JPH05266429A

JPH05266429A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH05266429A
Application number: JP9162292A
Authority: JP
Inventors: Makoto Yoshida; 吉田　　誠; Kazumasa Fukuda; 一正福田; Mikio Matsuzaki; 幹男松崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1992-03-17
Filing date: 1992-03-17
Publication date: 1993-10-15

Abstract

(57)【要約】【目的】オーバライト特性を犠牲にすることなしに、ア
ンダーシュートをなくし、パーシャルレスポンス法が適
用できるようにすると共に、磁界分布及び再生波形を鋭
化し、高記録密度対応を図った薄膜磁気ヘッドを提供す
る。【構成】薄膜磁気変換素子２は、ポール部Ｐ１、Ｐ２の
それぞれの先端部がギャップ膜２２のある方向とは反対
側が部分的に削除されている。空気ベアリング面１０
３、１０４に現れる残りの先端厚みＰＬ１、ＰＬ２は１
μｍ以下であり、先端厚みとギャップ膜２２の厚みｇ１
との総和（ＰＬ１＋ＰＬ２＋ｇ１）は２．５μｍ以下で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関
し、更に詳しくは、オーバライト特性を犠牲にすること
なしに、アンダーシュートをなくし、パーシャルレスポ
ンス法が適用できるようにすると共に、磁界分布及び再
生波形を鋭化し、高記録密度対応を図るための改良に係
る。

【０００２】

【従来の技術】薄膜磁気ヘッドの基本的な構成は、例え
ば米国特許第４，８５６，１８１号明細書などで知られ
るように、セラミック構造体でなるスライダの媒体対向
面側に、間隔を置いてレール部を設け、レール部の表面
を高度の平面度を有する空気ベアリング面とすると共
に、レール部の空気流出方向の端部に、薄膜磁気変換素
子を付着した構造となっている。薄膜磁気変換素子は、
ＩＣ製造テクノロジと同様のプロセスに従って形成され
た薄膜素子であり、下部磁性膜、ギャップ膜、上部磁性
膜、コイル膜、層間絶縁膜及び保護膜などを集積した構
造となっている。下部磁性膜及び上部磁性膜は、先端部
がギャップ膜を介して対向する下部ポール部及び上部ポ
ール部となっていて、これらのポール部及びギャップ膜
により、変換ギャップを構成している。

【０００３】薄膜磁気ヘッドは、主として、コンピュー
タの記憶装置を構成する磁気ディスク装置に用いられる
ものであり、高記録密度に対応できるものでなければな
らない。高記録密度に対応するためには、再生波形を鋭
化し、隣接パルスの相互干渉を防止する必要がある。再
生波形の鋭化の程度はＰＷ５０値によって評価する。再
生波形を鋭化するためには薄膜磁気ヘッドの磁界分布を
鋭化しなければならない。磁界分布は、主として、ポー
ル部の長さ（厚み）及びギャップ長によって定まる。

【０００４】また、再生波形のピークシフトを抑え、読
み出しのエラーマージンもしくは位相マージンを大きく
することが必要である。高記録密度が得られるパーシャ
ルレスポンス法の適用可能な規則的な再生波形が得られ
るようにすることも重要である。

【０００５】上述のような要件を満たした上で、所定の
書き込み能力を確保しなければならない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜磁気ヘッドでは、ポール部の端面の先端厚みは、製
造工程において形成される磁性膜厚によって定まるか
ら、製造工程によって得られる以上には、磁界分布を鋭
化することができない。このため、再生波形及び磁界分
布をより一層鋭化することが困難で、高記録密度を達成
する上の一つの大きな障害になっていた。

【０００７】しかも、再生波形はポール部の端縁に対応
する位置で、擬似パルスに起因するアンダーシュートを
生じる。アンダーシュートは、ポール部厚みが有限な薄
膜磁気ヘッドにおいて、特に特徴的に現れる。アンダー
シュートの存在は、高記録密度の場合、ピークシフトを
大きくするため、読み出しのエラーマージンもしくは位
相マージンに限界を生じ、高記録密度の大きな障害とな
るとともに、パーシャルレスポンス法適用の障害にもな
る。

