JPH05257035A - 導波路装置の作製方法 - Google Patents
導波路装置の作製方法Info
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- JPH05257035A JPH05257035A JP5540792A JP5540792A JPH05257035A JP H05257035 A JPH05257035 A JP H05257035A JP 5540792 A JP5540792 A JP 5540792A JP 5540792 A JP5540792 A JP 5540792A JP H05257035 A JPH05257035 A JP H05257035A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 作業性が良く精度が高い光軸合わせを可能に
する導波路装置の製造方法。 【構成】 導波路装置１０の端面には、Ｓｉ基板上に形
成した導波路部分４ａの端面４ｂが露出している。この
導波路部分４ａを挾むように一対のＶ溝２ａも形成され
ている。導波路部分４ａ及びＶ溝２ａは、リソグラフィ
技術を用いて精度よく形成されている。ホルダ２０はＳ
ｉ基板をリソグラフィ技術を用いて精度よく加工したも
ので、その表面には光ファイバ２２が導波路部分４ａと
同間隔で固定されている。このホルダ２０側にも一対の
Ｖ溝２６が形成されている。導波路装置１０のＶ溝２ａ
からホルダ２０のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを
通す。これらのガイドピンに対して導波路装置１０とホ
ルダ２０を押し付けると、導波路装置１０の導波路部分
４ａの端面４ｂとホルダ２０のファイバの端面の結合に
おいて精度の高い光軸合わせが可能になる。
する導波路装置の製造方法。 【構成】 導波路装置１０の端面には、Ｓｉ基板上に形
成した導波路部分４ａの端面４ｂが露出している。この
導波路部分４ａを挾むように一対のＶ溝２ａも形成され
ている。導波路部分４ａ及びＶ溝２ａは、リソグラフィ
技術を用いて精度よく形成されている。ホルダ２０はＳ
ｉ基板をリソグラフィ技術を用いて精度よく加工したも
ので、その表面には光ファイバ２２が導波路部分４ａと
同間隔で固定されている。このホルダ２０側にも一対の
Ｖ溝２６が形成されている。導波路装置１０のＶ溝２ａ
からホルダ２０のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを
通す。これらのガイドピンに対して導波路装置１０とホ
ルダ２０を押し付けると、導波路装置１０の導波路部分
４ａの端面４ｂとホルダ２０のファイバの端面の結合に
おいて精度の高い光軸合わせが可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、通信情報処理分野にお
いて光部品として用いられる導波路装置であって光ファ
イバ等との接続が容易な導波路装置の作製方法に関す
る。
いて光部品として用いられる導波路装置であって光ファ
イバ等との接続が容易な導波路装置の作製方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の方法によって作製した導波路装置
は、ファイバとの接続が困難であった。即ち、導波路と
ファイバとの結合を良くする光軸合わせのため、導波路
装置とファイバとの相対位置を微動させながら、その結
合損失が少なくなる位置に調整し、これらを樹脂によっ
て固定していた。
は、ファイバとの接続が困難であった。即ち、導波路と
ファイバとの結合を良くする光軸合わせのため、導波路
装置とファイバとの相対位置を微動させながら、その結
合損失が少なくなる位置に調整し、これらを樹脂によっ
て固定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
導波路装置における光軸合わせの作業は、多大の労力と
時間を必要とした。また、樹脂の温度特性によって光軸
ずれが生じるといった問題もあった。さらに、導波路装
置とファイバとの接続を簡易に分離することが困難あっ
た。
導波路装置における光軸合わせの作業は、多大の労力と
時間を必要とした。また、樹脂の温度特性によって光軸
ずれが生じるといった問題もあった。さらに、導波路装
置とファイバとの接続を簡易に分離することが困難あっ
た。
【０００４】そこで、本発明は、作業性が良く精度が高
い光軸合わせを可能にする導波路装置の作製方法を提供
することを目的とする。
い光軸合わせを可能にする導波路装置の作製方法を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る導波路装置の作製方法は、（ａ）基板
上に導波膜を形成する第１工程と、（ｂ）これら導波膜
及び基板にリソグラフィ技術を用いて調心用溝を形成す
る第２工程とを備えることとしている。
め、本発明に係る導波路装置の作製方法は、（ａ）基板
上に導波膜を形成する第１工程と、（ｂ）これら導波膜
及び基板にリソグラフィ技術を用いて調心用溝を形成す
