JPH05258274A - 垂直磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH05258274A JPH05258274A JP5466992A JP5466992A JPH05258274A JP H05258274 A JPH05258274 A JP H05258274A JP 5466992 A JP5466992 A JP 5466992A JP 5466992 A JP5466992 A JP 5466992A JP H05258274 A JPH05258274 A JP H05258274A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は垂直磁気記録方式の磁気ディスク装
置に用いる軟磁性膜上に垂直記録膜を積層した二層膜構
造の垂直磁気記録媒体とその製造方法に関し、軟磁性膜
の透磁率を高めると共に、浮遊磁界による軟磁性膜の磁
壁の移動を抑制して、再生出力の変動と垂直記録膜の情
報磁化の減磁や消磁の発生を防止することを目的とす
る。 【構成】 非磁性基板21上に、該非磁性基板21の半径方
向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で Co-Niか
らなる硬磁性下地膜22を設け、その非磁性基板21の半径
方向、若しくは円周方向に残留磁化が付与された該硬磁
性下地膜22上に高透磁率な軟磁性膜12と Co-Crからなる
垂直記録膜13を順に積層上に形成した構成とする。
置に用いる軟磁性膜上に垂直記録膜を積層した二層膜構
造の垂直磁気記録媒体とその製造方法に関し、軟磁性膜
の透磁率を高めると共に、浮遊磁界による軟磁性膜の磁
壁の移動を抑制して、再生出力の変動と垂直記録膜の情
報磁化の減磁や消磁の発生を防止することを目的とす
る。 【構成】 非磁性基板21上に、該非磁性基板21の半径方
向、若しくは円周方向に磁場を印加した状態で Co-Niか
らなる硬磁性下地膜22を設け、その非磁性基板21の半径
方向、若しくは円周方向に残留磁化が付与された該硬磁
性下地膜22上に高透磁率な軟磁性膜12と Co-Crからなる
垂直記録膜13を順に積層上に形成した構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は垂直磁気記録方式の磁気
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体に係り、
特に記録再生効率が高く、優れた記録再生特性を有する
二層膜構造の垂直磁気記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
ディスク装置に用いて好適な垂直磁気記録媒体に係り、
特に記録再生効率が高く、優れた記録再生特性を有する
二層膜構造の垂直磁気記録媒体とその製造方法に関する
ものである。
【０００２】磁気ディスク装置における情報記録として
は、記録媒体のトラックに対して水平方向に磁化する水
平磁気記録方式が広く用いられているが、この方式では
記録膜に対して水平方向に磁化された微小な磁石が隣の
磁石と反発し合って、互いに磁化を弱め合う傾向にあ
る。このような現象は情報を高密度に記録するほど顕著
になり、情報の高密度記録に対して限界が生じてくる。
は、記録媒体のトラックに対して水平方向に磁化する水
平磁気記録方式が広く用いられているが、この方式では
記録膜に対して水平方向に磁化された微小な磁石が隣の
磁石と反発し合って、互いに磁化を弱め合う傾向にあ
る。このような現象は情報を高密度に記録するほど顕著
になり、情報の高密度記録に対して限界が生じてくる。
【０００３】そこでこの限界を突破するものとして垂直
磁気記録方式が提案され、これを実現する記録媒体とし
て、例えば高透磁率な軟磁性膜上に膜面に対して垂直方
向に磁化して情報記録を行う垂直記録膜を積層した二層
膜構造の垂直磁気記録媒体が実用化されている。
磁気記録方式が提案され、これを実現する記録媒体とし
て、例えば高透磁率な軟磁性膜上に膜面に対して垂直方
向に磁化して情報記録を行う垂直記録膜を積層した二層
膜構造の垂直磁気記録媒体が実用化されている。
【０００４】このような垂直磁気記録媒体での高透磁率
な軟磁性膜は、垂直記録膜を垂直に磁化した垂直磁気ヘ
ッドからの記録磁界を水平方向に通して該垂直磁気ヘッ
ド側へ還流させる前記垂直磁気ヘッドの機能の一部を担
っており、記録磁界の強度を高めて記録・再生効率を向
上させる役目を果たしていることから、より高透磁率な
ものとすることが必要とされる。
な軟磁性膜は、垂直記録膜を垂直に磁化した垂直磁気ヘ
ッドからの記録磁界を水平方向に通して該垂直磁気ヘッ
ド側へ還流させる前記垂直磁気ヘッドの機能の一部を担
っており、記録磁界の強度を高めて記録・再生効率を向
上させる役目を果たしていることから、より高透磁率な
ものとすることが必要とされる。
【０００５】また、前記垂直磁気記録媒体とこれと組合
わせた垂直磁気ヘッドの周囲に浮遊磁界が存在すると、
その磁界により前記軟磁性膜の磁壁が移動して再生出力
や記録磁化が変化する現象があり、そのような現象を防
止することが要望される。
わせた垂直磁気ヘッドの周囲に浮遊磁界が存在すると、
その磁界により前記軟磁性膜の磁壁が移動して再生出力
や記録磁化が変化する現象があり、そのような現象を防
止することが要望される。
【０００６】
【従来の技術】従来の二層膜構造の垂直磁気記録媒体
は、図６の要部断面図に示すようにNiＰ表面処理を施し
たアルミニウム等からなる非磁性基板11上にスパッタリ
ング法、或いはめっき方法等により、例えば１μｍの膜
厚の Ni-Fe合金膜からなる高透磁率な軟磁性膜12と、0.
15μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を積層形
成した構成からなっている。
は、図６の要部断面図に示すようにNiＰ表面処理を施し
たアルミニウム等からなる非磁性基板11上にスパッタリ
ング法、或いはめっき方法等により、例えば１μｍの膜
厚の Ni-Fe合金膜からなる高透磁率な軟磁性膜12と、0.
15μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を積層形
成した構成からなっている。
【０００７】また、記録媒体が小型化されると、複数枚
の小型な非磁性基板をスパッタ装置やめっき装置にセッ
ティングする工数の全工数に対して占める割合が増加
し、生産性が低下することから、多数枚の小型な非磁性
基板が得られる大面積の非磁性母材の表面にクラッド加
工法により Ni-Fe合金膜等を接合、或いはNi-Fe 合金箔
等を圧延し、そのクラッド母材を所定の媒体形状に打抜
いてプレス焼鈍により歪み除去を行った後、そのクラッ
ド基板上にスパッタリング法等により Co-Cr等からなる
垂直記録膜を被着形成した構成としている。
の小型な非磁性基板をスパッタ装置やめっき装置にセッ
ティングする工数の全工数に対して占める割合が増加
し、生産性が低下することから、多数枚の小型な非磁性
基板が得られる大面積の非磁性母材の表面にクラッド加
工法により Ni-Fe合金膜等を接合、或いはNi-Fe 合金箔
等を圧延し、そのクラッド母材を所定の媒体形状に打抜
いてプレス焼鈍により歪み除去を行った後、そのクラッ
ド基板上にスパッタリング法等により Co-Cr等からなる
垂直記録膜を被着形成した構成としている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記非磁性
基板11上にスパッタリング法により形成した Ni-Fe合金
膜からなる軟磁性膜12、或いは前記クラッド加工法によ
り非磁性基板11上に設けた軟磁性膜、軟磁性箔の透磁率
は高々 100程度であり、そのような Ni-Fe合金膜からな
る軟磁性膜をめっき法によりめっき液中で陰極板と対向
させた非磁性基板を回転させて該非磁性基板面に成膜す
ることにより、その被着された軟磁性膜の透磁率は 200
〜300 程度に改善される。
基板11上にスパッタリング法により形成した Ni-Fe合金
膜からなる軟磁性膜12、或いは前記クラッド加工法によ
り非磁性基板11上に設けた軟磁性膜、軟磁性箔の透磁率
は高々 100程度であり、そのような Ni-Fe合金膜からな
る軟磁性膜をめっき法によりめっき液中で陰極板と対向
させた非磁性基板を回転させて該非磁性基板面に成膜す
ることにより、その被着された軟磁性膜の透磁率は 200
〜300 程度に改善される。
【０００９】しかし、このようなめっき法によって形成
された Ni-Fe合金膜からなる軟磁性膜の磁気異方性は等
方的であるため、その透磁率を高めるための改善がなお
不十分であった。
された Ni-Fe合金膜からなる軟磁性膜の磁気異方性は等
方的であるため、その透磁率を高めるための改善がなお
不十分であった。
【００１０】また、このような二層膜構造の垂直磁気記
録媒体は優れた記録再生特性を有しているが、垂直磁気
ヘッドと組合わせたその周囲に浮遊磁界が存在すると、
該浮遊磁界が該垂直磁気ヘッドの主磁極に集中され、そ
の集中磁界により前記軟磁性膜12、或いは軟磁性箔の磁
壁が移動して再生出力が変動してエラーが発生する問題
と、その磁壁の移動が前記垂直磁気ヘッドの主磁極と対
応する領域で発生すると垂直記録膜の記録磁化の減磁や
消磁を起こすという重大な欠点があった。
録媒体は優れた記録再生特性を有しているが、垂直磁気
ヘッドと組合わせたその周囲に浮遊磁界が存在すると、
該浮遊磁界が該垂直磁気ヘッドの主磁極に集中され、そ
の集中磁界により前記軟磁性膜12、或いは軟磁性箔の磁
壁が移動して再生出力が変動してエラーが発生する問題
と、その磁壁の移動が前記垂直磁気ヘッドの主磁極と対
応する領域で発生すると垂直記録膜の記録磁化の減磁や
消磁を起こすという重大な欠点があった。
【００１１】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、非
磁性基板上に設ける軟磁性膜の透磁率を高めると共に、
垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界による軟磁
性膜の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動及び垂直
記録膜の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止する新規な
垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的
