JPH05267246A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05267246A JPH05267246A JP6545692A JP6545692A JPH05267246A JP H05267246 A JPH05267246 A JP H05267246A JP 6545692 A JP6545692 A JP 6545692A JP 6545692 A JP6545692 A JP 6545692A JP H05267246 A JPH05267246 A JP H05267246A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン窒化膜のエッチングに関し，レジス
トの耐エッチング性を向上させ精密にかつ下地酸化膜を
損なうことなく転写することを目的とする。 【構成】 基板１上のシリコン窒化膜３の選択的イオン
エッチングにより，レジストパターン４を該窒化膜３に
転写する方法において，雰囲気ガスを, ＳＦ6 ，ＨＢ
ｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混合ガス，又はその混合ガスに少な
くともＮ2 ，フロンガス，ＮＦ3 及び不活性ガスの一つ
を混合して用い，平行平板型のＲＩＥ装置を用いてエッ
チングするように構成し，及び窒化膜３のパターニング
後，エッチングガス中に水素ガスを混入したガス，又は
ＳＦ6 と水素ガスとの混合ガスを雰囲気ガスとし，平行
平板型のＲＩＥ装置を用いてイオンエッチングして，レ
ジストパターン４の表面に形成された変質層４ａを除去
するように構成し，及び窒化膜３は酸化膜２上に堆積さ
れるように構成する。
トの耐エッチング性を向上させ精密にかつ下地酸化膜を
損なうことなく転写することを目的とする。 【構成】 基板１上のシリコン窒化膜３の選択的イオン
エッチングにより，レジストパターン４を該窒化膜３に
転写する方法において，雰囲気ガスを, ＳＦ6 ，ＨＢ
ｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混合ガス，又はその混合ガスに少な
くともＮ2 ，フロンガス，ＮＦ3 及び不活性ガスの一つ
を混合して用い，平行平板型のＲＩＥ装置を用いてエッ
チングするように構成し，及び窒化膜３のパターニング
後，エッチングガス中に水素ガスを混入したガス，又は
ＳＦ6 と水素ガスとの混合ガスを雰囲気ガスとし，平行
平板型のＲＩＥ装置を用いてイオンエッチングして，レ
ジストパターン４の表面に形成された変質層４ａを除去
するように構成し，及び窒化膜３は酸化膜２上に堆積さ
れるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し，特にシリコン窒化膜のエッチングに関する。
関し，特にシリコン窒化膜のエッチングに関する。
【０００２】半導体装置の高集積化，高速化に伴い，構
成要素たる素子の微細化が進み，かかる微細な素子を精
度良く形成する半導体製造技術が必要とされている。と
くに，シリコン窒化膜のドライエッチングは近年の微細
素子の形成に不可欠な工程であり，レジストマスクパタ
ーンを精密にシリコン窒化膜に転写する技術が強く要請
されている。
成要素たる素子の微細化が進み，かかる微細な素子を精
度良く形成する半導体製造技術が必要とされている。と
くに，シリコン窒化膜のドライエッチングは近年の微細
素子の形成に不可欠な工程であり，レジストマスクパタ
ーンを精密にシリコン窒化膜に転写する技術が強く要請
されている。
【０００３】このため，レジストマスク及び下地の酸化
膜に対して選択比の高いシリコン窒化膜のエッチング方
法が必要とされる。
膜に対して選択比の高いシリコン窒化膜のエッチング方
法が必要とされる。
【０００４】
【従来の技術】従来，シリコン窒化膜（以下窒化膜とい
う。）をレジストマスクを用いてパターニングする選択
的エッチングは，フロン又はＮＦ3 とＨｅとの混合ガ
ス，或いはＳＦ6 と酸素及びＨｅの混合ガスを雰囲気ガ
スとして用いる異方性イオンエッチングによりなされて
いた。
う。）をレジストマスクを用いてパターニングする選択
的エッチングは，フロン又はＮＦ3 とＨｅとの混合ガ
ス，或いはＳＦ6 と酸素及びＨｅの混合ガスを雰囲気ガ
スとして用いる異方性イオンエッチングによりなされて
いた。
【０００５】以下，従来の技術を，実施例を参照して説
明する。図２は従来の実施例断面工程図であり，シリコ
ン基板１上に形成される窒化膜パターンを表している。
