JPH0527262A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPH0527262A JPH0527262A JP18125691A JP18125691A JPH0527262A JP H0527262 A JPH0527262 A JP H0527262A JP 18125691 A JP18125691 A JP 18125691A JP 18125691 A JP18125691 A JP 18125691A JP H0527262 A JPH0527262 A JP H0527262A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、容易に輝点欠陥画素を滅点
化できるノーマリーホワイトモードのアクアティブマト
リックス型液晶表示装置を提供することにある。 【構成】 マトリクス配列された画素電極４と、アドレ
ス信号により駆動制御される各画素電極４に設けられた
ＴＦＴ３と、各画素電極４の下部に絶縁層１１を介して
設けられた所定電圧の印加されたバスライン９，１０と
からなるマトリクスアレイ基板１３と、このマトリクス
アレイ基板１３上に設けられた液晶層８と、画素電極４
に対応した対向電極７を有し、マトリクスアレイ基板１
３と共に液晶層８を挾持する対向基板７とを具備し、上
記画素電極４において、輝点状欠陥のものは、バスライ
ン９と短絡され、このバスライン９の電圧が印加されて
いることを特徴とする。
化できるノーマリーホワイトモードのアクアティブマト
リックス型液晶表示装置を提供することにある。 【構成】 マトリクス配列された画素電極４と、アドレ
ス信号により駆動制御される各画素電極４に設けられた
ＴＦＴ３と、各画素電極４の下部に絶縁層１１を介して
設けられた所定電圧の印加されたバスライン９，１０と
からなるマトリクスアレイ基板１３と、このマトリクス
アレイ基板１３上に設けられた液晶層８と、画素電極４
に対応した対向電極７を有し、マトリクスアレイ基板１
３と共に液晶層８を挾持する対向基板７とを具備し、上
記画素電極４において、輝点状欠陥のものは、バスライ
ン９と短絡され、このバスライン９の電圧が印加されて
いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置に係り、
特にノーマリーホワイトモードのアクティブマトリクス
型液晶表示装置に関する。
特にノーマリーホワイトモードのアクティブマトリクス
型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は薄型、軽量であり、低電
圧駆動が可能で、更に、カラー化も容易である等の特徴
を有し、近年パーソナルコンピュータ、ワープロなどの
表示装置として利用されている。中でも、各画素毎にス
イッチング素子を設けた、いわゆるアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置は、多画素にしてもコントラスト、
レスポンス等の劣化がなく、更に、中間調表示も可能で
あることから、フルカラーテレビや、ＯＡ用の表示装置
として最適な方式である。図１０はスイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた従来のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置の等価回路である。
圧駆動が可能で、更に、カラー化も容易である等の特徴
を有し、近年パーソナルコンピュータ、ワープロなどの
表示装置として利用されている。中でも、各画素毎にス
イッチング素子を設けた、いわゆるアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置は、多画素にしてもコントラスト、
レスポンス等の劣化がなく、更に、中間調表示も可能で
あることから、フルカラーテレビや、ＯＡ用の表示装置
として最適な方式である。図１０はスイッチング素子と
して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた従来のアクテ
ィブマトリックス型液晶表示装置の等価回路である。
【０００３】この液晶表示装置は大きく分けて、ガラス
等の透光性絶縁材料からなる２枚の基板（アレイ基板，
対向基板）と、これら基板により挾持されたと液晶層８
とからなる。
等の透光性絶縁材料からなる２枚の基板（アレイ基板，
対向基板）と、これら基板により挾持されたと液晶層８
とからなる。
【０００４】アレイ基板には、ＴＦＴ３，透明電極画素
４とからなる画素がマトリクス状に設けられている。Ｔ
ＦＴ３のゲート，ソース，ドレインにはそれぞれアドレ
ス線１，透明画素電極４，データ線２が接続されてい
る、対向基板には、上記透明画素電極４に相対応して設
けられた対向電極７が設けられている。
４とからなる画素がマトリクス状に設けられている。Ｔ
ＦＴ３のゲート，ソース，ドレインにはそれぞれアドレ
ス線１，透明画素電極４，データ線２が接続されてい
る、対向基板には、上記透明画素電極４に相対応して設
けられた対向電極７が設けられている。
【０００５】このように構成された液晶表示装置では、
所定のタイミングでアドレス線１，データ線２にそれぞ
れアドレス信号，データ信号を印加することにより、各
画素電極４に表示に対応した電圧を選択的に印加するこ
とができる。液晶層８の配向は、即ち、光透過率は、対
向電極７と画素電極４との電位差で制御でき、これによ
り任意の表示が可能となる。
所定のタイミングでアドレス線１，データ線２にそれぞ
れアドレス信号，データ信号を印加することにより、各
画素電極４に表示に対応した電圧を選択的に印加するこ
とができる。液晶層８の配向は、即ち、光透過率は、対
向電極７と画素電極４との電位差で制御でき、これによ
