JPH0527010A - レーダ受信機 - Google Patents
レーダ受信機Info
- Publication number
- JPH0527010A JPH0527010A JP3175454A JP17545491A JPH0527010A JP H0527010 A JPH0527010 A JP H0527010A JP 3175454 A JP3175454 A JP 3175454A JP 17545491 A JP17545491 A JP 17545491A JP H0527010 A JPH0527010 A JP H0527010A
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- limiter
- high frequency
- fet
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- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明の目的は、簡易かつ安価な構成にし
て、リミッタダイオード、ＲＦ増幅器のＦＥＴの破損を
防止し得るレーダ受信機を提供することにある。 【構成】この発明は、高周波信号が所定レベル以上にな
るとき、高周波信号の伝送路に並列に接続したリミッタ
ダイオードに順方向電流を流し、当該ダイオードをオン
状態にして高周波信号を所定レベルで制限するダイオー
ドリミッタと、このダイオードリミッタの出力を電界効
果トランジスタにより高周波増幅するＦＥＴ高周波増幅
器と、電界効果トランジスタに供給される高周波信号が
増大して当該トランジスタが飽和状態となるときに生じ
るパルス信号を取り出すパルス信号抽出手段と、この手
段で得られたパルス信号に基づいてリミッタダイオード
に順方向電流を供給する電流供給手段とを具備して構成
される。
て、リミッタダイオード、ＲＦ増幅器のＦＥＴの破損を
防止し得るレーダ受信機を提供することにある。 【構成】この発明は、高周波信号が所定レベル以上にな
るとき、高周波信号の伝送路に並列に接続したリミッタ
ダイオードに順方向電流を流し、当該ダイオードをオン
状態にして高周波信号を所定レベルで制限するダイオー
ドリミッタと、このダイオードリミッタの出力を電界効
果トランジスタにより高周波増幅するＦＥＴ高周波増幅
器と、電界効果トランジスタに供給される高周波信号が
増大して当該トランジスタが飽和状態となるときに生じ
るパルス信号を取り出すパルス信号抽出手段と、この手
段で得られたパルス信号に基づいてリミッタダイオード
に順方向電流を供給する電流供給手段とを具備して構成
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パルスレーダシステ
ムに用いられ、ダイオードリミッタ、ＦＥＴ高周波増幅
器を含むレーダ受信機に関する。
ムに用いられ、ダイオードリミッタ、ＦＥＴ高周波増幅
器を含むレーダ受信機に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、１個の送受信共用アンテナを備
えたパルスレーダシステムは、図３に示す構成となって
いる。
えたパルスレーダシステムは、図３に示す構成となって
いる。
【０００３】図３において、１はマグネトロン等の送信
出力管で、この出力管１からは送信パルス信号が出力さ
れる。この送信パルス信号はサーキュレータ２及びアン
テナ３を介して空間に放射され、目標からの反射信号は
再びアンテナ３、サーキュレータ２を介してレーダ受信
機側に供給される。このレーダ受信機はダイオードリミ
ッタ４及びレーダ受信モジュール５によって構成され
る。
出力管で、この出力管１からは送信パルス信号が出力さ
れる。この送信パルス信号はサーキュレータ２及びアン
テナ３を介して空間に放射され、目標からの反射信号は
再びアンテナ３、サーキュレータ２を介してレーダ受信
機側に供給される。このレーダ受信機はダイオードリミ
ッタ４及びレーダ受信モジュール５によって構成され
る。
【０００４】上記ダイオードリミッタ４は送信出力管１
からの過大な送信信号がサーキュレータ２から漏洩し
て、レーダ受信モジュール５の初段に用いられる高周波
（ＲＦ）増幅器のＦＥＴが焼損するのを防止する機能を
果たす。一般に、導波管回路またはマイクロ波集積回路
（ＭＩＣ）によって構成されており、振幅制限用リミッ
タダイオードが装着されている。
からの過大な送信信号がサーキュレータ２から漏洩し
て、レーダ受信モジュール５の初段に用いられる高周波
（ＲＦ）増幅器のＦＥＴが焼損するのを防止する機能を
果たす。一般に、導波管回路またはマイクロ波集積回路
（ＭＩＣ）によって構成されており、振幅制限用リミッ
タダイオードが装着されている。
【０００５】リミッタダイオードは２段にて使用される
ことが多く、サーキュレータ２側に装着された初段のリ
ミッタダイオード６には大電力に対して破損しないよう
にようなダイオードを用いる。但し、耐電力性の優れた
リミッタダイオードは漏れ電力が大きく、これだけでは
ＦＥＴの破損を防止し得ない。このため、レーダ受信モ
ジュール５側に装着された次段のリミッタダイオード７
には、初段のリミッタダイオード６に比べて耐電力性は
劣るが、漏れ電力が小さいものを装着する。この２段構
造によりＦＥＴの破損を十分防止できる。
ことが多く、サーキュレータ２側に装着された初段のリ
ミッタダイオード６には大電力に対して破損しないよう
にようなダイオードを用いる。但し、耐電力性の優れた
リミッタダイオードは漏れ電力が大きく、これだけでは
ＦＥＴの破損を防止し得ない。このため、レーダ受信モ
ジュール５側に装着された次段のリミッタダイオード７
には、初段のリミッタダイオード６に比べて耐電力性は
劣るが、漏れ電力が小さいものを装着する。この２段構
造によりＦＥＴの破損を十分防止できる。
【０００６】このように、異なる特性のリミッタダイオ
ードを組み合わせてダイオードリミッタを構成するのが
一般的である。リミッタダイオードの耐電力性を高める
方法として、初段のリミッタダイオード６の動作層（Ｉ
層）の厚さを厚くし、電極面積を大きくすることが行わ
れている。しかしながら、これには限界があり、Ｉ層を
ある値以上に厚くすると、逆にリミッタダイオードがＲ
Ｆ電力によって破損しやすくなる。
ードを組み合わせてダイオードリミッタを構成するのが
一般的である。リミッタダイオードの耐電力性を高める
方法として、初段のリミッタダイオード６の動作層（Ｉ
層）の厚さを厚くし、電極面積を大きくすることが行わ
れている。しかしながら、これには限界があり、Ｉ層を
ある値以上に厚くすると、逆にリミッタダイオードがＲ
Ｆ電力によって破損しやすくなる。
【０００７】これを防止する方法として、リミッタダイ
オードが破損するに必要なＲＦ電力値より低い電力が入
力した段階で、外部よりダイオードに順方向の電流を流
してリミッタダイオードのインピーダンスを下げる（オ
ン状態）方法がある。
オードが破損するに必要なＲＦ電力値より低い電力が入
力した段階で、外部よりダイオードに順方向の電流を流
してリミッタダイオードのインピーダンスを下げる（オ
ン状態）方法がある。
【０００８】図４は上記方法を図３のダイオードリミッ
タ４に適用した場合の等価回路を示している。図４にお
いて、ここではリミッタダイオード１０がＲＦ回路に対
して並列に接続されており、そのＲＦ出力側には検波ダ
イオード１２が粗結合されている。
タ４に適用した場合の等価回路を示している。図４にお
いて、ここではリミッタダイオード１０がＲＦ回路に対
して並列に接続されており、そのＲＦ出力側には検波ダ
イオード１２が粗結合されている。
【０００９】この検波ダイオード１２はパルス増幅器１
３の入力端１４に接続されており、パルス増幅器１３の
出力端１５はリミッタダイオード１０に接続されてい
る。パルス増幅器１３はバイアス入力端子１６より供給
される直流バイアス電圧によって駆動される。
３の入力端１４に接続されており、パルス増幅器１３の
出力端１５はリミッタダイオード１０に接続されてい
る。パルス増幅器１３はバイアス入力端子１６より供給
される直流バイアス電圧によって駆動される。
【００１０】すなわち、上記構成による従来のリミッタ
回路では、ＲＦ入力が小さいときは検波ダイオード１２
の検波出力が小さい。このため、パルス増幅器１３の出
力端１５には何も出力されず、リミッタダイオード１０
にはパルス電流は流れない。このとき、リミッタダイオ
ード１０はオフ状態にある。
回路では、ＲＦ入力が小さいときは検波ダイオード１２
の検波出力が小さい。このため、パルス増幅器１３の出
力端１５には何も出力されず、リミッタダイオード１０
にはパルス電流は流れない。このとき、リミッタダイオ
ード１０はオフ状態にある。
【００１１】ここで、ＲＦ入力がある値以上に大きくな
ると、検波ダイオード１２の検波出力も大きくなる。そ
の検波出力をパルス増幅器１３で増幅してリミッタダイ
オード１０に印加し、順方向にパルス電流を流してダイ
オード１０をオン状態にする。これによってＲＦ出力の
通過電力は制限され、同時にリミッタダイオード１０の
破損をも防止される。
ると、検波ダイオード１２の検波出力も大きくなる。そ
の検波出力をパルス増幅器１３で増幅してリミッタダイ
オード１０に印加し、順方向にパルス電流を流してダイ
オード１０をオン状態にする。これによってＲＦ出力の
通過電力は制限され、同時にリミッタダイオード１０の
破損をも防止される。
【００１２】尚、上記構成のダイオードリミッタ４にお
いて、検波ダイオード１２の検波出力がリミッタダイオ
ード１０をオン状態にする十分な値の場合にはパルス増
幅器１３は不要で、直接検波ダイオード１２とリミッタ
ダイオード１０を接続する場合もある。
いて、検波ダイオード１２の検波出力がリミッタダイオ
ード１０をオン状態にする十分な値の場合にはパルス増
幅器１３は不要で、直接検波ダイオード１２とリミッタ
ダイオード１０を接続する場合もある。
【００１３】しかしながら、上記のような従来のレーダ
受信機において、ダイオードリミッタには検波器が必要
であり、構造が複雑なため高価となっている。また、検
波器がＲＦ信号の一部を消費するため、小信号における
挿入損失が大きい。さらに、検波器とＲＦ回路との結合
度及びリミッタダイオードのばらつきにより、リミッタ
ダイオードに電流が流れ始めるためのＲＦ入力電力値に
ばらつきが生じやすく、リミッタの漏れ電力に生じるば
らつきが非常に大きい。
受信機において、ダイオードリミッタには検波器が必要
であり、構造が複雑なため高価となっている。また、検
波器がＲＦ信号の一部を消費するため、小信号における
挿入損失が大きい。さらに、検波器とＲＦ回路との結合
度及びリミッタダイオードのばらつきにより、リミッタ
ダイオードに電流が流れ始めるためのＲＦ入力電力値に
ばらつきが生じやすく、リミッタの漏れ電力に生じるば
らつきが非常に大きい。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上述べたように従来
のレーダ受信機において、リミッタダイオードに順方向
電流を流してオン状態にする方式のダイオードリミッタ
を用いた場合、検波器が必要となって構造が複雑かつ高
価となってしまい、また検波器がＲＦ信号の一部を消費
するため、小信号における挿入損失が大きくなってしま
い、さらに検波器とＲＦ回路との結合度及びリミッタダ
イオードのばらつきにより、リミッタダイオードに電流
が流れ始めるためのＲＦ入力電力値にばらつきが生じや
すく、リミッタ漏れ電力のばらつきが非常に大きい。
のレーダ受信機において、リミッタダイオードに順方向
電流を流してオン状態にする方式のダイオードリミッタ
を用いた場合、検波器が必要となって構造が複雑かつ高
価となってしまい、また検波器がＲＦ信号の一部を消費
するため、小信号における挿入損失が大きくなってしま
い、さらに検波器とＲＦ回路との結合度及びリミッタダ
イオードのばらつきにより、リミッタダイオードに電流
が流れ始めるためのＲＦ入力電力値にばらつきが生じや
すく、リミッタ漏れ電力のばらつきが非常に大きい。
【００１５】この発明は上記の問題を解決するためにな
されたもので、検波器を用いずに、簡易かつ安価な構成
にして、リミッタダイオードをオン状態にしてリミッタ
ダイオード及び後段のレーダ受信モジュールのＦＥＴの
破損を防止し得るレーダ受信機を提供することを目的と
する。
されたもので、検波器を用いずに、簡易かつ安価な構成
にして、リミッタダイオードをオン状態にしてリミッタ
ダイオード及び後段のレーダ受信モジュールのＦＥＴの
破損を防止し得るレーダ受信機を提供することを目的と
する。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明は、高周波信号の伝送路に並列にリミッタダ
イオードを接続し、前記高周波信号が所定レベル以上に
なるとき、前記リミッタダイオードに順方向電流を流し
て当該ダイオードをオン状態にすることにより、前記高
周波信号を所定レベルで制限するダイオードリミッタ
と、このダイオードリミッタの出力を電界効果トランジ
スタにより高周波増幅するＦＥＴ高周波増幅器とを備え
るレーダ受信機において、前記電界効果トランジスタに
供給される高周波信号が増大して、当該トランジスタが
飽和状態となるときに生じるパルス信号を取り出すパル
ス信号抽出手段と、この手段で得られたパルス信号に基
づいて前記リミッタダイオードに順方向電流を供給する
電流供給手段とを具備して構成される。
にこの発明は、高周波信号の伝送路に並列にリミッタダ
イオードを接続し、前記高周波信号が所定レベル以上に
なるとき、前記リミッタダイオードに順方向電流を流し
て当該ダイオードをオン状態にすることにより、前記高
周波信号を所定レベルで制限するダイオードリミッタ
と、このダイオードリミッタの出力を電界効果トランジ
スタにより高周波増幅するＦＥＴ高周波増幅器とを備え
るレーダ受信機において、前記電界効果トランジスタに
供給される高周波信号が増大して、当該トランジスタが
飽和状態となるときに生じるパルス信号を取り出すパル
ス信号抽出手段と、この手段で得られたパルス信号に基
づいて前記リミッタダイオードに順方向電流を供給する
電流供給手段とを具備して構成される。
【００１７】
【作用】上記構成によるレーダ受信機では、検波器を用
いずに、レーダ受信モジュールのＲＦ増幅器に使用され
ているＦＥＴが飽和状態となるとき、そのいずれかの端
子電圧がパルス状に変化することを利用し、このパルス
信号に基づいてリミッタダイオードに順方向電流を流し
て、リミッタダイオード及びＦＥＴの破損を防止する。
いずに、レーダ受信モジュールのＲＦ増幅器に使用され
ているＦＥＴが飽和状態となるとき、そのいずれかの端
子電圧がパルス状に変化することを利用し、このパルス
信号に基づいてリミッタダイオードに順方向電流を流し
て、リミッタダイオード及びＦＥＴの破損を防止する。
【００１８】
【実施例】以下、図１を参照してこの発明の一実施例を
説明する。但し、図１において、図３と同一部分には同
一符号を付して示し、ここでは異なる部分を中心に説明
する。
説明する。但し、図１において、図３と同一部分には同
一符号を付して示し、ここでは異なる部分を中心に説明
する。
【００１９】図１はその構成を示すもので、３０はレー
ダ受信モジュールである。このモジュール３０はＦＥＴ
３０１でダイオードリミッタ４からのＲＦ信号を増幅し
た後、ミキサ３０２で局部発振器３０３からの同調信号
と混合することにより、受信信号を得る。ＦＥＴ３０１
のゲートＧは前記パルス増幅器１３の入力端１４に接続
されている。
ダ受信モジュールである。このモジュール３０はＦＥＴ
３０１でダイオードリミッタ４からのＲＦ信号を増幅し
た後、ミキサ３０２で局部発振器３０３からの同調信号
と混合することにより、受信信号を得る。ＦＥＴ３０１
のゲートＧは前記パルス増幅器１３の入力端１４に接続
されている。
【００２０】すなわち、ＲＦ入力電力が小さいときは、
リミッタダイオード１０を通過し、ＦＥＴ３０１のゲー
トＧに入力しても、ゲート・ソース間には検波電流が流
れないため、パルス増幅器１３の入力端１４にはパルス
信号はなく、出力端１５にも出力はない。このため、リ
ミッタダイオード１０には電流が流れず、このダイオー
ド１０はオフ状態にある。
リミッタダイオード１０を通過し、ＦＥＴ３０１のゲー
トＧに入力しても、ゲート・ソース間には検波電流が流
れないため、パルス増幅器１３の入力端１４にはパルス
信号はなく、出力端１５にも出力はない。このため、リ
ミッタダイオード１０には電流が流れず、このダイオー
ド１０はオフ状態にある。
【００２１】これに対し、ＲＦ入力電力が増加してＦＥ
Ｔ３０１のゲート・ソース間に検波電流が流れると、Ｆ
ＥＴ３０１は飽和するようになる。このとき、ゲート電
圧が低下して負のパルス信号が発生する。このパルス信
号はパルス増幅器１３で増幅され、リミッタダイオード
１０に印加される。すると、このリミッタダイオード１
０はオン状態になり、ＦＥＴ３０１のゲートＧに入力す
るＲＦ信号を制限するようになる。
Ｔ３０１のゲート・ソース間に検波電流が流れると、Ｆ
ＥＴ３０１は飽和するようになる。このとき、ゲート電
圧が低下して負のパルス信号が発生する。このパルス信
号はパルス増幅器１３で増幅され、リミッタダイオード
１０に印加される。すると、このリミッタダイオード１
０はオン状態になり、ＦＥＴ３０１のゲートＧに入力す
るＲＦ信号を制限するようになる。
【００２２】したがって、上記のようにＦＥＴ３０１の
検波作用を用いれば、ＦＥＴ３０１及びリミッタダイオ
ード１０が過大なＲＦ入力によって破損する前にリミッ
タダイオード１０を確実にオン状態することができる。
また、従来のような検波ダイオードは不要となる。
検波作用を用いれば、ＦＥＴ３０１及びリミッタダイオ
ード１０が過大なＲＦ入力によって破損する前にリミッ
タダイオード１０を確実にオン状態することができる。
また、従来のような検波ダイオードは不要となる。
【００２３】したがって、上記構成によるレーダ受信機
は、検波器が不要であるため、ダイオードリミッタの構
造が簡単になり、安価に実現可能である。また、検波器
挿入による損失もない。さらに、ＦＥＴのゲート・ソー
ス間の検波電流変化を用いるため、ＦＥＴに最適なＲＦ
入力レベルでリミッタをオン・オフすることができる。
は、検波器が不要であるため、ダイオードリミッタの構
造が簡単になり、安価に実現可能である。また、検波器
挿入による損失もない。さらに、ＦＥＴのゲート・ソー
ス間の検波電流変化を用いるため、ＦＥＴに最適なＲＦ
入力レベルでリミッタをオン・オフすることができる。
【００２４】尚、ＦＥＴ３０１のゲート・ソース間に検
波電流が流れると、検波電流波形と同一のドレイン電流
変化がある。このため、パルス増幅器１３の入力端１４
をドレインＤまたはソースＳに接続しても、上記実施例
と同様の効果がある。
波電流が流れると、検波電流波形と同一のドレイン電流
変化がある。このため、パルス増幅器１３の入力端１４
をドレインＤまたはソースＳに接続しても、上記実施例
と同様の効果がある。
【００２５】また、パルス増幅器１３の入力端１４のパ
ルス電力がリミッタダイオード１０の順方向電流を流す
に十分な場合には、パルス増幅器１３を省略することが
できることは、従来の場合と同様である。但し、この場
合にはリミッタダイオード１０を順方向電流が流れる極
性に設定する必要がある。図２は上記ダイオードリミッ
タ４及びレーダ受信モジュール３０のＦＥＴ増幅部をマ
イクロ波集積回路化した場合の構成を示している。
ルス電力がリミッタダイオード１０の順方向電流を流す
に十分な場合には、パルス増幅器１３を省略することが
できることは、従来の場合と同様である。但し、この場
合にはリミッタダイオード１０を順方向電流が流れる極
性に設定する必要がある。図２は上記ダイオードリミッ
タ４及びレーダ受信モジュール３０のＦＥＴ増幅部をマ
イクロ波集積回路化した場合の構成を示している。
【００２６】図２において、５０はアルミナ等の誘電体
基板であり、この基板５０上にはマイクロストリップ線
路５１で回路が形成されている。マイクロストリップ線
路と接地間にはリミッタダイオード５２，５３が接続さ
れている。また、ＦＥＴ５４のゲート５５にはパルス増
幅器５６の入力端５７が接続されており、パルス増幅器
５６の出力端５８はリミッタダイオード５２，５３に順
方向電流を流すように接続されている。尚、５９１〜５
９４はそれぞれＲＦ信号に対しては低インピーダンス、
パルス信号に対しては高インピーダンスとなる直流カッ
ト用チップコンデンサである。
基板であり、この基板５０上にはマイクロストリップ線
路５１で回路が形成されている。マイクロストリップ線
路と接地間にはリミッタダイオード５２，５３が接続さ
れている。また、ＦＥＴ５４のゲート５５にはパルス増
幅器５６の入力端５７が接続されており、パルス増幅器
５６の出力端５８はリミッタダイオード５２，５３に順
方向電流を流すように接続されている。尚、５９１〜５
９４はそれぞれＲＦ信号に対しては低インピーダンス、
パルス信号に対しては高インピーダンスとなる直流カッ
ト用チップコンデンサである。
【００２７】このように構成すれば、図１で説明したよ
うに、過大なＲＦ入力に対してリミッタダイオード５
２，５３はオン状態になり、ＦＥＴ５４及びリミッタダ
イオード５２，５３の破損を防止することができる。
うに、過大なＲＦ入力に対してリミッタダイオード５
２，５３はオン状態になり、ＦＥＴ５４及びリミッタダ
イオード５２，５３の破損を防止することができる。
【００２８】過大なＲＦ入力によって破損するリミッタ
ダイオードは、常に初段に使われているリミッタダイオ
ード５２に限られるので、初段のリミッタダイオード５
２のみに外部から電流を流せるよう、２つのリミッタダ
イオード間を直流カット用チップコンデンサ５９１で分
離し、次段のリミッタダイオード５３は直流的に短絡し
て用いても上記の効果が得られることは勿論である。
ダイオードは、常に初段に使われているリミッタダイオ
ード５２に限られるので、初段のリミッタダイオード５
２のみに外部から電流を流せるよう、２つのリミッタダ
イオード間を直流カット用チップコンデンサ５９１で分
離し、次段のリミッタダイオード５３は直流的に短絡し
て用いても上記の効果が得られることは勿論である。
【００２９】すなわち、外部よりパルス電圧を印加して
用いるリミッタダイオードは初段のみにする場合と、初
段及び次段の両方に印加する場合があり、いずれもこの
発明の効果は得られる。その他、この発明の要旨を変更
しない範囲で種々変形しても、同様に実施可能である。
用いるリミッタダイオードは初段のみにする場合と、初
段及び次段の両方に印加する場合があり、いずれもこの
発明の効果は得られる。その他、この発明の要旨を変更
しない範囲で種々変形しても、同様に実施可能である。
【００３０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、検波器
を用いずに、簡易かつ安価な構成にして、リミッタダイ
オードをオン状態にしてリミッタダイオード及び後段の
レーダ受信モジュールのＦＥＴの破損を防止し得るレー
ダ受信機を提供することができる。
を用いずに、簡易かつ安価な構成にして、リミッタダイ
オードをオン状態にしてリミッタダイオード及び後段の
レーダ受信モジュールのＦＥＴの破損を防止し得るレー
ダ受信機を提供することができる。
【図１】この発明に係るレーダ受信機の一実施例を示す
回路図。
回路図。
【図２】同実施例の要部をＭＩＣ化した場合の構成図。
【図３】従来のレーダ受信機の全体構成を示すブロック
回路図。
回路図。
【図４】従来のレーダ受信機のダイオードリミッタの構
成を示す回路図。
成を示す回路図。
１…送信出力管、２…サーキュレータ、３…アンテナ、
４…ダイオードリミッタ、５…レーダ受信モジュール、
６，７，１０…リミッタダイオード、１１…ＲＦ回路、
１２…検波ダイオード、１３…パルス増幅器、１４…入
力端、１５…出力端、１６…バイアス入力端子、３０…
レーダ受信モジュール、３０１…ＦＥＴ、３０２…ミキ
サ、３０３…局部発振器、５０…誘電体基板、５１…マ
イクロストリップ線路、５２，５３…リミッタダイオー
ド、５４…ＦＥＴ、５５…ゲート、５６…パルス増幅
器、５７…入力端、５８…出力端、５９１〜５９４…直
流カット用チップコンデンサ。
４…ダイオードリミッタ、５…レーダ受信モジュール、
６，７，１０…リミッタダイオード、１１…ＲＦ回路、
１２…検波ダイオード、１３…パルス増幅器、１４…入
力端、１５…出力端、１６…バイアス入力端子、３０…
レーダ受信モジュール、３０１…ＦＥＴ、３０２…ミキ
サ、３０３…局部発振器、５０…誘電体基板、５１…マ
イクロストリップ線路、５２，５３…リミッタダイオー
ド、５４…ＦＥＴ、５５…ゲート、５６…パルス増幅
器、５７…入力端、５８…出力端、５９１〜５９４…直
流カット用チップコンデンサ。
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波信号の伝送路に並列にリミッタダ
イオードを接続し、前記高周波信号が所定レベル以上に
なるとき、前記リミッタダイオードに順方向電流を流し
て当該ダイオードをオン状態にすることにより、前記高
周波信号を所定レベルで制限するダイオードリミッタ
と、このダイオードリミッタの出力を電界効果トランジ
スタにより高周波増幅するＦＥＴ高周波増幅器とを備え
るレーダ受信機において、前記電界効果トランジスタに
供給される高周波信号が増大して、当該トランジスタが
飽和状態となるときに生じるパルス信号を取り出すパル
ス信号抽出手段と、この手段で得られたパルス信号に基
づいて前記リミッタダイオードに順方向電流を供給する
電流供給手段とを具備するレーダ受信機。 - 【請求項２】 前記電流供給手段は、前記パルス信号抽
出手段で得られたパルス信号を増幅して前記順方向電流
を生成するパルス増幅器で構成することを特徴とする請
求項１記載のレーダ受信機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175454A JPH0527010A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | レーダ受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175454A JPH0527010A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | レーダ受信機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527010A true JPH0527010A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=15996356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175454A Pending JPH0527010A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | レーダ受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0527010A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006246095A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | マイクロ波リミッタ回路 |
| JP2018124158A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社東芝 | 送受信装置、送受信モジュール、及びレーダーシステム |
| JPWO2022107708A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | ||
| CN115877395A (zh) * | 2023-02-01 | 2023-03-31 | 深圳煜炜光学科技有限公司 | 一种激光雷达及其测距方法 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3175454A patent/JPH0527010A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006246095A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | マイクロ波リミッタ回路 |
| JP2018124158A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社東芝 | 送受信装置、送受信モジュール、及びレーダーシステム |
| JPWO2022107708A1 (ja) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | ||
| US12600156B2 (en) | 2020-11-20 | 2026-04-14 | Fujifilm Corporation | Image forming apparatus and method of manufacturing printed material |
| CN115877395A (zh) * | 2023-02-01 | 2023-03-31 | 深圳煜炜光学科技有限公司 | 一种激光雷达及其测距方法 |
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