明する。図２は従来の実施例断面工程図であり，シリコ
ン基板１上に形成される窒化膜パターンを表している。
【０００６】先ず，図２（ａ）を参照して，シリコン基
板１上に例えば１０nmの酸化膜２を形成し，次いでその
上に窒化膜３をＣＶＤ法により堆積する。次いで，エッ
チングマスクとなるべきレジストパターン４を窒化膜３
上に形成する。
板１上に例えば１０nmの酸化膜２を形成し，次いでその
上に窒化膜３をＣＶＤ法により堆積する。次いで，エッ
チングマスクとなるべきレジストパターン４を窒化膜３
上に形成する。
【０００７】次いで，レジストパターン４をマスクとす
る選択的異方性イオンエッチングにより，酸化膜２をス
トッパとして窒化膜３をパターンニングする。かかるエ
ッチングには，従来はフロン又はＮＦ3 とＨｅとの混合
ガス，或いはＳＦ6 と酸素及びＨｅの混合ガスが用いら
れていた。しかし，レジスト及び酸化膜に対する窒化膜
のエッチング速度比である選択比が２程度と小さいた
め，レジストパターンの形状を窒化膜へ精密に転写する
ことができないのである。
る選択的異方性イオンエッチングにより，酸化膜２をス
トッパとして窒化膜３をパターンニングする。かかるエ
ッチングには，従来はフロン又はＮＦ3 とＨｅとの混合
ガス，或いはＳＦ6 と酸素及びＨｅの混合ガスが用いら
れていた。しかし，レジスト及び酸化膜に対する窒化膜
のエッチング速度比である選択比が２程度と小さいた
め，レジストパターンの形状を窒化膜へ精密に転写する
ことができないのである。
【０００８】即ち，図２（ｂ）を参照して，窒化膜３の
エッチング中にレジストパターン４がエッチングされて
薄くなると同時に，レジストパターン４の側面もサイド
エッチングが進行してパターン幅が狭くなる結果，転写
された窒化膜パターン３ａは上辺が狭い台形になるので
ある。
エッチング中にレジストパターン４がエッチングされて
薄くなると同時に，レジストパターン４の側面もサイド
エッチングが進行してパターン幅が狭くなる結果，転写
された窒化膜パターン３ａは上辺が狭い台形になるので
ある。
【０００９】このため，転写された窒化膜パターンは，
パターン幅が狭く，また台形断面を有するものとなる。
さらに，酸化膜２に対する選択比が小さいことから，窒
化膜が除去された後のオーバエッチングのときに，容易
に酸化膜２が深くエッチングされてしまう。
パターン幅が狭く，また台形断面を有するものとなる。
さらに，酸化膜２に対する選択比が小さいことから，窒
化膜が除去された後のオーバエッチングのときに，容易
に酸化膜２が深くエッチングされてしまう。
【００１０】このため，パターン周辺の酸化膜を精密な
厚さに保持することが難しい。
厚さに保持することが難しい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したように，従来
の窒化膜のエッチングにあっては，レジストに対する窒
化膜のエッチング速度の選択比が小さいため，エッチン
グ中にレジストマスクが消耗する結果精密なパターンを
転写することができないという欠点があった。
の窒化膜のエッチングにあっては，レジストに対する窒
化膜のエッチング速度の選択比が小さいため，エッチン
グ中にレジストマスクが消耗する結果精密なパターンを
転写することができないという欠点があった。
【００１２】また，窒化膜の下地として用いられる酸化
膜に対する選択比も小さく，ストッパとして有効に作用
しないため酸化膜が薄くなり，精密な素子形成の障害に
なるという問題があった。
膜に対する選択比も小さく，ストッパとして有効に作用
しないため酸化膜が薄くなり，精密な素子形成の障害に
なるという問題があった。
【００１３】本発明は，エッチングガスとしてＳＦ6 ，
ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 を主な組成とするガスを用いるこ
とにより，レジスト表層の耐エッチング性を向上させて
レジストに対する窒化膜の選択比を向上するとともに，
酸化膜に対する窒化膜の選択比も大きくすることによ
り，レジストパターンを精密にかつ下地の酸化膜を損な
うことなく窒化膜に転写する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 を主な組成とするガスを用いるこ
とにより，レジスト表層の耐エッチング性を向上させて
レジストに対する窒化膜の選択比を向上するとともに，
酸化膜に対する窒化膜の選択比も大きくすることによ
り，レジストパターンを精密にかつ下地の酸化膜を損な
うことなく窒化膜に転写する半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の実施例断
面図であり，シリコン基板１上に形成される窒化膜パタ
ーンを表している。
面図であり，シリコン基板１上に形成される窒化膜パタ
ーンを表している。
【００１５】上記課題を解決するために，図１を参照し
て，本発明の第一の構成は，基板１上に形成されたシリ
コン窒化膜３を該窒化膜３上に形成されたレジストパタ
ーン４をマスクとし選択的にイオンエッチングして，該
レジストパターン４を該窒化膜３に転写する工程を有す
る半導体装置の製造方法において，該イオンエッチング
の雰囲気ガスとして, ＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 を
混合した第一のエッチング用ガス又は該第一のエッチン
グ用ガスに少なくともＮ2 ，フロンガス，ＮＦ 3 及び不
活性ガスのうちの一つを混合した第二のエッチング用ガ
スの何れかが用いられ，該イオンエッチングは，平行平
板型のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用いて
することを特徴として構成し，及び，第二の構成は，第
一の構成の半導体装置の製造方法により該窒化膜３をパ
ターニングした後，該エッチングガス中に水素ガスを混
入した第一の灰化用ガス，又はＳＦ6 と水素ガスとを混
合した第二の灰化用ガスの何れかを雰囲気ガスとし，平
行平板型のＲＩＥ装置を用いてするイオンエッチングに
より，該レジストパターン４の表面に形成された変質層
４ａを除去する工程を有することを特徴として構成し，
及び第三の構成は，第一及び第二の構成の半導体装置の
製造方法において，該窒化膜３はシリコン酸化膜２上に
堆積されていることを特徴として構成する。
て，本発明の第一の構成は，基板１上に形成されたシリ
コン窒化膜３を該窒化膜３上に形成されたレジストパタ
ーン４をマスクとし選択的にイオンエッチングして，該
レジストパターン４を該窒化膜３に転写する工程を有す
る半導体装置の製造方法において，該イオンエッチング
の雰囲気ガスとして, ＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 を
混合した第一のエッチング用ガス又は該第一のエッチン
グ用ガスに少なくともＮ2 ，フロンガス，ＮＦ 3 及び不
活性ガスのうちの一つを混合した第二のエッチング用ガ
スの何れかが用いられ，該イオンエッチングは，平行平
板型のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置を用いて
することを特徴として構成し，及び，第二の構成は，第
一の構成の半導体装置の製造方法により該窒化膜３をパ
ターニングした後，該エッチングガス中に水素ガスを混
入した第一の灰化用ガス，又はＳＦ6 と水素ガスとを混
合した第二の灰化用ガスの何れかを雰囲気ガスとし，平
行平板型のＲＩＥ装置を用いてするイオンエッチングに
より，該レジストパターン４の表面に形成された変質層
４ａを除去する工程を有することを特徴として構成し，
及び第三の構成は，第一及び第二の構成の半導体装置の
製造方法において，該窒化膜３はシリコン酸化膜２上に
堆積されていることを特徴として構成する。
【００１６】
【作用】本発明の構成では，レジストマスクを用いて窒
化膜をパターニングするためのエッチングは，平行平板
型のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）であり，とくに
雰囲気ガスとして，ＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混
合ガス，或いはＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混合ガ
スにＮ2 ，フロンガス，ＮＦ3 及び不活性ガスのうち一
つ又は二つ以上を混合したガスを用いる選択的異方性Ｒ
ＩＥである。
化膜をパターニングするためのエッチングは，平行平板
型のＲＩＥ（反応性イオンエッチング）であり，とくに
雰囲気ガスとして，ＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混
合ガス，或いはＳＦ6 ，ＨＢｒ，Ｈｅ及びＯ2 の混合ガ
スにＮ2 ，フロンガス，ＮＦ3 及び不活性ガスのうち一
つ又は二つ以上を混合したガスを用いる選択的異方性Ｒ
ＩＥである。
【００１７】上記構成によれば，図１（ｂ）を参照し
て，レジストパターンが未だ消耗していないイオンエッ
チングの初期に，レジスト表面に耐エッチング性の高い
変質層が形成される。このため，その後のレジストパタ
ーンの消耗が小さく，エッチング中の変形を防止できる
のである。
て，レジストパターンが未だ消耗していないイオンエッ
チングの初期に，レジスト表面に耐エッチング性の高い
変質層が形成される。このため，その後のレジストパタ
ーンの消耗が小さく，エッチング中の変形を防止できる
のである。
【００１８】かかる変質層は，ＨＢｒとＯ2 とが在する
プラズマに有機レジストが暴露される際に形成されるの
であり，酸素ラジカルに暴露されて弱まったレジスト分
子の結合にＢｒが結合することにより生ずる。このＢｒ
の結合は弗素ラジカル又は酸素ラジカルでは切ることが
できないので，これらのラジカルによりエッチングを進
行する本構成の窒化膜のエッチング条件ではこの変質層
をエッチングすることはできない。
プラズマに有機レジストが暴露される際に形成されるの
であり，酸素ラジカルに暴露されて弱まったレジスト分
子の結合にＢｒが結合することにより生ずる。このＢｒ
の結合は弗素ラジカル又は酸素ラジカルでは切ることが
できないので，これらのラジカルによりエッチングを進
行する本構成の窒化膜のエッチング条件ではこの変質層
をエッチングすることはできない。
【００１９】従って，従来のエッチング用ガスに加え
て，ＨＢｒとＯ2 とが含まれる本構成のエッチング用ガ
スでは，必ず耐エッチング性のある変質層がレジスト表
面に形成され，レジストのエッチング速度は遅くなるの
である。
て，ＨＢｒとＯ2 とが含まれる本構成のエッチング用ガ
スでは，必ず耐エッチング性のある変質層がレジスト表
面に形成され，レジストのエッチング速度は遅くなるの
である。
【００２０】さらに，本構成のエッチング用ガスには窒
化膜のエッチング用ガスが，例えばＳＦ6 ，Ｈｅ及びＯ
2 が含まれているから，窒化膜をエッチングすることが
できる。本構成のエッチング用ガスを用いた実験によれ
ば，窒化膜のエッチング速度は従来のものと実質的に同
一の速度であった。
化膜のエッチング用ガスが，例えばＳＦ6 ，Ｈｅ及びＯ
2 が含まれているから，窒化膜をエッチングすることが
できる。本構成のエッチング用ガスを用いた実験によれ
ば，窒化膜のエッチング速度は従来のものと実質的に同
一の速度であった。
【００２１】従って，本構成のエッチングでは，レジス
トのエッチング速度が遅い一方，通常の窒化膜のエッチ
ング速度が維持されるから，レジストに対する窒化膜の
選択比は大きくなるのである。実験によれば，かかる選
択比は容易に６以上とすることができる。
トのエッチング速度が遅い一方，通常の窒化膜のエッチ
ング速度が維持されるから，レジストに対する窒化膜の
選択比は大きくなるのである。実験によれば，かかる選
択比は容易に６以上とすることができる。
【００２２】さらに，本構成のエッチング用ガスにはＨ
ＢｒとＯ2 とが含まれることから，酸化膜に対するエッ
チング速度が抑制される。他方，上述したように従来の
方法と較べて窒化膜のエッチング速度は変わらないか
ら，酸化膜に対する窒化膜の選択比は大きくなる。実験
によれば，この選択比は従来の２から本発明では６以上
に大きくすることができる。
ＢｒとＯ2 とが含まれることから，酸化膜に対するエッ
チング速度が抑制される。他方，上述したように従来の
方法と較べて窒化膜のエッチング速度は変わらないか
ら，酸化膜に対する窒化膜の選択比は大きくなる。実験
によれば，この選択比は従来の２から本発明では６以上
に大きくすることができる。
【００２３】従って，窒化膜をパターニングするとき，
エッチングのストッパの作用を下地の酸化膜が有効に果
たすのである。上述したように，本構成によれば，レジ
ストに対する窒化膜のエッチングの選択比を大きくする
ことができるから，窒化膜のエッチング中のレジストの
変形が小さく，精密にパターンを転写することができ
る。
エッチングのストッパの作用を下地の酸化膜が有効に果
たすのである。上述したように，本構成によれば，レジ
ストに対する窒化膜のエッチングの選択比を大きくする
ことができるから，窒化膜のエッチング中のレジストの
変形が小さく，精密にパターンを転写することができ
る。
【００２４】また，下地の酸化膜に対する窒化膜のエッ
チングの選択比は大きいから，下地酸化膜のエッチング
量は少なく，酸化膜厚を精密に保持することができる。
次に，本発明の第二の構成では，灰化用ガスとして，上
記本発明の構成に係るエッチング用ガスに水素ガスを混
入したガス，又は好ましくはＳＦ6 と水素ガスの混合ガ
