JPH05254831A - 高純度希土類フッ化物の製造方法 - Google Patents
高純度希土類フッ化物の製造方法Info
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- JPH05254831A JPH05254831A JP4053905A JP5390592A JPH05254831A JP H05254831 A JPH05254831 A JP H05254831A JP 4053905 A JP4053905 A JP 4053905A JP 5390592 A JP5390592 A JP 5390592A JP H05254831 A JPH05254831 A JP H05254831A
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- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/253—Halides
- C01F17/265—Fluorides
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- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＬａあるいはＹの水溶液を、強酸性陽イオン
交換樹脂１を充填した陽イオン交換樹脂カラム２に通
し、陽イオン交換樹脂１がＬａあるいはＹを吸着した
後、溶離剤６としてpHが３．５〜４．５である０．２〜
１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶液を流入した後、
ＬａあるいはＹの溶出液に、フッ化水素酸、酸性フッ化
アンモニウム、フッ化水素ガスなどのフッ素化剤を加
え、ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ
化物沈殿を脱水、乾燥後、これに酸性フッ化アンモニウ
ムを添加し、６００〜８００℃で焼成してＬａＦ3 ある
いはＹＦ3を得る。 【効果】 遷移金属不純物、希土類不純物の両者が極め
て少ない高純度希土類フッ化物が容易に得られる。ま
た、これをフッ化物ガラス光ファイバ原料として用いる
ことによって、超低損失のフッ化物ガラス光ファイバを
製造できる。
交換樹脂１を充填した陽イオン交換樹脂カラム２に通
し、陽イオン交換樹脂１がＬａあるいはＹを吸着した
後、溶離剤６としてpHが３．５〜４．５である０．２〜
１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶液を流入した後、
ＬａあるいはＹの溶出液に、フッ化水素酸、酸性フッ化
アンモニウム、フッ化水素ガスなどのフッ素化剤を加
え、ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ
化物沈殿を脱水、乾燥後、これに酸性フッ化アンモニウ
ムを添加し、６００〜８００℃で焼成してＬａＦ3 ある
いはＹＦ3を得る。 【効果】 遷移金属不純物、希土類不純物の両者が極め
て少ない高純度希土類フッ化物が容易に得られる。ま
た、これをフッ化物ガラス光ファイバ原料として用いる
ことによって、超低損失のフッ化物ガラス光ファイバを
製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超低損失のフッ化物ガラ
ス光ファイバを製造する際、構成原料として用いられる
高純度希土類フッ化物に関するものである。
ス光ファイバを製造する際、構成原料として用いられる
高純度希土類フッ化物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フッ化物ガラス光ファイバは石英光ファ
イバを凌ぐ１０-2ｄＢ／km以下の伝送損失が期待されて
おり、長距離無中継が可能な伝送媒体として有望視され
ている。しかし、これまで報告されているフッ化物ガラ
ス光ファイバの損失値は１ｄＢ／km前後である。フッ化
物光ファイバの超低損失化を阻害する要因としてＮｄ，
Ｐｒなどの希土類不純物、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなど
の遷移金属不純物による吸収損失と酸化物不純物による
散乱損失がある。これらの不純物は出発フッ化物原料に
含まれていることが多いと考えられるため、Ｎｄ，Ｐｒ
などの希土類不純物、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなどの遷
移金属不純物、酸化物不純物を含まない高純度フッ化物
原料の製造が望まれている。
イバを凌ぐ１０-2ｄＢ／km以下の伝送損失が期待されて
おり、長距離無中継が可能な伝送媒体として有望視され
ている。しかし、これまで報告されているフッ化物ガラ
ス光ファイバの損失値は１ｄＢ／km前後である。フッ化
物光ファイバの超低損失化を阻害する要因としてＮｄ，
