JPH0525439A - ダイボンド用シート - Google Patents
ダイボンド用シートInfo
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- JPH0525439A JPH0525439A JP3204972A JP20497291A JPH0525439A JP H0525439 A JPH0525439 A JP H0525439A JP 3204972 A JP3204972 A JP 3204972A JP 20497291 A JP20497291 A JP 20497291A JP H0525439 A JPH0525439 A JP H0525439A
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- Japan
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- adhesive layer
- die
- temperature
- sheet
- thermosetting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
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- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Adhesive Tapes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚さや形状等の均一性に優れる接着剤層を付
与できるシート方式を満足させつつ、取扱に支障のない
強度を有し、常温等の低温で電極部材に固定できて加熱
処理によるＢステージ化の進行等で品質が劣化すること
を回避でき、接着剤層の固定状態下に電極部材を積み重
ねて常温等で保管しても移着問題や電極部材間での接着
問題を生じず、しかも高温・高圧の必要なく半導体チッ
プを固着処理できてワイヤーボンディング接続等に耐え
る耐熱性を示す、ダイボンド用の熱硬化型シートを得る
こと。 【構成】 ガラス転移点が８０℃以上の熱可塑性樹脂と
熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロイ型接着剤から
なると共に、６０℃以下の温度で実質的な粘着性を示さ
ないフィルム（１）に、６０℃以下の温度で粘着性を示
す熱硬化性接着剤からなる仮着型接着層（２）を設けて
なるダイボンド用シート。
与できるシート方式を満足させつつ、取扱に支障のない
強度を有し、常温等の低温で電極部材に固定できて加熱
処理によるＢステージ化の進行等で品質が劣化すること
を回避でき、接着剤層の固定状態下に電極部材を積み重
ねて常温等で保管しても移着問題や電極部材間での接着
問題を生じず、しかも高温・高圧の必要なく半導体チッ
プを固着処理できてワイヤーボンディング接続等に耐え
る耐熱性を示す、ダイボンド用の熱硬化型シートを得る
こと。 【構成】 ガラス転移点が８０℃以上の熱可塑性樹脂と
熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロイ型接着剤から
なると共に、６０℃以下の温度で実質的な粘着性を示さ
ないフィルム（１）に、６０℃以下の温度で粘着性を示
す熱硬化性接着剤からなる仮着型接着層（２）を設けて
なるダイボンド用シート。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップを電極部
材に固着するためのダイボンド用シートに関する。
材に固着するためのダイボンド用シートに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造過程においてリ
ードフレームやステム等の電極部材への半導体チップの
固着には、銀ペースト等のペーストが用いられていた。
固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペー
ストを塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト
層を硬化させることにより行われる。
ードフレームやステム等の電極部材への半導体チップの
固着には、銀ペースト等のペーストが用いられていた。
固着処理は、リードフレームのダイパッド等の上にペー
ストを塗工し、それに半導体チップを搭載してペースト
層を硬化させることにより行われる。
【０００３】しかしながら、ペーストの粘度変動や劣化
等で塗工量や塗工形状等のバラツキが大きく、形成され
るペースト厚が不均一で半導体チップの固着強度の信頼
性に乏しい問題点があつた。すなわち、ペーストの塗工
不足で半導体チップと電極部材との固着強度が低いと後
続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離す
る問題を生じ、反対にペーストの塗工量が多すぎると半
