JPH05259567A - 導波形多重量子井戸光制御素子 - Google Patents
導波形多重量子井戸光制御素子Info
- Publication number
- JPH05259567A JPH05259567A JP4054517A JP5451792A JPH05259567A JP H05259567 A JPH05259567 A JP H05259567A JP 4054517 A JP4054517 A JP 4054517A JP 5451792 A JP5451792 A JP 5451792A JP H05259567 A JPH05259567 A JP H05259567A
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- Japan
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- quantum well
- multiple quantum
- waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ＭＱＷ層に平行な電界を印加して素子容量やス
ポット径を最適化し、低電圧動作で広帯域をもち、低挿
入損失で高性能小形の導波形多重量子井戸光制御素子を
得る。 【構成】ＭＱＷの両側を第３半導体層で挾んで導波構造
とし、導波構造を各層に垂直な面内で挾み、互いに異な
る導電形になるよう不純物を添加する。
ポット径を最適化し、低電圧動作で広帯域をもち、低挿
入損失で高性能小形の導波形多重量子井戸光制御素子を
得る。 【構成】ＭＱＷの両側を第３半導体層で挾んで導波構造
とし、導波構造を各層に垂直な面内で挾み、互いに異な
る導電形になるよう不純物を添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光変調や光スイッチ等
を行い、特に超高速で低電圧駆動が可能な高光結合効率
をもつ、高性能小形の導波形多重量子井戸光制御素子に
関するものである。
を行い、特に超高速で低電圧駆動が可能な高光結合効率
をもつ、高性能小形の導波形多重量子井戸光制御素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光変調や光スイッチを行う光デバイス
は、高速性、低電圧駆動、低挿入損失、の３点が
重要である。これらは互いに独立でなく相互に依存し合
っており、デバイスの用途に応じて設計されている。近
年の結晶成長技術の進展により良好な特性をもつ半導体
多重量子井戸（Ｍultiple Ｑuantum Ｗell：以下ＭＱＷ
という）構造が作製され、その量子サイズ効果を利用す
ることによって、従来のバルクを用いた素子よりも高効
率で小形の光変調器や光スイッチ等が報告されている
（例えば、電子情報通信学会論文誌Ｃ‐１、Ｊ７４‐Ｃ
‐１巻、pp.４１４‐４２０）が、上記３重要点を同時
には満たしておらず、３ｄＢ帯域は４０ＧＨz以上と広
いのに対し消光比２０ｄＢを得るのに必要な電圧は７Ｖ
と高く、挿入損失も１３ｄＢと大きな値になっている。
通常、この種のデバイスでは帯域幅が素子容量で制限さ
れており、電圧を小さくするにはＭＱＷ層を薄くすれば
よいが、その結果、素子容量が増加し帯域は狭くなって
しまう。これは図３に示すように、ＭＱＷ層１３の両側
をＰ，Ｎの高ドープされた層１２，１４で挾み、Ｐ電極
１８およびＮ電極１９によりＭＱＷ層１３に垂直な方向
に電界を印加し量子閉じ込めシュタルク効果を利用して
いるためである。また、ＭＱＷ層を薄くすれば光の閉じ
込めは弱くなり、ＰおよびＮが高ドープされた層に光が
もれ、そこでフリーキャリア吸収を受けて伝搬損失が増
加してしまう。一方、上記ＭＱＷ層に平行な方向に電界
を印加する試みが、Ｄ．Ｓ．Ｃhemmla らによって米国
応用物理学会誌（Ａpplied Ｐhysics Ｌetters）４２
巻、（１９８３年）第８６４頁から第８６６頁に報告さ
れているが、５００Ｖ以上の電圧を要し、到底実用には