Ｐｒなどの希土類不純物、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなど
の遷移金属不純物による吸収損失と酸化物不純物による
散乱損失がある。これらの不純物は出発フッ化物原料に
含まれていることが多いと考えられるため、Ｎｄ，Ｐｒ
などの希土類不純物、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなどの遷
移金属不純物、酸化物不純物を含まない高純度フッ化物
原料の製造が望まれている。
【０００３】光ファイバ用フッ化物ガラスの組成はＺｒ
Ｆ4 ，ＢａＦ2 ，ＬａＦ3 ，ＹＦ3，ＡｌＦ3 ，ＬｉＦ
あるいはＮａＦからなる。このうち、ＬａＦ3 ，ＹＦ3
などの希土類フッ化物の従来の精製法と、その欠点を述
べる。
Ｆ4 ，ＢａＦ2 ，ＬａＦ3 ，ＹＦ3，ＡｌＦ3 ，ＬｉＦ
あるいはＮａＦからなる。このうち、ＬａＦ3 ，ＹＦ3
などの希土類フッ化物の従来の精製法と、その欠点を述
べる。
【０００４】（１）希土類フッ化物の精製〔D.R.Gabbe,
“Purification of Ba and Rare Earth Fluorides for
Optical Fibers”Materials Science Forum,vol 5 (198
5) pp85〜90〕 ゾーン精製法により、ＹＦ3 中のＰｒ，Ｎｄの除去を検
討したが、出発ＹＦ3中のＰｒ１ppm ，Ｎｄ２ppm に対
し精製ＹＦ3 中のＰｒ１ppm 以下、Ｎｄ１ppm以下が得
られ、１ppm レベル程度の高純度化しか行えない欠点が
あった。また、ＬａＦ3 中のＮｄ，Ｐｒのゾーン精製法
による除去についてはＬａＦ3 の融点が１４９３℃と高
く、精製装置に制限を受ける欠点があった。
“Purification of Ba and Rare Earth Fluorides for
Optical Fibers”Materials Science Forum,vol 5 (198
5) pp85〜90〕 ゾーン精製法により、ＹＦ3 中のＰｒ，Ｎｄの除去を検
討したが、出発ＹＦ3中のＰｒ１ppm ，Ｎｄ２ppm に対
し精製ＹＦ3 中のＰｒ１ppm 以下、Ｎｄ１ppm以下が得
られ、１ppm レベル程度の高純度化しか行えない欠点が
あった。また、ＬａＦ3 中のＮｄ，Ｐｒのゾーン精製法
による除去についてはＬａＦ3 の融点が１４９３℃と高
く、精製装置に制限を受ける欠点があった。
【０００５】（２）ＬａＦ3 の精製〔K.J.Ewing,J.Jaga
nathan,R.M.Rourke,I.D.Aggarwal,P.Paulson,E.Beary,
“Purification and Analysis of Fluoride Raw Materi
als atSub ppb levels ”Materials Science Forum,vol
32 (1988) pp19 〜24〕は、出発物質のＬａ2 Ｏ3 をＨ
ＮＯ3 に溶解後、アンモニア水を加え不純物のＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，ＣｕをＬａ（ＯＨ）3 に共沈させ、残った水
溶液に（ＮＨ4 ）2 ＣＯ3 水溶液を添加し、Ｌａ2 （Ｃ
Ｏ3 ）3 を生成後、フッ化水素酸との反応でＬａＦ3 と
する精製法である。このような精製過程で得られるＬａ
2 （ＣＯ3 ）3 は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉについては精製さ
れているが，Ｃｕについては出発物質のＬａ2 Ｏ3 での
１０ｐｐｂに対し、２０ｐｐｂとＣｕが汚染される欠点
があった。さらに、この精製法ではＮｄ，Ｐｒの除去が
できないという欠点があった。
nathan,R.M.Rourke,I.D.Aggarwal,P.Paulson,E.Beary,
“Purification and Analysis of Fluoride Raw Materi
als atSub ppb levels ”Materials Science Forum,vol
32 (1988) pp19 〜24〕は、出発物質のＬａ2 Ｏ3 をＨ
ＮＯ3 に溶解後、アンモニア水を加え不純物のＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，ＣｕをＬａ（ＯＨ）3 に共沈させ、残った水
溶液に（ＮＨ4 ）2 ＣＯ3 水溶液を添加し、Ｌａ2 （Ｃ
Ｏ3 ）3 を生成後、フッ化水素酸との反応でＬａＦ3 と
する精製法である。このような精製過程で得られるＬａ
2 （ＣＯ3 ）3 は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉについては精製さ
れているが，Ｃｕについては出発物質のＬａ2 Ｏ3 での
１０ｐｐｂに対し、２０ｐｐｂとＣｕが汚染される欠点
があった。さらに、この精製法ではＮｄ，Ｐｒの除去が
