JPH05258360A

JPH05258360A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH05258360A
Application number: JP5383992A
Authority: JP
Inventors: Masakazu Ueno; 正和上野
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1992-03-12
Filing date: 1992-03-12
Publication date: 1993-10-08

Abstract

(57)【要約】【目的】初期化層の保磁力特性を改善して、初期化に
必要な磁界強度を小さくし、ドライブを小型化可能な重
ね書き対応の光磁気記録媒体を実現すること。【構成】光変調方式の光磁気記録ディスク１におい
て、Ｇｄ₂₆Ｔｂ₄Ｆｅ₆₆Ｃｏ₄膜から構成された初期化
層６は、室温における保磁力が小さいので、初期化に必
要な磁界強度が小さい。また、初期化層６は、１６０℃
の補償温度を有するため、Ｔｂ₂₀Ｆｅ₇₂Ｃｏ₈膜から構
成された記録層４のキュリー温度（１７０℃）の近傍に
おける保磁力が高い。それらの層間にはＧｄ₃₀Ｆｅ₇₂Ｃ
ｏ₈膜からなる結合磁界緩和層５を有し、それらの間の
交換結合力が緩和されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関し、
特に、オーバーライト可能な光磁気記録媒体における初
期化層の構成材料に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気光学効果を利用した光磁気記
録ディスクなどの光磁気記録媒体は、高密度および大容
量という長所に加えて、非接触状態での記録、再生が可
能であることから、記録媒体の損傷などのトラブルが発
生しにくく、また、媒体の交換が固定磁気ディスクに比
較して容易である点などの長所も有しており、その将来
性が有望視されている。ここで、旧世代の光磁気記録媒
体は、重ね書きをする場合に、まず旧データを消去した
後に、新データを記録する必要があるため、記録速度を
向上することが難しいという欠点があったが、特開昭６
２−１７５９４８号公報に開示されたもののように、光
変調方式などの採用により記録速度に関する欠点も解消
され、重ね書き可能な記録媒体として実用化されつつあ
る。

【０００３】たとえば、図５に示す光変調方式の光磁気
記録ディスク１ａにおいては、案内溝２ａが形成された
光透過性のディスク基板２の表面側に、偏向面の回転角
を増大させるエンハンス層３と、その表面側の垂直磁化
膜からなる記録層４と、その表面側の垂直磁化膜からな
る初期化層６ａ（補助層）と、その表面側の表面保護層
７とが積層された構造になっている。ここで、記録層４
および初期化層６ａの保磁力特性は、図４に示すよう
に、記録層４は室温では比較的大きな保磁力Ｈ_c1（実線
Ｄで示す。）を有し、かつ、比較的低いキュリー温度Ｔ
_c1を有する一方、初期化層６ａは常温における保磁力Ｈ
_c2（実線Ｅで示す。）が記録層４の常温における保磁力
Ｈ_c1に比して小さく、かつ、記録層４のキュリー温度Ｔ
_c1に比して高いキュリー温度Ｔ_c2を有する。一般に、記
録層４および初期化層６ａには遷移金属類および重稀土
類金属が選択されたアモルファス合金などが利用されて
おり、以下の説明する動作については、記録層４および
初期化層６ａのいずれもが、重稀土類金属のスピンの大
きさが優勢な合金層（以下、Ｒｅリッチと称す。）から
なるものとして説明する。なお、以下の説明において、
磁化および磁界の向きが下向きである場合には↓で表
し、上向きの場合は↑で表す。

【０００４】この構成の光磁気記録ディスク１ａにおい
て、重ね書きする場合には、図３（ａ）および図３
（ｂ）に示すように、まず、先行補助磁石１ｄからの先
行補助磁界Ｈ_iniにより、初期化層６ａの磁化を↓に揃
える。ここで、先行補助磁界Ｈ_in _iは、初期化層６ａの
室温における保磁力Ｈ_c2に比して大きく設定されている
が、記録層４の室温における保磁力Ｈ_c1に比して小さく
設定してあるため、記録層４の磁化は反転しない。