とするものである。
磁性基板上に設ける軟磁性膜の透磁率を高めると共に、
垂直磁気ヘッドの主磁極に集中した浮遊磁界による軟磁
性膜の磁壁の移動を抑制して、再生出力の変動及び垂直
記録膜の情報磁化の減磁や消磁の発生を防止する新規な
垂直磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的
とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性膜を介
して Co-Crからなる垂直記録膜を積層した二層膜構造を
有し、垂直磁気ヘッドと組み合わせて使用される垂直磁
気記録媒体において、前記非磁性基板と高透磁率な軟磁
性膜との間に残留磁化を付与した硬磁性下地膜を介在し
てなる構成とする。
達成するため、非磁性基板上に高透磁率な軟磁性膜を介
して Co-Crからなる垂直記録膜を積層した二層膜構造を
有し、垂直磁気ヘッドと組み合わせて使用される垂直磁
気記録媒体において、前記非磁性基板と高透磁率な軟磁
性膜との間に残留磁化を付与した硬磁性下地膜を介在し
てなる構成とする。
【００１３】また、前記硬磁性下地膜の残留磁化の付与
方向を非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向とした
構成とする。更に、非磁性基板上に硬磁性下地膜を、該
非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向に磁場を印加
した状態で形成した後、該硬磁性下地膜上に高透磁率な
軟磁性膜と Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成する構
成とする。
方向を非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向とした
構成とする。更に、非磁性基板上に硬磁性下地膜を、該
非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向に磁場を印加
した状態で形成した後、該硬磁性下地膜上に高透磁率な
軟磁性膜と Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成する構
成とする。
【００１４】更に、非磁性基板上に硬磁性下地膜を形成
し、該硬磁性下地膜に該非磁性基板の半径方向、若しく
は円周方向に磁場を印加して残留磁化を付与した後、そ
の硬磁性下地膜上に高透磁率な軟磁性膜と Co-Crからな
る垂直記録膜を順に形成する構成とする。
し、該硬磁性下地膜に該非磁性基板の半径方向、若しく
は円周方向に磁場を印加して残留磁化を付与した後、そ
の硬磁性下地膜上に高透磁率な軟磁性膜と Co-Crからな
る垂直記録膜を順に形成する構成とする。
【００１５】更に、前記硬磁性下地膜上にめっき法によ
り第１軟磁性膜とスパッタ法により第２軟磁性膜を順次
形成した後、該第２軟磁性膜上に垂直記録膜を形成する
構成とする。
り第１軟磁性膜とスパッタ法により第２軟磁性膜を順次
形成した後、該第２軟磁性膜上に垂直記録膜を形成する
構成とする。
【００１６】更に、非磁性基板上にクラッド法により硬
磁性膜を貼り合わせ、該硬磁性膜に該非磁性基板の半径
方向、若しくは円周方向に磁場を印加して残留磁化を付
与した後、前記硬磁性膜を含む非磁性基板上にクラッド
法により高透磁率な軟磁性膜を貼り合わせ、その軟磁性
膜上に Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成する構成と
する。
磁性膜を貼り合わせ、該硬磁性膜に該非磁性基板の半径
方向、若しくは円周方向に磁場を印加して残留磁化を付
与した後、前記硬磁性膜を含む非磁性基板上にクラッド
法により高透磁率な軟磁性膜を貼り合わせ、その軟磁性
膜上に Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成する構成と
する。
【００１７】
【作用】本発明では、非磁性基板上に該非磁性基板の半
径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与した硬磁性
下地膜を介して、例えば Ni-Feめっき膜からなる高透磁
率な軟磁性膜と Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成し
た媒体構成とすることにより、前記軟磁性膜の磁気異方
性が硬磁性下地膜の残留磁化の方向と同方向に付与され
て透磁率が著しく高められる。
径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与した硬磁性
下地膜を介して、例えば Ni-Feめっき膜からなる高透磁
率な軟磁性膜と Co-Crからなる垂直記録膜を順に形成し
た媒体構成とすることにより、前記軟磁性膜の磁気異方
