-10-20 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151405A JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
| JP1274697A JPH0669096B2 (ja) | 1983-08-19 | 1989-10-20 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151405A Division JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8380394A Division JPH0750420A (ja) | 1994-03-31 | 1994-03-31 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263474A JPH02263474A (ja) | 1990-10-26 |
| JPH0669096B2 true JPH0669096B2 (ja) | 1994-08-31 |
Family
ID=26480668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1274697A Expired - Lifetime JPH0669096B2 (ja) | 1983-08-19 | 1989-10-20 | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0669096B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07131033A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ |
| JPH0750420A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-02-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製造方法 |
| US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
| TW309633B (ja) | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| DE19712233C2 (de) * | 1996-03-26 | 2003-12-11 | Lg Philips Lcd Co | Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
| US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2001053283A (ja) | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2007027773A (ja) * | 2006-08-28 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| WO2008105244A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Zeon Corporation | アクティブマトリックス基板及びその製造方法並びに平面表示装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58134476A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP1274697A patent/JPH0669096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02263474A (ja) | 1990-10-26 |
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| JPH0516671B2 (ja) | ||
| JPH0558269B2 (ja) |
Legal Events
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Effective date: 20060908 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061208 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070620 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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| A02 | Decision of refusal |
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