導体チップの上にまでペーストが流延して特性不良を発
生し、歩留まりや信頼性を低下させ、かかる問題が半導
体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなってい
る。そのため、ペースト塗工量の制御を頻繁に行う必要
があって作業性や生産性に支障する問題ともなってい
る。
等で塗工量や塗工形状等のバラツキが大きく、形成され
るペースト厚が不均一で半導体チップの固着強度の信頼
性に乏しい問題点があつた。すなわち、ペーストの塗工
不足で半導体チップと電極部材との固着強度が低いと後
続のワイヤーボンディング工程で半導体チップが剥離す
る問題を生じ、反対にペーストの塗工量が多すぎると半
導体チップの上にまでペーストが流延して特性不良を発
生し、歩留まりや信頼性を低下させ、かかる問題が半導
体チップの大型化に伴って特に顕著なものとなってい
る。そのため、ペースト塗工量の制御を頻繁に行う必要
があって作業性や生産性に支障する問題ともなってい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、接着シート
によれば電極部材上に厚さ等の均一性に優れる接着剤層
を付与できて上記の問題を克服できることに鑑み、その
接着シート方式を満足させつつ、取扱に支障のない強度
を有して常温等の低温で電極部材に固定できると共に、
その固定状態で電極部材を積み重ねて常温等で保管して
も移着したり、電極部材間で接着したりせず、しかも高
温・高圧を要することなく半導体チップを固着処理でき
て、後続のワイヤーボンディング接続や樹脂モールド封
止等の処理に耐える耐熱性を有するダイボンド用の接着
シートの開発を課題とする。
によれば電極部材上に厚さ等の均一性に優れる接着剤層
を付与できて上記の問題を克服できることに鑑み、その
接着シート方式を満足させつつ、取扱に支障のない強度
を有して常温等の低温で電極部材に固定できると共に、
その固定状態で電極部材を積み重ねて常温等で保管して
も移着したり、電極部材間で接着したりせず、しかも高
温・高圧を要することなく半導体チップを固着処理でき
て、後続のワイヤーボンディング接続や樹脂モールド封
止等の処理に耐える耐熱性を有するダイボンド用の接着
シートの開発を課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガラス転移点
が８０℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とす
るポリマーアロイ型接着剤からなると共に、６０℃以下
の温度で実質的な粘着性を示さないフィルムに、６０℃
以下の温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなる仮着
型接着層を設けたことを特徴とするダイボンド用シート
を提供するものである。
が８０℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とす
るポリマーアロイ型接着剤からなると共に、６０℃以下
の温度で実質的な粘着性を示さないフィルムに、６０℃
以下の温度で粘着性を示す熱硬化性接着剤からなる仮着
型接着層を設けたことを特徴とするダイボンド用シート
を提供するものである。
【０００６】
【作用】上記の構成により、厚さや形状等の均一性に優
れる接着シート方式を満足させつつ、ワイヤーボンディ
ング接続や樹脂モールド封止等の処理に耐える耐熱性を
有して取扱に支障のない強度を有する熱硬化型の接着シ
ートとすることができる。しかも仮着型接着層により常
温等の低温で電極部材に固定できて、加熱処理によるＢ
ステージ化の進行等で品質制御が困難化することを回避
でき、固定状態下に電極部材を積み重ねて常温等で保管
しても移着問題や電極部材間での接着問題を発生せず、
しかも高温・高圧を要することなく半導体チップを固着
できてダイボンド処理を達成することができる。
れる接着シート方式を満足させつつ、ワイヤーボンディ
ング接続や樹脂モールド封止等の処理に耐える耐熱性を
有して取扱に支障のない強度を有する熱硬化型の接着シ
ートとすることができる。しかも仮着型接着層により常
温等の低温で電極部材に固定できて、加熱処理によるＢ
ステージ化の進行等で品質制御が困難化することを回避
でき、固定状態下に電極部材を積み重ねて常温等で保管
しても移着問題や電極部材間での接着問題を発生せず、
しかも高温・高圧を要することなく半導体チップを固着
できてダイボンド処理を達成することができる。
【０００７】
【実施例】本発明のダイボンド用シートを図１に例示し
た。１がベースとなるフィルム（ポリマーアロイ型接着
剤）、２が仮着型接着層である。図１では長尺体を示し
たが、リードフレームやステム等の電極部材に適用する
に際しては、例えば例示の長尺体を切断するなどして半
導体チップに対応した所定の寸法ないし形状に成形され
る。
た。１がベースとなるフィルム（ポリマーアロイ型接着
剤）、２が仮着型接着層である。図１では長尺体を示し