【０００５】つぎに、光磁気記録ディスク１ａに対し
て、図３（ｃ）に示す２値化信号の一方側の信号、たと
えば、信号「１」を記録するために高パワー（１０ｍ
Ｗ）のレーザビームＬを照射する。このレーザビームＬ
の照射によって、記録層４および初期化層６ａの温度が
記録層４のキュリー温度Ｔ_c1以上にまで上昇し、まず記
録層４の磁化が消滅する。続いて、記録層４および初期
化層６ａの温度が初期化層６ａのキュリー温度Ｔ_c2以上
にまで上昇し、初期化層６ａの磁化も消滅する。この状
態において、記録層４および初期化層６ａには補助磁石
１ｂによって↑の補助磁界Ｈｂがかけられている。従っ
て、記録層４および初期化層６ａが初期化層６ａのキュ
リー温度Ｔ_c2以下の温度にまで冷却されていく過程で、
初期化層１３には↑の磁化が発現する。さらに、光磁気
記録ディスク１ａの回転によってレーザビームＬおよび
補助磁界Ｈｂから遠ざかった位置で、記録層４および初
期化層６ａの温度が記録層４のキュリー温度Ｔ_c1以下に
まで冷却されていく過程で、記録層４には初期化層６ａ
の磁化が磁気的結合力により転写されて↑の磁化が発現
する。ここで、記録層４および初期化層６ａがいずれも
Ｒｅリッチの合金であるため、記録層４と初期化層６ａ
との磁化の向きは同方向であるのに対して、たとえば、
記録層４がＲｅリッチの合金であって、初期化層６ａが
ＴＭリッチの合金である場合には、記録層４には初期化
層６ａからの磁気的結合力により逆の向きの磁化、すな
わち、↓の磁化が発現する。

【０００６】一方、光磁気記録ディスク１ａに２値化信
号の他方側の信号「０」を記録するために、記録層４を
↓に磁化させる場合には、低パワー（５ｍＷ）のレーザ
ビームＬを照射する。このレーザビームＬの照射によっ
て、記録層４および初期化層６ａの温度が記録層４のキ
ュリー温度Ｔ_c1以上にまで上昇し、記録層４の磁化は消
滅するが、初期化層６ａの温度は初期化層６ａのキュリ
ー温度Ｔ_c2にまで達していないため、初期化層６ａは先
行補助磁界Ｈ_iniにより磁化された状態のまま、すなわ
ち↓に磁化されたままである。このため、レーザビーム
Ｌおよび補助磁界Ｈｂから遠ざかった位置で、記録層４
がキュリー温度Ｔ_c1以下にまで冷却されると、記録層４
には初期化層６ａの磁化が磁気的結合力により転写され
て↓の磁化が発現する。このようにして、記録層４には
２値化信号に対応して↑または↓の磁化が形成される。

【０００７】このような光変調方式の光磁気記録ディス
ク１ａにおいて、従来は、その初期化層６ａにＴｂ₃₀Ｆ
ｅ₄₆Ｃｏ₂₄膜が使用され、その保磁力特性に応じて、初
期化層６ａを室温で所定の磁化方向に初期化可能なよう
に、先行磁界Ｈ_iniを発生する先行補助磁石１ｄの大き
さが設定される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光磁気記録ディスク１ａにおいて、初期化層６ａを構成
するＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金の室温における保磁力は、
３〜５ｋＯｅと大きいため、この保磁力以上の先行磁界
Ｈ_ini（初期化磁界強度）を発生可能なように、先行補
助磁石１ｄには大きなものを用いているので、光磁気記
録ディスク１ａのドライブ装置を小型化できないという
問題点がある。このような問題点を解消するために、Ｔ
ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金の組成比を変えて、その室温にお
ける保磁力を小さくする方法が考えられる。しかしなが
ら、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金の保磁力特性においては、
たとえば、Ｔｂ₃₀Ｆｅ₄₆Ｃｏ₂₄合金の保磁力特性を図２
に実線１２で示すように、その保磁力は常温から高温側
にかけて小さくなる傾向を有しているため、常温におけ
る保磁力を小さくすると、温度が高い領域（記録層４の
キュリー温度付近）における保磁力も小さくなってしま
い、そのレベルが補助磁界Ｈｂのレベルより小さくなる
と、低パワーのレーザビームＬを照射した場合であって
も、補助磁界Ｈｂによって磁化の向きが反転してしま
う。それ故、初期化層６ａの磁化を記録層４に確実に転
写できず、転写を利用した重ね書きが不可能になるとい
う問題が生じる。