性が硬磁性下地膜の残留磁化の方向と同方向に付与され
て透磁率が著しく高められる。
【００１８】そして、このような媒体構成では前記硬磁
性下地膜は高保磁力を有し、その残留磁化が浮遊磁界に
より変化することがないので、浮遊磁界により移動する
軟磁性膜の磁壁も該硬磁性下地膜の残留磁化によって抑
止することができる。その結果、前記軟磁性膜の磁壁移
動による再生出力の変動や、垂直記録膜での記録磁化の
減磁、或いは消磁を防止することができる。
性下地膜は高保磁力を有し、その残留磁化が浮遊磁界に
より変化することがないので、浮遊磁界により移動する
軟磁性膜の磁壁も該硬磁性下地膜の残留磁化によって抑
止することができる。その結果、前記軟磁性膜の磁壁移
動による再生出力の変動や、垂直記録膜での記録磁化の
減磁、或いは消磁を防止することができる。
【００１９】また、前記非磁性基板上に該非磁性基板の
半径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与した硬磁
性下地膜を介して、 Ni-Feめっき膜からなる第１軟磁性
膜とNi-Feスパッタ膜からなる第２軟磁性膜を順に積層
形成し、その第２軟磁性膜上に Co-Crからなる垂直記録
膜を形成した媒体構成とすることにより、前記第１，第
２軟磁性膜の磁気異方性が硬磁性下地膜の残留磁化の方
向と同方向に付与されて透磁率が著しく高められ、浮遊
磁界による第１，第２軟磁性膜の磁壁移動も該硬磁性下
地膜の残留磁化によって抑止され、前述したと同様に前
記軟磁性膜の磁壁移動による再生出力の変動や、垂直記
録膜での記録磁化の減磁、或いは消磁が防止される。
半径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与した硬磁
性下地膜を介して、 Ni-Feめっき膜からなる第１軟磁性
膜とNi-Feスパッタ膜からなる第２軟磁性膜を順に積層
形成し、その第２軟磁性膜上に Co-Crからなる垂直記録
膜を形成した媒体構成とすることにより、前記第１，第
２軟磁性膜の磁気異方性が硬磁性下地膜の残留磁化の方
向と同方向に付与されて透磁率が著しく高められ、浮遊
磁界による第１，第２軟磁性膜の磁壁移動も該硬磁性下
地膜の残留磁化によって抑止され、前述したと同様に前
記軟磁性膜の磁壁移動による再生出力の変動や、垂直記
録膜での記録磁化の減磁、或いは消磁が防止される。
【００２０】その上、本実施例では Ni-Feめっき膜から
なる第１軟磁性膜上に形成されたNi-Fe スパッタ膜から
なる第２軟磁性膜の結晶性が前記硬磁性下地膜上に形成
された Ni-Feめっき膜からなる第１軟磁性膜よりも優れ
ていることから、この第２軟磁性膜上に設けた Co-Crか
らなる垂直記録膜の成膜初期層の結晶性も当然のことな
がら良好となり記録再生特性も向上する。
なる第１軟磁性膜上に形成されたNi-Fe スパッタ膜から
なる第２軟磁性膜の結晶性が前記硬磁性下地膜上に形成
された Ni-Feめっき膜からなる第１軟磁性膜よりも優れ
ていることから、この第２軟磁性膜上に設けた Co-Crか
らなる垂直記録膜の成膜初期層の結晶性も当然のことな
がら良好となり記録再生特性も向上する。
【００２１】更に、非磁性基板上にクラッド法により貼
り合わせ、かつ該非磁性基板の半径方向、若しくは円周
方向に残留磁化を付与した硬磁性膜上に、さらに高透磁
率な軟磁性膜をクラッド法により貼り合わせ、その軟磁
性膜上に Co-Crからなる垂直記録膜を形成した媒体構成
とすることによっても、前記軟磁性膜の磁気異方性が硬
磁性膜の残留磁化の方向と同方向に付与されて透磁率が
著しく高められ、浮遊磁界により移動する軟磁性膜の磁
壁も該硬磁性膜の残留磁化によって抑止され、前述した
と同様に前記軟磁性膜の磁壁移動による再生出力の変動
や、垂直記録膜での記録磁化の減磁、或いは消磁を防止
することができる。
り合わせ、かつ該非磁性基板の半径方向、若しくは円周
方向に残留磁化を付与した硬磁性膜上に、さらに高透磁
率な軟磁性膜をクラッド法により貼り合わせ、その軟磁
性膜上に Co-Crからなる垂直記録膜を形成した媒体構成
とすることによっても、前記軟磁性膜の磁気異方性が硬
磁性膜の残留磁化の方向と同方向に付与されて透磁率が
著しく高められ、浮遊磁界により移動する軟磁性膜の磁
壁も該硬磁性膜の残留磁化によって抑止され、前述した
と同様に前記軟磁性膜の磁壁移動による再生出力の変動
や、垂直記録膜での記録磁化の減磁、或いは消磁を防止
することができる。
【００２２】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の第１実施例を説明するための要部断面図
である。
細に説明する。図１は本発明に係る垂直磁気記録媒体と
その製造方法の第１実施例を説明するための要部断面図
である。
【００２３】本実施例では、例えば中心に支持孔を設け
たガラス円板等からなる非磁性基板21上に図示しない0.