できないという欠点があった。
【０００６】また、希土類不純物相互の分離については
以下ような方法がある。 α−ヒドロキシイソ酪酸による核分裂生成物の希土類の
イオン交換分離〔M.M.Zeligman,Anal.Chem.,37 (1965)
pp524 〜525 〕 Ｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐｍ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃ
ｅ，Ｌａの軽希土類の相互分離は、陽イオン交換樹脂の
Ｄｏｗｅｘ５０Ｗ−Ｘ８の１００〜２００メッシュを交
換カラム（内径７mm，長さ３０インチ）に入れ、溶離剤
としてα−ヒドロキシイソ酪酸を用いて行なう方法であ
る。しかしながら、このような方法は、交換カラムの容
量が小さく分離できる希土類は数mg程度であり、１０ｇ
程度の希土類の分離ができないという欠点があった。
以下ような方法がある。 α−ヒドロキシイソ酪酸による核分裂生成物の希土類の
イオン交換分離〔M.M.Zeligman,Anal.Chem.,37 (1965)
pp524 〜525 〕 Ｙ，Ｔｂ，Ｇｄ，Ｅｕ，Ｓｍ，Ｐｍ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｃ
ｅ，Ｌａの軽希土類の相互分離は、陽イオン交換樹脂の
Ｄｏｗｅｘ５０Ｗ−Ｘ８の１００〜２００メッシュを交
換カラム（内径７mm，長さ３０インチ）に入れ、溶離剤
としてα−ヒドロキシイソ酪酸を用いて行なう方法であ
る。しかしながら、このような方法は、交換カラムの容
量が小さく分離できる希土類は数mg程度であり、１０ｇ
程度の希土類の分離ができないという欠点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】よって、本発明におけ
る課題は、高純度のＬａＦ3 あるいはＹＦ3 の製造にお
いて、陽イオン交換樹脂カラムによりＬａあるいはＹの
水溶液に含まれているＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなどの遷
移金属不純物およびＮｄ，Ｐｒなどの希土類不純物を低
減し、純度が優れたＬａＦ3 あるいはＹＦ3 が容易に得
られる方法を提供することにある。
る課題は、高純度のＬａＦ3 あるいはＹＦ3 の製造にお
いて、陽イオン交換樹脂カラムによりＬａあるいはＹの
水溶液に含まれているＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕなどの遷
移金属不純物およびＮｄ，Ｐｒなどの希土類不純物を低
減し、純度が優れたＬａＦ3 あるいはＹＦ3 が容易に得
られる方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題は、Ｌａある
いはＹの水溶液を陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式
精製を行った後、ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤
を加え、ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、この
フッ化物沈殿を脱水、乾燥、焼成後、ＬａＦ3あるいは
ＹＦ3 とする方法で解決される。
いはＹの水溶液を陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式
精製を行った後、ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤
を加え、ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、この
フッ化物沈殿を脱水、乾燥、焼成後、ＬａＦ3あるいは
ＹＦ3 とする方法で解決される。
【０００９】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
高純度希土類フッ化物の製造方法は、ＬａあるいはＹの
水溶液を陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式精製を行
った後、ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤を加え、
ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物
沈殿を脱水、乾燥、焼成後、ＬａＦ3 あるいはＹＦ3 と
する方法である。
高純度希土類フッ化物の製造方法は、ＬａあるいはＹの
水溶液を陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式精製を行
った後、ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤を加え、
ＬａあるいはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物
沈殿を脱水、乾燥、焼成後、ＬａＦ3 あるいはＹＦ3 と
する方法である。
【００１０】陽イオン交換樹脂カラムとしては、スチレ
ンジビニルベンゼン共重合体にスルホン酸基を導入して
なる強酸性陽イオン交換樹脂を充填したカラムを用いる
ことが好ましい。
ンジビニルベンゼン共重合体にスルホン酸基を導入して
なる強酸性陽イオン交換樹脂を充填したカラムを用いる
ことが好ましい。
【００１１】湿式精製は、ＬａあるいはＹの水溶液を陽
イオン交換樹脂カラムに通し、陽イオン交換樹脂がＬａ
あるいはＹを吸着した後、pHが３．５〜４．５である
０．２〜１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶液を溶離
剤として用いるのが好ましい。
イオン交換樹脂カラムに通し、陽イオン交換樹脂がＬａ
あるいはＹを吸着した後、pHが３．５〜４．５である
０．２〜１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶液を溶離
剤として用いるのが好ましい。
【００１２】フッ素化剤としては、フッ化水素酸、酸性
フッ化アンモニウム、フッ化水素ガスのいづれか１つを
用いることが好ましい。
フッ化アンモニウム、フッ化水素ガスのいづれか１つを
用いることが好ましい。
【００１３】ＬａあるいはＹのフッ化物沈澱の焼成は、
酸性フッ化アンモニウムを添加し、６００〜８００℃に
おいて行なうのが好ましい。
酸性フッ化アンモニウムを添加し、６００〜８００℃に
おいて行なうのが好ましい。
【００１４】本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法
は、陽イオン交換樹脂カラムによる希土類元素の相互分
離の長所を活かし、かつ、ＬａあるいはＹの水溶液を陽
イオン交換樹脂カラムに通し、陽イオン交換樹脂がＬａ
あるいはＹを吸着した後、これに溶離剤を加えＣｒ（II
I), Ｆｅ（III), Ｃｏ(II)，Ｎｉ(II)，Ｃｕ(II)の遷移
金属不純物を溶離させ、Ｌａの水溶液の場合は、Ｌａ以
外のＮｄ，Ｐｒを含むランタノイドを溶離させた後、Ｌ
ａを溶出させ、一方、Ｙの水溶液の場合はＹを溶出し、
ランタノイドは陽イオン交換樹脂カラムに残留させるこ
とを最も主要な特徴とする。
は、陽イオン交換樹脂カラムによる希土類元素の相互分
離の長所を活かし、かつ、ＬａあるいはＹの水溶液を陽
イオン交換樹脂カラムに通し、陽イオン交換樹脂がＬａ
あるいはＹを吸着した後、これに溶離剤を加えＣｒ（II
I), Ｆｅ（III), Ｃｏ(II)，Ｎｉ(II)，Ｃｕ(II)の遷移
金属不純物を溶離させ、Ｌａの水溶液の場合は、Ｌａ以
外のＮｄ，Ｐｒを含むランタノイドを溶離させた後、Ｌ
ａを溶出させ、一方、Ｙの水溶液の場合はＹを溶出し、
ランタノイドは陽イオン交換樹脂カラムに残留させるこ
とを最も主要な特徴とする。
【００１５】このような高純度希土類フッ化物の製造方
法は、従来の技術ではＣｕ以外の遷移金属不純物だけの
除去、１ppm レベルの希土類不純物の低減化だけが実施
されているのに対して、１種の精製法で遷移金属不純物
と希土類不純物の両者が容易に除去できるものである。
従って、本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法によ
って得られる希土類フッ化物は、遷移金属不純物、Ｌａ
あるいはＹ以外の希土類不純物の両者が大幅に低減し、
純度が向上する。
法は、従来の技術ではＣｕ以外の遷移金属不純物だけの
除去、１ppm レベルの希土類不純物の低減化だけが実施
されているのに対して、１種の精製法で遷移金属不純物
と希土類不純物の両者が容易に除去できるものである。
従って、本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法によ
って得られる希土類フッ化物は、遷移金属不純物、Ｌａ
あるいはＹ以外の希土類不純物の両者が大幅に低減し、
純度が向上する。
【００１６】
【実施例】以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明
する。 （実施例１）Ｌａ2 Ｏ3 を出発とするＬａＦ3 の製造方
法を図面を用いて説明する。図１は本発明の高純度希土
類フッ化物の製造方法の実施に好適に用いられる陽イオ
ン交換樹脂カラムによるＬａあるいはＹの精製を説明す
るための図である。図１中符号１は陽イオン交換樹脂、
２は陽イオン交換樹脂１が充填されたカラム、３はフィ
ルタ、４はチューブ、５はペリスタポンプ、６は溶離
液、７は溶出液である。
する。 （実施例１）Ｌａ2 Ｏ3 を出発とするＬａＦ3 の製造方
法を図面を用いて説明する。図１は本発明の高純度希土
類フッ化物の製造方法の実施に好適に用いられる陽イオ
ン交換樹脂カラムによるＬａあるいはＹの精製を説明す