【０００９】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
補償温度を有する垂直磁化膜で初期化層を構成すること
によって、高温側での保磁力を高く維持しながら、常温
における保磁力を小さくして、小さな先行補助磁石で初
期化可能、すなわちドライブ装置を小型化可能な光磁気
記録媒体を実現することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の問題点を解決する
ために、本発明において講じた手段は、光透過性基板の
表面側に、少なくとも、垂直磁化膜からなる記録層と、
室温における保磁力が記録層の室温における保磁力に比
して小さく、キュリー温度が記録層のキュリー温度に比
して高い垂直磁化膜からなる初期化層とを設け、そのう
ち、初期化層を、そのキュリー温度と室温との温度範囲
との間に補償温度を有し、かつ、その補償温度が記録層
のキュリー温度の近傍にある材料、たとえば、少なくと
もＧｄ（ガドリニウム），Ｔｂ（テルビウム）およびＦ
ｅ（鉄）族元素を構成元素として含むアモルファス合金
であって、そのＧｄの含有量とＴｂの含有量との和が２
５ａｔｍ％以上の合金から構成することである。ここ
で、初期化層を構成するアモルファス合金としては、そ
の組成式が、以下の一般式

【００１１】

【化２】

【００１２】で表される合金などを用いることができ
る。

【００１３】また、記録層と初期化層との間の交換結合
力を緩和することによって、記録層または初期化層の不
必要な磁化の反転を防止する目的に、記録層と初期化層
との層間に、少なくとも室温から記録層のキュリー温度
付近までの温度範囲において、記録層および初期化層の
いずれの層の垂直磁気異方性に比しても小さな垂直磁気
異方性を有し、その磁化の傾きによって、記録層と初期
化層との間の交換結合力を緩和する中間層を設けて、光
磁気記録媒体の感度を高く維持しておくことが好まし
い。

【００１４】

【作用】本発明に係る光磁気記録媒体においては、その
初期化層をＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合金にＧｄを添加したア
モルファス合金などで構成して、そのキュリー温度と室
温との温度範囲との間に補償温度を有し、かつ、この補
償温度が記録層のキュリー温度の近傍にある初期化層を
採用しているため、初期化層は、室温の保磁力のレベル
にかかわらず、記録層のキュリー温度の近傍における保
磁力が高い。従って、低パワーのレーザ光を照射したと
きの温度（記録層のキュリー温度の近傍の温度）おける
初期化層の保磁力を高く維持したまま、初期化層の室温
における保磁力を小さくできる。それ故、低パワーのレ
ーザビームを照射した場合に、初期化層の磁化は補助磁
界によって不必要に反転しないため、初期化層の磁化を
記録層に転写しての重ね書きを可能としたまま、初期化
層を小さな先行補助磁石で初期化できるので、光磁気記
録媒体に対するドライブ装置を小型化できる。

【００１５】

【実施例】つぎに、添付図面に基づいて、本発明の一実
施例に係る光磁気記録ディスク（光磁気記録媒体）につ
いて説明する。

【００１６】図１は本例の光磁気記録ディスク（光磁気
記録媒体）の概略断面図であり、図５に示す従来の光磁
気記録ディスクに対応する部分には同符号を付してあ
る。

【００１７】この図において、光磁気記録ディスク１
は、トラッキング用の案内溝２ａが形成された光透過性
のポリカーボネート基板たるディスク基板２の表面側
に、誘電体材料層として厚さが約７５ｎｍにスパッタ形
成された屈折率が２．２のＳｉＯ膜（シリコン酸化膜）
からなるエンハンス層３と、その表面側に厚さが約４０
ｎｍにスパッタ形成された垂直磁化膜からなる記録層４
と、その表面側に厚さが約１０ｎｍにスパッタ形成され
た結合磁界緩和層５（中間層）と、その表面側に厚さが
約１００ｎｍにスパッタ形成された初期化層６と、その
表面側に厚さが約８０ｎｍにスパッタ形成されたＳｉＯ
膜からなる表面保護層７とを有する。ここで、エンハン
ス層３は、ディスク基板２の側から照射されたレーザ光
の反射光の偏光面の回転角を増大させて情報の再生精度
を向上する機能を有する。