り任意の表示が可能となる。
【０００６】一般的によく用いられる液晶は、ツイスト
ネマチックモードであり、両基板の外側にはそれぞれ偏
光板が設けられる。この偏光板の配置方向により、ノー
マリーホワイトモードとノーマリーブラックモードとの
２種類の表示モードが実現できる。
ネマチックモードであり、両基板の外側にはそれぞれ偏
光板が設けられる。この偏光板の配置方向により、ノー
マリーホワイトモードとノーマリーブラックモードとの
２種類の表示モードが実現できる。
【０００７】即ち、液晶層８に電圧が印加されていない
ときの光透過率が最大となる場合がノーマリーホワイト
モードであり、最少の光透過率となる場合がノーマリー
ブラックモードとなる。
ときの光透過率が最大となる場合がノーマリーホワイト
モードであり、最少の光透過率となる場合がノーマリー
ブラックモードとなる。
【０００８】ノーマリーブラックモードでは、液晶層の
厚みの僅かなずれで最少光透過率がばらつき、又、透過
する光の波長により、最適液晶層の厚みが異なる等の理
由により高コントラストの実現が困難なため、通常はノ
ーマリーホワイトモードが多く使用される。
厚みの僅かなずれで最少光透過率がばらつき、又、透過
する光の波長により、最適液晶層の厚みが異なる等の理
由により高コントラストの実現が困難なため、通常はノ
ーマリーホワイトモードが多く使用される。
【０００９】ところで、ＴＦＴをはじめとする、スイッ
チング素子の製造工程は極めて複雑なため、全ての画素
を無欠陥で作成することは極めて困難であり、製品のレ
ベルにおいても、いくつかの欠陥画素が含まれている。
チング素子の製造工程は極めて複雑なため、全ての画素
を無欠陥で作成することは極めて困難であり、製品のレ
ベルにおいても、いくつかの欠陥画素が含まれている。
【００１０】欠陥画素にも何種類か存在するが、最も表
示品位を損なうものは、画面を黒表示にしたときに明る
く見える輝点状欠陥画素である。ノーマリーホワイトモ
ードの液晶表示装置において、輝点状欠陥が生じるの
は、基本的に、液晶層の光透過率を変化させるのに十分
な電圧が画素電極に加わっていない場合である。この原
因は、いくつもあるため、種々の冗長構造等を用いて
も、この輝点状欠陥画素を皆無にすることができなかっ
た。
示品位を損なうものは、画面を黒表示にしたときに明る
く見える輝点状欠陥画素である。ノーマリーホワイトモ
ードの液晶表示装置において、輝点状欠陥が生じるの
は、基本的に、液晶層の光透過率を変化させるのに十分
な電圧が画素電極に加わっていない場合である。この原
因は、いくつもあるため、種々の冗長構造等を用いて
も、この輝点状欠陥画素を皆無にすることができなかっ
た。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のノ
ーマリーホワイトモードのアクアティブマトリックス型
液晶表示装置には、輝点状欠陥画素が含まれているた
め、表示品位が著しく低下するという問題があった。
ーマリーホワイトモードのアクアティブマトリックス型
液晶表示装置には、輝点状欠陥画素が含まれているた
め、表示品位が著しく低下するという問題があった。
【００１２】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、輝点状欠陥画素を簡単
な修復方法により、画素欠陥としてはほとんど目立たな
い黒点欠陥に変換できる液晶表示装置を提供することを
目的とする。
ので、その目的とするところは、輝点状欠陥画素を簡単
な修復方法により、画素欠陥としてはほとんど目立たな
い黒点欠陥に変換できる液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、画素電
極に接続可能な、所定の電圧が印加されたバスラインを
設け、画素電極の低下により生じる液晶層の電圧低下を
このバスラインの電圧により補償することにある。
極に接続可能な、所定の電圧が印加されたバスラインを
設け、画素電極の低下により生じる液晶層の電圧低下を
このバスラインの電圧により補償することにある。
【００１４】即ち、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置は、マトリクス配列された画素電極
と、アドレス信号により駆動制御される各画素電極に設
けられたスイッチング素子と、前記各画素電極の下部に
絶縁層を介して設けられた所定電圧の印加されたバスラ
インとからなるマトリクスアレイ基板と、このマトリク
スアレイ基板上に設けられた液晶層と、前記画素電極に
対応した対向電極を有し、前記マトリクスアレイ基板と
共に前記液晶層を挾持する対向基板とを具備し、前記画
素電極において、輝点状欠陥のものは、前記バスライン
と短絡され、前記バスラインの電圧が印加されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
明の液晶表示装置は、マトリクス配列された画素電極
と、アドレス信号により駆動制御される各画素電極に設
けられたスイッチング素子と、前記各画素電極の下部に
絶縁層を介して設けられた所定電圧の印加されたバスラ
インとからなるマトリクスアレイ基板と、このマトリク
スアレイ基板上に設けられた液晶層と、前記画素電極に
対応した対向電極を有し、前記マトリクスアレイ基板と
共に前記液晶層を挾持する対向基板とを具備し、前記画
素電極において、輝点状欠陥のものは、前記バスライン
と短絡され、前記バスラインの電圧が印加されているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【００１５】なお、前記バスラインは、互いに逆位相の
交流電圧が印加された第１のバスラインと第２のバスラ
インとからなり、且つ第１のバスラインに印加される電
