JPH0525951B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0525951B2 JPH0525951B2 JP57226021A JP22602182A JPH0525951B2 JP H0525951 B2 JPH0525951 B2 JP H0525951B2 JP 57226021 A JP57226021 A JP 57226021A JP 22602182 A JP22602182 A JP 22602182A JP H0525951 B2 JPH0525951 B2 JP H0525951B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- electrode
- plasma cvd
- cathode electrode
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、平面電極型プラズマCVD装置の構
造に係り、特にカソード電極の構造に関するもの
である。 〔従来技術〕 一般に、平面電極型プラズマCVD装置におい
ては、カソード電極にステンレスが使用されてい
る。 このようなプラズマCVD装置を用いて薄膜を
堆積した場合、カソード電極はプラズマに晒され
るため荷電粒子によりスパツタリングされて、堆
積される薄膜の汚染源となる。従つてこのような
装置で形成した薄膜の特性は非常に悪いという欠
点があつた。例えばアモルフアスシリコン（ａ−
Si）を用いたダイオード特性は、第１図に示した
如く非常に悪いものである。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、特性の良い薄膜を得るためのプラズマ
CVD装置に関する。 〔発明の概要〕 上記目的は、プラズマを用いて薄膜を形成する
平面電極型CVD装置において、電極（カソード）
をスパツタ率の小さな材料から成るコーテイング
用膜で被覆することにより達成される。材料は例
えば酸化硅素（SiO2）、窒化硅素（SiNx）、酸化
アルミニウム（Al2O3）の中から選ばれた一種類
の物質とする。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第２図により詳細に説明する。
第２図は本発明に適用するカソード電極の構造を
示す。１は高周波およびガス導入用軸、２はガス
をシヤワー状に射出する袋状カソード電極ヘツ
ド、３はスパツタリング法で形成した電極コーテ
イング用酸化硅素（SiO2）膜である。次表に各
物質のスパツタ率を示す。
造に係り、特にカソード電極の構造に関するもの
である。 〔従来技術〕 一般に、平面電極型プラズマCVD装置におい
ては、カソード電極にステンレスが使用されてい
る。 このようなプラズマCVD装置を用いて薄膜を
堆積した場合、カソード電極はプラズマに晒され
るため荷電粒子によりスパツタリングされて、堆
積される薄膜の汚染源となる。従つてこのような
装置で形成した薄膜の特性は非常に悪いという欠
点があつた。例えばアモルフアスシリコン（ａ−
Si）を用いたダイオード特性は、第１図に示した
如く非常に悪いものである。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、特性の良い薄膜を得るためのプラズマ
CVD装置に関する。 〔発明の概要〕 上記目的は、プラズマを用いて薄膜を形成する
平面電極型CVD装置において、電極（カソード）
をスパツタ率の小さな材料から成るコーテイング
用膜で被覆することにより達成される。材料は例
えば酸化硅素（SiO2）、窒化硅素（SiNx）、酸化
アルミニウム（Al2O3）の中から選ばれた一種類
の物質とする。 〔発明の実施例〕 以下、本発明を第２図により詳細に説明する。
第２図は本発明に適用するカソード電極の構造を
示す。１は高周波およびガス導入用軸、２はガス
をシヤワー状に射出する袋状カソード電極ヘツ
ド、３はスパツタリング法で形成した電極コーテ
イング用酸化硅素（SiO2）膜である。次表に各
物質のスパツタ率を示す。
実施例で述べたように、プラズマCVD装置に
おいて、カソード電極のプラズマに晒される表面
をスパツタ率の小さな絶縁物で被覆することによ
り、アモルフアスシリコン（ａ−Si）の膜特性を
大巾に改善することが出来、第１図に示した如
く、アモルフアスシリコンを用いたダイオード特
性を向上させることが出来る。
おいて、カソード電極のプラズマに晒される表面
をスパツタ率の小さな絶縁物で被覆することによ
り、アモルフアスシリコン（ａ−Si）の膜特性を
大巾に改善することが出来、第１図に示した如
く、アモルフアスシリコンを用いたダイオード特
性を向上させることが出来る。
第１図は本実施例による具体的改善効果を示す
特性グラフ、第２図は本実施例によるカソード電
極の断面図である。 １……高周波及びガス導入用軸、２……カソー
ド電極ヘツド、３……絶縁膜被覆。
特性グラフ、第２図は本実施例によるカソード電
極の断面図である。 １……高周波及びガス導入用軸、２……カソー
ド電極ヘツド、３……絶縁膜被覆。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ プラズマを用いて薄膜を形成する平面電極型
CVD装置において、電極（カソード）をスパツ
タ率の小さな材料から成るコーテイング用膜で被
覆したことを特徴とするプラズマCVD装置。 ２ 前記材料が酸化硅素（SiO2）、窒化硅素
（SiNx）、酸化アルミニウム（Ａ2O3）の中から
選ばれた一種類の物質であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22602182A JPS59116369A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22602182A JPS59116369A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59116369A JPS59116369A (ja) | 1984-07-05 |
| JPH0525951B2 true JPH0525951B2 (ja) | 1993-04-14 |
Family
ID=16838539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22602182A Granted JPS59116369A (ja) | 1982-12-24 | 1982-12-24 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59116369A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US6497118B1 (en) | 2000-09-19 | 2002-12-24 | Corning Incorporated | Method and apparatus for reducing refractory contamination in fused silica processes |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54184357U (ja) * | 1978-06-19 | 1979-12-27 | ||
| JPS58181865A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | Citizen Watch Co Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
-
1982
- 1982-12-24 JP JP22602182A patent/JPS59116369A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59116369A (ja) | 1984-07-05 |
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