【００１８】本例において、記録層４，結合磁界緩和層
５および初期化層６は、以下の磁性材料から構成され、
それらのうち、初期化層６は、図２に実線１１で示す温
度−保磁力特性を有する。まず、記録層４は、遷移金属
のスピンが優勢（ＴＭリッチ）な垂直磁化膜としてスパ
ッタ形成された厚さが約４０ｎｍのＴｂ₂₀Ｆｅ₇₂Ｃｏ₈
膜から構成されており、その保磁力は室温で約１８ｋＯ
ｅであり、そのキュリー温度は約１７０℃である。これ
に対して、初期化層６は、重稀土類金属のスピンが優勢
（Ｒｅリッチ）な垂直磁化膜としてスパッタ形成された
厚さが約１００ｎｍのＧｄ₂₆Ｔｂ₄Ｆｅ₆₆Ｃｏ₄膜から
構成されており、図２に実線１１で示すように、その保
磁力は室温で約１．４ｋＯｅであり、そのキュリー温度
は約２４０℃である。また、初期化層６を構成するＧｄ
₂₆Ｔｂ₄Ｆｅ₆₆Ｃｏ₄は、室温からそのキュリー温度で
ある２４０℃までの間に補償温度を有し、その補償温度
は、約１６０℃であって記録層４のキュリー温度１７０
℃に比較してやや低い温度である。また、結合磁界緩和
層５は、Ｒｅリッチな磁性膜としてスパッタ形成された
厚さが約１０ｎｍのＧｄ₃₀Ｆｅ₇₂Ｃｏ₈膜から構成され
ており、そのキュリー温度は２８０℃であって、その保
磁力は全温度領域において小さく、室温から記録層４の
キュリー温度である１７０℃までの保磁力は０．１ｋＯ
ｅ程度である。また、結合磁界緩和層５は、その垂直磁
気異方性が記録層４および初期化層６のいずれの垂直磁
気異方性よりも小さく、水平磁気異方性も有する。この
ため、記録層４と初期化層６との間の交換結合力を抑制
する機能を有する。従って、以下の説明において、結合
磁界緩和層５の磁化方向については、上向きの磁化を
（↑）で表し、矢印に（）を付して、記録層４および初
期化層６の磁化の向きと区別する。なお、記録層４，結
合磁界緩和層５および初期化層６は、いずれも遷移金属
類および重稀土金属類を含む合金として構成されてお
り、遷移金属原子のスピンの向きと、重稀土類原子のス
ピンの向きは、必ず反対になっている。このため、これ
らの合金の外部に現れる磁化の向きおよび大きさは、遷
移金属原子および重稀土金属類原子のスピンの大きさの
差によって規定される。

【００１９】このような構成の光磁気記録ディスク１の
使用態様を、図２，図３および図４を参照して説明す
る。ここで、先行補助磁界Ｈ_iniのレベル（図４に一点
鎖線Ｆで示す。）、すなわち初期化磁界強度は約２ｋＯ
ｅであり、常温における記録層４の保磁力Ｈ_C1と常温に
おける初期化層６の保磁力Ｈ_C2と間にある一方、補助磁
界Ｈｂのレベル（図４に一点鎖線Ｇで示す。）、すなわ
ち補助磁界強度は約０．３ｋＯｅであり、記録層４およ
び初期化層６の常温における保磁力Ｈ_c1，Ｈ_C2に比して
小さく設定されている。