る第２工程とを備えることとしている。
【０００６】
【作用】上記導波路装置の作製方法では、第２工程で、
導波膜及び基板にリソグラフィ技術を用いて調心用溝を
形成することとしているので、得られた調心用溝はパタ
ーン精度の高いものとなっている。したがって、この導
波路装置と、同様の調心用溝を備える接続装置であって
ファイバ等を別の支持溝に固定した接続装置との接続に
おいて、ガイドピンとこのガイドピンを導波路装置及び
接続装置の調心用溝に密着させる適当な押圧手段とを用
いることによって、導波路装置及び接続装置を精度良く
固定することができる。よって、上記導波路装置によれ
ば、その導波路とファイバ等との結合における光軸合せ
が高精度かつ容易なものとなる。
導波膜及び基板にリソグラフィ技術を用いて調心用溝を
形成することとしているので、得られた調心用溝はパタ
ーン精度の高いものとなっている。したがって、この導
波路装置と、同様の調心用溝を備える接続装置であって
ファイバ等を別の支持溝に固定した接続装置との接続に
おいて、ガイドピンとこのガイドピンを導波路装置及び
接続装置の調心用溝に密着させる適当な押圧手段とを用
いることによって、導波路装置及び接続装置を精度良く
固定することができる。よって、上記導波路装置によれ
ば、その導波路とファイバ等との結合における光軸合せ
が高精度かつ容易なものとなる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ説明する。
つつ説明する。
【０００８】図１は、実施例に係る導波路装置の製造方
法を示した図である。
法を示した図である。
【０００９】図１（ａ）の工程では、Ｓｉ基板２の表面
を酸化する。具体的には、半導体製造技術を用いてＳｉ
基板２を雰囲気炉中で熱酸化する。その他の酸化方法と
して、陽極酸化等の各種の既存技術を利用することもで
きる。さらに、ＣＶＤ等の装置によって酸化膜を堆積し
てもよい。
を酸化する。具体的には、半導体製造技術を用いてＳｉ
基板２を雰囲気炉中で熱酸化する。その他の酸化方法と
して、陽極酸化等の各種の既存技術を利用することもで
きる。さらに、ＣＶＤ等の装置によって酸化膜を堆積し
てもよい。
【００１０】図１（ｂ）の工程では、導波膜である下部
クラッド層３及びコア層４を形成する。具体的には、各
層３、４に対応する組成のＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を
火炎堆積法によって堆積した後、これを加熱透明化する
ことによって下部クラッド層３とコア層４とを得る。
クラッド層３及びコア層４を形成する。具体的には、各
層３、４に対応する組成のＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を
火炎堆積法によって堆積した後、これを加熱透明化する
ことによって下部クラッド層３とコア層４とを得る。
【００１１】図１（ｃ）の工程では、下部クラッド層３
及びコア層４を所望のパターンにエッチングする。具体
的には、半導体製造におけるフォトリソグラフィ技術を
利用し、下部クラッド層３及びコア層４にＣ2 Ｆ6 、Ｃ
Ｆ4 などのプラズマを用いたドライエッチング等を施
し、Ｙ分岐導波路のパターンに対応するリッジ状の部分
３ａ、４ａを残す。
及びコア層４を所望のパターンにエッチングする。具体
的には、半導体製造におけるフォトリソグラフィ技術を
利用し、下部クラッド層３及びコア層４にＣ2 Ｆ6 、Ｃ
Ｆ4 などのプラズマを用いたドライエッチング等を施
し、Ｙ分岐導波路のパターンに対応するリッジ状の部分
３ａ、４ａを残す。
【００１２】図１（ｄ）の工程では、導波膜である上部
クラッド層６を形成する。具体的には、上部クラッド層
６の組成に対応するＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を堆積
し、これを加熱透明化することによって上部クラッド層
６を形成し、導波膜内にＹ分岐導波路の部分４ａを得
る。
クラッド層６を形成する。具体的には、上部クラッド層
６の組成に対応するＳｉＯ2 系ガラス微粒子層を堆積
し、これを加熱透明化することによって上部クラッド層
６を形成し、導波膜内にＹ分岐導波路の部分４ａを得
る。
【００１３】図１（ｅ）の工程では、Ｓｉ基板２上に５
ｍｍ間隔で平行に延びる一対のＶ溝２ａを形成する。具
体的には、フォトリソグラフィ技術とエッチングとによ
って一対のＶ溝２ａを形成する。積層した導波層３、
４、６用のエッチャントとして、ウエットエッチング用
のＨＦ、フッ化アンモン等と、ドライエッチング用のＣ
2 Ｆ6 等とを用いることができる。また、Ｓｉ基板２用
のエッチャントとして、ウエットエッチング用のＫＯＨ
等と、ドライエッチング用のＳＦ6 等とを用いることが
できる。なお、Ｓｉ基板２のエッチングにドライエッチ
ングを用いた場合、Ｖ溝の代わりに矩形の溝が形成され
る。
ｍｍ間隔で平行に延びる一対のＶ溝２ａを形成する。具
体的には、フォトリソグラフィ技術とエッチングとによ
って一対のＶ溝２ａを形成する。積層した導波層３、
４、６用のエッチャントとして、ウエットエッチング用
のＨＦ、フッ化アンモン等と、ドライエッチング用のＣ
2 Ｆ6 等とを用いることができる。また、Ｓｉ基板２用
のエッチャントとして、ウエットエッチング用のＫＯＨ
等と、ドライエッチング用のＳＦ6 等とを用いることが
できる。なお、Ｓｉ基板２のエッチングにドライエッチ
ングを用いた場合、Ｖ溝の代わりに矩形の溝が形成され
る。
【００１４】この場合、一対のＶ溝２ａの形成のため
に、半導体装置の製造で用いるフォトリソグラフィ技術
とエッチング技術とを利用しているので、一対のＶ溝２
ａの形状を精度よく制御することができる。しかも、導
波路の部分４ａとＶ溝２ａを基板２上の同一のマスクア
ライナを用いて形成しているので、導波路の部分４ａと
Ｖ溝２ａの位置関係を極めて精度よく制御することがで
きる。したがって、火炎堆積法等の堆積技術によって導
波路を形成する場合であっても、基板上に予めＶ溝を形
成しておく方法のように、後の導波層の形成によってＶ
溝が埋もれてしまうといった問題が生じない。
に、半導体装置の製造で用いるフォトリソグラフィ技術
とエッチング技術とを利用しているので、一対のＶ溝２
ａの形状を精度よく制御することができる。しかも、導
波路の部分４ａとＶ溝２ａを基板２上の同一のマスクア
ライナを用いて形成しているので、導波路の部分４ａと
Ｖ溝２ａの位置関係を極めて精度よく制御することがで
きる。したがって、火炎堆積法等の堆積技術によって導
波路を形成する場合であっても、基板上に予めＶ溝を形
成しておく方法のように、後の導波層の形成によってＶ
溝が埋もれてしまうといった問題が生じない。
【００１５】図２は、以上の方法によって得られた導波
路装置１０と、同様のＶ溝を備えるファイバホルダ２０
との接続を説明するための図である。
路装置１０と、同様のＶ溝を備えるファイバホルダ２０
との接続を説明するための図である。
【００１６】導波路装置１０の端面には、Ｙ分岐導波路
の部分４ａの一対の端面４ｂが露出している。また、導
波路装置１０に形成された一対のＶ溝２ａは、Ｙ分岐導
波路の部分４ａをはさんで平行に延びている。ファイバ
ホルダ２０は、Ｓｉ基板をフォトリソグラフィ技術を利
用して加工したもので、その表面には一対の光ファイバ
２２を一対の端面４ｂと同一間隔に保つ支持溝（不図
示）が形成されている。これらの光ファイバ２２は上か
ら支持板２４によって押圧され前述の支持溝に密着して
固定される。このファイバホルダ２０側にもフォトリソ
グラフィ技術を用た一対のＶ溝２６が形成されている。
これらのＶ溝２６は、前述のＶ溝２ａと同一の間隔で光
ファイバ２２をはさんで平行に延びる。
の部分４ａの一対の端面４ｂが露出している。また、導
波路装置１０に形成された一対のＶ溝２ａは、Ｙ分岐導
波路の部分４ａをはさんで平行に延びている。ファイバ
ホルダ２０は、Ｓｉ基板をフォトリソグラフィ技術を利
用して加工したもので、その表面には一対の光ファイバ
２２を一対の端面４ｂと同一間隔に保つ支持溝（不図
示）が形成されている。これらの光ファイバ２２は上か
ら支持板２４によって押圧され前述の支持溝に密着して
固定される。このファイバホルダ２０側にもフォトリソ
グラフィ技術を用た一対のＶ溝２６が形成されている。
これらのＶ溝２６は、前述のＶ溝２ａと同一の間隔で光
ファイバ２２をはさんで平行に延びる。
【００１７】図２の導波路装置１０とファイバホルダ２
０との接続における光軸合わせについて簡単に説明す
る。導波路装置１０側のＶ溝２ａからファイバホルダ２
０側のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを通す。これ
らのガイドピンに対して導波路装置１０とファイバホル
ダ２０をバネなどの付勢装置によって機械的に押し付け
ると、ガイドピンがＶ溝２ａ、２６の底面に密着して導
波路装置１０とファイバホルダ２０とを簡易かつ精度よ
く固定することができる。しかも、導波路装置１０とフ
ァイバホルダ２０をパターン精度の高いフォトリソグラ
フィ技術を用いて加工しているので、導波路装置１０側
のＹ分岐導波路部分４ａの端面４ｂとファイバホルダ２
０側の光ファイバの端面との結合において精度の高い光
軸合わせが可能になる。
０との接続における光軸合わせについて簡単に説明す
る。導波路装置１０側のＶ溝２ａからファイバホルダ２
０側のＶ溝２６にかけて一対のガイドピンを通す。これ
らのガイドピンに対して導波路装置１０とファイバホル
ダ２０をバネなどの付勢装置によって機械的に押し付け
ると、ガイドピンがＶ溝２ａ、２６の底面に密着して導
波路装置１０とファイバホルダ２０とを簡易かつ精度よ
く固定することができる。しかも、導波路装置１０とフ
ァイバホルダ２０をパターン精度の高いフォトリソグラ
フィ技術を用いて加工しているので、導波路装置１０側
のＹ分岐導波路部分４ａの端面４ｂとファイバホルダ２
０側の光ファイバの端面との結合において精度の高い光
軸合わせが可能になる。
【００１８】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、導波路形成用の基板としてＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等のIII-V 族半導体の結晶を用いた場合、ドライエ