るための図である。図１中符号１は陽イオン交換樹脂、
２は陽イオン交換樹脂１が充填されたカラム、３はフィ
ルタ、４はチューブ、５はペリスタポンプ、６は溶離
液、７は溶出液である。
【００１７】まず、Ｌａ2 Ｏ3 ２５ｇを秤量後、硝酸４
０ｍｌに溶解し、酢酸アンモニウムを添加し、pHを４．
５とした後、分析グレードの陽イオン交換樹脂１（５０
Ｗ−Ｘ８）６００ｇを充填したカラム２（内径７０ｍ／
ｍ，長さ６００ｍ／ｍ）にＬａの水溶液を流し、上記陽
イオン交換樹脂１にＬａを吸着させた。ついで、カラム
２に０．４Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を３０
００ｍｌ流入し、遷移金属不純物およびＬａ以外の希土
類不純物を溶離して除去した。さらに、上記カラム２に
１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を１０００
ｍｌ流入させＬａを溶出させた。ついで、Ｌａの溶出液
７をフッ素化剤のフッ化水素酸に入れＬａのフッ化物沈
殿を生成した。そして、Ｌａのフッ化物沈殿を脱水、乾
燥させた後、酸性フッ化アンモニウムを添加し、６００
℃で焼成しＬａＦ3 を得た。このＬａＦ3 の同定はＸ線
回折で行った。表１にこの実施例１で製造したＬａＦ3
の中性子放射化分析による遷移金属不純物、Ｎｄ，Ｐｒ
の分析値を示す。
０ｍｌに溶解し、酢酸アンモニウムを添加し、pHを４．
５とした後、分析グレードの陽イオン交換樹脂１（５０
Ｗ−Ｘ８）６００ｇを充填したカラム２（内径７０ｍ／
ｍ，長さ６００ｍ／ｍ）にＬａの水溶液を流し、上記陽
イオン交換樹脂１にＬａを吸着させた。ついで、カラム
２に０．４Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を３０
００ｍｌ流入し、遷移金属不純物およびＬａ以外の希土
類不純物を溶離して除去した。さらに、上記カラム２に
１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を１０００
ｍｌ流入させＬａを溶出させた。ついで、Ｌａの溶出液
７をフッ素化剤のフッ化水素酸に入れＬａのフッ化物沈
殿を生成した。そして、Ｌａのフッ化物沈殿を脱水、乾
燥させた後、酸性フッ化アンモニウムを添加し、６００
℃で焼成しＬａＦ3 を得た。このＬａＦ3 の同定はＸ線
回折で行った。表１にこの実施例１で製造したＬａＦ3
の中性子放射化分析による遷移金属不純物、Ｎｄ，Ｐｒ
の分析値を示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】上記表１においてＣｏ，Ｃｕは各々０．１
ｐｐｂ、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｄ，Ｐｒは各々１ｐｐｂ未満、
Ｎｉは１０ｐｐｂ未満であり、いずれも検出下限に近い
値まで高純度化できていることが確認できる。
ｐｐｂ、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｄ，Ｐｒは各々１ｐｐｂ未満、
Ｎｉは１０ｐｐｂ未満であり、いずれも検出下限に近い
値まで高純度化できていることが確認できる。
【００２０】ついで、この実施例１で製造したＬａＦ3
をフッ化物ガラス光ファイバ原料成分として使用した。
その結果、吸収損失の小さい良好なフッ化ガラス光ファ
イバが得られた。また、フッ素化剤として酸性フッ化ア
ンモニウムあるいはフッ化水素ガスを用いてＬａのフッ
化物沈殿を生成しても上記と同様に高純度のＬａＦ3が
得られた。
をフッ化物ガラス光ファイバ原料成分として使用した。
その結果、吸収損失の小さい良好なフッ化ガラス光ファ
イバが得られた。また、フッ素化剤として酸性フッ化ア
ンモニウムあるいはフッ化水素ガスを用いてＬａのフッ
化物沈殿を生成しても上記と同様に高純度のＬａＦ3が
得られた。
【００２１】（実施例２）Ｙ2 Ｏ3 を出発とするＹＦ3
の製造方法を図１を用いて以下に説明する。Ｙ2 Ｏ3 ２
０ｇを秤量後、硝酸４０ｍｌに溶解し、酢酸アンモニウ
ムを添加しpHを３．５とした。溶解したＹの水溶液を分
析グレードの陽イオン交換樹脂１（５０Ｗ−Ｘ８）６０
０ｇを充填したカラム２に流し、Ｙを吸着させた。つい
で、カラム２に０．２Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離
液６の２００ｍｌをペリスタポンプ５を使用し流入さ
せ、遷移金属不純物を溶離し廃棄した。さらに上記カラ
ム２に、０．４Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を
１８００ｍｌ流入し、Ｙを溶出させた。ついで、Ｙの溶
出液７をフッ素化剤のフッ化水素酸に入れ、Ｙのフッ化
物沈殿を生成した。そして、Ｙのフッ化物沈殿を脱水、
乾燥し、酸性フッ化アンモニウムを添加し、８００℃で
焼成し、ＹＦ3 を得た。このＹＦ3 について遷移金属お
よび希土類不純物分析を行った結果、上記表１に示した
分析値とほぼ同様、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｄ，Ｐｒは各々１ｐ
ｐｂ以下、Ｃｏ，Ｃｕは０．１ｐｐｂ以下となり、いず
れも検出下限値まで高純度化できていることを確認し
た。
の製造方法を図１を用いて以下に説明する。Ｙ2 Ｏ3 ２
０ｇを秤量後、硝酸４０ｍｌに溶解し、酢酸アンモニウ
ムを添加しpHを３．５とした。溶解したＹの水溶液を分
析グレードの陽イオン交換樹脂１（５０Ｗ−Ｘ８）６０
０ｇを充填したカラム２に流し、Ｙを吸着させた。つい
で、カラム２に０．２Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離
液６の２００ｍｌをペリスタポンプ５を使用し流入さ
せ、遷移金属不純物を溶離し廃棄した。さらに上記カラ
ム２に、０．４Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶離液６を
１８００ｍｌ流入し、Ｙを溶出させた。ついで、Ｙの溶
出液７をフッ素化剤のフッ化水素酸に入れ、Ｙのフッ化
物沈殿を生成した。そして、Ｙのフッ化物沈殿を脱水、
乾燥し、酸性フッ化アンモニウムを添加し、８００℃で
焼成し、ＹＦ3 を得た。このＹＦ3 について遷移金属お
よび希土類不純物分析を行った結果、上記表１に示した
分析値とほぼ同様、Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｄ，Ｐｒは各々１ｐ
ｐｂ以下、Ｃｏ，Ｃｕは０．１ｐｐｂ以下となり、いず
れも検出下限値まで高純度化できていることを確認し
た。
【００２２】ついで、この実施例２で製造したＹＦ3 を
フッ化物ガラス光ファイバ原料成分として使用した。そ
の結果、吸収損失の小さい良好なフッ化ガラス光ファイ
バが得られた。また、フッ素化剤としてフッ化水素ガス
を用いてフッ化物沈殿を生成しても上記と同様に高純度
のＹＦ3 が得られた。
フッ化物ガラス光ファイバ原料成分として使用した。そ
の結果、吸収損失の小さい良好なフッ化ガラス光ファイ
バが得られた。また、フッ素化剤としてフッ化水素ガス
を用いてフッ化物沈殿を生成しても上記と同様に高純度
のＹＦ3 が得られた。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高純度希
土類フッ化物の製造方法は、ＬａあるいはＹの水溶液を
陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式精製を行った後、
ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤を加え、Ｌａある
いはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物沈殿を脱
水、乾燥、焼成してＬａＦ3 あるいはＹＦ3 とするの
で、陽イオン交換樹脂カラムと溶離剤とによって、遷移
金属不純物およびＬａあるいはＹ以外の希土類不純物の
除去が行えるため、遷移金属不純物、希土類不純物の両
者が極めて少ない高純度希土類フッ化物が容易に得られ
る。従って、本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法
によって得られる高純度希土類フッ化物をフッ化物ガラ
ス光ファイバ原料として用いることによって、超低損失
のフッ化物ガラス光ファイバを製造できるという利点が
ある。
土類フッ化物の製造方法は、ＬａあるいはＹの水溶液を
陽イオン交換樹脂カラムを用いて湿式精製を行った後、
ＬａあるいはＹの溶出液にフッ素化剤を加え、Ｌａある
いはＹのフッ化物沈殿を生成し、このフッ化物沈殿を脱
水、乾燥、焼成してＬａＦ3 あるいはＹＦ3 とするの
で、陽イオン交換樹脂カラムと溶離剤とによって、遷移
金属不純物およびＬａあるいはＹ以外の希土類不純物の
除去が行えるため、遷移金属不純物、希土類不純物の両
者が極めて少ない高純度希土類フッ化物が容易に得られ
る。従って、本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法
によって得られる高純度希土類フッ化物をフッ化物ガラ
ス光ファイバ原料として用いることによって、超低損失
のフッ化物ガラス光ファイバを製造できるという利点が
ある。
【図１】本発明の高純度希土類フッ化物の製造方法の実
施に好適に用いられる陽イオン交換樹脂カラムによるＬ
ａあるいはＹの精製を説明するための図である。
施に好適に用いられる陽イオン交換樹脂カラムによるＬ
ａあるいはＹの精製を説明するための図である。
１ 陽イオン交換樹脂 ２ カラム ６ 溶離液 ７ 溶出液
Claims (5)
- 【請求項１】 ＬａあるいはＹの水溶液を陽イオン交換
樹脂カラムを用いて湿式精製を行った後、Ｌａあるいは
Ｙの溶出液にフッ素化剤を加え、ＬａあるいはＹのフッ