【００２０】なお、光変調方式の光磁気記録装置におい
ては、図３（ａ）に示すように、約７．５ｍ／ｓｅｃの
周速度で回転する光磁気記録ディスク１に対して、先行
補助磁石１ｄからは先行補助磁界Ｈ_iniがかけられ、そ
の後に、補助磁石１ｂから補助磁界１ｂがかけられる。
ここで、先行補助磁界Ｈ_iniの向きおよび補助磁界Ｈｂ
の向きは光磁気記録ディスク１を構成する記録層４およ
び初期化層６の材料の保磁力特性などに応じて設定さ
れ、本例のように、初期化層４を構成する材料が補償温
度を有している場合には、いずれの磁界方向も同じ向き
に設定される。本例では、先行補助磁界Ｈ_iniおよび補
助磁界Ｈｂのいずれの向きも、上向き（以下、↑で表
す。）に設定され、さらに、光磁気記録ディスク１に対
しては、図３（ａ），（ｂ）に示すように、開口数が約
０．５５の対物レンズ１ｃを介して、レーザ光波長が約
８３０ｎｍのレーザビームＬが照射されるようになって
おり、そのレーザパワーは、図３（ｃ）に示すように、
記録レベル（高パワー）として約７．５ｍＷ、消去レベ
ル（低パワー）として約３ｍＷのパルス状に制御されて
いる。ここで、レーザパワーの各パルスは、それぞれ、
記録されるべき情報に基づいて変換された２値化信号に
対応しており、本例においては、２値化信号のうち、信
号「１」に高パワーが対応し、信号「０」に低パワーが
対応している。そして、レーザビームＬを光磁気記録デ
ィスク１にスポット的に照射したときには、そのレーザ
パワーに対応して、その照射領域が所定の温度に加熱さ
れ、低パワーのときには記録層４および初期化層６の温
度が１７０℃（記録層４のキュリー温度）よりやや高い
温度にまで高められ、また、高パワーのときには記録層
４および初期化層６の温度が２４０℃（初期化層６のキ
ュリー温度）よりやや高い温度にまで高められる。ここ
で、信号「１」，「０」とレーザパワーとの対応は、上
記の組合せと逆であってもよい。

【００２１】かかる光磁気記録ディスク１に対して重ね
書きする場合には、まず、先行する先行補助磁界Ｈ_ini
により、初期化層６の磁化を↑に揃える。ここで、先行
補助磁界Ｈ_iniは２ｋＯｅに設定されており、初期化層
５の室温における保磁力である約１．４ｋＯｅに比して
大きく設定されている。この２ｋＯｅという初期化磁界
強度は従来の光磁気記録ディスクに対する初期化磁界強
度に比して小さなレベルであり、これを発生する先行補
助磁石１ｄは従来のドライブ装置に設けられている先行
補助磁石に比して小さなものである。これに対して、記
録層４の室温における保磁力１８ｋＯｅに比して小さく
設定されている。このため、記録層４の磁化は、反転す
ることなく旧データに対応する向きに磁化された状態に
維持されるのに対して、初期化層６の磁化は↑に揃えら
れる。ここで、結合磁界緩和層５の磁化も（↑）に揃え
られ、オーバーライト前に初期化層６の磁化が反転する
ことを防止している。

【００２２】つぎに、光磁気記録ディスク１に２値化信
号の一方側の信号、たとえば、信号「１」を記録するた
めに、光磁気記録ディスク１に対して記録レベルに相当
する高パワーのレーザビームＬをディスク基板２の側か
ら照射する。このレーザビームＬの照射によって、記録
層４および初期化層６の温度がいずれも１７０℃（記録
層４のキュリー温度Ｔ_c1）以上にまで上昇すると、ま
ず、記録層４の磁化が消滅する。続いて、記録層４およ
び初期化層６の温度がいずれも２４０℃（初期化層６の
キュリー温度Ｔ_c2）以上にまで上昇し、初期化層６の磁
化も消滅する。この状態において、記録層４および初期
化層６には、０．３ｋＯｅの補助磁界Ｈｂが↑にかけら
れている。このため、レーザビームＬのスポット領域か
ら外れて、記録層４および初期化層６が初期化層６のキ
ュリー温度Ｔ_c2である２４０℃以下にまで冷却されてい
く過程において、初期化層６には補助磁界Ｈｂの向きに
対応して↑の磁化が発現した後、初期化層６および記録
層４は、記録層４のキュリー温度である１７０℃以下に
まで冷却されていく。この間の初期化層６ではＴＭスピ
ンの方が大きく、その磁化は↑であるが、初期化層６が
その補償温度である１６０℃以下にまで冷却されていく
過程で、初期化層６では、ＲｅスピンおよびＴＭスピン
の向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転して、その
磁化は↓に反転する。この過程で、記録層４には、初期
化層６および結合磁界緩和層５からの磁気的結合力が作
用する。ここで、初期化層６および結合磁界緩和層５を
構成する重稀土金属類原子のスピンは、記録層４を構成
する重稀土金属類原子のスピンを同じ向きに揃え、その
稀土類金属原子は、記録層４を構成する稀土類金属原子
のスピンを同じ向きに揃える性質を有するため、ＴＭリ
ッチの記録層４には、Ｒｅリッチの初期化層６および結
合磁界緩和層５の磁化が転写されて、↑の磁化が発現す
る。

【００２３】一方、光磁気記録ディスク１に２値化信号
の他方側の信号「０」を記録するために、光磁気記録デ
ィスク１に対して消去レベルに相当する低パワーのレー
ザビームＬをディスク基板２の側から照射する。ここで
も、光磁気記録ディスク１に対しては、０．３ｋＯｅの
補助磁界Ｈｂがかけられる。それまで、初期化層６は先
行補助磁界Ｈ_iniによって初期化されて↑に磁化された
状態にある。ここで、低パワーのレーザビームＬが照射
されると、記録層４および初期化層６の温度が１７０℃
（記録層４のキュリー温度Ｔ_c1）よりやや高い温度にま
で上昇し、記録層４の磁化が消滅する。ここで、初期化
層６は、そのキュリー温度Ｔ_c2である２４０℃にまで達
していないと共に、この温度付近に補償温度を有してい
るため、その保磁力が高いので、補助磁界Ｈｂの影響を
受けない。但し、初期化層６の補償温度が１６０℃であ
るため、初期化層６においては、ＲｅスピンおよびＴＭ
スピンの向きは変わらずに、強度の大小関係が逆転し
て、その磁化は↓に反転する。この状態で、初期化層６
ではＴＭスピンの方が大きいが、初期化層６がその補償
温度である１６０℃以下にまで冷却されていく過程で、
その磁化は↑に反転する。このため、レーザビームＬお
よび補助磁界Ｈｂから遠ざかった位置で、記録層４の温
度がそのキュリー温度Ｔ_c1である１７０℃以下にまで低
下した以降において、記録層４には初期化層６の磁化が
転写されて、↓の磁化が発現する。

【００２４】このようにして情報が記録された光磁気記
録ディスク１からの情報の再生は、極めて低レベルのレ
ーザビームをディスク基板２に照射して、記録層４から
レーザ光を反射させて行われる。ここで、記録層４で反
射されたレーザ光は、その磁気カー効果または磁気ファ
ラデー効果とよばれる現象によって、記録層４の磁化の
向きによって偏光面が回転するため、その偏光面が情報
に対応する。そこで、レーザ光の反射径路に軸が傾けら
れた偏光子を配置しておくと、２値化された情報のう
ち、一方の情報に対応する偏光面を有するレーザ光のみ
が通過してくる。

【００２５】それ故、このレーザ光を電気信号に変換す
れば、光磁気記録ディスク１に記録されていた２値化信
号を再生することができる。

【００２６】そこで、本例の光磁気記録ディスク１に対
して、パルス幅（Ｔ）が６７ｎｓの３Ｔ信号（周期３
Ｔ）と８Ｔ信号（周期が８Ｔ）とを交互にオーバーライ
トして、そのＣＮ比（キャリヤ対ノイズ比）および消去
比（旧データのＣＮＲの消去された度合い）を評価し
た。その結果、３Ｔ信号におけるＣＮ比および８Ｔ信号
におけるＣＮ比は、それぞれ４８ｄＢ，５６ｄＢであ
り、安定したオーバーライト特性を示す。また、消去比
はＣＮ比と同じレベルであり、完全に消去されることが
確認されている。従って、本例の光磁気記録ディスク１
は、重ね書き可能であって、しかも重ね書き不可能な旧
世代の光磁気記録ディスクと同等以上の消去比を有す
る。

【００２７】以上のとおり、本例の光磁気記録ディスク
１において、その初期化層６はＧｄ₂₆Ｔｂ₄Ｆｅ₆₆Ｃｏ
₄膜から構成されているため、図２に実線１１で示すよ
うに、室温における保磁力が１．４ｋＯｅと低く、しか
も、記録層４のキュリー温度付近に補償温度を有してい
るため、低パワーのレーザビームＬを照射したときの温
度において高い保磁力を有する。このため、低パワーの
レーザビームＬを照射した場合であっても、初期化層６
は補助磁界Ｈｂの影響を受けて磁化が反転しないので、
初期化層６の磁化方向を記録層４に確実に転写すること
ができる。しかも、室温の保磁力が１．４ｋＯｅと小さ
いため、初期化層６を初期化するための先行補助磁界Ｈ
_iniが小さくと済む。従って、小さな先行補助磁石１ｄ
で初期化できるので、光磁気記録装置のディスク側を小
型化できる。これに対して、従来の光磁気記録ディスク
の初期化層に用いられているＴｂ₃₀Ｆｅ₄₆Ｃｏ₂₄膜にお
いては、図２に実線１２で示したように、その常温にお
ける保磁力が３ｋＯｅと大きいので、光磁気記録装置の
ディスク側の小型化は不可能である。ここで、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ系合金において、組成をＴｂ₃₀Ｆｅ₄₆Ｃｏ₂₄か
らＴｂの含有量を増大した組成に変更することによっ
て、室温の保磁力を小さくすることはできるが、この場
合には、記録層のキュリー温度付近（転写温度）におけ
る保磁力も低下して補助磁界Ｈｂ以下の保磁力になって
しまうので、重ね書き動作が不可能になってしまう。

【００２８】また、本例の光磁気記録ディスク１におい
ては、記録層４と初期化層６との層間に、これらの層の
垂直磁気異方性よりも小さな垂直磁気異方性を有するＧ
ｄ₂₆Ｆｅ₇₀Ｃｏ₄膜たる結合磁界緩和層５を有してい
る。このため、先行補助磁界Ｈ_iniによって↑に磁化
（初期化）された初期化層６が、オーバーライト前に、
記録層４からの結合磁界によって↓に磁化されることが
ない。ここで、記録層４からの結合磁界を小さくするこ
とは、各層の膜厚さを大きくすることによっても可能で
あるが、本例のように結合磁界緩和層５を有する場合に
は、初期化層６または記録層４を薄くした構造のまま
で、不必要な磁化の反転を防止でき、光磁気記録ディス
ク１の熱容量を小さく維持できるので、レーザパワーに
対する光磁気記録ディスク１の感度が高い。

【００２９】なお、本例においては、記録層のキュリー
温度を１７０℃に設定してあるが、その組成を変えて、
キュリー温度を任意に設定してもよい。ここで、レーザ
パワーに対する感度やマージンなどを考慮した場合に
は、そのキュリー温度を１２０〜２００℃に設定してお
くことが好ましく、この場合にも、初期化層の組成を変
えて、常温における保磁力が小さく、かつ、記録層のキ
ュリー温度の付近に補償温度が存在する組成に設定すれ
ばよい。たとえば、本願発明者が検討した結果からは、
初期化層を、Ｇｄ，ＴｂおよびＦｅ族元素を構成元素と
して含むアモルファス合金から構成し、かつ、そのＧｄ
の含有量とＴｂの含有量との和を２５ａｔｍ％以上に設
定することによって、初期化層の保磁力特性を適正な範
囲に設定できる。とくに、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系合
金においては、Ｇｄの組成比を２０〜２８ａｔｍ％、Ｔ
ｂの組成比を３〜１０ａｔｍ％、かつ、Ｇｄの組成比お
よびＴｂの組成比の合計を２５〜３５ａｔｍ％に設定
し、さらに、Ｃｏの組成比を１０ａｔｍ％以下に設定す
ることによって、初期化層の保磁力特性を、常温におい
て保磁力が小さく、かつ、キュリー温度が１２０〜２０
０℃の範囲にある記録層に対応した補償温度を有するも
のにすることができる。なお、初期化層のキュリー温度
については、その補償温度より５０〜１００℃高い温度
に設定しておくことが好ましい。