チング用のエッチャントとしてＢＣｌ3 、ＣＨ4 ／Ｈ2
等を使用することができ、ウエットエチング用のエッチ
ャントとしてＢｒ2 ／ＣＨ3 ＯＨ等を使用することがで
きる。
ない。例えば、導波路形成用の基板としてＧａＡｓ、Ｉ
ｎＰ等のIII-V 族半導体の結晶を用いた場合、ドライエ
チング用のエッチャントとしてＢＣｌ3 、ＣＨ4 ／Ｈ2
等を使用することができ、ウエットエチング用のエッチ
ャントとしてＢｒ2 ／ＣＨ3 ＯＨ等を使用することがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る導波
路装置の作製方法では、第２工程で、導波膜及び基板に
リソグラフィ技術を用いて調心用溝を形成することとし
ているので、得られた調心用溝はパターン精度の高いも
のとなっている。したがって、この導波路装置と、同様
の調心用溝を備える接続装置であってファイバ等を別の
支持溝に固定した接続装置との接続において、ガイドピ
ンとこのガイドピンを導波路装置及び接続装置の調心用
溝に密着させる適当な押圧手段とを用いることで、導波
路装置及び接続装置を精度良く固定することができる。
よって、上記導波路装置によれば、その導波路とファイ
バ等との結合における光軸合わせが高精度かつ容易なも
のとなる。
路装置の作製方法では、第２工程で、導波膜及び基板に
リソグラフィ技術を用いて調心用溝を形成することとし
ているので、得られた調心用溝はパターン精度の高いも
のとなっている。したがって、この導波路装置と、同様
の調心用溝を備える接続装置であってファイバ等を別の
支持溝に固定した接続装置との接続において、ガイドピ
ンとこのガイドピンを導波路装置及び接続装置の調心用
溝に密着させる適当な押圧手段とを用いることで、導波
路装置及び接続装置を精度良く固定することができる。
よって、上記導波路装置によれば、その導波路とファイ
バ等との結合における光軸合わせが高精度かつ容易なも
のとなる。
【図１】実施例の導波路装置の製造方法を示す図。
【図２】図１の導波路装置とファイバホルダとの接続法
を示す図。
を示す図。
２ａ…調心用溝、４ａ…導波路。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に導波膜を形成する第１工程と、
前記導波膜及び前記基板にリソグラフィ技術を用いて調
心用溝を形成する第２工程とを備える導波路装置の作製
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5540792A JPH05257035A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5540792A JPH05257035A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05257035A true JPH05257035A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12997698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5540792A Pending JPH05257035A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波路装置の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05257035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109379A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子アレイ部品及びその製造方法並びに光モジュールの製造方法 |
| JP2012108294A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子アレイ部品及びその製造方法並びに光モジュールの製造方法 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5540792A patent/JPH05257035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109379A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子アレイ部品及びその製造方法並びに光モジュールの製造方法 |
| JP2012108294A (ja) * | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光素子アレイ部品及びその製造方法並びに光モジュールの製造方法 |
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