たが、リードフレームやステム等の電極部材に適用する
に際しては、例えば例示の長尺体を切断するなどして半
導体チップに対応した所定の寸法ないし形状に成形され
る。
【０００８】ベースとなるフィルムは、ガラス転移点が
８０℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とする
ポリマーアロイ型接着剤を用いて、６０℃以下の温度で
は実質的な粘着性を示さないように形成される。フィル
ム厚は１〜１００μmが一般的であるが、これに限定さ
れない。
８０℃以上の熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を成分とする
ポリマーアロイ型接着剤を用いて、６０℃以下の温度で
は実質的な粘着性を示さないように形成される。フィル
ム厚は１〜１００μmが一般的であるが、これに限定さ
れない。
【０００９】前記のポリマーアロイ型接着剤の調製に用
いられる、ガラス転移点が８０℃以上の熱可塑性樹脂と
しては、例えばポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹
脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、フェノキシ系樹脂、
ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂などがあげられる。
いられる、ガラス転移点が８０℃以上の熱可塑性樹脂と
しては、例えばポリイミド系樹脂、ポリスルホン系樹
脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、フェノキシ系樹脂、
ポリアミド系樹脂、アクリル系樹脂などがあげられる。
【００１０】一方、熱硬化性樹脂としては、例えばエポ
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、マレイミド系樹脂、シ
リコーン系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂の配合
割合は、要求される耐熱性や強度などに応じて適宜に決
定されるが、一般には熱可塑性樹脂１００重量部あた
り、１０〜５００重量部とされる。
キシ系樹脂、フェノール系樹脂、マレイミド系樹脂、シ
リコーン系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂の配合
割合は、要求される耐熱性や強度などに応じて適宜に決
定されるが、一般には熱可塑性樹脂１００重量部あた
り、１０〜５００重量部とされる。
【００１１】本発明のダイボンド用シートは、前記した
ベースとなるフィルム（１）に、６０℃以下の温度で粘
着性を示す熱硬化性接着剤からなる仮着型接着層（２）
を設けたものである。仮着型接着層の厚さは１〜１００
μmが一般的であるが、これに限定されない。
ベースとなるフィルム（１）に、６０℃以下の温度で粘
着性を示す熱硬化性接着剤からなる仮着型接着層（２）
を設けたものである。仮着型接着層の厚さは１〜１００
μmが一般的であるが、これに限定されない。
【００１２】仮着型接着層の形成は例えば、エポキシ系
樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミ
ド系樹脂、シリコーン系樹脂の如き熱硬化性樹脂をＢス
テージ状態とする方式、熱硬化性樹脂にカルボキシル基
やヒドロキシル基の如き架橋用官能基を導入した粘着性
物質と、必要に応じて架橋剤を配合した粘着性接着剤を
用いる方式などにより行うことができる。
樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、マレイミ
ド系樹脂、シリコーン系樹脂の如き熱硬化性樹脂をＢス
テージ状態とする方式、熱硬化性樹脂にカルボキシル基
やヒドロキシル基の如き架橋用官能基を導入した粘着性
物質と、必要に応じて架橋剤を配合した粘着性接着剤を
用いる方式などにより行うことができる。
【００１３】前記の粘着性物質としては例えば、ＮＢＲ
やアクリル系ポリマーの如き粘着剤形成用ポリマー、ロ
ジン系樹脂やテルペン系樹脂の如き粘着性付与樹脂など
があげられる。なお、粘着性接着剤を用いる方式におい
ても必要に応じてＢステージ状態に半硬化される。
やアクリル系ポリマーの如き粘着剤形成用ポリマー、ロ
ジン系樹脂やテルペン系樹脂の如き粘着性付与樹脂など
があげられる。なお、粘着性接着剤を用いる方式におい
ても必要に応じてＢステージ状態に半硬化される。
【００１４】本発明のダイボンド用シートにおいては、
ベースとなるフィルム又は／及び仮着型接着層の中に、
例えばアルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、カーボ
ンの如き導電性物質からなる粉末を含有させて、導電性
を付与したり、熱伝導性を高めてもよい。熱伝導性の向
上は、例えばアルミナ、シリカ、窒化ケイ素などの粉末
を含有させることによっても行うことができる。