スを用い，平行平板型のＲＩＥ装置によりプラズマアッ
シング（プラズマを用いてする有機レジストの灰化。）
を行う。
チングの選択比は大きいから，下地酸化膜のエッチング
量は少なく，酸化膜厚を精密に保持することができる。
次に，本発明の第二の構成では，灰化用ガスとして，上
記本発明の構成に係るエッチング用ガスに水素ガスを混
入したガス，又は好ましくはＳＦ6 と水素ガスの混合ガ
スを用い，平行平板型のＲＩＥ装置によりプラズマアッ
シング（プラズマを用いてする有機レジストの灰化。）
を行う。
【００２５】これにより，窒化膜のエッチングの際に形
成された変質層が除去される。即ち，Ｂｒが結合した変
質層の有機レジストを，平行平板型の反応性イオンエッ
チングにより生ずる一定以上の運動エネルギーを有する
水素ラジカルに曝すとＢｒが分離し，そのＢｒが分離し
た変質層はＳＦ6 を含む平行平板型の反応性イオンエッ
チングにより容易にエッチングされ，除去されるのであ
る。
成された変質層が除去される。即ち，Ｂｒが結合した変
質層の有機レジストを，平行平板型の反応性イオンエッ
チングにより生ずる一定以上の運動エネルギーを有する
水素ラジカルに曝すとＢｒが分離し，そのＢｒが分離し
た変質層はＳＦ6 を含む平行平板型の反応性イオンエッ
チングにより容易にエッチングされ，除去されるのであ
る。
【００２６】従って，変質層を除去した後，通常用いら
れている有機レジストのプラズマアッシングを行うこと
により，完全にレジストを除去することができる。な
お，酸化膜のエッチング速度は水素ガスの有無によらな
い。このため，酸化膜のエッチング速度は変質層のエッ
チング速度の例えば１／２０に留まる。従って，アッシ
ングにおける酸化膜厚の減少はすくない。
れている有機レジストのプラズマアッシングを行うこと
により，完全にレジストを除去することができる。な
お，酸化膜のエッチング速度は水素ガスの有無によらな
い。このため，酸化膜のエッチング速度は変質層のエッ
チング速度の例えば１／２０に留まる。従って，アッシ
ングにおける酸化膜厚の減少はすくない。
【００２７】また，窒化膜は変質層除去の間はレジスト
パターンに被覆されているから，そのエッチング速度が
問題となることはない。
パターンに被覆されているから，そのエッチング速度が
問題となることはない。
【００２８】
【実施例】本発明の詳細を，窒化膜を誘電体とするコン
デンサの形成の実施例を参照して説明する。
デンサの形成の実施例を参照して説明する。
【００２９】先ず，図１（ａ）を参照して，シリコン基
板１の表面に例えば厚さ１０nmのシリコン酸化膜２を形
成し，続いてその酸化膜２上に例えば厚さ１５０nmの窒
化膜３をＣＶＤ法により堆積する。
板１の表面に例えば厚さ１０nmのシリコン酸化膜２を形
成し，続いてその酸化膜２上に例えば厚さ１５０nmの窒
化膜３をＣＶＤ法により堆積する。
【００３０】次いで，窒化膜３上にコンデンサの誘電体
となる領域を画定するレジストパターン４をリソグラフ
ィにより形成する。次いで，図１（ｂ）を参照して，平
行平板型のＲＥＩ装置を用いて，窒化膜３をエッチング
開始する。このときレジストパターン４の表面に厚さ２
００nmの変質層４ａが形成される。
となる領域を画定するレジストパターン４をリソグラフ
ィにより形成する。次いで，図１（ｂ）を参照して，平
行平板型のＲＥＩ装置を用いて，窒化膜３をエッチング
開始する。このときレジストパターン４の表面に厚さ２
００nmの変質層４ａが形成される。
【００３１】この窒化膜３のエッチングの条件は，雰囲
気ガスとして，流量８０sccmのＳＦ 6 ，流量１０sccmの
ＨＢｒ，流量７sccmのＨｅ，及び流量３sccmのＯ2 の混
合ガスを用い，圧力は例えば０．１〜０．３Torr，高周
波出力は例えば３００Ｗとする。
気ガスとして，流量８０sccmのＳＦ 6 ，流量１０sccmの
ＨＢｒ，流量７sccmのＨｅ，及び流量３sccmのＯ2 の混
合ガスを用い，圧力は例えば０．１〜０．３Torr，高周
波出力は例えば３００Ｗとする。
【００３２】かかる条件下の窒化膜３のエッチング速度
は１５０nm／分，酸化膜２のエッチング速度は１５nm／
分，レジストのエッチング速度は１分間のエッチング時
間では１５nm／分以下である。
は１５０nm／分，酸化膜２のエッチング速度は１５nm／
分，レジストのエッチング速度は１分間のエッチング時
間では１５nm／分以下である。
【００３３】従って，酸化膜２は選択比１０のストッバ
として利用できる。かかるエッチングを１分間続けて，
図１（ｃ）を参照して，レジストパターン４の下に窒化
膜パターン３ａを残して，他の領域の窒化膜を除去す
る。
として利用できる。かかるエッチングを１分間続けて，
図１（ｃ）を参照して，レジストパターン４の下に窒化
膜パターン３ａを残して，他の領域の窒化膜を除去す
る。
【００３４】このエッチング中には，レジストパターン
４は表層に形成された変質層４ａのエッチング速度が遅
いため殆ど変形しない。このため，レジストパターン４
は精密を幅で窒化膜パターン３ａに転写される。
４は表層に形成された変質層４ａのエッチング速度が遅
いため殆ど変形しない。このため，レジストパターン４
は精密を幅で窒化膜パターン３ａに転写される。
【００３５】なお，レジストパターン４及び窒化膜パタ
ーン３ａの側壁面に，シリコン，臭素及び酸素の化合物
からなるサイドウオール５が堆積する。このため，窒化
膜パターン３ａの側壁はサイドウオールの厚さだけ斜め
に形成されるが，この傾斜量は通常は問題とならない程
度のものである。
ーン３ａの側壁面に，シリコン，臭素及び酸素の化合物
からなるサイドウオール５が堆積する。このため，窒化
膜パターン３ａの側壁はサイドウオールの厚さだけ斜め
に形成されるが，この傾斜量は通常は問題とならない程
度のものである。
【００３６】次いで，図１（ｄ）を参照して，流量８０
sccmのＳＦ6 と流量２０sccmのＨ2との混合ガスをエッ
チング用ガスとして, 窒化膜のエッチングと同様の装置
及び条件下で, 変質層４ａをエッチングして除去する。
sccmのＳＦ6 と流量２０sccmのＨ2との混合ガスをエッ
チング用ガスとして, 窒化膜のエッチングと同様の装置
及び条件下で, 変質層４ａをエッチングして除去する。
【００３７】次いで，プラズマから流出するガスに暴露
してレジストパターン４の残りを除去する。これは，平
行平板型のＲＩＥ装置により導入される窒化膜３ａ表面
の欠陥の発生を回避するために通常なされているもので
ある。
してレジストパターン４の残りを除去する。これは，平
行平板型のＲＩＥ装置により導入される窒化膜３ａ表面
の欠陥の発生を回避するために通常なされているもので
ある。
【００３８】さらに，図１（ｅ）を参照して，通常なさ
れる稀弗酸によるウエットエッチングによりサイドウオ
ールを除去したのち，硫酸と過酸化水素混液でレジスト
を完全に除去して，コンデンサの誘電体となる窒化膜パ
ターンを形成する。
れる稀弗酸によるウエットエッチングによりサイドウオ
ールを除去したのち，硫酸と過酸化水素混液でレジスト
を完全に除去して，コンデンサの誘電体となる窒化膜パ
ターンを形成する。
【００３９】後の工程は通常のコンデンサを有する半導
体装置の製造工程と同じである。
体装置の製造工程と同じである。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば，レジストマスクの表面
に耐エッチング性の高い変質層が形成されるからレジス
トマスクの変形が少なく，平行平板型のＲＩＥ装置を用
いて窒化膜に精密にパターンを転写することができる。
に耐エッチング性の高い変質層が形成されるからレジス
トマスクの変形が少なく，平行平板型のＲＩＥ装置を用
いて窒化膜に精密にパターンを転写することができる。
【００４１】また，エッチングの際のストッバとなる酸
化膜のエッチング速度が遅いから，オーバエッチングに
よる酸化膜厚の減少を抑制することができ，精密な素子
を形成することができる。
化膜のエッチング速度が遅いから，オーバエッチングに
よる酸化膜厚の減少を抑制することができ，精密な素子
を形成することができる。
【００４２】さらに，僅かな酸化膜厚のエッチングを許
容することで，変質層を容易に除去することができるか
ら，酸化膜及び窒化膜パターンを損なうことなくレジス
トを除去することができる。
容することで，変質層を容易に除去することができるか
ら，酸化膜及び窒化膜パターンを損なうことなくレジス
トを除去することができる。
【００４３】従って，本発明を適用することにより，レ
ジストパターンを精密にかつ下地の酸化膜を損なうこと
なく窒化膜に転写することができる半導体装置の製造方
法を提供することができ，半導体装置の性能向上に寄与
するところが大きい。
ジストパターンを精密にかつ下地の酸化膜を損なうこと
なく窒化膜に転写することができる半導体装置の製造方
法を提供することができ，半導体装置の性能向上に寄与
するところが大きい。
【図１】 本発明の実施例断面工程図
【図２】 従来の実施例断面工程図