圧をＶ1 、このバスラインと前記画素電極との間の容量
をＣ1 、第２のバスラインに印加される電圧をＶ2 、こ
のバスラインと前記画素電極との間の容量をＣ2 とした
とき、Ｃ1 ・Ｖ1 の値とＣ2 ・Ｖ2 の値とがほぼ等しい
ことが望ましい。
交流電圧が印加された第１のバスラインと第２のバスラ
インとからなり、且つ第１のバスラインに印加される電
圧をＶ1 、このバスラインと前記画素電極との間の容量
をＣ1 、第２のバスラインに印加される電圧をＶ2 、こ
のバスラインと前記画素電極との間の容量をＣ2 とした
とき、Ｃ1 ・Ｖ1 の値とＣ2 ・Ｖ2 の値とがほぼ等しい
ことが望ましい。
【００１６】
【作用】本発明の液晶表示装置によれば、画素電極の電
圧低下の際に、一方のバスラインと画素電極とを短絡す
ることで、画素電極の電圧低下を補償することができ
る。このとき、補償された画素電極の電圧が、液晶層の
光透過率を下げるの十分レベルになるようにバスライン
の電圧を設定しておけば、輝点欠陥画素を悪影響の少な
い滅点欠陥画素に変換できる。
圧低下の際に、一方のバスラインと画素電極とを短絡す
ることで、画素電極の電圧低下を補償することができ
る。このとき、補償された画素電極の電圧が、液晶層の
光透過率を下げるの十分レベルになるようにバスライン
の電圧を設定しておけば、輝点欠陥画素を悪影響の少な
い滅点欠陥画素に変換できる。
【００１７】また、２つのバスラインに逆位相のパルス
電圧を印加し、且つＣ1 ・Ｖ1 の値とＣ2 ・Ｖ2 の値と
をほぼ等しくすれば、通常動作において、２つのバイラ
イン電圧の影響は表示画素電極に対しては打ち消し合う
ため、表示はこれらバスラインの電圧の影響を受けな
い。
電圧を印加し、且つＣ1 ・Ｖ1 の値とＣ2 ・Ｖ2 の値と
をほぼ等しくすれば、通常動作において、２つのバイラ
イン電圧の影響は表示画素電極に対しては打ち消し合う
ため、表示はこれらバスラインの電圧の影響を受けな
い。
【００１８】これは、パルス電圧により容量Ｃ1 に蓄積
される電荷Ｑ1 と容量Ｃ2 に蓄積される電荷Ｑ2 とがそ
れぞれＱ1 ＝Ｃ1 ・Ｖ1 ，Ｑ2 ＝Ｃ2 ・Ｖ2 となり且つ
パルス電圧が逆位相のため、画素電極にこの逆位相のパ
ルス電圧によって誘起される電荷（ΔＱ）が、ΔＱ＝Ｑ
1 ＋Ｑ2 ＝０となるためである。
される電荷Ｑ1 と容量Ｃ2 に蓄積される電荷Ｑ2 とがそ
れぞれＱ1 ＝Ｃ1 ・Ｖ1 ，Ｑ2 ＝Ｃ2 ・Ｖ2 となり且つ
パルス電圧が逆位相のため、画素電極にこの逆位相のパ
ルス電圧によって誘起される電荷（ΔＱ）が、ΔＱ＝Ｑ
1 ＋Ｑ2 ＝０となるためである。
【００１９】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。
る。
【００２０】図１は本発明の第１の実施例に係る液晶表
示装置の模式的な等価回路、図２は図１の液晶表示装置
の一画素分の平面図、図３は図２の画素のＡ−Ａ´断面
図である。
示装置の模式的な等価回路、図２は図１の液晶表示装置
の一画素分の平面図、図３は図２の画素のＡ−Ａ´断面
図である。
【００２１】この液晶表示装置は大きく分けて、ガラス
等の透光性絶縁材料からなる２枚の基板、即ち、マトリ
クスアレイ基板１３，対向基板１４と、これら基板１
３，１４により挾持されたと液晶層８とからなる。
等の透光性絶縁材料からなる２枚の基板、即ち、マトリ
クスアレイ基板１３，対向基板１４と、これら基板１
３，１４により挾持されたと液晶層８とからなる。
【００２２】この液晶表示装置の一画素は、ゲートがア
ドレス線１に接続され、一方のソース・ドレインが接続
配線１２を介して画素電極４に接続され、他方のソース
・ドレインがデータ線２に接続されたＴＦＴ３と、バス
ライン９，１０上に形成され、絶縁膜１１を介して画素
電極４に接続された蓄積容量体５，６とで構成されてい
る。
ドレス線１に接続され、一方のソース・ドレインが接続
配線１２を介して画素電極４に接続され、他方のソース
・ドレインがデータ線２に接続されたＴＦＴ３と、バス
ライン９，１０上に形成され、絶縁膜１１を介して画素
電極４に接続された蓄積容量体５，６とで構成されてい
る。
【００２３】ＴＦＴ３は、ゲート部が絶縁膜１１を介し
て活性層１５の下部に形成された逆スタガー型ＴＦＴで
ある。活性層１５の材料としては、アモルファスシリコ
ンを使用している。また、製造プロセス中に活性層１５
がダメージを受けないように、活性層１５上にはチャネ
ル保護膜１６が設けられている。画素電極４の材料とし
ては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を
使用している。蓄積容量体５，６の容量Ｃs1，Ｃs2は共
に等しく０．１５ｐＦである。
て活性層１５の下部に形成された逆スタガー型ＴＦＴで
ある。活性層１５の材料としては、アモルファスシリコ
ンを使用している。また、製造プロセス中に活性層１５
がダメージを受けないように、活性層１５上にはチャネ
ル保護膜１６が設けられている。画素電極４の材料とし
ては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を
使用している。蓄積容量体５，６の容量Ｃs1，Ｃs2は共
に等しく０．１５ｐＦである。
【００２４】また、バスライン９，１０は、モリブデン
とタンタルとの合金薄膜からなり、それぞれの幅は共に
等しく１５μｍである。これらバスライン９，１０に
は、図４に示すように、中心電圧Ｖcom が５［Ｖ］，振
幅Ｖ01，Ｖ02が４［Ｖ］，位相が１８０°異なる互いに
逆相のバイアス電圧ＶB1，ＶB2が印加されている。これ
らバイアス電圧ＶB1，ＶB2の周期は共に３０Ｈｚであ
り、これは丁度、液晶表示装置の一画素分、即ち、各ア
ドレス線１を一回ずつ全て選択するのに必要な周期の半
分である。なお、バイアス電圧ＶB1，ＶB2の振幅Ｖ01，
Ｖ02は、液晶の透過率が変化し始める電圧よりも大きけ
れば、４［Ｖ］でなくても良い。データ線２には、中心
電圧が６［Ｖ］、振幅がＶsig ［Ｖ］，周期が３０Ｈｚ
のパルス信号電圧、即ち、ある一画面を正極性、次の一
画面を負極性で液晶層８を駆動できる電圧が印加されて
いる。なお、対向電極７の電位Ｖcom ´は５［Ｖ］に設
定され、液晶層８に直流電圧が印加されないように調整
されている。次に上記のように構成された液晶表示装置
の通常の動作時における動作を説明する。
とタンタルとの合金薄膜からなり、それぞれの幅は共に
等しく１５μｍである。これらバスライン９，１０に
は、図４に示すように、中心電圧Ｖcom が５［Ｖ］，振
幅Ｖ01，Ｖ02が４［Ｖ］，位相が１８０°異なる互いに
逆相のバイアス電圧ＶB1，ＶB2が印加されている。これ
らバイアス電圧ＶB1，ＶB2の周期は共に３０Ｈｚであ
り、これは丁度、液晶表示装置の一画素分、即ち、各ア
ドレス線１を一回ずつ全て選択するのに必要な周期の半
分である。なお、バイアス電圧ＶB1，ＶB2の振幅Ｖ01，
Ｖ02は、液晶の透過率が変化し始める電圧よりも大きけ
れば、４［Ｖ］でなくても良い。データ線２には、中心
電圧が６［Ｖ］、振幅がＶsig ［Ｖ］，周期が３０Ｈｚ
のパルス信号電圧、即ち、ある一画面を正極性、次の一
画面を負極性で液晶層８を駆動できる電圧が印加されて
いる。なお、対向電極７の電位Ｖcom ´は５［Ｖ］に設
定され、液晶層８に直流電圧が印加されないように調整
されている。次に上記のように構成された液晶表示装置
の通常の動作時における動作を説明する。
【００２５】データ線２に６±Ｖsig ［Ｖ］のデータ信
号が印加されていると、これに同期してアドレスライン
１に選択パルス電圧を印加することにより、ＴＦＴ３を
介して、画素電極４にデータ信号が印加される。そして
選択パルス電圧がオフになると、ＴＦＴ３にスイッチン
グノイズΔＶp が生じ、画素電極電位Ｖp がシフトす
る。このＴＦＴ３のスイッチングノイズΔＶp は、約１
［Ｖ］であるため、結局、画素電極４に保持される電圧
は５±Ｖsig （６±Ｖsig −１）［Ｖ］となる。なお、
バイアス電圧ＶB1、ＶB2は、位相が１８０°異なり、且
つ次式（１）を満たしている。
号が印加されていると、これに同期してアドレスライン
１に選択パルス電圧を印加することにより、ＴＦＴ３を
介して、画素電極４にデータ信号が印加される。そして
選択パルス電圧がオフになると、ＴＦＴ３にスイッチン
グノイズΔＶp が生じ、画素電極電位Ｖp がシフトす
る。このＴＦＴ３のスイッチングノイズΔＶp は、約１
［Ｖ］であるため、結局、画素電極４に保持される電圧
は５±Ｖsig （６±Ｖsig −１）［Ｖ］となる。なお、
バイアス電圧ＶB1、ＶB2は、位相が１８０°異なり、且
つ次式（１）を満たしている。
【００２６】 Ｃs1・Ｖ01＝Ｃs2 ・Ｖ02 ・・・・・（１） この結果、これらバイアス電圧ＶB1、ＶB2の影響は、画
素電極電位Ｖp において打ち消され、このチャージング
動作の影響を受けない。
素電極電位Ｖp において打ち消され、このチャージング
動作の影響を受けない。
【００２７】したがって、対向電極７の電位と画素電極
電位Ｖp との差に相当した電圧、つまり、±Ｖs ［Ｖ］
を液晶層８に印加でき、これにより従来通りに、液晶層
８の光透過率を制御でき、所望の表示が実現できる。
電位Ｖp との差に相当した電圧、つまり、±Ｖs ［Ｖ］
を液晶層８に印加でき、これにより従来通りに、液晶層
８の光透過率を制御でき、所望の表示が実現できる。
【００２８】次にこのように構成された液晶表示装置の
輝点欠陥画素の修復について説明する。ここでは、接続
配線１２が断線し、画素電極４に電圧が印加されなくな
り、輝点欠陥画素が生じたとする。まず、アレイ基板１
３の裏面から、レーザ光１５、例えば、ＹＡＧレーザ光
を照射し、バスライン９と画素電極４とを短絡する。
輝点欠陥画素の修復について説明する。ここでは、接続
配線１２が断線し、画素電極４に電圧が印加されなくな
り、輝点欠陥画素が生じたとする。まず、アレイ基板１
３の裏面から、レーザ光１５、例えば、ＹＡＧレーザ光
を照射し、バスライン９と画素電極４とを短絡する。
【００２９】この結果、画素電極電位Ｖp は、バイアス
電圧ＶB1と等しくなるため、画素電極４には、常に５±
４Ｖ［Ｖ］のパルス電圧が印加される。また、対向電極
７の電位Ｖcom ´は５［Ｖ］であるので、実質的に液晶
層８には±４［Ｖ］のパルス電圧が印加される。この液
晶層８の０［Ｖ］での最大光透過率は約１％であるた
め、この輝点欠陥画素は滅点欠陥画素となる。
電圧ＶB1と等しくなるため、画素電極４には、常に５±
４Ｖ［Ｖ］のパルス電圧が印加される。また、対向電極
７の電位Ｖcom ´は５［Ｖ］であるので、実質的に液晶
層８には±４［Ｖ］のパルス電圧が印加される。この液
晶層８の０［Ｖ］での最大光透過率は約１％であるた
め、この輝点欠陥画素は滅点欠陥画素となる。
【００３０】なお、液晶層８に存在する容量により、通
常表示動作において、バスライン９，１０のバイアス電
圧ＶB1，ＶB2は、必ずしも式（１）に従わないときもあ
るが、これらバイアス電圧ＶB1，ＶB2の中心電圧Ｖcom
及び振幅Ｖ01，Ｖ02がそれぞれ調節可能な機能をもたせ
ておけば、正常画素には画質劣化を引き起こす直流成分
を取り除くことができる。また、滅点欠陥画素に多少の
直流成分が印加されていても、光透過率が十分低ければ
実質的には何ら問題は生じない。
常表示動作において、バスライン９，１０のバイアス電
圧ＶB1，ＶB2は、必ずしも式（１）に従わないときもあ
るが、これらバイアス電圧ＶB1，ＶB2の中心電圧Ｖcom
及び振幅Ｖ01，Ｖ02がそれぞれ調節可能な機能をもたせ
ておけば、正常画素には画質劣化を引き起こす直流成分
を取り除くことができる。また、滅点欠陥画素に多少の
直流成分が印加されていても、光透過率が十分低ければ
実質的には何ら問題は生じない。
【００３１】かくして本実施例によれば、ノーマリーホ
ワイトモードの液晶表示装置において、最も表示品位に
悪影響を与える輝点欠陥画素を簡単に、悪影響が少ない
滅点欠陥画素に変換することができる。更に、この滅点
欠陥画素は交流駆動されているため、この修復により液
晶が劣化するという問題は生じない。
ワイトモードの液晶表示装置において、最も表示品位に
悪影響を与える輝点欠陥画素を簡単に、悪影響が少ない
滅点欠陥画素に変換することができる。更に、この滅点
欠陥画素は交流駆動されているため、この修復により液
晶が劣化するという問題は生じない。
【００３２】図５は本発明の第２の実施例に係る液晶表
示装置の一画素の平面図である。なお、図２の画素と対
応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。本実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、バスライン９，１０の幅が互いに
異なる点にある。
示装置の一画素の平面図である。なお、図２の画素と対
応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。本実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、バスライン９，１０の幅が互いに
異なる点にある。
【００３３】即ち、バスライン９，１０の幅は、それぞ
れ１０μｍ，２０μｍであり、蓄積容量体５，６の容量
ＣS1，ＣS2は、それぞれ０．１ｐＦ，０．２ｐＦであ
る。
れ１０μｍ，２０μｍであり、蓄積容量体５，６の容量
ＣS1，ＣS2は、それぞれ０．１ｐＦ，０．２ｐＦであ
る。
【００３４】また、バスライン９には振幅５．０±５．
０［Ｖ］，周期３０Ｈｚのパルス電圧が、バスライン１
０には振幅５．０Ｖ±２．５［Ｖ］，周期３０Ｈｚのパ
ルス電圧が互いに逆相で印加されている。したがって、
式（１）の条件が満足され、本実施例でも先の実施例と
同様に通常表示動作には支障がない。
０［Ｖ］，周期３０Ｈｚのパルス電圧が、バスライン１
０には振幅５．０Ｖ±２．５［Ｖ］，周期３０Ｈｚのパ
ルス電圧が互いに逆相で印加されている。したがって、
式（１）の条件が満足され、本実施例でも先の実施例と
同様に通常表示動作には支障がない。
【００３５】輝点欠陥画素の修復も先の実施例の場合と
同様にして、基板裏面からのＹＡＧレーザー光の照射に
より、蓄積容量体５と画素電極４とをショートし、画素
電極４に５．０±５．０［Ｖ］の電圧を印加させ、輝点
欠陥画素を滅点欠陥画素に変換する。
同様にして、基板裏面からのＹＡＧレーザー光の照射に
より、蓄積容量体５と画素電極４とをショートし、画素
電極４に５．０±５．０［Ｖ］の電圧を印加させ、輝点
欠陥画素を滅点欠陥画素に変換する。
【００３６】本実施例のように、容量ＣS1，ＣS2を互い
に異なる値に設定することにより、蓄積容量体がより大
きいバスライン１０に印加するパルス電圧の振幅を小さ
くすることができる。なお、バスライン９には、輝点を
滅点化するために必要なパルス電圧を印加しておく。
に異なる値に設定することにより、蓄積容量体がより大
きいバスライン１０に印加するパルス電圧の振幅を小さ
くすることができる。なお、バスライン９には、輝点を
滅点化するために必要なパルス電圧を印加しておく。
【００３７】図６は本発明の第３の実施例に係る液晶表
示装置の一画素の平面図である。なお、図２の画素と対
応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。本実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、一画素に複数の画素電極を設けた
ことにある。
示装置の一画素の平面図である。なお、図２の画素と対
応する部分には図１と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。本実施例の液晶表示装置が第１の実施例
のそれと異なる点は、一画素に複数の画素電極を設けた
ことにある。
【００３８】即ち、一画素を２分割し、それぞれにスイ
ッチングトランジスタ３ａ、３ｂ及び画素電極４ａ、４
ｂを設ける。そして画素電極４ａ，４ｂの下部にはそれ
ぞれバスライン９ａ，９ｂ及びバスライン１０ａ，１０
ｂが走っている。バスライン９ａ，９ｂの配線幅は１５
μｍであり，バスライン１０ａと画素電極４ａとの重な
り幅及び１０ｂと４ｂとの重なり幅は１５μｍである。
なお、バスライン１０ａ，１０ｂは隣接画素のサブ画素
のバスラインも兼ねている。
ッチングトランジスタ３ａ、３ｂ及び画素電極４ａ、４
ｂを設ける。そして画素電極４ａ，４ｂの下部にはそれ
ぞれバスライン９ａ，９ｂ及びバスライン１０ａ，１０
ｂが走っている。バスライン９ａ，９ｂの配線幅は１５
μｍであり，バスライン１０ａと画素電極４ａとの重な
り幅及び１０ｂと４ｂとの重なり幅は１５μｍである。
なお、バスライン１０ａ，１０ｂは隣接画素のサブ画素
のバスラインも兼ねている。
【００３９】バスライン９ａ，１０ａ，９ｂ，１０ｂに
は、振幅５．０±４［Ｖ］，周期３０Ｈｚのバイアス電
圧が印加されている。また、これらバスライン９ａ，１
０ａ，９ｂ，１０ｂに印加されるバイアス電圧の位相関
係は、先の実施例と同様に、バスライン９ａ、９ｂと１
０ａ、１０ｂとは互いに逆相になっている。
は、振幅５．０±４［Ｖ］，周期３０Ｈｚのバイアス電
圧が印加されている。また、これらバスライン９ａ，１
０ａ，９ｂ，１０ｂに印加されるバイアス電圧の位相関
係は、先の実施例と同様に、バスライン９ａ、９ｂと１
０ａ、１０ｂとは互いに逆相になっている。
【００４０】各サブ画素には、通常同一の信号が全く同
一のプロセスでそれぞれの画素電極４ａ、４ｂに独立に
印加されている。また、対向電極７の電位は約５［Ｖ］
に設定してある。輝点欠陥画素の修復は、先の実施例と
同様にレーザーを用いて輝点欠陥画素のバスラインと画
素電極とをショートさせ、輝点欠陥画素を滅点化すれば
よい。輝点欠陥はランダムに生ずる場合がほとんどのた
め、同一画素の２つのサブ画素が共に輝点欠陥になるこ
とはほとんどない。
一のプロセスでそれぞれの画素電極４ａ、４ｂに独立に
印加されている。また、対向電極７の電位は約５［Ｖ］
に設定してある。輝点欠陥画素の修復は、先の実施例と
同様にレーザーを用いて輝点欠陥画素のバスラインと画
素電極とをショートさせ、輝点欠陥画素を滅点化すれば
よい。輝点欠陥はランダムに生ずる場合がほとんどのた
め、同一画素の２つのサブ画素が共に輝点欠陥になるこ
とはほとんどない。
【００４１】したがって、ほとんどの場合、輝点欠陥画
素の修復は、一方のサブ画素を滅点化するだけ済むた
め、滅点化により輝度が半分に落ちても、正常画素と同
様な表示を実現することができる。
素の修復は、一方のサブ画素を滅点化するだけ済むた
め、滅点化により輝度が半分に落ちても、正常画素と同
様な表示を実現することができる。
【００４２】図７は本発明の第４の実施例に係る液晶表
示装置の一画素の平面図である。なお、図４の画素と対
応する部分には図４と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。
示装置の一画素の平面図である。なお、図４の画素と対
応する部分には図４と同一符号を付してあり、詳細な説
明は省略する。
【００４３】第３の実施例では、バスライン１０ａ、１
０ｂを隣接サブ画素間で共通化し、画素電極との重なり
がバスライン９ａ、９ｂによる容量と等しくなるように
設定してある。しかしながら、ＴＦＴアレイの製造工程
では、マスクの合せズレ等により容量ＣS1、ＣS2にアン
バランスが生ずる場合がある。
０ｂを隣接サブ画素間で共通化し、画素電極との重なり
がバスライン９ａ、９ｂによる容量と等しくなるように
設定してある。しかしながら、ＴＦＴアレイの製造工程
では、マスクの合せズレ等により容量ＣS1、ＣS2にアン
バランスが生ずる場合がある。
【００４４】このようなマスクズレに対しても、容量の
アンバランスが少なくなるように、本実施例の液晶表示
装置では、サブ画素４１のバスライン１０１、９１及び
その隣接サブ画素のバスライン１０２、９２の幅又は面
積を同一にすると共に、バスライン１０１、１０２に同
一信号を加えることで、断線しても電気的に接続される
ようにバイパス１０３でバスライン１０１とバスライン
１０２とを接続してある。バイパス１０３を十分細くし
ておけば、マスクズレによる蓄積容量体５１，５２，６
１，６２の容量のアンバランスを解消でき、且つバスラ
イン１０１、１０２の断線時においても所定の信号を印
加することが可能である。
アンバランスが少なくなるように、本実施例の液晶表示
装置では、サブ画素４１のバスライン１０１、９１及び
その隣接サブ画素のバスライン１０２、９２の幅又は面
積を同一にすると共に、バスライン１０１、１０２に同
一信号を加えることで、断線しても電気的に接続される
ようにバイパス１０３でバスライン１０１とバスライン
１０２とを接続してある。バイパス１０３を十分細くし
ておけば、マスクズレによる蓄積容量体５１，５２，６
１，６２の容量のアンバランスを解消でき、且つバスラ
イン１０１、１０２の断線時においても所定の信号を印
加することが可能である。
【００４５】図８は本発明の第５の実施例に係る液晶表
示装置の一画素の模式的な回路図である。なお、図３の
画素と対応する部分には図４と同一符号を付してあり、
詳細な説明は省略する。
示装置の一画素の模式的な回路図である。なお、図３の
画素と対応する部分には図４と同一符号を付してあり、
詳細な説明は省略する。
【００４６】輝点欠陥画素の原因の一つとして、ＴＦＴ
の特性不良による画素電位の低下がある。不良なＴＦＴ
と正常なＴＦＴとの区別は、外形、駆動等からは判断し
難い。このため、ＴＦＴ不良による輝点欠陥画素と配線
の接続不良による輝点欠陥画素との区別は一般に困難で
ある。本実施例の液晶表示装置は、これら２つの輝点欠
陥の原因を容易に区別でき、その原因に応じた適切な修
復ができるものである。即ち、本実施例の液晶表示装置
が第３の実施例のそれと異なる点は、それぞれのサブ画
素に２個のＴＦＴを設けたことにある。
の特性不良による画素電位の低下がある。不良なＴＦＴ
と正常なＴＦＴとの区別は、外形、駆動等からは判断し
難い。このため、ＴＦＴ不良による輝点欠陥画素と配線
の接続不良による輝点欠陥画素との区別は一般に困難で
ある。本実施例の液晶表示装置は、これら２つの輝点欠
陥の原因を容易に区別でき、その原因に応じた適切な修
復ができるものである。即ち、本実施例の液晶表示装置
が第３の実施例のそれと異なる点は、それぞれのサブ画
素に２個のＴＦＴを設けたことにある。
【００４７】画素電極４ａにはＴＦＴ３ｄとＴＦＴ３ｃ
とが設けられている。ＴＦＴ３ｄは画素電極４ａと電気
的に接続されている。ＴＦＴ３ｃは接続配線２０を介し
て画素電極４ａに接続され、通常は電気的に接続されて
いない。即ち、図９に示すように、ＴＦＴ３ｃに繋がっ
ている配線２１及び画素電極４ａに繋がっている配線２
３は、絶縁膜１１を介して接続配線２２に繋がってい
る。同様に画素電極４ｂにはＴＦＴ３ｅとＴＦＴ３ｆと
が設けられている。
とが設けられている。ＴＦＴ３ｄは画素電極４ａと電気
的に接続されている。ＴＦＴ３ｃは接続配線２０を介し
て画素電極４ａに接続され、通常は電気的に接続されて
いない。即ち、図９に示すように、ＴＦＴ３ｃに繋がっ
ている配線２１及び画素電極４ａに繋がっている配線２
３は、絶縁膜１１を介して接続配線２２に繋がってい
る。同様に画素電極４ｂにはＴＦＴ３ｅとＴＦＴ３ｆと
が設けられている。
【００４８】このように構成された液晶表示装置におい
ては、次のようにして輝点欠陥画素の修復を行なう。こ
こでは、画素電極４ｂの電圧低下による輝点欠陥画素の
修復について説明する。
ては、次のようにして輝点欠陥画素の修復を行なう。こ
こでは、画素電極４ｂの電圧低下による輝点欠陥画素の
修復について説明する。
【００４９】まず、ＴＦＴ３ｄと画素電極４ａとを接続
する配線２４をレーザーを用いて切断し、ＴＦＴ３ｄの
特性不良が原因で、画素電位４ａの電圧が低下したかど
うかを目視により判定する。
する配線２４をレーザーを用いて切断し、ＴＦＴ３ｄの
特性不良が原因で、画素電位４ａの電圧が低下したかど
うかを目視により判定する。
【００５０】ＴＦＴ３ｄによる輝点欠陥であれば、基板
１３の裏面からレーザ光を照射し、配線２１と接続配線
２０、及び接続配線２０と配線２３とを接続し、ＴＦＴ
３ｃで画素電極４ａの電圧を制御する。
１３の裏面からレーザ光を照射し、配線２１と接続配線
２０、及び接続配線２０と配線２３とを接続し、ＴＦＴ
３ｃで画素電極４ａの電圧を制御する。
【００５１】輝点欠陥がＴＦＴ３ｄによらない場合、も
しくはＴＦＴ３ｃと画素電極４ａとを接続しても輝点欠
陥が生じる場合は、２つある蓄積容量体５ａ、６ａのい
ずれかをレーザーを用いて画素電極４ａに接続し、滅点
化を行なえばよい。
しくはＴＦＴ３ｃと画素電極４ａとを接続しても輝点欠
陥が生じる場合は、２つある蓄積容量体５ａ、６ａのい
ずれかをレーザーを用いて画素電極４ａに接続し、滅点
化を行なえばよい。
【００５２】なお、２本のバスラインには互いに逆相と
なるパルス電圧を印加しておく必要があるが、滅点化の
必要性がないとき、例えば、輝点欠陥画素が一つも存在
しないときは、２本のバスライン９ａ，１０ａには所定
の直流電圧を印加しておいてもよい。これにより消費電
力の低減化が図れる。
なるパルス電圧を印加しておく必要があるが、滅点化の
必要性がないとき、例えば、輝点欠陥画素が一つも存在
しないときは、２本のバスライン９ａ，１０ａには所定
の直流電圧を印加しておいてもよい。これにより消費電
力の低減化が図れる。
【００５３】また、輝点欠陥画の原因が、蓄積容量体下
部の絶縁膜のピンホールによる、蓄積容量体の電気的短
絡あれば、上述したレーザ照射による修復を行なわなく
ても自動的に滅点化されるという利点がある。
部の絶縁膜のピンホールによる、蓄積容量体の電気的短
絡あれば、上述したレーザ照射による修復を行なわなく
ても自動的に滅点化されるという利点がある。
【００５４】かくして本実施例によれば、先の実施例と
同様に配線の接続不良による輝点欠陥画素を修復できる
のは勿論のこと、ＴＦＴの特性不良による輝点欠陥画素
も容易に修復できる。
同様に配線の接続不良による輝点欠陥画素を修復できる
のは勿論のこと、ＴＦＴの特性不良による輝点欠陥画素
も容易に修復できる。
【００５５】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。例えば、上記実施例では、対向電極電
位を一定とした駆動法について説明したが、本発明は走
査線毎もしくはフレーム毎に対向電極電位を変化させる
駆動法にも適用できる。この場合、対向電極電位の変化
に合わせて、２本のバスラインの逆相パルスによる画素
電極電位への効果が、一本のバスラインの効果と同一と
なるように変調してやればよい。即ち、信号電圧が０
［Ｖ］のときの画素電極電位に、２本のバスラインから
パルスバイアスが影響を及ぼさないように、パルス電圧
の振幅及び中心電圧を設定すればよい。
るものではない。例えば、上記実施例では、対向電極電
位を一定とした駆動法について説明したが、本発明は走
査線毎もしくはフレーム毎に対向電極電位を変化させる
駆動法にも適用できる。この場合、対向電極電位の変化
に合わせて、２本のバスラインの逆相パルスによる画素
電極電位への効果が、一本のバスラインの効果と同一と
なるように変調してやればよい。即ち、信号電圧が０
［Ｖ］のときの画素電極電位に、２本のバスラインから
パルスバイアスが影響を及ぼさないように、パルス電圧
の振幅及び中心電圧を設定すればよい。
【００５６】また、上記実施例では、白黒ディスプレイ
の場合について説明したが、本発明はカラーフィルター
を用いたカラーディスプレイにも適用できる。なお、こ
の場合は、赤，青，緑の各単位画素で一つの画素を構成
するため、各色の画素を第３の実施例のようにそれぞれ
分割したものでは、不良単位画素以外の単位画素も減点
化してもよい。即ち、不良単位画素だけを修復すると、
色バランスがくずれ、表示品位が低下することがあるた
め、必要に応じて正常なサブ画素を滅点化し、修復によ
る表示品位の低下を防止してもよい。更にまた、本発明
は、ＴＦＴ以外の３端子スイッチング素子や２端子スイ
ッチング素子を用いた液晶表示装置にも適用できる。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施できる。
の場合について説明したが、本発明はカラーフィルター
を用いたカラーディスプレイにも適用できる。なお、こ
の場合は、赤，青，緑の各単位画素で一つの画素を構成
するため、各色の画素を第３の実施例のようにそれぞれ
分割したものでは、不良単位画素以外の単位画素も減点
化してもよい。即ち、不良単位画素だけを修復すると、
色バランスがくずれ、表示品位が低下することがあるた
め、必要に応じて正常なサブ画素を滅点化し、修復によ
る表示品位の低下を防止してもよい。更にまた、本発明
は、ＴＦＴ以外の３端子スイッチング素子や２端子スイ
ッチング素子を用いた液晶表示装置にも適用できる。そ
の他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して
実施できる。
【００５７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ノ
ーマリーホワイトモードの液晶表示装置において、表示
品位に最も悪影響を与える輝点欠陥画素をより悪影響が
少ない滅点欠陥画素に容易に変換できる。
ーマリーホワイトモードの液晶表示装置において、表示
品位に最も悪影響を与える輝点欠陥画素をより悪影響が
少ない滅点欠陥画素に容易に変換できる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の模
式的な等価回路を示す図。
式的な等価回路を示す図。
【図２】図１の液晶表示装置の一画素分の平面図。
【図３】図２の画素のＡ−Ａ´断面図。
【図４】バイアス電圧の波形を示す図。
【図５】本発明の第２の実施例に係る液晶表示装置の一
画素の平面図。
画素の平面図。
【図６】本発明の第３の実施例に係る液晶表示装置の一
画素の平面図。
画素の平面図。
【図７】本発明の第４の実施例に係る液晶表示装置の一
画素の平面図。
画素の平面図。
【図８】本発明の第５の実施例に係る液晶表示装置の一
画素の平面図。
画素の平面図。
【図９】ＴＦＴと画素電極との接続を説明するための
図。
図。
【図１０】従来のアクティブマトリックス型液晶表示装
置の等価回路。
置の等価回路。
１…アドレス線、２…データ線、３，３ａ，３ｂ，３
ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ…ＴＦＴ、４…透明画素電極、
５，６…蓄積容量体、７…対向電極、８…液晶層、９，
９ａ，９ｂ，１０，１０ａ，１０ｂ…バスライン、１１
…絶縁膜、１２…電極配線、１３…マトリクスアレイ基
板、１４…対向基板，１６…レーザ光。
ｃ，３ｄ，３ｅ，３ｆ…ＴＦＴ、４…透明画素電極、
５，６…蓄積容量体、７…対向電極、８…液晶層、９，
９ａ，９ｂ，１０，１０ａ，１０ｂ…バスライン、１１
…絶縁膜、１２…電極配線、１３…マトリクスアレイ基
板、１４…対向基板，１６…レーザ光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】マトリクス配列された画素電極と、アドレ
ス信号により駆動制御される各画素電極に設けられたス
イッチング素子と、前記各画素電極の下部に絶縁層を介
して設けられた所定電圧の印加されたバスラインとから
なるマトリクスアレイ基板と、 このマトリクスアレイ基板上に設けられた液晶層と、 前記画素電極に対応した対向電極を有し、前記マトリク
スアレイ基板と共に前記液晶層を挾持する対向基板とを
具備し、 前記画素電極において、輝点状欠陥のものは、前記バス
ラインと短絡され、前記バスラインの電圧が印加されて
いることを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18125691A JP3150365B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 液晶表示装置 |
| US07/913,069 US5289174A (en) | 1991-07-22 | 1992-07-14 | Liquid crystal display device |
| EP92306495A EP0524766B1 (en) | 1991-07-22 | 1992-07-15 | Liquid crystal display device |
| DE69214372T DE69214372T2 (de) | 1991-07-22 | 1992-07-15 | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| KR1019920013190A KR0128366B1 (ko) | 1991-07-22 | 1992-07-22 | 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18125691A JP3150365B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0527262A true JPH0527262A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3150365B2 JP3150365B2 (ja) | 2001-03-26 |
Family
ID=16097524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18125691A Expired - Fee Related JP3150365B2 (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 液晶表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5289174A (ja) |
| EP (1) | EP0524766B1 (ja) |
| JP (1) | JP3150365B2 (ja) |
| KR (1) | KR0128366B1 (ja) |
| DE (1) | DE69214372T2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002065203A1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display and its repairing method |
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