ベースとなるフィルム又は／及び仮着型接着層の中に、
例えばアルミニウム、銅、銀、金、パラジウム、カーボ
ンの如き導電性物質からなる粉末を含有させて、導電性
を付与したり、熱伝導性を高めてもよい。熱伝導性の向
上は、例えばアルミナ、シリカ、窒化ケイ素などの粉末
を含有させることによっても行うことができる。
【００１５】本発明のダイボンド用シートを用いての半
導体チップの固着処理は、例えば次のようにして行うこ
とができる。すなわち、ダイボンド用シートをリール等
に長尺の状態で巻回したリボンとして供給しつつ、それ
を適宜なカッターを介して順次所定の寸法（長さや形状
等）に切断する。これにより、その切断片を介して厚さ
や量の一定性に優れる接着剤層を形成することができ
る。
導体チップの固着処理は、例えば次のようにして行うこ
とができる。すなわち、ダイボンド用シートをリール等
に長尺の状態で巻回したリボンとして供給しつつ、それ
を適宜なカッターを介して順次所定の寸法（長さや形状
等）に切断する。これにより、その切断片を介して厚さ
や量の一定性に優れる接着剤層を形成することができ
る。
【００１６】次に、形成された切断片は電極部材、例え
ばリードフレームのダイパッド上に仮着型接着層（２）
を介して仮接着され、その上に半導体チップを載せてポ
リマーアロイ型接着剤における熱可塑性樹脂の軟化点以
上の温度に加熱し、切断片の溶融下に接着させる。加熱
処理は、例えばヒーター、超音波、紫外線などの適宜な
方式で行ってよい。なお、前記の溶着を達成した切断片
は、加熱処理による熱硬化性樹脂の硬化と、その後の冷
却による熱可塑性樹脂の固化を介して半導体チップを電
極部材に固着する。
ばリードフレームのダイパッド上に仮着型接着層（２）
を介して仮接着され、その上に半導体チップを載せてポ
リマーアロイ型接着剤における熱可塑性樹脂の軟化点以
上の温度に加熱し、切断片の溶融下に接着させる。加熱
処理は、例えばヒーター、超音波、紫外線などの適宜な
方式で行ってよい。なお、前記の溶着を達成した切断片
は、加熱処理による熱硬化性樹脂の硬化と、その後の冷
却による熱可塑性樹脂の固化を介して半導体チップを電
極部材に固着する。
【００１７】図２にリードフレーム上に半導体チップを
固着したものを例示した。３がダイボンド用シートない
しその切断片、４がリードフレーム、５がダイパッド、
６が半導体チップである。なお電極部材に固着された半
導体チップ（６）は必要に応じて、ワイヤボンディング
処理や樹脂モールド等の後続工程に供給される。
固着したものを例示した。３がダイボンド用シートない
しその切断片、４がリードフレーム、５がダイパッド、
６が半導体チップである。なお電極部材に固着された半
導体チップ（６）は必要に応じて、ワイヤボンディング
処理や樹脂モールド等の後続工程に供給される。
【００１８】実施例１
ポリエーテルイミド／ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量１８５）／ノボラック型フェノール樹脂
（軟化点７５℃）／２−メチルイミダゾールを、１００
／５０／３０／０.５の重量比で配合してなるジメチル
アセトアミド溶液を、ポリエステルフィルムからなるセ
パレータの上に塗布し、１３０℃で１０分間、０.５mmH
gの減圧下に加熱して厚さ２０μmのベースフィルム層を
形成した。
（エポキシ当量１８５）／ノボラック型フェノール樹脂
（軟化点７５℃）／２−メチルイミダゾールを、１００
／５０／３０／０.５の重量比で配合してなるジメチル
アセトアミド溶液を、ポリエステルフィルムからなるセ
パレータの上に塗布し、１３０℃で１０分間、０.５mmH
gの減圧下に加熱して厚さ２０μmのベースフィルム層を
形成した。
【００１９】他方、カルボキシル変性ＮＢＲ／ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４５０）／ノボ
ラック型フェノール樹脂（軟化点７５℃）／２−メチル
イミダゾールを、１００／６０／３０／１の重量比で配
合したメチルエチルケトン溶液を、剥離剤で処理したポ
リエステルフィルムからなるセパレータの上に塗布し、
１００℃で１０分間加熱して厚さ１０μmの仮着型接着
層を形成した。
ノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４５０）／ノボ
ラック型フェノール樹脂（軟化点７５℃）／２−メチル
イミダゾールを、１００／６０／３０／１の重量比で配
合したメチルエチルケトン溶液を、剥離剤で処理したポ
リエステルフィルムからなるセパレータの上に塗布し、
１００℃で１０分間加熱して厚さ１０μmの仮着型接着
層を形成した。
【００２０】次に、前記で得た両部材をそのベースフィ
ルム層と仮着型接着層を介して圧着し、形成されたラミ
ネート体より両側のセパレータを剥離除去してダイボン
ド用シートを得た。
ルム層と仮着型接着層を介して圧着し、形成されたラミ
ネート体より両側のセパレータを剥離除去してダイボン
ド用シートを得た。
【００２１】実施例２
ポリエーテルイミドに代えてポリエーテルスルホンを用
いたほかは実施例１に準じ、ベースフィルム層を形成し
てそれを用いて仮着型接着層とのラミネート体からなる
ダイボンド用シートを得た。
いたほかは実施例１に準じ、ベースフィルム層を形成し
てそれを用いて仮着型接着層とのラミネート体からなる
ダイボンド用シートを得た。
【００２２】実施例３
ポリエーテルイミドに代えてポリスルホンを用いたほか
は実施例１に準じ、ベースフィルム層を形成してそれを
用いて仮着型接着層とのラミネート体からなるダイボン
ド用シートを得た。
は実施例１に準じ、ベースフィルム層を形成してそれを
用いて仮着型接着層とのラミネート体からなるダイボン
ド用シートを得た。
【００２３】実施例４
ポリエーテルイミドに代えてフェノキシ樹脂を、溶剤に
メチルエチルケトンを用いたほかは実施例１に準じ、ベ
ースフィルム層を形成してそれを用いて仮着型接着層と
のラミネート体からなるダイボンド用シートを得た。
メチルエチルケトンを用いたほかは実施例１に準じ、ベ
ースフィルム層を形成してそれを用いて仮着型接着層と
のラミネート体からなるダイボンド用シートを得た。
【００２４】実施例５
ポリエーテルイミドに代えて可溶性ポリアミドを、溶剤
にクロロホルム／メタノールを用いたほかは実施例１に
準じ、ベースフィルム層を形成してそれを用いて仮着型
接着層とのラミネート体からなるダイボンド用シートを
得た。
にクロロホルム／メタノールを用いたほかは実施例１に
準じ、ベースフィルム層を形成してそれを用いて仮着型
接着層とのラミネート体からなるダイボンド用シートを
得た。
【００２５】前記の実施例１〜５で得たダイボンド用シ
ートを５mm角に切断後、それを仮着型接着層を介して、
４２アロイ／銀メッキされたＱＦＰ（パッド６×６mm）
リードフレーム（１０連）に常温で仮接着し、そのリー
ドフレーム１００枚を積み重ねて常温で２４時間放置
後、各リードフレームを１枚ずつ採取したが、その際に
各リードフレーム間の融着、ないし接着は認められず、
各リードフレームを１枚ずつスムーズに採取することが
できた。
ートを５mm角に切断後、それを仮着型接着層を介して、
４２アロイ／銀メッキされたＱＦＰ（パッド６×６mm）
リードフレーム（１０連）に常温で仮接着し、そのリー
ドフレーム１００枚を積み重ねて常温で２４時間放置
後、各リードフレームを１枚ずつ採取したが、その際に
各リードフレーム間の融着、ないし接着は認められず、
各リードフレームを１枚ずつスムーズに採取することが
できた。
【００２６】次に、採取した各リードフレームに、その
ダイボンド用シートの切断片を介して５mm角の半導体チ
ップを２００℃で接着後、２００℃で３０分間加熱して
硬化させ、固着処理した。この処理により各リードフレ
ームに固着された半導体チップのそれぞれは、いずれの
場合にも２００℃下、２kg以上の剪断接着力を示し、そ
の充分な耐熱接着力に基づいて後続のワイヤーボンディ
ング工程、パッケージ工程等においても半導体チップの
剥離等のトラブルを生じなかった。
ダイボンド用シートの切断片を介して５mm角の半導体チ
ップを２００℃で接着後、２００℃で３０分間加熱して
硬化させ、固着処理した。この処理により各リードフレ
ームに固着された半導体チップのそれぞれは、いずれの
場合にも２００℃下、２kg以上の剪断接着力を示し、そ
の充分な耐熱接着力に基づいて後続のワイヤーボンディ
ング工程、パッケージ工程等においても半導体チップの
剥離等のトラブルを生じなかった。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、シート方式に基づいて
電極部材の上に厚さや形状等の均一性に優れる接着剤層
を容易に付与でき、かつ常温等の低温で固定できて品質
の維持性に優れている。また、その接着剤層の固定状態
下に電極部材を積み重ねて常温等で保管しても接着剤層
が移着せず、電極部材間の接着も生じずに各電極部材を
容易に個別採取することができる。さらに、高温・高圧
を要することなく半導体チップを固着処理できて、後続
のワイヤーボンディング接続や樹脂モールド封止等に耐
える耐熱性を有している。
電極部材の上に厚さや形状等の均一性に優れる接着剤層
を容易に付与でき、かつ常温等の低温で固定できて品質
の維持性に優れている。また、その接着剤層の固定状態
下に電極部材を積み重ねて常温等で保管しても接着剤層
が移着せず、電極部材間の接着も生じずに各電極部材を
容易に個別採取することができる。さらに、高温・高圧
を要することなく半導体チップを固着処理できて、後続
のワイヤーボンディング接続や樹脂モールド封止等に耐
える耐熱性を有している。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の断面図。
【図２】半導体チップを固着した状態の説明断面図。
３：ダイボンド用シート
１：ベースとなるフィルム
２：仮着型接着層
４：リードフレーム
５：ダイパッド
６：半導体チップ
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス転移点が８０℃以上の熱可塑性樹