02μｍの膜厚のTi膜からなる密着膜を形成し、その密着
膜が形成された非磁性基板21をスパッタ装置内に図２の
模式図で示すようにヨーク33によって磁気的に結合され
た円環状マグネット31と中心の円柱状マグネット32と組
合わせた Co-Niターゲット34と対向配置して該非磁性基
板21の半径方向に磁場を印加した状態で、該 Co-Niター
ゲット34と非磁性基板21間に供給する電力パワー密度を
5.5Ｗ／ｃｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を
230℃のスパッタ条件によるスパッタ法により前記非磁
性基板21上に0.15μｍの膜厚の Co-Niからなる硬磁性下
地膜22を形成する。
たガラス円板等からなる非磁性基板21上に図示しない0.
02μｍの膜厚のTi膜からなる密着膜を形成し、その密着
膜が形成された非磁性基板21をスパッタ装置内に図２の
模式図で示すようにヨーク33によって磁気的に結合され
た円環状マグネット31と中心の円柱状マグネット32と組
合わせた Co-Niターゲット34と対向配置して該非磁性基
板21の半径方向に磁場を印加した状態で、該 Co-Niター
ゲット34と非磁性基板21間に供給する電力パワー密度を
5.5Ｗ／ｃｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を
230℃のスパッタ条件によるスパッタ法により前記非磁
性基板21上に0.15μｍの膜厚の Co-Niからなる硬磁性下
地膜22を形成する。
【００２４】次に、前記非磁性基板の半径方向に残留磁
化を付与した前記硬磁性下地膜22上に、硫酸ニッケル(N
iSO4・6H2O) と硫酸第１鉄(FeSO4・7H2O) を主成分とす
るめっき液中で電流密度が６Ａ／ｄｍ2 の条件によるめ
っき法により１μｍの膜厚のNi-Fe合金膜からなる軟磁
性膜12を形成した後、その軟磁性膜12上に、 Co-Crター
ゲットと非磁性基板21間に供給する電力パワー密度を
5.5Ｗ／ｃｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を
180℃とするスパッタ条件によるスパッタ法により0.13
μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を形成す
る。
化を付与した前記硬磁性下地膜22上に、硫酸ニッケル(N
iSO4・6H2O) と硫酸第１鉄(FeSO4・7H2O) を主成分とす
るめっき液中で電流密度が６Ａ／ｄｍ2 の条件によるめ
っき法により１μｍの膜厚のNi-Fe合金膜からなる軟磁
性膜12を形成した後、その軟磁性膜12上に、 Co-Crター
ゲットと非磁性基板21間に供給する電力パワー密度を
5.5Ｗ／ｃｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を
180℃とするスパッタ条件によるスパッタ法により0.13
μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を形成す
る。
【００２５】なお、必要に応じてその垂直記録膜13上に
潤滑保護膜を設ける。このような媒体構造とすることに
より、単磁極型の垂直磁気ヘッドと組合わせた構成にお
いてそれらの周囲に浮遊磁界が存在しても前記硬磁性下
地膜22の残留磁化が浮遊磁界により変化しないので、そ
の硬磁性下地膜22の残留磁化によって前記軟磁性膜12の
磁壁移動が抑止され、再生出力の変動や、垂直記録膜13
での記録磁化の減磁、或いは消磁を防止することができ
る。
潤滑保護膜を設ける。このような媒体構造とすることに
より、単磁極型の垂直磁気ヘッドと組合わせた構成にお
いてそれらの周囲に浮遊磁界が存在しても前記硬磁性下
地膜22の残留磁化が浮遊磁界により変化しないので、そ
の硬磁性下地膜22の残留磁化によって前記軟磁性膜12の
磁壁移動が抑止され、再生出力の変動や、垂直記録膜13
での記録磁化の減磁、或いは消磁を防止することができ
る。
【００２６】また、図３は本発明に係る垂直磁気記録媒
体とその製造方法の第２実施例を説明するための要部断
面図であり、図１と同等部分には同一符号を付してい
る。この図で示す実施例が図１の第１実施例と異なる点
は、図示しない0.02μｍの膜厚のTi膜からなる密着膜が
形成された中心に支持孔を設けたガラス円板等からなる
非磁性基板21上に、前記第１実施例と同様に該非磁性基
板21の半径方向に磁場を印加した状態で、スパッタ法に
より形成した0.15μｍの膜厚の Co-Niからなる硬磁性下
地膜22上にめっき法により１μｍの膜厚の Ni-Fe合金膜
からなる第１軟磁性膜23を形成し、その第１軟磁性膜23
上に更にスパッタ法により0.15μｍの膜厚の第２軟磁性
膜24を形成した後、その第２軟磁性膜24上にスパッタ法
により0.15μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13
を形成した媒体構造としたことである。なお、必要に応
じてその垂直記録膜13上に潤滑保護膜を設ける。
体とその製造方法の第２実施例を説明するための要部断
面図であり、図１と同等部分には同一符号を付してい
る。この図で示す実施例が図１の第１実施例と異なる点
は、図示しない0.02μｍの膜厚のTi膜からなる密着膜が
形成された中心に支持孔を設けたガラス円板等からなる
非磁性基板21上に、前記第１実施例と同様に該非磁性基
板21の半径方向に磁場を印加した状態で、スパッタ法に
より形成した0.15μｍの膜厚の Co-Niからなる硬磁性下
地膜22上にめっき法により１μｍの膜厚の Ni-Fe合金膜
からなる第１軟磁性膜23を形成し、その第１軟磁性膜23