１ 基板 ２ 酸化膜 ３ 窒化膜 ３ａ 窒化膜パターン ４ レジストパターン ４ａ 変質層 ５ サイドウオール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 庄村 和江 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（１）上に形成されたシリコン窒化
膜（３）を該窒化膜（３）上に形成されたレジストパタ
ーン（４）をマスクとし選択的にイオンエッチングし
て，該レジストパターン（４）を該窒化膜（３）に転写
する工程を有する半導体装置の製造方法において，該イ
オンエッチングの雰囲気ガスとして, ＳＦ6 ，ＨＢｒ，
Ｈｅ及びＯ2 を混合した第一のエッチング用ガス又は該
第一のエッチング用ガスに少なくともＮ2，フロンガ
ス，ＮＦ3 及び不活性ガスのうちの一つを混合した第二
のエッチング用ガスの何れかが用いられ，該イオンエッ
チングは，平行平板型のＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）装置を用いてすることを特徴とする半導体装置の製
造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
より該窒化膜（３）をパターニングした後，該エッチン
グガス中に水素ガスを混入した第一の灰化用ガス，又は
ＳＦ6 と水素ガスとを混合した第二の灰化用ガスの何れ
かを雰囲気ガスとし，平行平板型のＲＩＥ装置を用いて
するイオンエッチングにより，該レジストパターン
（４）の表面に形成された変質層（４ａ）を除去する工
程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２記載の半導体装置
の製造方法において，該窒化膜（３）はシリコン酸化膜
（２）上に堆積されていることを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6545692A JPH05267246A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6545692A JPH05267246A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267246A true JPH05267246A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13287661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6545692A Pending JPH05267246A (ja) | 1992-03-24 | 1992-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267246A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787446B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-09-07 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2007103876A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP2014131086A (ja) * | 2014-04-10 | 2014-07-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
-
1992
- 1992-03-24 JP JP6545692A patent/JPH05267246A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6787446B2 (en) | 2001-08-07 | 2004-09-07 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2007103876A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Hitachi High-Technologies Corp | エッチング方法およびエッチング装置 |
| JP2014131086A (ja) * | 2014-04-10 | 2014-07-10 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011113 |