脂と熱硬化性樹脂を成分とするポリマーアロイ型接着剤
からなると共に、６０℃以下の温度で実質的な粘着性を
示さないフィルムに、６０℃以下の温度で粘着性を示す
熱硬化性接着剤からなる仮着型接着層を設けたことを特
徴とするダイボンド用シート。 - 【請求項２】 導電性を有してなる請求項１に記載のダ
イボンド用シート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204972A JPH0525439A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ダイボンド用シート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3204972A JPH0525439A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ダイボンド用シート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0525439A true JPH0525439A (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16499347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3204972A Pending JPH0525439A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | ダイボンド用シート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525439A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124421A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Ind Technol Res Inst | 導電性接着剤および該接着剤を用いて回路部材と基板を接続する方法 |
| EP0977254A3 (en) * | 1998-07-22 | 2001-02-07 | Nitto Denko Corporation | Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same |
| JP2001152107A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
| WO2002090455A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | 3M Innovative Properties Company | Sealant composition, sealant and laminated structure containing same |
| JP2008024941A (ja) * | 1999-02-18 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3204972A patent/JPH0525439A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08124421A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Ind Technol Res Inst | 導電性接着剤および該接着剤を用いて回路部材と基板を接続する方法 |
| EP0977254A3 (en) * | 1998-07-22 | 2001-02-07 | Nitto Denko Corporation | Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same |
| US6623594B1 (en) | 1998-07-22 | 2003-09-23 | Nitto Denko Corporation | Hot-melt sheet for holding and protecting semiconductor wafers and method for applying the same |
| JP2008024941A (ja) * | 1999-02-18 | 2008-02-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JP2001152107A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 積層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置 |
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