JPH0528037U - 半導体チツプの接続構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 バンプの接続部分における幅寸法を確保し、
断線等の発生を確実に防止して接続信頼性を著しく高め
ることのできる半導体チップの接続構造を提供する。 【構成】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップ１にバンプ２を
形成するとともに、フィルム基板３の表面に所望の配線
パターン４を形成し、前記半導体チップ１とフィルム基
板３の配線パターン４とを前記バンプ２を介して接続し
てなる半導体チップの接続構造において、前記配線パタ
ーン４のその先端部をわずかに残した位置に幅寸法が大
きくなるように外方に突出した幅広部６が形成された端
子部５を形成したことを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は半導体チップの接続構造に係り、特にフィルム状の基板に対して所望 の半導体チップを接続するための半導体チップの接続構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

近年、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの小型化、高集積化および多ピン化に伴 い、所定の基板にこれら半導体チップを高密度に接続する技術が不可欠となって おり、この半導体チップの接続技術として、フィルム状の基板に対して半導体チ ップを一括して自動的に実装することが行なわれている。

【０００３】 図４はこのような従来の半導体チップと基板との接続構造を示したもので、Ｉ ＣやＬＳＩ等の半導体チップ１には、図示しない接続パッドが形成されており、 この接続パッド部分には、例えば、半田等からなるバンプ２があらかじめ形成さ れている。

【０００４】 また、フィルム基板３の表面には、図５に示すように、銅箔等からなり前記半 導体チップ１のバンプ２部分に対応する所望形状の配線パターン４が形成されて おり、前記配線パターン４の先端部は、端子部５とされている。

【０００５】 そして、前記半導体チップ１のバンプ２を前記フィルム基板３の配線パターン ４の端子部５に当接させた状態で、加熱することにより、前記バンプ２を溶融さ せた後、前記半導体チップ１とフィルム基板３との間隙をわずかに広げて前記バ ンプ２をその中央部がくびれたほぼ鼓状に形成し、このバンプ２を冷却固化する ことにより、前記半導体チップ１とフィルム基板３の配線パターン４とを接続す るようになっている。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】 しかし、前記従来の半導体チップ１の接続構造においては、上述したように、 半導体チップ１とバンプ２とフィルム基板３の配線パターン４とをバンプ２を介 して接続するものであるが、近年、半導体チップ１の小型化あるいは配線基板の 高集積化が進むにつれて、前記フィルム基板３の配線パターン４が微細化される ようになってきており、これに伴い、前記配線パターン４の幅寸法が著しく小さ く形成されるようになってきた。

【０００７】 そのため、前記半導体チップ１に形成されたバンプ２を微細化された配線パタ ーン４に接続した場合に、図６に示すように、バンプ２と配線パターン４との接 続部分におけるバンプ２が配線パターン４の幅寸法Ｌ１に応じて細い幅寸法Ｌ１ ’で接続されることになり、バンプ２の接続部分の形状が先ぼそり形状になって しまうことから、バンプ２の断線等を招き、バンプ２の接続信頼性が著しく低下 してしまい、回路の動作不良の発生を招いてしまうという問題を有している。

【０００８】 また、前記バンプ２を配線パターン４の先端の端子部５に接続するようにして いるので、前記半導体チップ１のバンプ２位置と前記配線パターン４の端子部５ の位置とがずれた場合に、図７に示すように、前記バンプ２が傾斜した形状で接 続されてしまい、同様にバンプ２の断線が発生しやすくなり、接続の信頼性が低 下してしまうという問題を有している。

【０００９】 本考案は前記した点に鑑みてなされたもので、バンプの接続部分における幅寸 法を確保し、断線等の発生を確実に防止して接続信頼性を著しく高めることので きる半導体チップの接続構造を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

前記目的を達成するため本考案に係る半導体チップの接続構造は、ＩＣ、ＬＳ Ｉ等の半導体チップにバンプを形成するとともに、フィルム状の基板の表面に所 望の配線パターンを形成し、前記半導体チップを前記フィルム基板の配線パター ンに当接させた状態で加熱して前記バンプを溶融させることにより、前記半導体 チップとフィルム基板の配線パターンとを前記バンプを介して接続してなる半導 体チップの接続構造において、前記配線パターンのその先端部をわずかに残した 位置に幅寸法が大きくなるように外方に突出した幅広部が形成された端子部を形 成したことを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】

本考案によれば、配線パターンに幅広部が形成された端子部を形成し、この端 子部の幅寸法を大きく形成しているので、配線パターンの微細化により配線パタ ーンの幅寸法が小さく形成された場合でも、バンプの接続部分の幅寸法を十分に 確保することができ、バンプの配線パターンに対する接続部分の形状を一定の幅 寸法を有する適正な形状に形成することができる。しかも、前記配線パターンの その先端部をわずかに残した位置に端子部を形成するようにしているので、半導 体チップのバンプ位置と配線パターンの端子部の位置とがずれた場合でも、前記 バンプを端子部から配線パターンの先端側にずれた状態で接続することができ、 バンプが傾斜した状態で接続されてしまうことを確実に防止することができるも のである。

【００１２】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図１乃至図３を参照して説明する。

【００１３】 図１乃至図３は本考案に係る半導体チップの接続構造の一実施例を示したもの で、本実施例においては、フィルム基板３の表面には、所望形状の配線パターン ４，４が形成されており、この配線パターン４は、例えば、所望のパターンに応 じてマスクを形成したフィルム基板３に銅箔をエッチングする等の手段により形 成されるものである。また、前記配線パターン４の先端部近傍の両側部であって 配線パターン４の先端部をわずかに残した位置には、配線パターン４の側部を外 方に突出形成して幅寸法がＬ２とされた幅広部６が形成されており、本実施例に おいては、この幅広部６の内側が端子部５とされている。

【００１４】 また、ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ１の図示しない接続パッド部分には、あ らかじめ半田等からなるバンプ２が融着形成されている。

【００１５】 次に、本実施例の作用について説明する。

【００１６】 まず、前記半導体チップ１のバンプ２は、その接続パッドへの形成時に、表面 張力の作用でほぼ球形に形成されており、前記半導体チップ１のバンプ２を前記 フィルム基板３の配線導体の端子部５に当接させた状態で加熱して、前記バンプ ２を溶融させた後、前記半導体チップ１とフィルム基板３との間隙をわずかに広 げることにより、前記バンプ２をその中央部がくびれたほぼ鼓状に形成し、この バンプ２を冷却固化するようになっている。これにより、前記半導体チップ１と フィルム基板３とは、半導体チップ１のバンプ２を介して接続されるものである 。

【００１７】 このとき、本実施例においては、配線パターン４の端子部５に幅広部６を形成 し、この端子部５の幅寸法Ｌ２を大きく形成しているので、図２に示すように、 前記配線パターン４の幅寸法Ｌ１が小さく形成された場合でも、バンプ２の接続 部分の幅寸法Ｌ２’を十分に確保することができ、バンプ２の配線パターン４に 対する接続部分の形状を一定の幅寸法を有する適正な形状に形成することができ るようになっている。しかも、前記配線パターン４の端子部５より配線パターン ４の先端部が突出しているので、図３に示すように、前記半導体チップ１のバン プ２位置と前記配線パターン４の端子部５の位置とがずれた場合でも、前記バン プ２を端子部５から配線パターン４の先端側にずれた状態で接続することができ 、バンプ２が傾斜した状態で接続されてしまうことを確実に防止することができ る。

【００１８】 したがって、本実施例においては、配線パターン４の端子部５に形成した幅広 部６により、配線パターン４が微細化された場合でも、バンプ２の配線パターン ４に対する接続部分の形状を一定の幅寸法を有する適正な形状に形成することが できるようにしているので、バンプ２の断線等の発生を確実に防止することがで き、バンプ２の接続信頼性を著しく向上させることができ、回路の動作不良等を 確実に防止することができる。

【００１９】 また、前記配線パターン４の端子部５より配線パターン４の先端部が突出して いるので、前記半導体チップ１のバンプ２位置と前記配線パターン４の端子部５ の位置とがずれた場合でも、前記バンプ２を適正に接続することができるので、 同様にバンプの接続信頼性を著しく高めることができる。

【００２０】 なお、本考案は前記実施例に限定されるものではなく、必要に応じて種々変更 することができるものである。

【００２１】

【考案の効果】

以上述べたように本考案に係る半導体チップの接続構造は、配線パターンの端 子部に形成した幅広部により、配線パターンが微細化された場合でも、バンプの 配線パターンに対する接続部分の形状を一定の幅寸法を有する適正な形状に形成 することができ、その結果、バンプの断線等の発生を確実に防止することができ 、バンプの接続信頼性を著しく向上させることができ、回路の動作不良等を確実 に防止することができる。また、配線パターンの端子部より配線パターンの先端 部が突出しているので、半導体チップのバンプ位置と配線パターンの端子部の位 置とがずれた場合でも、バンプを適正に接続することができ、バンプの接続信頼 性を著しく高めることができる等の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る半導体チップの接続構造に適用さ
れるフィルム基板の配線パターンの一実施例を示す平面
図

【図２】図１のフィルム基板と半導体チップとの接続構
造を示す概略正面図

【図３】図１のフィルム基板に対して半導体チップがず
れて接続された状態を示す概略側面図

【図４】従来の半導体チップの接続構造を示す概略正面
図

【図５】従来の半導体チップの接続構造に適用されるフ
ィルム基板の配線パターンを示す平面図

【図６】図５のフィルム基板と半導体チップとの接続構
造を示す概略正面図

【図７】図５のフィルム基板に対して半導体チップがず
れて接続された状態を示す概略側面図

【符号の説明】

１ 半導体チップ ２ バンプ ３ フィルム基板 ４ 配線パターン ５ 端子部 ６ 幅広部

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップにバンプ
   を形成するとともに、フィルム状の基板の表面に所望の
   配線パターンを形成し、前記半導体チップを前記フィル
   ム基板の配線パターンに当接させた状態で加熱して前記
   バンプを溶融させることにより、前記半導体チップとフ
   ィルム基板の配線パターンとを前記バンプを介して接続
   してなる半導体チップの接続構造において、前記配線パ
   ターンのその先端部をわずかに残した位置に幅寸法が大
   きくなるように外方に突出した幅広部が形成された端子
   部を形成したことを特徴とする半導体チップの接続構
   造。