JPH05267779A - 面型発光素子の製造方法 - Google Patents
面型発光素子の製造方法Info
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- JPH05267779A JPH05267779A JP9495292A JP9495292A JPH05267779A JP H05267779 A JPH05267779 A JP H05267779A JP 9495292 A JP9495292 A JP 9495292A JP 9495292 A JP9495292 A JP 9495292A JP H05267779 A JPH05267779 A JP H05267779A
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- Japan
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- reflecting layer
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- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高反射を維持し、かつ極めて低抵抗素子を実
現可能とする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１上にＡｌXＧａ1-X
Ａｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓからなるｎ型光反射層１２およ
びｐ型反射層１６により活性層（１３，１４，１５）が
挟まれた面型発光素子を製造する際に光反射層１２，１
６中の組成比ＸおよびＹが有機金属気相成長法によって
ｐ型反射層１６に対して０．６≦Ｘ≦０．７であり、か
つｎ型光反射層１２に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲で
形成する。
現可能とする。 【構成】 ｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１上にＡｌXＧａ1-X
Ａｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓからなるｎ型光反射層１２およ
びｐ型反射層１６により活性層（１３，１４，１５）が
挟まれた面型発光素子を製造する際に光反射層１２，１
６中の組成比ＸおよびＹが有機金属気相成長法によって
ｐ型反射層１６に対して０．６≦Ｘ≦０．７であり、か
つｎ型光反射層１２に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲で
形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の主面上に
ＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ
≦１）からなる半導体光反射層により構成される光共振
器によってレーザ発振を行う面発光レーザに適用される
面型発光素子の製造方法に関するものである。
ＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ
≦１）からなる半導体光反射層により構成される光共振
器によってレーザ発振を行う面発光レーザに適用される
面型発光素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、ＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓに
代表されるIII −Ｖ族化合物半導体レーザは、基板に対
して平行な方向にファブリーペロー共振器もしくはＤＢ
Ｆを形成し、前記半導体結晶のへき開端面よりレーザ光
を取り出している。
代表されるIII −Ｖ族化合物半導体レーザは、基板に対
して平行な方向にファブリーペロー共振器もしくはＤＢ
Ｆを形成し、前記半導体結晶のへき開端面よりレーザ光
を取り出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成される半導体レーザは、その構造上の問題から
二次元的にウエハ面上にレーザを高密度に集積するのは
極めて困難である。すなわち個々のレーザは個々に出射
端面を形成しなければならず、光共振器の長さが１００
〜８００μｍと長いので、ウエハ内に単位面積当たりに
集積できるレーザの個数には限界がある上、レーザ光は
基板に対して平行に出射するので、基板に垂直な方向に
光を取り出さなければならず、そのためにはレーザ部分
とは別に４５度高反射ミラーをエッチングにより形成し
なければならないという問題があった。
うに構成される半導体レーザは、その構造上の問題から
二次元的にウエハ面上にレーザを高密度に集積するのは
極めて困難である。すなわち個々のレーザは個々に出射
端面を形成しなければならず、光共振器の長さが１００
〜８００μｍと長いので、ウエハ内に単位面積当たりに
集積できるレーザの個数には限界がある上、レーザ光は
基板に対して平行に出射するので、基板に垂直な方向に
光を取り出さなければならず、そのためにはレーザ部分
とは別に４５度高反射ミラーをエッチングにより形成し
なければならないという問題があった。
【０００４】これに対して結晶成長その他により光共振
器を基板主面に対して垂直に形成し、レーザ光を前記基
板主面に対して垂直に取り出す、いわゆる面発光レーザ
は、その構造から容易に基板上に高密度二次元集積する
ことが可能である。すなわち半導体基板上に順次第１の
光反射層，活性層を含むキャビティ，第２の光反射層を
有し、発振は基板に対して垂直になされる。最近ではそ
の発振波長が０．８５μｍ，０．９８μｍ，１．５５μ
ｍなど様々な材料系で試みられており、しかも上記面発
光レーザは、通常のレーザと比較して閾値電流が１ｍＡ
を下回る極めて低閾値を有するレーザが実現可能となっ
ている。
器を基板主面に対して垂直に形成し、レーザ光を前記基
板主面に対して垂直に取り出す、いわゆる面発光レーザ
は、その構造から容易に基板上に高密度二次元集積する
ことが可能である。すなわち半導体基板上に順次第１の
光反射層，活性層を含むキャビティ，第２の光反射層を
有し、発振は基板に対して垂直になされる。最近ではそ
の発振波長が０．８５μｍ，０．９８μｍ，１．５５μ
ｍなど様々な材料系で試みられており、しかも上記面発
光レーザは、通常のレーザと比較して閾値電流が１ｍＡ
を下回る極めて低閾値を有するレーザが実現可能となっ
ている。
【０００５】前述した面発光レーザにおいては、レーザ
発振させるためには、前記面発光レーザを構成するエタ
ロンのＱ値を上げる、すなわち第１の光反射層，第２の
光反射層を極めて高いものにしなければならない。この
ため、通常光反射層の第１の屈折率ｎ1，第２の屈折率
ｎ2（ｎ1＞ｎ2）を有する半導体もしくは誘電体を発振
波長の１／４光学波長の膜厚で交互に分布させて構成さ
れる。例えば具体例を挙げると、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／
ＧａＡｓを活性層に有する面発光レーザにおいては、高
い反射率（９９％以上）を実現するために反射層は発振
波長（０．９８μｍ）において、吸収がなく、格子定数
がほぼマッチングし、可能な限り屈折率差を大きくとっ
たＧａＡｓ（屈折率３．５８）とＡｌＡｓ（屈折率２．
９８）とから構成される。
発振させるためには、前記面発光レーザを構成するエタ
ロンのＱ値を上げる、すなわち第１の光反射層，第２の
光反射層を極めて高いものにしなければならない。この
ため、通常光反射層の第１の屈折率ｎ1，第２の屈折率
ｎ2（ｎ1＞ｎ2）を有する半導体もしくは誘電体を発振
波長の１／４光学波長の膜厚で交互に分布させて構成さ
れる。例えば具体例を挙げると、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／
ＧａＡｓを活性層に有する面発光レーザにおいては、高
い反射率（９９％以上）を実現するために反射層は発振
波長（０．９８μｍ）において、吸収がなく、格子定数
がほぼマッチングし、可能な限り屈折率差を大きくとっ
たＧａＡｓ（屈折率３．５８）とＡｌＡｓ（屈折率２．
９８）とから構成される。
【０００６】しかしながら、上記光反射層を通して電流
を注入する場合、上記光反射層を構成する第１の半導体
および第２の半導体の禁制帯幅が大きく異なる（ΔＥｇ
〜０．７ｅＶ）２０〜３０対のヘテロ接合により形成さ
れているため、バンドの不連続性から２０〜３０μｍサ
イズで数ｋΩと極めて高抵抗になることが知られてい
る。特にｐ型ではこの傾向が顕著である。このため、上
記第２の光反射層をＴｉＯ2 （屈折率２．１９），Ｓｉ
０2 （屈折率１．４４）からなる誘電体による光反射層
に変更し、電流を他の場所から注入する構造あるいは上
記第２の光反射層側面のみをＺｎ拡散させ、ここに電流
を注入させる構造も試みられているが、プロセス工程が
複雑でかつ歩留まりが極めて悪いことが知られている。
を注入する場合、上記光反射層を構成する第１の半導体
および第２の半導体の禁制帯幅が大きく異なる（ΔＥｇ
〜０．７ｅＶ）２０〜３０対のヘテロ接合により形成さ
れているため、バンドの不連続性から２０〜３０μｍサ
イズで数ｋΩと極めて高抵抗になることが知られてい
る。特にｐ型ではこの傾向が顕著である。このため、上
記第２の光反射層をＴｉＯ2 （屈折率２．１９），Ｓｉ
０2 （屈折率１．４４）からなる誘電体による光反射層
に変更し、電流を他の場所から注入する構造あるいは上
記第２の光反射層側面のみをＺｎ拡散させ、ここに電流
を注入させる構造も試みられているが、プロセス工程が
複雑でかつ歩留まりが極めて悪いことが知られている。
【０００７】また、高反射かつ低抵抗の半導体反射層を
得る方法として分子線エピタキシ（ＭＢＥ）成長法を用
いる方法があるが、ＭＢＥ法は超高真空を必要とするた
め、装置の維持に問題がある。また、成長速度が遅いた
め、面レーザのように第１の反射層および第２の反射層
とも半導体層を用いる場合には全エピタキシャル層の膜
厚が１０μｍ以上となり、成長時間が長時間となる。こ
のため、成長条件の維持や生産性の点でも問題があっ
た。さらにＭＢＥ法ではオーバルディフェクトといわれ
る欠陥が存在するため、面形レーザの最大の特長である
二次元アレーの形成において、これが大きな障害となっ
ていた。
得る方法として分子線エピタキシ（ＭＢＥ）成長法を用
いる方法があるが、ＭＢＥ法は超高真空を必要とするた
め、装置の維持に問題がある。また、成長速度が遅いた
め、面レーザのように第１の反射層および第２の反射層
とも半導体層を用いる場合には全エピタキシャル層の膜
厚が１０μｍ以上となり、成長時間が長時間となる。こ
のため、成長条件の維持や生産性の点でも問題があっ
た。さらにＭＢＥ法ではオーバルディフェクトといわれ
る欠陥が存在するため、面形レーザの最大の特長である
二次元アレーの形成において、これが大きな障害となっ
ていた。
【０００８】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、高
反射を維持し、かつ極めて低抵抗素子を実現可能とした
面型発光素子の製造方法を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、高
反射を維持し、かつ極めて低抵抗素子を実現可能とした
面型発光素子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明者等は、種々の実験を行ってきた結果、
半導体光反射層中の組成比ＸおよびＹがｐ型半導体光反
射層に対して０．６≦Ｘ≦０．７，Ｙ＝０であり、かつ
ｎ型半導体光反射層に対してはＸ＝１，Ｙ＝０にするこ
とによって高反射率を維持しかつ極めて低抵抗である半
導体反射層を得ることに成功した。そこで本発明は、半
導体基板主面上にＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ
（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ≦１）からなる半導体光反射層により
構成される光共振器によってレーザ発振を行う面型発光
レーザに対してこの半導体光反射層中の組成比Ｘおよび
Ｙが有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によってｐ型
半導体光反射層に対して０．６≦Ｘ≦０．７であり、か
つｎ型半導体光反射層に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲
に形成するようにしたものである。
るために本発明者等は、種々の実験を行ってきた結果、
半導体光反射層中の組成比ＸおよびＹがｐ型半導体光反
射層に対して０．６≦Ｘ≦０．７，Ｙ＝０であり、かつ
ｎ型半導体光反射層に対してはＸ＝１，Ｙ＝０にするこ
とによって高反射率を維持しかつ極めて低抵抗である半
導体反射層を得ることに成功した。そこで本発明は、半
導体基板主面上にＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ
（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ≦１）からなる半導体光反射層により
構成される光共振器によってレーザ発振を行う面型発光
レーザに対してこの半導体光反射層中の組成比Ｘおよび
Ｙが有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によってｐ型
半導体光反射層に対して０．６≦Ｘ≦０．７であり、か
つｎ型半導体光反射層に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲
に形成するようにしたものである。
【００１０】
【作用】本発明においては、ｐ型半導体光反射層および
ｎ型半導体光反射層に対する組成比ＸおよびＹの範囲を
設定することによって高反射率を維持しかつ極めて低抵
抗な半導体反射層が得られる。
ｎ型半導体光反射層に対する組成比ＸおよびＹの範囲を
設定することによって高反射率を維持しかつ極めて低抵
抗な半導体反射層が得られる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。本発明に係わる半導体光反射層を用いた実施
例としてＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／ＧａＡｓ歪超格子を活性
層として用いた発振波長０．９８μｍ面型発光レーザの
場合について説明する。なお、この実施例は１つの例示
であって本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更あ
るいは改良を行い得ることは言うまでもない。
説明する。本発明に係わる半導体光反射層を用いた実施
例としてＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／ＧａＡｓ歪超格子を活性
層として用いた発振波長０．９８μｍ面型発光レーザの
場合について説明する。なお、この実施例は１つの例示
であって本発明の精神を逸脱しない範囲で種々の変更あ
るいは改良を行い得ることは言うまでもない。
【００１２】まず、最初に図１に断面図に示すような構
造を作製し、ｐ型半導体光反射層における組成比Ｘに対
する素子抵抗の特性比較を行った。サンプルは、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に１対のｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ層２か
らなる半導体光反射層，両側にアンドープＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓ層３，５を有し中心にアンドープＩｎ0.2Ｇａ0
.8Ａｓ／ＧａＡｓ歪超格子層４を活性層に持つキャビィ
ティー層，１対のｐ−Ａｌ1-XＧａXＡｓ／ＧａＡｓ（こ
こでＸ＝０，０．６，０．７，１．０）層６からなる半
導体光反射層の順で形成したｐｉｎ構造でこのｐｉｎ構
造の表面および裏面にそれぞれＡｕ電極７およびＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕ電極８のオーミック電極を形成し、Ｉ−Ｖ
測定により評価した。
造を作製し、ｐ型半導体光反射層における組成比Ｘに対
する素子抵抗の特性比較を行った。サンプルは、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１上に１対のｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ層２か
らなる半導体光反射層，両側にアンドープＡｌ0.3Ｇａ
0.7Ａｓ層３，５を有し中心にアンドープＩｎ0.2Ｇａ0
.8Ａｓ／ＧａＡｓ歪超格子層４を活性層に持つキャビィ
ティー層，１対のｐ−Ａｌ1-XＧａXＡｓ／ＧａＡｓ（こ
こでＸ＝０，０．６，０．７，１．０）層６からなる半
導体光反射層の順で形成したｐｉｎ構造でこのｐｉｎ構
造の表面および裏面にそれぞれＡｕ電極７およびＡｕＧ
ｅＮｉ／Ａｕ電極８のオーミック電極を形成し、Ｉ−Ｖ
測定により評価した。
【００１３】図２に素子径１１０μｍφの組成比Ｘに対
する順方向の立ち上がり付近から求めた微分抵抗測定結
果を示す。この図から明かなようにＸ＝０．６において
初めて微分抵抗がバルク並のものが得られることが分か
った。これからｐ型半導体光反射層において、屈折率差
をなるべく大きくかつ素子抵抗をできるだけ低くするに
は組成比０．６≦Ｘ≦０．７であることが最適である。
する順方向の立ち上がり付近から求めた微分抵抗測定結
果を示す。この図から明かなようにＸ＝０．６において
初めて微分抵抗がバルク並のものが得られることが分か
った。これからｐ型半導体光反射層において、屈折率差
をなるべく大きくかつ素子抵抗をできるだけ低くするに
は組成比０．６≦Ｘ≦０．７であることが最適である。
【００１４】次に本発明の実施例による半導体反射層を
用いた面型発光素子の製造方法を図３を用いて説明す
る。まず、最初に厚さ３５０μｍのｎ型ＧａＡｓ結晶基
板１１上に減圧ＭＯＣＶＤ法によってまずｎ−ＧａＡｓ
バッファ層を成長させる。続いて各層の膜厚がλ／４ｎ
からなる（ｎは屈折率）ドーピング濃度１×１０18ｃｍ
-3でｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓの２９．５対からなる第１
の光反射層１２を形成した。この第１の光反射層１２
は、通常ｐ型と比較して抵抗値は小さく、問題とならな
いため、光学的に有利な条件で設定される。そのために
は、できるだけＸが大きいほうが良く、材料の化学的な
安定性をも考慮すると、Ｘ≧０．７が望ましいが、ここ
ではＸ＝１．０とした。
用いた面型発光素子の製造方法を図３を用いて説明す
る。まず、最初に厚さ３５０μｍのｎ型ＧａＡｓ結晶基
板１１上に減圧ＭＯＣＶＤ法によってまずｎ−ＧａＡｓ
バッファ層を成長させる。続いて各層の膜厚がλ／４ｎ
からなる（ｎは屈折率）ドーピング濃度１×１０18ｃｍ
-3でｎ−ＡｌＡｓ／ＧａＡｓの２９．５対からなる第１
の光反射層１２を形成した。この第１の光反射層１２
は、通常ｐ型と比較して抵抗値は小さく、問題とならな
いため、光学的に有利な条件で設定される。そのために
は、できるだけＸが大きいほうが良く、材料の化学的な
安定性をも考慮すると、Ｘ≧０．７が望ましいが、ここ
ではＸ＝１．０とした。
【００１５】続いてアンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層１
３，活性層としてアンドープＩｎ0. 2Ｇａ0.8Ａｓ／Ｇａ
Ａｓ歪超格子層１４，アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層
１５からなる全体が発振波長の光学膜厚であるキャビィ
ティー層を形成した後、同様に各層の膜厚がλ／４ｎか
らなるドーピング濃度１×１０18ｃｍ-3でｐ−Ａｌ0. 6
Ｇａ0.4Ａｓ／ＧａＡｓの１５対からなる第２の光反射
層１６を形成し、最後にｐ−ＧａＡｓマッチング層およ
びｐ++−ＧａＡｓコンタクト層１７を形成した。
３，活性層としてアンドープＩｎ0. 2Ｇａ0.8Ａｓ／Ｇａ
Ａｓ歪超格子層１４，アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層
１５からなる全体が発振波長の光学膜厚であるキャビィ
ティー層を形成した後、同様に各層の膜厚がλ／４ｎか
らなるドーピング濃度１×１０18ｃｍ-3でｐ−Ａｌ0. 6
Ｇａ0.4Ａｓ／ＧａＡｓの１５対からなる第２の光反射
層１６を形成し、最後にｐ−ＧａＡｓマッチング層およ
びｐ++−ＧａＡｓコンタクト層１７を形成した。
【００１６】このようにして得られた結晶は、まず、ｎ
型ＧａＡｓ結晶基板１１の裏面をブロムメタノールによ
り研磨する。続いてこのｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１の裏
面にＳｉＯ2 によるＡＲコート１８およびｎ電極１９と
してＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着シンターを行った後、こ
のｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１の上部をリフトオフにより
５〜４０μｍφのＡｕ電極２０を形成する。その後、レ
ジストパターニングによりこのＡｕ電極２０上にマスク
を形成し、このマスク外部を塩素ガスによるＥＣＲエッ
チングを用いて第１の光反射層１２の途中までドライエ
ッチングさらにドライエッチングによるダメージを除去
するための硫酸系によるスライトエッチングを行い、工
程を完了する。ここでエッチングを上記第１の光反射層
１２の途中まで行ったのは、光学的導波路の損失を増や
すことなく、抵抗値の増大を避けるためのものである。
型ＧａＡｓ結晶基板１１の裏面をブロムメタノールによ
り研磨する。続いてこのｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１の裏
面にＳｉＯ2 によるＡＲコート１８およびｎ電極１９と
してＡｕＧｅＮｉ／Ａｕを蒸着シンターを行った後、こ
のｎ型ＧａＡｓ結晶基板１１の上部をリフトオフにより
５〜４０μｍφのＡｕ電極２０を形成する。その後、レ
ジストパターニングによりこのＡｕ電極２０上にマスク
を形成し、このマスク外部を塩素ガスによるＥＣＲエッ
チングを用いて第１の光反射層１２の途中までドライエ
ッチングさらにドライエッチングによるダメージを除去
するための硫酸系によるスライトエッチングを行い、工
程を完了する。ここでエッチングを上記第１の光反射層
１２の途中まで行ったのは、光学的導波路の損失を増や
すことなく、抵抗値の増大を避けるためのものである。
【００１７】このようにして形成された面型発光素子を
用いて構成した発光レーザに対して電流を注入し、Ｉ−
Ｌ特性を調べたところ、従来報告されている値と同様に
低閾値である２〜３ｍＡにおいて、Ｉ−Ｌ曲線が立ち上
がり、レーザ発振に至ることが確認された。また、閾値
付近における電圧は２〜２．５Ｖになり、従来のものと
比較すると、２桁改善された。
用いて構成した発光レーザに対して電流を注入し、Ｉ−
Ｌ特性を調べたところ、従来報告されている値と同様に
低閾値である２〜３ｍＡにおいて、Ｉ−Ｌ曲線が立ち上
がり、レーザ発振に至ることが確認された。また、閾値
付近における電圧は２〜２．５Ｖになり、従来のものと
比較すると、２桁改善された。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、半導体
基板の主面上にＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ
（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ≦１）からなるｐ型およびｎ型半導体
光反射層により活性層が挟まれた面型発光素子の製造方
法において、この半導体光反射層中の組成比ＸおよびＹ
が有機金属気相成長法によってｐ型半導体光反射層に対
して０．６≦Ｘ≦０．７であり、かつｎ型半導体光反射
層に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲に形成することによ
って従来と比較して高反射率を維持しかつ極めて低抵抗
素子が実現可能となるため、この半導体光反射層を用い
た面発光レーザなどのデバイスの改善、強いてはこのデ
バイスを用いた光交換，光ニューラルネットワーク，光
情報処理用の光源としての利用が可能になるなどの極め
て優れた効果が得られる。
基板の主面上にＡｌXＧａ1-XＡｓ／ＡｌYＧａ1-YＡｓ
（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ≦１）からなるｐ型およびｎ型半導体
光反射層により活性層が挟まれた面型発光素子の製造方
法において、この半導体光反射層中の組成比ＸおよびＹ
が有機金属気相成長法によってｐ型半導体光反射層に対
して０．６≦Ｘ≦０．７であり、かつｎ型半導体光反射
層に対しては０．７≦Ｘ≦１の範囲に形成することによ
って従来と比較して高反射率を維持しかつ極めて低抵抗
素子が実現可能となるため、この半導体光反射層を用い
た面発光レーザなどのデバイスの改善、強いてはこのデ
バイスを用いた光交換，光ニューラルネットワーク，光
情報処理用の光源としての利用が可能になるなどの極め
て優れた効果が得られる。
【図１】本発明に係わる面型発光素子を用いた面型発光
レーザの構成を説明する断面図である。
レーザの構成を説明する断面図である。
【図２】本発明に係わる面型発光素子のＡｌXＧａ1-XＡ
ｓ中の組成比Ｘに対する微分抵抗測定結果を示す図であ
る。
ｓ中の組成比Ｘに対する微分抵抗測定結果を示す図であ
る。
【図３】本発明による面型発光素子の製造方法の一実施
例を説明する断面図である。
例を説明する断面図である。
１１ ｎ型ＧａＡｓ結晶基板 １２ 第１の光反射層 １３ アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層 １４ アンドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ／ＧａＡｓ歪超
格子層 １５ アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層 １６ 第２の光反射層 １７ ｐ++−ＧａＡｓコンタクト層 １８ ＡＲコート １９ ｎ電極 ２０ Ａｕ電極
格子層 １５ アンドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層 １６ 第２の光反射層 １７ ｐ++−ＧａＡｓコンタクト層 １８ ＡＲコート １９ ｎ電極 ２０ Ａｕ電極
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の主面上にＡｌXＧａ1-XＡｓ
／ＡｌYＧａ1-YＡｓ（Ｘ＞Ｙ，０＜Ｘ≦１）からなるｐ
型およびｎ型半導体光反射層により活性層が挟まれた面
型発光素子の製造方法において、 前記半導体光反射層中の組成比ＸおよびＹが有機金属気
相成長法によってｐ型半導体光反射層に対して０．６≦
Ｘ≦０．７であり、かつｎ型半導体光反射層に対しては
０．７≦Ｘ≦１の範囲で形成することを特徴とする面型
発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495292A JPH05267779A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 面型発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9495292A JPH05267779A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 面型発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267779A true JPH05267779A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=14124284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9495292A Pending JPH05267779A (ja) | 1992-03-23 | 1992-03-23 | 面型発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267779A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7590159B2 (en) | 2001-02-26 | 2009-09-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-1.7 micrometers and optical telecommunication system using such a laser diode |
-
1992
- 1992-03-23 JP JP9495292A patent/JPH05267779A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7590159B2 (en) | 2001-02-26 | 2009-09-15 | Ricoh Company, Ltd. | Surface-emission laser diode operable in the wavelength band of 1.1-1.7 micrometers and optical telecommunication system using such a laser diode |
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