化物沈殿を生成し、このフッ化物沈殿を脱水、乾燥、焼
成してＬａＦ3 あるいはＹＦ3 とすることを特徴とする
高純度希土類フッ化物の製造方法。 - 【請求項２】 陽イオン交換樹脂カラムが、スチレンジ
ビニルベンゼン共重合体にスルホン酸基を導入してなる
強酸性陽イオン交換樹脂を充填したカラムであることを
特徴とする請求項１記載の高純度希土類フッ化物の製造
方法。 - 【請求項３】 湿式精製が、ＬａあるいはＹの水溶液を
陽イオン交換樹脂カラムに通し、陽イオン交換樹脂がＬ
ａあるいはＹを吸着した後、pHが３．５〜４．５である
０．２〜１．０Ｍのα−ヒドロキシイソ酪酸溶液を溶離
剤として用いるものであることを特徴とする請求項１記
載の高純度希土類フッ化物の製造方法。 - 【請求項４】 フッ素化剤がフッ化水素酸、酸性フッ化
アンモニウム、フッ化水素ガスのいづれか１つであるこ
とを特徴とする請求項１記載の高純度希土類フッ化物の
製造方法。 - 【請求項５】 ＬａあるいはＹのフッ化物沈澱の焼成
が、酸性フッ化アンモニウムを添加し、６００〜８００
℃において行なうことを特徴とする請求項１記載の高純
度希土類フッ化物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04053905A JP3134896B2 (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 高純度希土類フッ化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04053905A JP3134896B2 (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 高純度希土類フッ化物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05254831A true JPH05254831A (ja) | 1993-10-05 |
| JP3134896B2 JP3134896B2 (ja) | 2001-02-13 |
Family
ID=12955732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04053905A Expired - Lifetime JP3134896B2 (ja) | 1992-03-12 | 1992-03-12 | 高純度希土類フッ化物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134896B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101348951B (zh) | 2008-07-11 | 2011-01-19 | 长春理工大学 | 稀土氟化物/稀土氟氧化物复合纳米纤维制备方法 |
| JP2018108923A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 | 水素含有希土類フッ化物、その製造方法及び使用 |
| CN109694100A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-04-30 | 渤海大学 | 一种自牺牲模板法制备LaF3的方法 |
| JP2021134410A (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-13 | 国立大学法人東京海洋大学 | ランタノイドの分離方法 |
-
1992
- 1992-03-12 JP JP04053905A patent/JP3134896B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101348951B (zh) | 2008-07-11 | 2011-01-19 | 长春理工大学 | 稀土氟化物/稀土氟氧化物复合纳米纤维制备方法 |
| JP2018108923A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | 有研稀土新材料股▲フン▼有限公司 | 水素含有希土類フッ化物、その製造方法及び使用 |
| CN109694100A (zh) * | 2019-02-01 | 2019-04-30 | 渤海大学 | 一种自牺牲模板法制备LaF3的方法 |
| CN109694100B (zh) * | 2019-02-01 | 2021-04-02 | 渤海大学 | 一种自牺牲模板法制备LaF3的方法 |
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|---|---|
| JP3134896B2 (ja) | 2001-02-13 |
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