上に更にスパッタ法により0.15μｍの膜厚の第２軟磁性
膜24を形成した後、その第２軟磁性膜24上にスパッタ法
により0.15μｍの膜厚の Co-Cr等からなる垂直記録膜13
を形成した媒体構造としたことである。なお、必要に応
じてその垂直記録膜13上に潤滑保護膜を設ける。
【００２７】このような第２実施例の構成によっても前
記図１による第１実施例と同様な効果が得られると共
に、前記 Ni-Feスパッタ膜からなる第２軟磁性膜24は N
i-Feめっき膜からなる第１軟磁性膜23よりも結晶性に優
れているので、該第１軟磁性膜23上に介在してCo-Cr 等
からなる垂直記録膜13を形成することにより、該垂直記
録膜13の成膜初期層の結晶性を向上させることができ、
記録再生特性、特に優れた高出力と書込み性が得られ
る。
記図１による第１実施例と同様な効果が得られると共
に、前記 Ni-Feスパッタ膜からなる第２軟磁性膜24は N
i-Feめっき膜からなる第１軟磁性膜23よりも結晶性に優
れているので、該第１軟磁性膜23上に介在してCo-Cr 等
からなる垂直記録膜13を形成することにより、該垂直記
録膜13の成膜初期層の結晶性を向上させることができ、
記録再生特性、特に優れた高出力と書込み性が得られ
る。
【００２８】なお、以上の実施例で説明した前記 Co-Ni
からなる硬磁性下地膜への残留磁化の付与方法として
は、磁場中で硬磁性下地膜を成膜する方法の他に、成膜
後の硬磁性下地膜に磁場を印加する方法を用いることも
できる。
からなる硬磁性下地膜への残留磁化の付与方法として
は、磁場中で硬磁性下地膜を成膜する方法の他に、成膜
後の硬磁性下地膜に磁場を印加する方法を用いることも
できる。
【００２９】また、前記硬磁性下地膜の残留磁化の付与
方向としては、非磁性基板の半径方向に限定されるもの
ではなく、必要に応じて図４に示すように該非磁性基板
11(21)の半径に略等しい長さで、かつヨーク43により磁
気的に結合された２つのマグネット41, 42を用いて該非
磁性基板11(21)を回転させることによりその全面の円周
方向に残留磁化を付与することができる。前記２つのマ
グネット41, 42は永久磁石であるが、電磁石を用いるこ
ともできる。
方向としては、非磁性基板の半径方向に限定されるもの
ではなく、必要に応じて図４に示すように該非磁性基板
11(21)の半径に略等しい長さで、かつヨーク43により磁
気的に結合された２つのマグネット41, 42を用いて該非
磁性基板11(21)を回転させることによりその全面の円周
方向に残留磁化を付与することができる。前記２つのマ
グネット41, 42は永久磁石であるが、電磁石を用いるこ
ともできる。
【００３０】硬磁性下地膜としても、 Co-Ni系合金から
なる硬磁性膜に限定されるものではなく、膜面内磁化が
可能なCo-Cr 系合金等のように硬磁性膜で該膜面内に一
軸異方性が付与され、かつ導電性が高いものであればよ
い。
なる硬磁性膜に限定されるものではなく、膜面内磁化が
可能なCo-Cr 系合金等のように硬磁性膜で該膜面内に一
軸異方性が付与され、かつ導電性が高いものであればよ
い。
【００３１】更に、図５は本発明に係る垂直磁気記録媒
体とその製造方法の第３実施例を説明するための要部断
面図であり、図１と同等部分には同一符号を付してい
る。この図で示す実施例が図１の第１実施例と異なる点
は、銅(Cu)、或いはアルミニウム(Al)等からなる非磁性
基板51上にクラッド法により約10μｍ程度の膜厚のCo-N
iからなる硬磁性膜52を貼り合わせ、その硬磁性膜52に
前記図２に示すようなマグネット、或いは図４に示すよ
うなマグネットを用いて該非磁性基板51の半径方向、或
いは円周方向に磁場を印加して該半径方向、若しくは円
周方向に残留磁化を付与する。
体とその製造方法の第３実施例を説明するための要部断
面図であり、図１と同等部分には同一符号を付してい
る。この図で示す実施例が図１の第１実施例と異なる点
は、銅(Cu)、或いはアルミニウム(Al)等からなる非磁性
基板51上にクラッド法により約10μｍ程度の膜厚のCo-N
iからなる硬磁性膜52を貼り合わせ、その硬磁性膜52に
前記図２に示すようなマグネット、或いは図４に示すよ
うなマグネットを用いて該非磁性基板51の半径方向、或
いは円周方向に磁場を印加して該半径方向、若しくは円
周方向に残留磁化を付与する。
【００３２】または、多数枚の小型な非磁性基板が得ら
れる大面積の非磁性母材の表面に同様なクラッド法によ
り Co-Niからなる硬磁性膜を貼り合わせ、該非磁性母材
を多数枚の小型な非磁性基板に打ち抜いた後、その小型
な各非磁性基板上の硬磁性膜にマグネットを用いて該非
磁性基板の半径方向、或いは円周方向に磁場を印加して
該半径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与する。
れる大面積の非磁性母材の表面に同様なクラッド法によ
り Co-Niからなる硬磁性膜を貼り合わせ、該非磁性母材
を多数枚の小型な非磁性基板に打ち抜いた後、その小型
な各非磁性基板上の硬磁性膜にマグネットを用いて該非
磁性基板の半径方向、或いは円周方向に磁場を印加して
該半径方向、若しくは円周方向に残留磁化を付与する。
【００３３】次に、前記硬磁性膜52上、或いは打ち抜い
た小型な各非磁性基板の硬磁性膜上にクラッド法により
５μｍ程度の膜厚の Ni-Fe膜からなる軟磁性膜53を貼り
合わせた後、その軟磁性膜53上に、 Co-Crターゲットと
非磁性基板51間に供給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃ
ｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を 180℃とす