ならなかった。これはＭＱＷ層に平行な方向に電界を印
加するのに図４に示すような構造を採用したため、電界
がクラッド層にもかかり、また、ＭＱＷ層には電界強度
が不均一にかかってしまったためである。
は、高速性、低電圧駆動、低挿入損失、の３点が
重要である。これらは互いに独立でなく相互に依存し合
っており、デバイスの用途に応じて設計されている。近
年の結晶成長技術の進展により良好な特性をもつ半導体
多重量子井戸（Ｍultiple Ｑuantum Ｗell：以下ＭＱＷ
という）構造が作製され、その量子サイズ効果を利用す
ることによって、従来のバルクを用いた素子よりも高効
率で小形の光変調器や光スイッチ等が報告されている
（例えば、電子情報通信学会論文誌Ｃ‐１、Ｊ７４‐Ｃ
‐１巻、pp.４１４‐４２０）が、上記３重要点を同時
には満たしておらず、３ｄＢ帯域は４０ＧＨz以上と広
いのに対し消光比２０ｄＢを得るのに必要な電圧は７Ｖ
と高く、挿入損失も１３ｄＢと大きな値になっている。
通常、この種のデバイスでは帯域幅が素子容量で制限さ
れており、電圧を小さくするにはＭＱＷ層を薄くすれば
よいが、その結果、素子容量が増加し帯域は狭くなって
しまう。これは図３に示すように、ＭＱＷ層１３の両側
をＰ，Ｎの高ドープされた層１２，１４で挾み、Ｐ電極
１８およびＮ電極１９によりＭＱＷ層１３に垂直な方向
に電界を印加し量子閉じ込めシュタルク効果を利用して
いるためである。また、ＭＱＷ層を薄くすれば光の閉じ
込めは弱くなり、ＰおよびＮが高ドープされた層に光が
もれ、そこでフリーキャリア吸収を受けて伝搬損失が増
加してしまう。一方、上記ＭＱＷ層に平行な方向に電界
を印加する試みが、Ｄ．Ｓ．Ｃhemmla らによって米国
応用物理学会誌（Ａpplied Ｐhysics Ｌetters）４２
巻、（１９８３年）第８６４頁から第８６６頁に報告さ
れているが、５００Ｖ以上の電圧を要し、到底実用には
ならなかった。これはＭＱＷ層に平行な方向に電界を印
加するのに図４に示すような構造を採用したため、電界
がクラッド層にもかかり、また、ＭＱＷ層には電界強度
が不均一にかかってしまったためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＱＷ構造に電界を加
えたときに、吸収係数がどのように変化するかを図２に
示す。図２において（ａ）は層に垂直、（ｂ）は層に平
行の場合を示す。ＭＱＷ構造では励起子と呼ばれる鋭い
吸収線が室温でも存在し、これが電界印加により図２
（ａ）ではその半値幅をやや広げながら長波長側にシフ
トするのに対して、図２（ｂ）ではピーク位置は変わら
ずに低電界でその半値幅を大きく広げる。上記電界の強
さは（ａ）の場合に比べて１桁以上小さく、これまでは
上記従来の技術で記したように図２（ａ）に示す機構が
多く用いられてきた。これはＭＱＷ層に垂直に電界を印
加するために、ノンドープＭＱＷ層をＰ形およびＮ形不
純物のドープ層で挾む構造（いわゆるＰＩＮ構造）が採
用された。そのため、図５に示すようにＭＱＷ層の厚さ
で素子容量および電圧の大きさが制限され、一定の電界
の強さを得るにはＭＱＷ層の厚さを薄くせざるを得ず、
その結果、素子容量やフリーキャリア吸収の増大をもた
らし周波数応答特性が延びず、伝搬損失が増加するとい
う問題があった。また、上記周波数応答特性をある程度
保持するにはＭＱＷ層の厚さを一定の厚さ以上にするた
め、導波路を伝搬する光のスポット径は小さくなり、光
ファイバとの結合損失が大きくなるという問題があっ
た。
えたときに、吸収係数がどのように変化するかを図２に
示す。図２において（ａ）は層に垂直、（ｂ）は層に平
行の場合を示す。ＭＱＷ構造では励起子と呼ばれる鋭い
吸収線が室温でも存在し、これが電界印加により図２
（ａ）ではその半値幅をやや広げながら長波長側にシフ
トするのに対して、図２（ｂ）ではピーク位置は変わら
ずに低電界でその半値幅を大きく広げる。上記電界の強
さは（ａ）の場合に比べて１桁以上小さく、これまでは
上記従来の技術で記したように図２（ａ）に示す機構が
多く用いられてきた。これはＭＱＷ層に垂直に電界を印
加するために、ノンドープＭＱＷ層をＰ形およびＮ形不
純物のドープ層で挾む構造（いわゆるＰＩＮ構造）が採
用された。そのため、図５に示すようにＭＱＷ層の厚さ
で素子容量および電圧の大きさが制限され、一定の電界
の強さを得るにはＭＱＷ層の厚さを薄くせざるを得ず、
その結果、素子容量やフリーキャリア吸収の増大をもた
らし周波数応答特性が延びず、伝搬損失が増加するとい
う問題があった。また、上記周波数応答特性をある程度
保持するにはＭＱＷ層の厚さを一定の厚さ以上にするた
め、導波路を伝搬する光のスポット径は小さくなり、光
ファイバとの結合損失が大きくなるという問題があっ
た。
【０００４】本発明は、ＭＱＷ層に平行な電界を印加で
きるようにして、従来のこの種の変調器やスイッチ等に
固有のＭＱＷ層厚で規定された素子容量やスポット径を
それぞれ独立に最適化して、低電圧で動作し、広帯域を
持ち低挿入損失であり、高性能で小形の導波形多重量子
井戸光制御素子を得ることを目的とする。
きるようにして、従来のこの種の変調器やスイッチ等に
固有のＭＱＷ層厚で規定された素子容量やスポット径を
それぞれ独立に最適化して、低電圧で動作し、広帯域を
持ち低挿入損失であり、高性能で小形の導波形多重量子
井戸光制御素子を得ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、第１のバン
ドギャップをもち障壁層を形成する第１半導体層と、第
２のバンドギャップをもち井戸層を形成する第２半導体
層とを、交互に積層して形成した多重量子井戸層を有す
る導波形多重量子井戸光制御素子において、上記多重量
子井戸層の両側を上記第１半導体層と同等かそれより小
さい屈折率をもつ第３半導体層で挾んで導波構造を形成
し、上記導波構造を上記各層に垂直な面内で挾み、互い
に一方を他方とその導電形が異なるように不純物を添加
して、上記多重量子井戸層に平行に外部から電圧を印加
するようにすることによって達成される。
ドギャップをもち障壁層を形成する第１半導体層と、第
２のバンドギャップをもち井戸層を形成する第２半導体
層とを、交互に積層して形成した多重量子井戸層を有す
る導波形多重量子井戸光制御素子において、上記多重量
子井戸層の両側を上記第１半導体層と同等かそれより小
さい屈折率をもつ第３半導体層で挾んで導波構造を形成
し、上記導波構造を上記各層に垂直な面内で挾み、互い
に一方を他方とその導電形が異なるように不純物を添加
して、上記多重量子井戸層に平行に外部から電圧を印加
するようにすることによって達成される。
【０００６】
【作用】本発明の構造では、ＭＱＷ層を導波構造として
用い、電界がかかる方向をＭＱＷ層に平行になるように
しているため、低電界で大きな吸収係数変化と屈折率変
化が得られ、かつ、素子容量がＭＱＷ層厚によらずその
幅によって決まるため、応答速度の制限要因である素子
容量が小さく、高速応答が可能である。また、上記ＭＱ
Ｗ層厚を薄くすることができるのでこれを導波する光の
モードスポット径は広げられ、シングルモードファイバ
との結合損失が低減でき（図６）、素子の挿入損失が少
ない。さらに、ＭＱＷ層に平行に電圧が印加できるよう
にするために設けられたＰ，Ｎの不純物の添加層は、イ
オン注入または不純物拡散により形成して混晶化を生じ
させ、その屈折率やバンドギャップエネルギを、上記不
純物が添加されていない部分よりそれぞれ小さく、およ
び大きくして、横方向における光の閉じ込めを良好に
し、かつ、縦方向における光の閉じ込めを上記ＭＱＷ層
の厚さを制御することによって変化させ、上記導波構造
を伝搬する光波の光導波構造横方向のスポット径と上下
方向のスポット径をほぼ等しくし、結合損失を低減する
ことができる。
用い、電界がかかる方向をＭＱＷ層に平行になるように
しているため、低電界で大きな吸収係数変化と屈折率変
化が得られ、かつ、素子容量がＭＱＷ層厚によらずその
幅によって決まるため、応答速度の制限要因である素子
容量が小さく、高速応答が可能である。また、上記ＭＱ
Ｗ層厚を薄くすることができるのでこれを導波する光の
モードスポット径は広げられ、シングルモードファイバ
との結合損失が低減でき（図６）、素子の挿入損失が少
ない。さらに、ＭＱＷ層に平行に電圧が印加できるよう
にするために設けられたＰ，Ｎの不純物の添加層は、イ
オン注入または不純物拡散により形成して混晶化を生じ
させ、その屈折率やバンドギャップエネルギを、上記不
純物が添加されていない部分よりそれぞれ小さく、およ
び大きくして、横方向における光の閉じ込めを良好に
し、かつ、縦方向における光の閉じ込めを上記ＭＱＷ層
の厚さを制御することによって変化させ、上記導波構造
を伝搬する光波の光導波構造横方向のスポット径と上下
方向のスポット径をほぼ等しくし、結合損失を低減する
ことができる。
【０００７】
【実施例】つぎに本発明の実施例を図面とともに説明す
る。図１は本発明による導波形多重量子井戸光制御素子
の一実施例を示す構成図、図２は多重量子井戸構造に電
界を印加したときの吸収係数の変化を示す図で、（ａ）
は垂直方向に印加した場合、（ｂ）は平行方向に印加し
た場合を示す図である。
る。図１は本発明による導波形多重量子井戸光制御素子
の一実施例を示す構成図、図２は多重量子井戸構造に電
界を印加したときの吸収係数の変化を示す図で、（ａ）
は垂直方向に印加した場合、（ｂ）は平行方向に印加し
た場合を示す図である。
【０００８】図１において、絶縁性ＩnＰ基板１の上
に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）または分子線エ
ピタキシャル法（ＭＢＥ）によりノンドープＩnＡlＡs
クラッド層２を０.３μｍ、厚さ７.５ｎｍのＩnＧaＡs
層を井戸層とし厚さ５ｎｍのＩnＡlＡs層を障壁層とす
る量子井戸構造５周期からなるＭＱＷ光導波層３、ノン
ドープＩnＡlＡsクラッド層４を１〜２μｍ，ＩnＧaＡs
キャップ層５を０.５μｍ成長させた。つぎにＳiＮ膜を
マスクにして各層に垂直な面内で幅１〜４μｍを挾んで
互いに一方が他方とその導電形が異なるように不純物を
添加して、外部から上記ＭＯＷ層３に平行に電圧を印加
できるように、Ｐ形不純物を添加した部分６とＮ形不純
物を添加した部分７とを形成する。このとき、上記不純
物を添加した部分をイオン注入または不純物拡散により
形成してそこに混晶化を生じさせ、その屈折率およびバ
ンドギャップエネルギを上記不純物を添加されていない
部分よりそれぞれ小さくおよび大きくしておく。上記不
純物がない領域上のキャップ層５を選択的に除去し、上
記Ｐ形不純物添加領域６とＮ形不純物添加領域７とに、
Ｐ電極８およびＮ電極９をそれぞれ形成する。
に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）または分子線エ
ピタキシャル法（ＭＢＥ）によりノンドープＩnＡlＡs
クラッド層２を０.３μｍ、厚さ７.５ｎｍのＩnＧaＡs
層を井戸層とし厚さ５ｎｍのＩnＡlＡs層を障壁層とす
る量子井戸構造５周期からなるＭＱＷ光導波層３、ノン
ドープＩnＡlＡsクラッド層４を１〜２μｍ，ＩnＧaＡs
キャップ層５を０.５μｍ成長させた。つぎにＳiＮ膜を
マスクにして各層に垂直な面内で幅１〜４μｍを挾んで
互いに一方が他方とその導電形が異なるように不純物を
添加して、外部から上記ＭＯＷ層３に平行に電圧を印加
できるように、Ｐ形不純物を添加した部分６とＮ形不純
物を添加した部分７とを形成する。このとき、上記不純
物を添加した部分をイオン注入または不純物拡散により
形成してそこに混晶化を生じさせ、その屈折率およびバ
ンドギャップエネルギを上記不純物を添加されていない
部分よりそれぞれ小さくおよび大きくしておく。上記不
純物がない領域上のキャップ層５を選択的に除去し、上
記Ｐ形不純物添加領域６とＮ形不純物添加領域７とに、
Ｐ電極８およびＮ電極９をそれぞれ形成する。
【０００９】なお、導波構造における不純物が添加され
ていない幅を１〜４μｍとし、その厚さを０.０５〜０.
３μｍとすれば、上記導波構造を伝搬する光波の光導波
構造横方向のスポット径と上下方向のスポット径とをほ
ぼ等しくすることができる。また、導波構造の光と相互
作用する素子の長さと導波構造を伝搬する光の吸収係数
との積は、２.３を越えることが望ましい。
ていない幅を１〜４μｍとし、その厚さを０.０５〜０.
３μｍとすれば、上記導波構造を伝搬する光波の光導波
構造横方向のスポット径と上下方向のスポット径とをほ
ぼ等しくすることができる。また、導波構造の光と相互
作用する素子の長さと導波構造を伝搬する光の吸収係数
との積は、２.３を越えることが望ましい。
【００１０】上記実施例はＩnＧaＡs／ＩnＡlＡs系ＭＱ
Ｗ構造に対する実施例について記載したが、本発明は他
のＭＱＷ構造、例えばＩnＧaＡs／ＩnＰ，ＩnＧaＡs／
ＩnＧaＡsＰ，ＩnＧaＡlＡs／ＩnＡlＡs，ＧaＡs／Ａl
ＧaＡs等のＭＱＷ構造にも適用できることはいうまでも
ない。
Ｗ構造に対する実施例について記載したが、本発明は他
のＭＱＷ構造、例えばＩnＧaＡs／ＩnＰ，ＩnＧaＡs／
ＩnＧaＡsＰ，ＩnＧaＡlＡs／ＩnＡlＡs，ＧaＡs／Ａl
ＧaＡs等のＭＱＷ構造にも適用できることはいうまでも
ない。
【００１１】
【発明の効果】上記のように本発明による導波形多重量
子井戸光制御素子は、第１のバンドギャップをもち障壁
層を形成する第１半導体層と、第２のバンドギャップを
もち井戸層を形成する第２半導体層とを、交互に積層し
て形成した多重量子井戸層を有する導波形多重量子井戸
光制御素子において、上記多重量子井戸層の両側を上記
第１半導体層と同等かそれより小さい屈折率をもつ第３
半導体層で挾んで導波構造を形成し、上記導波構造を上
記各層に垂直な面内で挾み、互いに一方を他方とその導
電形が異なるように不純物を添加して、上記多重量子井
戸層に平行に外部から電圧を印加するようにしたことに
より、導波路の幅を１〜４μｍ程度に設定しておけばＭ
ＱＷ層にかかる電界の強さを適当にでき、かつ、駆動電
圧は最大数Ｖで動作する。このとき、素子容量は導波路
の幅で規定できるので、従来のＭＱＷ層に垂直に電界を
かけていた素子に比べ、数倍から１桁以上の高速応答が
観測できる。また、ＭＱＷ層の厚さを素子容量に無関係
にできるのでＭＱＷ層厚を０.０５〜０.３μｍと薄くし
て、光ファイバとの結合効率を従来のＭＱＷ層に垂直に
電界をかけていた素子に比べ数倍良好にすることができ
る。
子井戸光制御素子は、第１のバンドギャップをもち障壁
層を形成する第１半導体層と、第２のバンドギャップを
もち井戸層を形成する第２半導体層とを、交互に積層し
て形成した多重量子井戸層を有する導波形多重量子井戸
光制御素子において、上記多重量子井戸層の両側を上記
第１半導体層と同等かそれより小さい屈折率をもつ第３
半導体層で挾んで導波構造を形成し、上記導波構造を上
記各層に垂直な面内で挾み、互いに一方を他方とその導
電形が異なるように不純物を添加して、上記多重量子井
戸層に平行に外部から電圧を印加するようにしたことに
より、導波路の幅を１〜４μｍ程度に設定しておけばＭ
ＱＷ層にかかる電界の強さを適当にでき、かつ、駆動電
圧は最大数Ｖで動作する。このとき、素子容量は導波路
の幅で規定できるので、従来のＭＱＷ層に垂直に電界を
かけていた素子に比べ、数倍から１桁以上の高速応答が
観測できる。また、ＭＱＷ層の厚さを素子容量に無関係
にできるのでＭＱＷ層厚を０.０５〜０.３μｍと薄くし
て、光ファイバとの結合効率を従来のＭＱＷ層に垂直に
電界をかけていた素子に比べ数倍良好にすることができ
る。
【００１２】上記は吸収係数変化を利用した強度変調器
を対象にしたが、吸収係数変化は屈折率変化とクラマー
ス・クレーニッヒの関係にあり、屈折率変化を利用した
位相変調器や、屈折率変化に伴う干渉を利用した強度変
調器にも適用することが可能である。
を対象にしたが、吸収係数変化は屈折率変化とクラマー
ス・クレーニッヒの関係にあり、屈折率変化を利用した
位相変調器や、屈折率変化に伴う干渉を利用した強度変
調器にも適用することが可能である。
【図１】本発明による導波形多重量子井戸光制御素子の
一実施例を示す構成図である。
一実施例を示す構成図である。
【図２】多重量子井戸構造に電界を印加したときの吸収
係数変化を示す図で、（ａ）は垂直方向に電界印加した
場合を示し、（ｂ）は平行方向に電界印加した場合を示
す図である。
係数変化を示す図で、（ａ）は垂直方向に電界印加した
場合を示し、（ｂ）は平行方向に電界印加した場合を示
す図である。
【図３】多重量子井戸構造に垂直方向に電界印加する従
来の導波形多重量子井戸光制御素子の概略構成図であ
る。
来の導波形多重量子井戸光制御素子の概略構成図であ
る。
【図４】多重量子井戸構造に平行方向に電界印加する従
来の導波形多重量子井戸光制御素子の概略構成図であ
る。
来の導波形多重量子井戸光制御素子の概略構成図であ
る。
【図５】多重量子井戸構造に垂直方向に電界印加する従
来の導波形多重量子井戸光制御素子の素子性能を示す図
である。
来の導波形多重量子井戸光制御素子の素子性能を示す図
である。
【図６】多重量子井戸構造に垂直方向に電界印加する従
来の導波形多重量子井戸光制御素子の素子性能を示す図
である。
来の導波形多重量子井戸光制御素子の素子性能を示す図
である。
２，４…第３半導体層（ＩnＡlＡsクラッド層） ３…多重量子井戸層 ６…Ｐ形不純物領域 ７…Ｎ形不純物領域
Claims (1)
- 【請求項１】第１のバンドギャップをもち障壁層を形成
する第１半導体層と、第２のバンドギャップをもち井戸
層を形成する第２半導体層とを、交互に積層して形成し
た多重量子井戸層を有する導波形多重量子井戸光制御素
子において、上記多重量子井戸層の両側を上記第１半導
体層と同等かそれより小さい屈折率をもつ第３半導体層
で挾んで導波構造を形成し、上記導波構造を上記各層に
垂直な面内で挾み、互いに一方を他方とその導電形が異
なるように不純物を添加して、上記多重量子井戸層に平
行に、外部から電圧を印加するようにしたことを特徴と
する導波形多重量子井戸光制御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054517A JPH05259567A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波形多重量子井戸光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4054517A JPH05259567A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波形多重量子井戸光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259567A true JPH05259567A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12972846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4054517A Pending JPH05259567A (ja) | 1992-03-13 | 1992-03-13 | 導波形多重量子井戸光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259567A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798552B2 (en) | 2002-02-18 | 2004-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light modulator |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371826A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JPH0219824A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Hitachi Metals Ltd | 光変調器 |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPH0348219A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
| JPH04184416A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Ltd | 光変調器およびその製造方法 |
| JPH04505224A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-09-10 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | モノリシック半導体高調波レーザ光源 |
| JPH05158085A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 光変調装置及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-03-13 JP JP4054517A patent/JPH05259567A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6371826A (ja) * | 1986-09-16 | 1988-04-01 | Hitachi Ltd | 光半導体装置 |
| JPH0219824A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Hitachi Metals Ltd | 光変調器 |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPH0348219A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-01 | Hitachi Ltd | 光変調器 |
| JPH04505224A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-09-10 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | モノリシック半導体高調波レーザ光源 |
| JPH04184416A (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-01 | Fujitsu Ltd | 光変調器およびその製造方法 |
| JPH05158085A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Fujitsu Ltd | 光変調装置及びその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798552B2 (en) | 2002-02-18 | 2004-09-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light modulator |
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