【００３０】

【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る光磁気記録
媒体においては、その初期化層に、そのキュリー温度と
室温との温度範囲との間に補償温度を有し、かつこの補
償温度が記録層のキュリー温度の近傍にある材料、たと
えば、Ｇｄ，ＴｂおよびＦｅ族元素を構成元素として含
み、かつ、ＧｄとＴｂの含有量が２５ａｔｍ％以上を含
むアモルファス合金などを採用することに特徴を有す
る。従って、本発明によれば、初期化層の室温における
保磁力を小さくしても、記録層のキュリー温度の近傍に
補償温度を有するため、記録層のキュリー温度の近傍に
おける保磁力が高いので、重ね書き特性を犠牲とするこ
となく、小さな先行補助磁石で初期化することができ、
光磁気記録装置のディスク側を小型化できる。

【００３１】また、記録層と初期化層との層間に交換結
合力を緩和する中間層を設けた場合には、初期化層など
が薄い構造のままで、不必要な磁化の反転を防止でき、
光磁気記録媒体の感度を犠牲とすることなく、その信頼
性を向上できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る光磁気記録ディスクの構
成を示す概略断面図である。

【図２】本発明の実施例に係る光磁気記録ディスクに用
いた初期化層および従来の光磁気記録ディスクに用いた
初期化層の温度と保磁力との関係を示すグラフ図であ
る。

【図３】（ａ）は光磁気記録ディスクに対して補助磁界
および先行補助磁界をかける補助磁界および先行補助磁
界の配置を示す概略構成図、（ｂ）は光磁気記録ディス
クに対するオーバーライト動作を示す概念図、（ｃ）は
光磁気記録ディスクに照射されるレーザビームのレーザ
パワーの波形図である。

【図４】光磁気記録ディスクに用いる記録層および初期
化層の温度と保磁力との関係を示すグラフ図である。

【図５】従来の光磁気記録ディスクの構成を示す概略断
面図である。

【符号の説明】

１，１ａ・・・光磁気記録ディスク（光磁気記録媒体）２・・・ディスク基板３・・・エンハンス層４・・・記録層５・・・結合磁界緩和層（中間層）６，６ａ・・・初期化層７・・・保護層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光透過性基板の表面側に、少なくとも、
垂直磁化膜からなる記録層と、室温における保磁力が前
記記録層の室温における保磁力に比して小さく、キュリ
ー温度が前記記録層のキュリー温度に比して高い垂直磁
化膜からなる初期化層と、を有し、前記初期化層は、そ
のキュリー温度と室温との間に補償温度を有し、かつ、
その補償温度が前記記録層のキュリー温度の近傍にある
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】請求項１において、前記初期化層は、少
なくともＧｄ，ＴｂおよびＦｅ族元素を構成元素として
含むアモルファス合金からなり、そのＧｄの含有量とＴ
ｂの含有量との和が２５ａｔｍ％以上であることを特徴
とする光磁気記録媒体。
【請求項３】請求項２において、前記アモルファス合
金の組成式は、以下の一般式【化１】で表されること特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかの項
において、前記記録層と前記初期化層との層間には、少
なくとも室温から前記記録層のキュリー温度付近までの
温度範囲において、前記記録層および前記初期化層のい
ずれの層の垂直磁気異方性に比しても小さな垂直磁気異
方性を有し、その磁化の傾きによって前記記録層と前記
初期化層との間の交換結合力を緩和すべき中間層を有す
ることを特徴とする光磁気記録媒体。