JPH08306926A - 液晶電気光学装置 - Google Patents

液晶電気光学装置

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JPH08306926A
JPH08306926A JP7134835A JP13483595A JPH08306926A JP H08306926 A JPH08306926 A JP H08306926A JP 7134835 A JP7134835 A JP 7134835A JP 13483595 A JP13483595 A JP 13483595A JP H08306926 A JPH08306926 A JP H08306926A
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film
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宏勇 張
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画
素における補助容量を開口率の低下なしに実現する。 【構成】 ＩＴＯである画素電極１１７に対向して、絶
縁膜１１６を介して、ＩＴＯ電極１１５を構成する。そ
して、この電極１１７と１１５とで、補助容量を構成す
る。この場合、電極１１５は透明導電膜で構成されてい
るので、画素の開口率を損なうことがないものとするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本明細書で開示する発明は、アク
ティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域の構成に
関する。さらにいうならば、画素電極と並列に接続され
る補助容量の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
が知られている。これは、多数設けられた画素電極に薄
膜トランジスタを少なくとも一つ接続し、画素電極に出
入りする電荷をこの薄膜トランジスタでもって制御する
ものである。
【０００３】画素電極は液晶を挟んで対向する電極との
間で容量（キャパシタ）を形成している。薄膜トランジ
スタは、この容量に電荷を出し入れするスイッチング素
子として機能する。
【０００４】しかし、実際の動作においては、この画素
電極部分で構成れる容量では、値が小さすぎ、補助の容
量を設ける必要がある。
【０００５】しかし、容量を金属材料等の導電材料で構
成した場合、画素内に光を遮蔽する部分が存在すること
となるので、開口率が低下してしまう。特に補助容量の
値を大きくしようとする場合、画素の開口率を下げるこ
とになってしまう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は、画素の開口率を下げずに、補助容量を大きくする
構成を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
は、第１の透明導電膜でなる画素電極を有する画素の構
成において、絶縁膜を介して前記画素電極と少なくとも
一部が重なった状態で配置された第２の透明導電膜が配
置され、前記第１の透明導電膜と前記第２の透明導電膜
とその間の前記絶縁膜とでもって補助容量が構成されて
いることを特徴とする。
【０００８】上記構成の具体的な例を図１および図２に
示す。図１及び図２において、１１７が画素電極を構成
する第１の透明導電膜（ＩＴＯ）である。１１５が、画
素電極１１７と対になって、補助容量を構成する第２の
透明導電膜である。この第１の透明導電膜と第２の透明
導電膜は、絶縁膜１１６を介して、容量を構成するため
に、少なくともその一部が重なっている必要がある。
【０００９】本明細書に開示する発明における透明導電
膜としては、ＩＴＯの他にＳｎＯ2、さらにはそれらの
材料を主成分とする材料を用いることができる。
【００１０】
【作用】画素電極と対向して形成される補助容量用の電
極を透明導電膜で構成することにより、画素の開口率を
下げることのない構成とすることができる。さらに開口
率の低下を問題とすることがないので、必要とする容量
値を確保することができる。また、図１に示すように、
画素電極１１７と透明導電膜１１５とは層間絶縁膜１１
６を介したのみで容量を構成するので、その値を大きな
ものとすることができる。
【００１１】
【実施例】図１及び図２に本明細書で開示する発明を利
用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の構成を
示す。図２のＡ−Ａ’で切った断面が図１である。図１
及び図２においては、アクティブマトリクス型の液晶表
示装置の画素領域を構成する一つの画素の状態が示され
ている。
【００１２】また、図１及び図２に示されているのは、
薄膜トランジスタが配置された基板側の構成のみを示
す。実際には、対向する基板も存在し、その基板と図１
に示す基板との間に液晶が数μｍの間隔を有して保持さ
れることになる。
【００１３】図１及び図２において、薄膜トランジスタ
は１０３で示される部分に形成されている。図１及び図
２において、１０１はガラス基板である。ガラス基板の
他には石英基板が利用される。１０２は下地膜を構成す
る酸化珪素膜である。１０４、１０７、１０５、１０
８、１０６、１０７、１０８で構成されるのが、薄膜ト
ランジスタの活性層である。この活性層は、非晶質珪素
膜を加熱またはレーザー光の照射によって、結晶化させ
た結晶性珪素膜で構成されている。
【００１４】この活性層の中で、１０４がソース領域で
あり、１０７と１０８がオフセットゲイト領域であり、
１０５がチャネル形成領域であり、１０６がドレイン領
域である。
【００１５】１０９は、ゲイト絶縁膜として機能する酸
化珪素膜である。１１０はアルミニウムを主成分とする
ゲイト電極である。１１１は、アルミニウムを陽極とし
た陽極酸化を行うことにより形成される陽極酸化膜であ
る。またゲイト電極１１０は、図２の１１１で示される
陽極酸化膜で覆われたゲイト線から延在して設けられて
いる。１１２は、酸化珪素膜でなる１層目の層間絶縁膜
である。１１３はソース領域１０４からの引き出し電極
であり、図２に示すソース線１１３から延在した電極で
ある。１１４は、ドレイン領域１０６からの引き出し電
極であり、画素電極となるＩＴＯ電極１１７に接続され
ている。
【００１６】１１５は、画素電極となるＩＴＯ電極１１
７との間で補助容量を構成するための電極である。この
１１５で示される電極も透明導電膜であるＩＴＯによっ
て構成される。そして１１６は、２層目の層間絶縁膜で
あり、画素電極１１７と透明導電膜１１５との間に存在
し、補助容量を構成する。
【００１７】１１８は、ブラックマトリクスであり、チ
タンによって構成される。ブラックマトリクス１１８
は、画素電極１１７とソース線１１３、さらには画素電
極１１７とゲイト線（図２の陽極酸化膜１１１に覆われ
て存在している）とを部分的に覆うように配置される。
【００１８】図２においては、隣の列のソース線１１３
が示されている。実際の構成においては、ソース線及び
ゲイト線がマトリクス状に配置され、ソース線とゲイト
線とで囲まれたマスのそれぞれが図２に示すような画素
として構成される。
【００１９】図１及び図２に示される電極１１５は各画
素を横断するように配置される。即ち、ソース線１１３
と同じ数だけ配置される。また電極１１５のそれぞれ
は、共通電位となるように構成されている。そして、こ
の電極１１５と画素電極１１７とでもって補助容量が構
成される。
【００２０】ここで、電極１１５は、透明導電膜でもっ
て構成されているので、２００で示される画素電極１１
７との重なり部分が大きくなっても、画素の開口率を下
げるものではない。即ち、必要とする容量を開口率の低
下なしに得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】補助容量を構成する画素電極に対向する
電極を透明導電膜で構成することにより、開溝率の低下
を招かずに補助容量を大きなものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画
素領域の様子を示す。
【図２】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画
素領域を上面から見た様子を示す。
【符号の説明】
１０１ ガラス基板 １０２ 下地酸化珪素膜 １０３ 薄膜トランジスタ １０４ ソース領域 １０５ チャネル形成領域 １０６ ドレイン領域 １０７、１０８ オフセットゲイト領域 １０９ ゲイト絶縁膜 １１０ ゲイト電極 １１１ 陽極酸化膜 １１２ １層目の層間絶縁膜 １１３ ソース電極（ソース線） １１４ ドレイン電極 １１５ 容量を構成するＩＴＯ電極 １１６ ２層目の層間絶縁膜 １１７ 画素電極を構成するＩＴＯ電極 １１８ ブラックマトリクスを構成するチタ
ン膜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１の透明導電膜でなる画素電極を有する
    画素の構成において、 絶縁膜を介して前記画素電極と少なくとも一部が重なっ
    た状態で配置された第２の透明導電膜が配置され、 前記第１の透明導電膜と前記第２の透明導電膜とその間
    の前記絶縁膜とでもって補助容量が構成されていること
    を特徴とする液晶電気光学装置。
JP7134835A 1995-05-07 1995-05-07 液晶電気光学装置 Pending JPH08306926A (ja)

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