【０００８】ポール部の厚みを小さくすれば、再生波形
及び磁界分布を鋭化できる。しかしながら、ポール部の
厚みを小さくすると、発生磁界強度が小さくなるため、
書き込み能力が低下し、オーバライト特性が劣化する。

【０００９】そこで、本発明の課題は、書き込み能力を
実質的に犠牲にすることなしに、アンダーシュートをな
くし、磁界分布及び再生波形を鋭化して、高記録密度対
応を図った薄膜磁気ヘッドを提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、スライダに薄膜磁気変換素子を付着させ
た薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、媒体対向
面側に空気ベアリング面を有しており、前記薄膜磁気変
換素子は、下部磁性膜、上部磁性膜及びコイル膜を含む
薄膜磁気回路を有しており、前記下部磁性膜及び前記上
部磁性膜はギャップ膜を介して対向する下部ポール部及
び上部ポール部を有しており、前記ポール部のそれぞれ
の先端部は前記ギャップ膜のある方向とは反対側が部分
的に削除され前記空気ベアリング面に現れる残りの先端
厚みが１μｍ以下であり、前記ポール部のそれぞれの前
記先端厚みと前記ギャップ膜の厚みとの総和は２．５μ
ｍ以下である。

【００１１】

【作用】ギャップ膜を介して対向する下部ポール部及び
上部ポール部のそれぞれの先端部は、ギャップ膜のある
方向とは反対側が部分的に削除されているから、磁気変
換に寄与するポール部の先端厚み（長さ）が、削除され
て空気ベアリング面に現れる残りの先端厚みまで縮小す
る。このため、磁界分布及び再生波形が鋭化される。従
って、高記録密度再生が可能になる。

【００１２】しかも、下部ポール部及び上部ポール部の
それぞれは、ギャップ膜のある方向とは反対側が部分的
に削除されているから、ポール部の磁気特性を、磁気記
録媒体の走行方向に徐々に低下させたのと実質的に同様
の作用が得られる。このため、アンダーシュートが無視
できる程度に弱められ、パーシャルレスポンス法が適用
できるようになる。

【００１３】ポール部は先端部が部分的に削除されるの
みで、削除された部分以外の大部分は、本来のポール部
厚みを保持しているから、書き込み能力を確保できる。
このため、オーバライト特性を犠牲にすることがない。

【００１４】上述の磁界分布、再生波形の鋭化及びアン
ダーシュートの抑制作用は、削除されて空気ベアリング
面に残った先端厚み（長さ）、及び、ギャップ膜厚み
（長さ）に依存し、先端厚みが１μｍ以下で、それぞれ
の先端厚みと、ギャップ膜の厚みとの総和が２．５μｍ
以下であるときに、特に顕著に現れる。

【００１５】削除による後退量は０．００１μｍ〜５μ
ｍの範囲、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍの範囲に
設定する。後退量が５μｍを超えるとオーバライト特性
が劣化し、０．００１μｍ以下ではＰＷ５０値が急激に
大きくなるからである。

【００１６】国内先行技術文献として、特開昭６０ー７
４１１１号公報は、磁性層の先端部が所定の長さ、所定
の厚さだけ除去されている薄膜磁気ヘッドを開示し、ま
た、特開昭６１ー２１０５１０号公報、特開昭６１ー２
３７２１６号公報及び特開昭６１ー２３７２１７号公報
は、磁極層の先端部に突起部を形成する薄膜磁気ヘッド
の製造方法を開示している。しかしながら、これらの先
行技術文献には、ポール部磁界分布及び再生波形の鋭化
と共に、書き込み能力を確保し、オーバライト特性の優
れた高記録密度用薄膜磁気ヘッドを得るために必須の、
先端厚み寸法及びその後退量についての開示がない。

【００１７】

【実施例】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視
図、図２は図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子
部分の拡大斜視図、図３は図１に示した薄膜磁気ヘッド
の磁気変換素子部分の拡大断面図、図４は図１に示した
薄膜磁気ヘッドのポール部の拡大図である。各図におい
て、寸法は誇張されている。図を参照すると、スライダ
１は媒体対向面側にレール部１０１、１０２を有してい
る。レール部１０１、１０２は表面が空気ベアリング面
１０３、１０４を構成している。レール部１０１、１０
２は２本に限らない。１本または３本設けられることも
ある。

【００１８】薄膜磁気変換素子２は、レール部１０１、
１０２の一方または両者に対し、その空気流出方向ａの
端部に設けられている。薄膜磁気変換素子２の構造は、
図３に詳細に示されている。図３において、スライダ１
は、Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ等で構成される基体部分１１０
に、Ａｌ₂Ｏ₃等でなる絶縁膜１２０をスパッタ等の手段
によって付着させた構造となっていて、薄膜磁気変換素
子２は絶縁膜１２０の上に設けられている。薄膜磁気変
換素子２はＩＣ製造テクノロジと同様のプロセスにした
がって形成された薄膜素子である。２１はパーマロイ等
でなる下部磁性膜、２２はＡｌ₂Ｏ₃等で形成されたギャ
ップ膜、２３はパーマロイ等でなる上部磁性膜、２４は
コイル膜、２５１〜２５３はフォトレジスト等で形成さ
れた膜間絶縁膜、２６はＡｌ₂Ｏ₃等の保護膜、２７、２
８はリード導体である。

【００１９】下部磁性膜２１及び上部磁性膜２３は、先
端部がギャップ膜２２を介して対向する下部ポール部Ｐ
１及び上部ポール部Ｐ２となっている。下部ポール部Ｐ
１及び上部ポール部Ｐ２の後方にはヨーク部２１１、２
３１が連続しており、ヨーク部２１１、２３１は後方の
結合部において磁気回路を完成するように互いに結合さ
れている。コイル膜２４は結合部のまわりを渦巻状にま
わるように形成されている。コイル膜２４の両端はリー
ド導体２７、２８に接続されている。リード導体２７、
２８は取出電極４１、４２を形成する領域まで導出さ
れ、その端部に取出電極４１、４２が形成されている。
取出電極４１、４２の周りは薄膜磁気変換素子２の全体
を保護する保護膜２６によって覆われている。

【００２０】図４を参照すると、下部ポール部Ｐ１は、
ギャップ膜２２のある方向とは反対側が凹部１０５によ
って部分的に削除され、上部ポール部Ｐ２は、ギャップ
膜２２のある方向とは反対側が凹部１０６によって部分
的に削除されている。凹部１０５、１０６は、下部ポー
ル部Ｐ１、上部ポール部Ｐ２の先端部に部分的にかかる
ように設け、後退量ｄ１、ｄ２を持って段差状に後退さ
せてある。上述のような凹部１０５、１０６は、マスク
及びイオンミーリングの併用またはケミカルエッチング
によって形成できる。凹部１０５、１０６は適当な充填
材によって埋めることもできる。凹部１０５、１０６は
側面が傾斜面となるように形成するのが望ましい。傾斜
面であると、読み書き動作時に発生する摺動ダスト、塵
埃等が残留したり、堆積したりすることがない。側面の
傾斜形状は、図示の弧状に限らず、一定の傾斜角度で傾
斜する平面であってもよい。

【００２１】ポール部Ｐ１、Ｐ２の削除された残りの先
端厚みＰＬ１、ＰＬ２は１μｍ以下であり、ポール部Ｐ
１、Ｐ２のそれぞれの先端厚みＰＬ１、ＰＬ２と、ギャ
ップ膜２２の厚みｇ１との総和（ＰＬ１＋ＰＬ２＋ｇ
１）が２．５μｍ以下となるように選定されている。薄
膜磁気ヘッドの場合、ポール部Ｐ１、Ｐ２は厚みが３μ
ｍ前後となるので、ポール部Ｐ１、Ｐ２の削除量は、こ
の厚み内で、先端厚みＰＬ１、ＰＬ２の和（ＰＬ１＋Ｐ
Ｌ２）が２μｍ以下となるように設定する。ギャップ膜
２２の厚みは０．２５〜０．５μｍである。

【００２２】上述のように、空気ベアリング面上でギャ
ップ膜２２を介して対向する下部ポール部Ｐ１及び上部
ポール部Ｐ２のそれぞれが、ギャップ膜２２のある方向
とは反対側が部分的に削除されているから、磁気変換に
寄与するポール部Ｐ１、Ｐ２の先端厚み（長さ）が、実
質的に、削除された残りの先端厚みＰＬ１、ＰＬ２によ
って定まる値まで縮小する。このため、磁界分布が鋭化
され、磁気記録媒体の遷移領域（磁化反転領域）が狭く
なり、高記録密度が可能になる。

【００２３】再生波形も、図４に示すように鋭化され、
ＰＷ５０値が小さくなり、高記録密度が可能になる。図
４において、再生波形は、薄膜磁気ヘッドを使用して磁
気記録媒体に記録した信号を、同じ薄膜磁気ヘッドで再
生した場合の波形であり、横軸に時間軸をとり、縦軸に
瞬時値ｅと最大値Ｅｍとの比（ｅ／Ｅｍ）を百分率で表
示してある。ＰＷ５０は（ｅ／Ｅｍ）が５０％になるパ
ルス幅を示している。ＰＷ５０値は再生波形の鋭化の程
度を示し、ＰＷ５０値が小さければ再生波形は鋭くな
り、大きくなれば鈍化する。図４の特性Ｌ１は従来の薄
膜磁気ヘッドの再生波形、特性Ｌ２は本発明にかかる薄
膜磁気ヘッドの再生波形である。Ｌ１１、Ｌ１２はアン
ダーシュートを示している。図示するように、本発明に
かかる薄膜磁気ヘッドの再生波形Ｌ２は、従来の薄膜磁
気ヘッドの再生波形Ｌ１よりも鋭化されており、ＰＷ５
０値が小さくなっている。

【００２４】しかも、再生時には、ポール部Ｐ１、Ｐ２
の磁気特性を、磁気記録媒体の走行方向ａに徐々に低下
させたのと実質的に同様の作用が得られる。このため、
図４に示すごとく、本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの再
生波形Ｌ２には、従来の薄膜磁気ヘッド特性Ｌ２に現れ
ていたアンダーシュートＬ１１、Ｌ１２が殆どなくな
り、パーシャルレスポンス法が適用できるようになる。

【００２５】また、ポール部Ｐ１、Ｐ２は先端部が部分
的に削除されるのみで、削除された部分以外の大部分
は、３μｍ程度の本来のポール部厚みを保持しているか
ら、書き込み能力を確保できる。このため、オーバライ
ト特性を犠牲にすることがない。

【００２６】凹部１０５、１０６による削除の後退量ｄ
１、ｄ２は０．００１μｍ〜５μｍの範囲に設定する。
後退量ｄ１、ｄ２が５μｍを超えるとオーバライト特性
が劣化し、０．００１μｍ以下ではＰＷ５０値が急激に
大きくなるからである。

【００２７】下部ポール部Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２の
先端厚みＰＬ１、ＰＬ２が１μｍ以下であり、ポール部
Ｐ１、Ｐ２のそれぞれの先端厚みＰＬ１、ＰＬ２と、ギ
ャップ膜２２の厚みｇ１との総和（ＰＬ１＋ＰＬ２＋ｇ
１）が２．５μｍ以下となるように選定されているの
で、上述の磁界分布、再生波形の鋭化及びアンダーシュ
ートの抑制作用が一層顕著になる。この点について、図
５〜図１２として添付するデータを参照して説明する。

【００２８】図５は先端厚みＰＬ１、ＰＬ２の和（ＰＬ
１＋ＰＬ２）と、ＰＷ５０値との関係を示すデータであ
る。このデータが示すように、（ＰＬ１＋ＰＬ２）が２
μｍ以下になると、ＰＷ５０値が急激に小さくなる。こ
の種の薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ膜２２の厚みが
０．２５〜０．５μｍであるから、先端厚みＰＬ１、Ｐ
Ｌ２と、ギャップ膜２２の厚みｇ１との総和（ＰＬ１＋
ＰＬ２＋ｇ１）が２．５μｍ以下であれば、ＰＷ５０値
の小さい高記録密度に適した薄膜磁気ヘッドが得られ
る。しかも、（ＰＬ１＋ＰＬ２＋ｇ１）を２．５μｍ以
下に設定した場合でも、図８に示すように、オーバライ
ト特性が劣化することがない。十分な書き込み能力を確
保できる。

【００２９】図６は下部ポール部Ｐ１の先端厚みＰＬ１
とＰＷ５０値との関係を示すデータ、図７は上部ポール
部Ｐ２の先端厚みＰＬ２とＰＷ５０値との関係を示すデ
ータである。図６に示されるように、下部ポール部Ｐ１
の先端厚みＰＬ１を小さくすると、ＰＷ５０値が次第に
小さくなる傾向を示すが、それほど急激な改善効果は得
られない。これに対して、図７に示すように、上部ポー
ル部Ｐ２の先端厚みＰＬ２が１μｍ以下になると、ＰＷ
５０値が急激に小さくなる。即ち、ＰＷ５０値の改善に
関しては、上部ポール部Ｐ２の先端厚みＰＬ２が支配的
である。

【００３０】図９は上部ポール部Ｐ２の先端厚みＰＬ２
とオーバライト特性との関係を示すデータ、図１０は下
部ポール部Ｐ１の先端厚みＰＬ１とオーバライト特性と
の関係を示すデータである。図９に示すように、上部ポ
ール部Ｐ２の先端厚みＰＬ２が１μｍ以下になると、オ
ーバライト特性が急激に劣化する。これに対して、図１
０に示すように、下部ポール部Ｐ１の先端厚みＰＬ１を
小さくしても、オーバライト特性は殆ど劣化しない。

【００３１】図５〜図１０のデータから、上部ポール部
Ｐ２の先端厚みＰＬ２を、オーバライト特性が劣化しな
い範囲で、１μｍ以下に設定し、下部ポール部Ｐ１の先
端厚みＰＬ１を、（ＰＬ１＋ＰＬ２）≦２μｍを満たす
ように選定することにより、ＰＷ５０値が小さく、オー
バライト特性に優れた薄膜磁気ヘッドが得られることが
わかる。

【００３２】図１１は下部ポール部Ｐ１の先端厚みＰＬ
１が３．０５μｍ、上部ポール部Ｐ２の先端厚みＰＬ２
が３．１６μｍである従来の薄膜磁気ヘッドを用いて得
られた再生波形のオシロスコープ波形図、図１２は下部
ポール部Ｐ１の先端厚みＰＬ１が０．５７μｍ、上部ポ
ール部Ｐ２の先端厚みＰＬ２が０．８５μｍである本発
明にかかる薄膜磁気ヘッドを用いて得られた再生波形の
オシロスコープ波形図である。図１１に示すように、従
来の薄膜磁気ヘッドではアンダーシュートが生じている
が、本発明にかかる薄膜磁気ヘッドは、図１２から明ら
かなように、アンダーシュートが殆ど認められず、しか
もＰＷ５０値が小さくなっている。

【００３３】図１３は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの
更に別の実施例を示す。この実施例では、下部ポール部
Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２の周囲に凹部１０７を設け、
ギャップ膜２２のある方向とは反対側が部分的に削除さ
れている他、幅方向の両端が部分的に削除されている。
下部ポール部Ｐ１及び上部ポール部Ｐ２のポール部幅Ｗ
１は、幅方向の両端に置おける削除位置によって定ま
る。

【００３４】上述のように、下部ポール部Ｐ１及び上部
ポール部Ｐ２は、幅方向の両端が部分的に削除されてい
るから、幅方向の両端に置おける削除位置によって、ポ
ール部幅Ｗ１を調整し、例えば高記録密度に対応するた
めの狭幅化等を容易に実現できる。

【００３５】また、フォトリソグラフィによるパターン
ニング誤差を生じたような場合にも、幅方向の両端に置
おける削除位置の選択、調整によって、ポール部幅Ｗ１
を所定値に設定し、歩留を向上させることができる。要
求されるポール部幅Ｗ１が異なる場合でも、一枚のマス
クを使用してパターンニングし、その後に削除の位置や
幅の調整によってポール部幅Ｗ１を所定値に設定でき
る。このため、各ポール部幅Ｗ１に応じたマスクが必要
でなくなり、一枚のマスクでポール部を形成でき、コス
トが安価になると共に、歩留が向上する。

【００３６】図１４は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの
更に別の実施例を示す部分拡大斜視図であり、凹部１０
７は３方が開放されている。

【００３７】図１５は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの
更に別の実施例における斜視図であり、スライダ１は媒
体対向面がレール部を持たない平面状の空気ベアリング
面１０３となっている。薄膜磁気変換素子２はスライダ
１の幅方向の中央部に配置されている。

【００３８】図１６は本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの
更に別の実施例における斜視図であり、図１５の実施例
と同様に、スライダ１は媒体対向面がレール部を持たな
い平面状の空気ベアリング面１０３となっている。薄膜
磁気変換素子２はスライダ１の幅方向の一方側に寄せて
配置されている。

【００３９】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。

【００４０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。（ａ）ギャップ膜を介して対向する下部ポール部及び上
部ポール部のそれぞれの先端部は、ギャップ膜のある方
向とは反対側が部分的に削除されているから、磁界分布
及び再生波形を鋭化し、高記録密度再生対応を図った薄
膜磁気ヘッドを提供できる。（ｂ）下部ポール部及び上部ポール部のそれぞれは、ギ
ャップ膜のある方向とは反対側が部分的に削除されてい
るから、アンダーシュートが無視できる程度に弱めら
れ、パーシャルレスポンス法の適用可能な薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。（ｃ）ポール部は先端部が部分的に削除されるのみで、
削除された部分以外は、本来のポール部厚みを保持して
いるから、オーバライト特性を犠牲にすることがない。（ｄ）下部ポール部及び上部ポール部のそれぞれは，先
端厚みが１μｍ以下で、それぞれの先端厚みとギャップ
膜の厚みとの総和が２．５μｍ以下であるから、磁界分
布、再生波形の鋭化及びアンダーシュート抑制作用の特
に顕著な薄膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の拡大斜視図である。

【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドの磁気変換素子部
分の拡大断面図である。

【図４】図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドのポール部
の拡大図とその作用を説明する図である。

【図５】ポール部の先端厚みの和（ＰＬ１＋ＰＬ２）
と、ＰＷ５０値との関係を示すデータである。

【図６】下部ポール部の先端厚みＰＬ１とＰＷ５０値と
の関係を示すデータである。

【図７】上部ポール部の先端厚みＰＬ２とＰＷ５０値と
の関係を示すデータである。

【図８】ポール部の先端厚みの和（ＰＬ１＋ＰＬ２）
と、オーバライト特性との関係を示すデータである。

【図９】下部ポール部の先端厚みＰＬ１とオーバライト
特性との関係を示すデータである。

【図１０】上部ポール部の先端厚みＰＬ２とオーバライ
ト特性との関係を示すデータである。

【図１１】従来の薄膜磁気ヘッドを用いて得られた再生
波形のオシロスコープ波形図である。

【図１２】本発明にかかる薄膜磁気ヘッドを用いて得ら
れた再生波形のオシロスコープ波形図である。

【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例に
おける磁気変換素子部分の拡大斜視図である。

【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例に
おける磁気変換素子部分の拡大斜視図である。

【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を
示す斜視図である。

【図１６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例を
示す斜視図である。

【符号の説明】

１スライダ１０３、１０４空気ベアリング面２磁気変換素子２１下部磁性膜Ｐ１下部ポール部２２ギャップ膜２３上部磁性膜Ｐ２上部ポール部２４コイル

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スライダに薄膜磁気変換素子を付着させ
た薄膜磁気ヘッドであって、前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有
しており、前記薄膜磁気変換素子は、下部磁性膜、上部磁性膜及び
コイル膜を含む薄膜磁気回路を有しており、前記下部磁
性膜及び前記上部磁性膜はギャップ膜を介して対向する
下部ポール部及び上部ポール部を有しており、前記ポー
ル部のそれぞれの先端部は、前記ギャップ膜のある方向
とは反対側が部分的に削除され前記空気ベアリング面に
現れる残りの先端厚みが１μｍ以下であり、前記ポール
部のそれぞれの前記先端厚みと前記ギャップ膜の厚みと
の総和は２．５μｍ以下である薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記ポール部の前記先端部は、幅方向の
端部が削除されている請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。