JPH05281534A - 液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法 - Google Patents
液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法Info
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- JPH05281534A JPH05281534A JP10895592A JP10895592A JPH05281534A JP H05281534 A JPH05281534 A JP H05281534A JP 10895592 A JP10895592 A JP 10895592A JP 10895592 A JP10895592 A JP 10895592A JP H05281534 A JPH05281534 A JP H05281534A
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- JP
- Japan
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- glass
- liquid crystal
- protective film
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/28—Other inorganic materials
- C03C2217/282—Carbides, silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電源が不要で、装置の構成が簡単な常
圧熱ＣＶＤ方式による保護膜の成膜において、ガラスの
耐熱許容温度以下の低温で成膜できる液晶基板用ガラス
表面への保護膜形成方法の提供。 【構成】 コンベア１１に載置した基板１０をまず加熱
室１２のヒータ１６で加熱して基板１０の耐熱許容温度
以下の所定温度に昇温させた後、反応室１３へ移動させ
てヒータ１７で加熱しながらガス導入口からＴＥＯＳ＋
Ｏ3ガスを供給し、基板１０上でＴＥＯＳを分解させて
ＳｉＯ2を基板１０表面に成膜する。
圧熱ＣＶＤ方式による保護膜の成膜において、ガラスの
耐熱許容温度以下の低温で成膜できる液晶基板用ガラス
表面への保護膜形成方法の提供。 【構成】 コンベア１１に載置した基板１０をまず加熱
室１２のヒータ１６で加熱して基板１０の耐熱許容温度
以下の所定温度に昇温させた後、反応室１３へ移動させ
てヒータ１７で加熱しながらガス導入口からＴＥＯＳ＋
Ｏ3ガスを供給し、基板１０上でＴＥＯＳを分解させて
ＳｉＯ2を基板１０表面に成膜する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶基板用ガラスの
表面にＳｉＯ2保護膜を成膜する方法に係り、ＴＥＯＳ
とＯ3を用いてガラスの耐熱温度以下の低温でかつ高速
度で成膜できる液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方
法に関する。
表面にＳｉＯ2保護膜を成膜する方法に係り、ＴＥＯＳ
とＯ3を用いてガラスの耐熱温度以下の低温でかつ高速
度で成膜できる液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶基板用ガラスとして、ゲート絶縁膜
へのアルカリ金属イオンの拡散を防止するため、石英ガ
ラスや硼珪酸系ガラスが使用されており、必要に応じて
さらにＳｉＯ2膜からなる保護膜を設けていた。また、
用途によりソーダガラス等が用いられているが、図２に
示す如く、ゲート電極３を絶縁するためのゲート絶縁膜
４へ、ソーダガラス基板１よりアルカリ金属イオンが拡
散して絶縁性が低下するのを防止するため、ＳｉＯ2膜
２をソーダガラス基板１表面にコーティングする、いわ
ゆるアルカリイオン不動態化処理が行われている。
へのアルカリ金属イオンの拡散を防止するため、石英ガ
ラスや硼珪酸系ガラスが使用されており、必要に応じて
さらにＳｉＯ2膜からなる保護膜を設けていた。また、
用途によりソーダガラス等が用いられているが、図２に
示す如く、ゲート電極３を絶縁するためのゲート絶縁膜
４へ、ソーダガラス基板１よりアルカリ金属イオンが拡
散して絶縁性が低下するのを防止するため、ＳｉＯ2膜
２をソーダガラス基板１表面にコーティングする、いわ
ゆるアルカリイオン不動態化処理が行われている。
【０００３】この液晶基板用ガラス表面へのＳｉＯ2保
護膜形成方法として、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜方法がある。スパッタリング法は、減圧下
でターゲットを固定した高周波電極とアースされたガラ
ス基板ホルダとの間に高周波電界をかけてプラズマを発
生させ、不活性ガスのイオンを成膜の材料となるターゲ
ットに衝突させてその運動エネルギーでターゲットの粒
子を飛ばして、基板上に成膜させる。
護膜形成方法として、スパッタリング法、プラズマＣＶ
Ｄ法等の成膜方法がある。スパッタリング法は、減圧下
でターゲットを固定した高周波電極とアースされたガラ
ス基板ホルダとの間に高周波電界をかけてプラズマを発
生させ、不活性ガスのイオンを成膜の材料となるターゲ
ットに衝突させてその運動エネルギーでターゲットの粒
子を飛ばして、基板上に成膜させる。
【０００４】また、プラズマＣＶＤ法は、減圧下で高周
波電極と基板ホルダとの間に高周波電界をかけてプラズ
マを発生させ、プラズマのエネルギーにより原料ガスを
反応させて基板上に成膜させる。
波電極と基板ホルダとの間に高周波電界をかけてプラズ
マを発生させ、プラズマのエネルギーにより原料ガスを
反応させて基板上に成膜させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】スパッタリング法もプ
ラズマＣＶＤ法も、いずれも高周波電源が必要であり、
減圧条件下で成膜するため装置が複雑で高価となり、か
つ成膜速度が２００Å／分程度と遅いという問題があ
る。
ラズマＣＶＤ法も、いずれも高周波電源が必要であり、
減圧条件下で成膜するため装置が複雑で高価となり、か
つ成膜速度が２００Å／分程度と遅いという問題があ
る。
【０００６】一方、成膜速度の速い方法として熱ＣＶＤ
方法があるが、被成膜基板を４５０〜７００℃に加熱す
る必要があり、硼珪酸ガラス、ソーダガラスの許容温度
である（約４００℃付近）を超えており、適用できない
問題がある。
方法があるが、被成膜基板を４５０〜７００℃に加熱す
る必要があり、硼珪酸ガラス、ソーダガラスの許容温度
である（約４００℃付近）を超えており、適用できない
問題がある。
【０００７】この発明は、高周波電源が不要で、装置の
構成が簡単な常圧熱ＣＶＤ方式によりガラス基板上に保
護膜を成膜する方法を目的とし、ガラスの耐熱許容温度
以下の低温で成膜できる液晶基板用ガラス表面への保護
膜形成方法の提供を目的としている。
構成が簡単な常圧熱ＣＶＤ方式によりガラス基板上に保
護膜を成膜する方法を目的とし、ガラスの耐熱許容温度
以下の低温で成膜できる液晶基板用ガラス表面への保護
膜形成方法の提供を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、液晶基板用
ガラスをその耐熱許容温度以下に加熱し、このガラス表
面にＴＥＯＳとＯ3を噴きつけてガラス表面にＳｉＯ2膜
を成膜することを特徴とする液晶基板用ガラス表面への
保護膜形成方法である。
ガラスをその耐熱許容温度以下に加熱し、このガラス表
面にＴＥＯＳとＯ3を噴きつけてガラス表面にＳｉＯ2膜
を成膜することを特徴とする液晶基板用ガラス表面への
保護膜形成方法である。
【０００９】
【作用】従来の熱ＣＶＤ方法では基板をガラスの耐熱許
容温度（約４００℃）以上の４５０〜７００℃に加熱す
る必要があるが、この発明は低温化のためにＯ3を用い
たことを特徴とし、ソースガスにＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）を用いて液晶基板用ガラスを３００〜４００
℃程度に加熱して、このガラス表面にＴＥＯＳとＯ3を
噴きつけると、ＴＥＯＳがＯ3により分解されてガラス
表面にＳｉＯ2膜が成膜される。
容温度（約４００℃）以上の４５０〜７００℃に加熱す
る必要があるが、この発明は低温化のためにＯ3を用い
たことを特徴とし、ソースガスにＴＥＯＳ（Ｓｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4）を用いて液晶基板用ガラスを３００〜４００
℃程度に加熱して、このガラス表面にＴＥＯＳとＯ3を
噴きつけると、ＴＥＯＳがＯ3により分解されてガラス
表面にＳｉＯ2膜が成膜される。
【００１０】この発明において、液晶基板用ガラスの加
熱温度は当該ガラスの耐熱許容温度以下で、ＴＥＯＳと
Ｏ3の混合雰囲気状態などに応じて適宜選定される。加
熱温度は３００℃以上で成膜が可能となり、３５０℃付
近で成長速度が最大となる。また、加熱温度が高いほど
膜質は向上するが、成長速度が低下するので３００〜４
００℃の範囲から選定するとよい。また、ＴＥＯＳとＯ
3の混合状態は、Ｏ3／ＴＥＯＳの流量比が１未満では成
長速度、膜質が向上しないため、該流量比は１以上が好
ましい。
熱温度は当該ガラスの耐熱許容温度以下で、ＴＥＯＳと
Ｏ3の混合雰囲気状態などに応じて適宜選定される。加
熱温度は３００℃以上で成膜が可能となり、３５０℃付
近で成長速度が最大となる。また、加熱温度が高いほど
膜質は向上するが、成長速度が低下するので３００〜４
００℃の範囲から選定するとよい。また、ＴＥＯＳとＯ
3の混合状態は、Ｏ3／ＴＥＯＳの流量比が１未満では成
長速度、膜質が向上しないため、該流量比は１以上が好
ましい。
【００１１】この発明において、常圧熱ＣＶＤ装置は公
知のいずれの構成も使用できるが、実施例の装置例の如
く、成膜雰囲気は加熱室や除冷室でＮ2ガスパージして
外部からのパーティクルの侵入を防止し、ＴＥＯＳとＯ
3の流気中で行われることが望ましい。
知のいずれの構成も使用できるが、実施例の装置例の如
く、成膜雰囲気は加熱室や除冷室でＮ2ガスパージして
外部からのパーティクルの侵入を防止し、ＴＥＯＳとＯ
3の流気中で行われることが望ましい。
【００１２】
【実施例】図１に示すこの発明の保護膜形成方法を実施
するための熱ＣＶＤ装置は、基板１０をコンベア１１に
て加熱室１２、反応室１３及び除冷室１４からなる処理
炉１５内を搬送移動する構成からなる。処理炉１５の加
熱室１２と除冷室１４へはＮ2ガスが導入され、また反
応室１３にはＴＥＯＳ＋Ｏ3が導入され、処理炉１５の
下方より排気されている。
するための熱ＣＶＤ装置は、基板１０をコンベア１１に
て加熱室１２、反応室１３及び除冷室１４からなる処理
炉１５内を搬送移動する構成からなる。処理炉１５の加
熱室１２と除冷室１４へはＮ2ガスが導入され、また反
応室１３にはＴＥＯＳ＋Ｏ3が導入され、処理炉１５の
下方より排気されている。
【００１３】コンベア１１に載置した基板１０をまず加
熱室１２のヒータ１６で加熱して基板１０の耐熱許容温
度以下の所定温度に昇温させた後、反応室１３へ移動さ
せてヒータ１７で加熱しながらガス導入口からＴＥＯＳ
＋Ｏ3ガスを供給し、基板１０上でＴＥＯＳを分解させ
てＳｉＯ2を基板１０表面に成膜する。表面にＳｉＯ2膜
を成膜した基板１０は、除冷室１４へ送られてＮ2ガス
で冷却された後、外部に取り出される。
熱室１２のヒータ１６で加熱して基板１０の耐熱許容温
度以下の所定温度に昇温させた後、反応室１３へ移動さ
せてヒータ１７で加熱しながらガス導入口からＴＥＯＳ
＋Ｏ3ガスを供給し、基板１０上でＴＥＯＳを分解させ
てＳｉＯ2を基板１０表面に成膜する。表面にＳｉＯ2膜
を成膜した基板１０は、除冷室１４へ送られてＮ2ガス
で冷却された後、外部に取り出される。
【００１４】
【発明の効果】この発明による液晶基板用ガラス表面へ
の保護膜形成方法は、上述の如く、高周波電源、減圧装
置等が不要なので、成膜装置の構成が簡単で容易に実施
できる。また、ガラス基板の加熱はその耐熱許容温度以
下の３００〜４００℃程度の比較的低温でよく、成膜速
度も１０００〜２０００Å／分程度とプラズマＣＶＤ等
に比べて著しく速く、加熱による基板への悪影響が少な
い利点があり、さらに、量産性にすぐれている。
の保護膜形成方法は、上述の如く、高周波電源、減圧装
置等が不要なので、成膜装置の構成が簡単で容易に実施
できる。また、ガラス基板の加熱はその耐熱許容温度以
下の３００〜４００℃程度の比較的低温でよく、成膜速
度も１０００〜２０００Å／分程度とプラズマＣＶＤ等
に比べて著しく速く、加熱による基板への悪影響が少な
い利点があり、さらに、量産性にすぐれている。
【図１】この発明の保護膜形成方法を実施するための熱
ＣＶＤ装置の構成を示す説明図である。
ＣＶＤ装置の構成を示す説明図である。
【図２】液晶基板の一例の成膜状態を示す縦断説明図で
ある。
ある。
【符号の説明】 １ ソーダガラス基板 ２ ＳｉＯ2膜 ３ ゲート電極 ４ ゲート絶縁膜 １０ 基板 １１ コンベア １２ 加熱室 １３ 反応室 １４ 除冷室 １５ 処理炉 １６，１７ ヒータ
Claims (1)
- 【請求項１】 液晶基板用ガラスをその耐熱許容温度以
下に加熱し、このガラス表面にＴＥＯＳとＯ3を噴きつ
けてガラス表面にＳｉＯ2膜を成膜することを特徴とす
る液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10895592A JPH05281534A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10895592A JPH05281534A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281534A true JPH05281534A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14497898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10895592A Pending JPH05281534A (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 液晶基板用ガラス表面への保護膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023042A1 (en) * | 1997-11-04 | 1999-05-14 | Pilkington Plc | Improvements in coating glass |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP10895592A patent/JPH05281534A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023042A1 (en) * | 1997-11-04 | 1999-05-14 | Pilkington Plc | Improvements in coating glass |
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