るスパッタ条件によるスパッタ法により0.13μｍの膜厚
の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を形成する。なお、必
要に応じてその垂直記録膜13上に潤滑保護膜を設ける。
た小型な各非磁性基板の硬磁性膜上にクラッド法により
５μｍ程度の膜厚の Ni-Fe膜からなる軟磁性膜53を貼り
合わせた後、その軟磁性膜53上に、 Co-Crターゲットと
非磁性基板51間に供給する電力パワー密度を 5.5Ｗ／ｃ
ｍ2 ，スパッタガス圧を５Torr，基板温度を 180℃とす
るスパッタ条件によるスパッタ法により0.13μｍの膜厚
の Co-Cr等からなる垂直記録膜13を形成する。なお、必
要に応じてその垂直記録膜13上に潤滑保護膜を設ける。
【００３４】このような媒体構成とすることによって
も、前記図１による第１実施例と同様に前記軟磁性膜53
の磁壁移動による再生出力の変動や、垂直記録膜13での
記録磁化の減磁、或いは消磁を防止することができると
共に、小型、小径の垂直磁気記録媒体を効率良く得るこ
とができる。
も、前記図１による第１実施例と同様に前記軟磁性膜53
の磁壁移動による再生出力の変動や、垂直記録膜13での
記録磁化の減磁、或いは消磁を防止することができると
共に、小型、小径の垂直磁気記録媒体を効率良く得るこ
とができる。
【００３５】なお、上記した硬磁性膜52としては Co-Ni
硬磁性膜に限定されるものではなく、磁場を印加するこ
とにより該膜面内に一軸異方性が付与される膜であれば
よく、また軟磁性膜53も Ni-Fe膜に限定されるものでは
なく高透磁率を有する膜であればよい。
硬磁性膜に限定されるものではなく、磁場を印加するこ
とにより該膜面内に一軸異方性が付与される膜であれば
よく、また軟磁性膜53も Ni-Fe膜に限定されるものでは
なく高透磁率を有する膜であればよい。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、非磁
性基板上に該非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向
に残留磁化を付与した硬磁性下地膜、或いは硬磁性膜を
介して高透磁率な軟磁性膜と垂直記録膜を順に形成した
媒体構成とすることにより、前記軟磁性膜の透磁率が著
しく高められ、記録再生特性及び記録再生効率が向上す
ると共に、浮遊磁界による軟磁性膜の磁壁移動が抑止さ
れるので、浮遊磁界による再生出力の変動や、垂直記録
膜での記録磁化の減磁、或いは消磁が防止され、再生信
号の信頼性の高い垂直磁気記録媒体を得ることができ
る。
に係る垂直磁気記録媒体とその製造方法によれば、非磁
性基板上に該非磁性基板の半径方向、若しくは円周方向
に残留磁化を付与した硬磁性下地膜、或いは硬磁性膜を
介して高透磁率な軟磁性膜と垂直記録膜を順に形成した
媒体構成とすることにより、前記軟磁性膜の透磁率が著
しく高められ、記録再生特性及び記録再生効率が向上す
ると共に、浮遊磁界による軟磁性膜の磁壁移動が抑止さ
れるので、浮遊磁界による再生出力の変動や、垂直記録
膜での記録磁化の減磁、或いは消磁が防止され、再生信
号の信頼性の高い垂直磁気記録媒体を得ることができ
る。
【００３７】また同様な小型小径の垂直磁気記録媒体を
高い製造効率で得ることもできる等、実用上優れた効果
を奏する。
高い製造効率で得ることもできる等、実用上優れた効果
を奏する。
【図１】 本発明の垂直磁気記録媒体とその製造方法の
第１実施例を説明するための要部断面図である。
第１実施例を説明するための要部断面図である。
【図２】 本発明の製造方法における硬磁性下地膜及び
硬磁性膜への残留磁化の付与方法を説明するための概略
斜視図である。
硬磁性膜への残留磁化の付与方法を説明するための概略
斜視図である。
【図３】 本発明の垂直磁気記録媒体とその製造方法の
第２実施例を説明するための要部断面図である。
第２実施例を説明するための要部断面図である。
【図４】 本発明の製造方法における硬磁性下地膜及び
硬磁性膜への残留磁化の他の付与方法を説明するための
概略斜視図である。
硬磁性膜への残留磁化の他の付与方法を説明するための
概略斜視図である。
【図５】 本発明の垂直磁気記録媒体とその製造方法の
第３実施例を説明するための要部断面図である。
第３実施例を説明するための要部断面図である。
【図６】 従来の垂直磁気記録媒体とその製造方法を説
明するための要部断面図である。
明するための要部断面図である。
１２，５３ 軟磁性膜 １３ 垂直記録膜 ２１，５１ 非磁性基板 ２２ 硬磁性下地膜 ２３ 第１軟磁性膜 ２４ 第２軟磁性膜 ３１ 円環状マグネット ３２ 円柱状マグネット ３３，４３ ヨーク ３４ Co-Ni ターゲット ４１，４２ マグネット ５２ 硬磁性膜
Claims (6)
- 【請求項１】 非磁性基板(21)上に高透磁率な軟磁性膜
(12)を介して Co-Crからなる垂直記録膜(13)を積層した
二層膜構造を有し、垂直磁気ヘッドと組み合わせて使用
される垂直磁気記録媒体において、 前記非磁性基板(21)と高透磁率な軟磁性膜(12)との間に
残留磁化を付与した硬磁性下地膜(22)を介在してなるこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 【請求項２】 前記硬磁性下地膜(22)の残留磁化の付与
方向が非磁性基板(21)の半径方向、若しくは円周方向で
あることを特徴とする請求項１の垂直磁気記録媒体。 - 【請求項３】 非磁性基板(21)上に硬磁性下地膜(22)
を、該非磁性基板(21)の半径方向、若しくは円周方向に
磁場を印加した状態で形成した後、該硬磁性下地膜(22)
上に高透磁率な軟磁性膜(12)と Co-Crからなる垂直記録
膜(13)を順に形成することを特徴とする垂直磁気記録媒
体の製造方法。 - 【請求項４】 非磁性基板(21)上に硬磁性下地膜(22)を
形成し、該硬磁性下地膜(22)に該非磁性基板(21)の半径
方向、若しくは円周方向に磁場を印加して残留磁化を付
与した後、その硬磁性下地膜(22)上に高透磁率な軟磁性
膜(12)と Co-Crからなる垂直記録膜(13)を順に形成する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 前記硬磁性下地膜(22)上にめっき法によ
り第１軟磁性膜(23)とスパッタ法により第２軟磁性膜(2
4)を順次形成した後、該第２軟磁性膜(24)上に垂直記録
膜(13)を形成することを特徴とする請求項３、または請
求項４の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 非磁性基板(51)上にクラッド法により硬
磁性膜(52)を貼り合わせ、該硬磁性膜(52)に該非磁性基
板(51)の半径方向、若しくは円周方向に磁場を印加して
残留磁化を付与した後、前記硬磁性膜(52)を含む非磁性
基板(51)上にクラッド法により高透磁率な軟磁性膜(53)
を貼り合わせ、その軟磁性膜(53)上にCo-Crからなる垂
直記録膜(13)を順に形成すること特徴とする垂直磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5466992A JPH05258274A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5466992A JPH05258274A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258274A true JPH05258274A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12977190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5466992A Withdrawn JPH05258274A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05258274A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204995B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Magnetic disc apparatus |
| US6846581B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| US7105239B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US7166375B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| US8231987B2 (en) | 2007-01-02 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic domain data storage devices and methods of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP5466992A patent/JPH05258274A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204995B1 (en) | 1998-02-19 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Magnetic disc apparatus |
| KR100328750B1 (ko) * | 1998-02-19 | 2002-03-14 | 가네꼬 히사시 | 자기 디스크 장치 |
| US7166375B2 (en) | 2000-12-28 | 2007-01-23 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium utilizing a multi-layered soft magnetic underlayer, method of producing the same and magnetic recording and reproducing device |
| US6846581B2 (en) | 2001-03-22 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording-reproducing apparatus using the same |
| US7105239B2 (en) | 2001-11-27 | 2006-09-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus using the same |
| US8231987B2 (en) | 2007-01-02 | 2012-07-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic domain data storage devices and methods of manufacturing the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |