JPH05263288A - 電気めっき方法 - Google Patents
電気めっき方法Info
- Publication number
- JPH05263288A JPH05263288A JP6246092A JP6246092A JPH05263288A JP H05263288 A JPH05263288 A JP H05263288A JP 6246092 A JP6246092 A JP 6246092A JP 6246092 A JP6246092 A JP 6246092A JP H05263288 A JPH05263288 A JP H05263288A
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- plating
- hole
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気めっき方法に関し、めっき生成領域の大
小に係わらず、めっき層を均一厚さにすることを目的と
する。 【構成】 めっきさせようとする金属の板４を陽極に接
続し、面積が異なる複数のめっき領域７a,7bが配設され
た物体５を陰極に接続し、物体５の近傍には金属板４と
対向し，少なくとも広いめっき領域7aのそれぞれに対向
する透孔8aと狭いめっき領域7bのそれぞれに対向する透
孔8bとがあけられ，広いめっき領域7aに対する透孔8aの
開口率より狭いめっき領域7bに対する透孔8bの開口率が
小である格子板６を物体５と並列に該陰極と接続し、金
属板４と物体５と格子板６とをめっき液２に浸漬し、め
っき液２にめっき電流を流すように構成する。
小に係わらず、めっき層を均一厚さにすることを目的と
する。 【構成】 めっきさせようとする金属の板４を陽極に接
続し、面積が異なる複数のめっき領域７a,7bが配設され
た物体５を陰極に接続し、物体５の近傍には金属板４と
対向し，少なくとも広いめっき領域7aのそれぞれに対向
する透孔8aと狭いめっき領域7bのそれぞれに対向する透
孔8bとがあけられ，広いめっき領域7aに対する透孔8aの
開口率より狭いめっき領域7bに対する透孔8bの開口率が
小である格子板６を物体５と並列に該陰極と接続し、金
属板４と物体５と格子板６とをめっき液２に浸漬し、め
っき液２にめっき電流を流すように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気めっき方法、特に、
めっき面積が異なる複数個の領域に対し、均一厚さに電
気めっきするための方法に関する。
めっき面積が異なる複数個の領域に対し、均一厚さに電
気めっきするための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電気めっきは、陽極に接続しため
っきさせようとする金属板を陽極に接続し、めっきしよ
うとする物体を陰極に接続し、電解液に該金属と物体と
を浸漬し、該物体の表面に該金属の層を析出させる。
っきさせようとする金属板を陽極に接続し、めっきしよ
うとする物体を陰極に接続し、電解液に該金属と物体と
を浸漬し、該物体の表面に該金属の層を析出させる。
【０００３】かかる電気めっきは、回路基板の導体パタ
ーン例えばバンプを用いて半導体装置を実装したりワイ
ヤ接続するパッドの作成にも利用されている。しかしな
がら、例えば 100μm 角のパッドと50μm 角のパッドと
が同一基板に混在するとき、大面積のパッドよりも小面
積のパッドに金属イオンが集中するため、 100μm 角の
パッドに生成されるめっき層より、50μm 角のパッドに
生成されるめっき層が厚くなる。
ーン例えばバンプを用いて半導体装置を実装したりワイ
ヤ接続するパッドの作成にも利用されている。しかしな
がら、例えば 100μm 角のパッドと50μm 角のパッドと
が同一基板に混在するとき、大面積のパッドよりも小面
積のパッドに金属イオンが集中するため、 100μm 角の
パッドに生成されるめっき層より、50μm 角のパッドに
生成されるめっき層が厚くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
大小のパッドが混在する回路基板において、小さいパッ
ドに生成しためっき層は、大きいパッドのそれより厚く
なり、厚さが必要以上になったり、めっき荒れやめっき
焼けが生じ易く、ワイヤ接続等に対する信頼性が損なわ
れることがあった。
大小のパッドが混在する回路基板において、小さいパッ
ドに生成しためっき層は、大きいパッドのそれより厚く
なり、厚さが必要以上になったり、めっき荒れやめっき
焼けが生じ易く、ワイヤ接続等に対する信頼性が損なわ
れることがあった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】面積が異なる領域に生成
したこめっき厚を均一化せしめることを目的とした本発
明方法は、実施例を示す図１によれば、めっきさせよう
とする金属の板４を電源装置３の陽極に接続し、面積が
異なる複数のめっき領域７a,7bが配設された物体（回路
基板）５を電源装置３の陰極に接続し、被めっき物体５
の近傍には金属板４と対向し，少なくとも広い該めっき
領域７a のそれぞれに対向する透孔８aと狭い該めっき
領域７b のそれぞれに対向する透孔８b とがあけられ，
広い該めっき領域７a に対する該透孔８a の開口率より
狭い該めっき領域７b に対する該透孔８b の開口率が小
である格子板６を被めっき物体５と並列に該陰極と接続
し、金属板４と被めっき物体５と格子板６とをめっき液
２に浸漬し、めっき液２にめっき電流を流すことであ
る。
したこめっき厚を均一化せしめることを目的とした本発
明方法は、実施例を示す図１によれば、めっきさせよう
とする金属の板４を電源装置３の陽極に接続し、面積が
異なる複数のめっき領域７a,7bが配設された物体（回路
基板）５を電源装置３の陰極に接続し、被めっき物体５
の近傍には金属板４と対向し，少なくとも広い該めっき
領域７a のそれぞれに対向する透孔８aと狭い該めっき
領域７b のそれぞれに対向する透孔８b とがあけられ，
広い該めっき領域７a に対する該透孔８a の開口率より
狭い該めっき領域７b に対する該透孔８b の開口率が小
である格子板６を被めっき物体５と並列に該陰極と接続
し、金属板４と被めっき物体５と格子板６とをめっき液
２に浸漬し、めっき液２にめっき電流を流すことであ
る。
【０００６】
【作用】上記手段によれば、格子板６を配設しその格子
板には、広いめっき領域７a に対向する透孔８a と狭い
めっき領域７b に対向する透孔８b を設け、領域７a に
対する透孔８a の開口率より、領域７b に対する透孔８
b の開口率を小としたことにより、領域７a と７b に生
成されるめっき層を同一厚さにすることが可能になる。
板には、広いめっき領域７a に対向する透孔８a と狭い
めっき領域７b に対向する透孔８b を設け、領域７a に
対する透孔８a の開口率より、領域７b に対する透孔８
b の開口率を小としたことにより、領域７a と７b に生
成されるめっき層を同一厚さにすることが可能になる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明方法の実施例におけるめっき装
置の概略図(イ) と金属イオン制御板の一部分を拡大した
平面図(ロ) 、図２は本発明方法の他の実施例におけるめ
っき装置の概略図、図３は本発明方法に係わる金属イオ
ン制御板に形成した透孔の他の実施例の説明図である。
置の概略図(イ) と金属イオン制御板の一部分を拡大した
平面図(ロ) 、図２は本発明方法の他の実施例におけるめ
っき装置の概略図、図３は本発明方法に係わる金属イオ
ン制御板に形成した透孔の他の実施例の説明図である。
【０００８】図１(イ) において、めっき槽１にはめっき
液２を注入し、電源装置３の陽極に接続した金属板（め
っきさせようとする金属の板）４と、電源装置３の陰極
に接続した回路基板（めっき層を生成させる物体）５
と、回路基板５と並列に電源装置３の陰極と接続した格
子板６とは、めっき液２に浸漬する。
液２を注入し、電源装置３の陽極に接続した金属板（め
っきさせようとする金属の板）４と、電源装置３の陰極
に接続した回路基板（めっき層を生成させる物体）５
と、回路基板５と並列に電源装置３の陰極と接続した格
子板６とは、めっき液２に浸漬する。
【０００９】回路基板５に並行し例えば数mm程度に接近
する格子板６は、金属板に多数の透孔をエッチング等に
よりあけた網目状であり、図１(ロ) に示す如く、回路基
板５の大きいパッド７a に対する角形透孔８a の開口率
より、小さいパッド７b に対する角形透孔８b の開口率
を小さく、例えば 100μm 角のパッド７a に対向する透
孔８a を 100〜120 μm 角とし、50μm 角のパッド７b
に対向する透孔を35μm 角程度とする。
する格子板６は、金属板に多数の透孔をエッチング等に
よりあけた網目状であり、図１(ロ) に示す如く、回路基
板５の大きいパッド７a に対する角形透孔８a の開口率
より、小さいパッド７b に対する角形透孔８b の開口率
を小さく、例えば 100μm 角のパッド７a に対向する透
孔８a を 100〜120 μm 角とし、50μm 角のパッド７b
に対向する透孔を35μm 角程度とする。
【００１０】そこで、金属板４と回路基板５および格子
板６に所定の電圧を印加し、めっき液２にめっき電流を
流すと、回路基板５のパッド７a,７b にはめっき層が生
成されると共に、金属イオンの一部は格子板６によって
遮られ、格子板６にもめっき層が生成されることにな
る。
板６に所定の電圧を印加し、めっき液２にめっき電流を
流すと、回路基板５のパッド７a,７b にはめっき層が生
成されると共に、金属イオンの一部は格子板６によって
遮られ、格子板６にもめっき層が生成されることにな
る。
【００１１】しかし、透孔８a は透孔８b よりもめっき
液２および金属イオンが透過し易いため、大面積のパッ
ド７a には従来方法におけるときとほぼ同速度でめっき
層が生成される反面、従来方法で小面積のパッド７b に
対し金属イオンが集中するという現象が解消し、パッド
７a と７b には同一厚さのめっき層が生成されるように
なる。
液２および金属イオンが透過し易いため、大面積のパッ
ド７a には従来方法におけるときとほぼ同速度でめっき
層が生成される反面、従来方法で小面積のパッド７b に
対し金属イオンが集中するという現象が解消し、パッド
７a と７b には同一厚さのめっき層が生成されるように
なる。
【００１２】なお、格子板６にあける透孔の他の実施例
は、大きいパッド７a には複数本の縞状（スリット状）
の透孔が横切るようにし、小さいパッド７b には網目状
にあけた複数個の透孔が対向するようにする。または、
大きいパッド７a には粗い網目状の透孔が対向し、小さ
いパッド７b には細かい網目状の透孔が対向する。或い
は、大きいパッド７a を覆う桟幅で網目状の透孔を形成
し、かつ、大きいパッド７a および小さいパッド７b が
透孔と重ならないようにする。
は、大きいパッド７a には複数本の縞状（スリット状）
の透孔が横切るようにし、小さいパッド７b には網目状
にあけた複数個の透孔が対向するようにする。または、
大きいパッド７a には粗い網目状の透孔が対向し、小さ
いパッド７b には細かい網目状の透孔が対向する。或い
は、大きいパッド７a を覆う桟幅で網目状の透孔を形成
し、かつ、大きいパッド７a および小さいパッド７b が
透孔と重ならないようにする。
【００１３】図２において、めっき槽１にはめっき液２
を注入し、電源装置３の陽極に接続した金属板４と、電
源装置３の陰極に図示しない導体パターンを接続した回
路基板５と、可変抵抗器９を介して回路基板５と並列に
電源装置３の陰極と接続した格子板６とは、めっき液２
に浸漬する。
を注入し、電源装置３の陽極に接続した金属板４と、電
源装置３の陰極に図示しない導体パターンを接続した回
路基板５と、可変抵抗器９を介して回路基板５と並列に
電源装置３の陰極と接続した格子板６とは、めっき液２
に浸漬する。
【００１４】可変抵抗器９は格子板６に流れる電流を制
御し、格子板６に流れる電流が回路基板５に流れる電流
より適当に小さくする。その結果、格子板６に生成され
るめっき層の厚さは、図１に示す如く可変抵抗器９を使
用しないときに比べ薄くなり、回路基板５に対するめっ
き効率がよくなる。
御し、格子板６に流れる電流が回路基板５に流れる電流
より適当に小さくする。その結果、格子板６に生成され
るめっき層の厚さは、図１に示す如く可変抵抗器９を使
用しないときに比べ薄くなり、回路基板５に対するめっ
き効率がよくなる。
【００１５】図３(イ) において、大形のパッド７a に対
向する透孔８a ′および小形のパッド７b に対向する透
孔８b ′が菱形であるのに対し、図３(ロ) において、大
形のパッド７a に対向する透孔８a ″，小形のパッド７
b に対向する透孔８b ″はスリット状である。
向する透孔８a ′および小形のパッド７b に対向する透
孔８b ′が菱形であるのに対し、図３(ロ) において、大
形のパッド７a に対向する透孔８a ″，小形のパッド７
b に対向する透孔８b ″はスリット状である。
【００１６】そして、かかる８a ′，８b ′，８a ″お
よび８b ″は、透孔８a および８bと同様に、パッド７a
および７b に対し金属イオンが均等化し、パッド７a
と７b に生成されるめっきの厚さを均一化させる。
よび８b ″は、透孔８a および８bと同様に、パッド７a
および７b に対し金属イオンが均等化し、パッド７a
と７b に生成されるめっきの厚さを均一化させる。
【００１７】なお、本発明方法において格子板６には、
金属板４のめっき層が生成され、該めっき層が厚くなる
と必要以上に金属イオンの流れを抑制することになる。
そこで、めっき層が生成された格子板６は金属板４に替
えて利用可能であり、そのことによってめっき層を剥離
できるため繰り返し使用が可能となる。
金属板４のめっき層が生成され、該めっき層が厚くなる
と必要以上に金属イオンの流れを抑制することになる。
そこで、めっき層が生成された格子板６は金属板４に替
えて利用可能であり、そのことによってめっき層を剥離
できるため繰り返し使用が可能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明方法によれ
ば、従来方法ではめっき面積に対応し生じためっき層の
厚さむら，めっき荒れ，めっき焼けをなくし、本発明方
法を回路基板のパッドに適用したとき、めっきに対する
製造歩留りおよびボンディング等の後工程に対する信頼
性が向上した効果を有する。
ば、従来方法ではめっき面積に対応し生じためっき層の
厚さむら，めっき荒れ，めっき焼けをなくし、本発明方
法を回路基板のパッドに適用したとき、めっきに対する
製造歩留りおよびボンディング等の後工程に対する信頼
性が向上した効果を有する。
【図１】 本発明方法の実施例におけるめっき装置の概
略図と金属イオン制御用格子板の説明図である。
略図と金属イオン制御用格子板の説明図である。
【図２】 本発明方法の他の実施例におけるめっき装置
の概略図である。
の概略図である。
【図３】 本発明方法の実施例における他の金属イオン
制御用格子板の説明図である。
制御用格子板の説明図である。
２はめっき液 ４はめっきさせようとする金属の板 ５は回路基板（めっきすべき物体） ６は格子板 7a,7b はパッド (めっき生成領域) 8a, 8a′，８a ″,8b,8b′，８b ″は格子板に設けた透
孔 ９は可変抵抗器
孔 ９は可変抵抗器
Claims (2)
- 【請求項１】 めっきさせようとする金属の板(4) を陽
極に接続し、面積が異なる複数のめっき領域(7a,7b) が
配設された物体(5) を陰極に接続し、該物体(5) の近傍
には該金属板(4) と対向し，少なくとも広い該めっき領
域(7a)のそれぞれに対向する透孔(8a)と狭い該めっき領
域(7b)のそれぞれに対向する透孔(8b)とがあけられ，広
い該めっき領域(7a)に対する該透孔(8a)の開口率より狭
い該めっき領域(7b)に対する該透孔(8b)の開口率が小で
ある格子板(6) を該物体(5) と並列に該陰極と接続し、
該金属板(4) と該物体(5) と該格子板(6) とをめっき液
(2) に浸漬し、該めっき液(2) にめっき電流を流すこと
を特徴とした電気めっき方法。 - 【請求項２】 可変抵抗器(9) を介して前記格子板(6)
を前記陰極に接続し、該可変抵抗器(9) の調整によって
前記格子板(6) に流れる電流を制御することを特徴とし
た請求項１記載の電気めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246092A JPH05263288A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電気めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6246092A JPH05263288A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電気めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05263288A true JPH05263288A (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13200844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6246092A Withdrawn JPH05263288A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 電気めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05263288A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097171A3 (en) * | 2001-05-30 | 2005-08-04 | Ines Urbani | Plant for the surface treatment of metallic end-products, in particular aluminum, by means of a plasma effect generated in the so-called helmotz layer of a dielectric solvent, changed into a conductor by its solution with an acid in an electrochemical cell |
| KR100598429B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2006-07-10 | 광주과학기술원 | 전기탈이온 장치의 비균일 전극 구조 |
| JP2009212360A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置並びにその製造方法およびその実装方法 |
| US7704365B2 (en) | 2000-05-24 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | Metal plating process |
| JP2015086444A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 凸版印刷株式会社 | 電解めっき装置 |
| JP2022167917A (ja) * | 2019-07-19 | 2022-11-04 | エーエスエムピーティー・ネックス・インコーポレイテッド | 電気化学的堆積システム |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6246092A patent/JPH05263288A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7704365B2 (en) | 2000-05-24 | 2010-04-27 | International Business Machines Corporation | Metal plating process |
| WO2002097171A3 (en) * | 2001-05-30 | 2005-08-04 | Ines Urbani | Plant for the surface treatment of metallic end-products, in particular aluminum, by means of a plasma effect generated in the so-called helmotz layer of a dielectric solvent, changed into a conductor by its solution with an acid in an electrochemical cell |
| KR100598429B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2006-07-10 | 광주과학기술원 | 전기탈이온 장치의 비균일 전극 구조 |
| JP2009212360A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置並びにその製造方法およびその実装方法 |
| JP2015086444A (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 凸版印刷株式会社 | 電解めっき装置 |
| JP2022167917A (ja) * | 2019-07-19 | 2022-11-04 | エーエスエムピーティー・ネックス・インコーポレイテッド | 電気化学的堆積システム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |