JPH06145990A - Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置のクリーニング方法Info
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- JPH06145990A JPH06145990A JP32495392A JP32495392A JPH06145990A JP H06145990 A JPH06145990 A JP H06145990A JP 32495392 A JP32495392 A JP 32495392A JP 32495392 A JP32495392 A JP 32495392A JP H06145990 A JPH06145990 A JP H06145990A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＣＶＤ装置の反応炉内表面を、人手による物
理的なクリーニングによるのではなく、化学的にクリー
ニングする方法を提供すること。 【構成】 ウエハを載置するための加熱可能な試料台
と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応
ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するＣＶＤ装
置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法におい
て、前記試料台を３５０〜５００℃の範囲内の温度に加
熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾ
ンからなる群から選択される少なくとも１種類の酸素系
ガスと共に、ＮＦ3 ガスを前記反応炉内に送入する。Ｃ
ＶＤ装置は例えば、常圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装置ま
たは光ＣＶＤ装置などのようなセルフクリーニング機能
を有しないＣＶＤ装置類である。
理的なクリーニングによるのではなく、化学的にクリー
ニングする方法を提供すること。 【構成】 ウエハを載置するための加熱可能な試料台
と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反応
ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するＣＶＤ装
置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法におい
て、前記試料台を３５０〜５００℃の範囲内の温度に加
熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾ
ンからなる群から選択される少なくとも１種類の酸素系
ガスと共に、ＮＦ3 ガスを前記反応炉内に送入する。Ｃ
ＶＤ装置は例えば、常圧ＣＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装置ま
たは光ＣＶＤ装置などのようなセルフクリーニング機能
を有しないＣＶＤ装置類である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置の反応炉のク
リーニング方法に関する。更に詳細には、本発明は常圧
ＣＶＤ装置，減圧ＣＶＤ装置または光ＣＶＤ装置などの
ようなセルフクリーニング機能を持たないＣＶＤ装置の
反応炉内表面をガスにより化学的にクリーニングする方
法に関する。
リーニング方法に関する。更に詳細には、本発明は常圧
ＣＶＤ装置，減圧ＣＶＤ装置または光ＣＶＤ装置などの
ようなセルフクリーニング機能を持たないＣＶＤ装置の
反応炉内表面をガスにより化学的にクリーニングする方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜の形成方法として半導体工業におい
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
て一般に広く用いられているものの一つに化学的気相成
長法（ＣＶＤ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学
反応で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
【０００３】ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
融点よりかなり低い堆積温度で種々の薄膜が得られるこ
と、および、成長した薄膜の純度が高く、ＳｉやＳｉ上
の熱酸化膜上に成長した場合も電気的特性が安定である
ことで、広く半導体表面のパッシベーション膜として利
用されている。
【０００４】ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば約４００
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）ま
たはボロシリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、ＳｉＯ2 とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜
が行われることもある。更に、モリブデン，タングステ
ンあるいはタングステンシリサイド等の金属薄膜の形成
にも使用できる。
℃〜５００℃程度に加熱したウエハに反応ガス（例え
ば、ＳｉＨ4 ＋Ｏ2 ，またはＳｉＨ4 ＋ＰＨ3 ＋Ｏ2 ）
を供給して行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジ
ャ）内のウエハに吹きつけられ、該ウエハの表面にＳｉ
Ｏ2 あるいはフォスフォシリケートガラス（ＰＳＧ）ま
たはボロシリケートガラス（ＢＳＧ）の薄膜を形成す
る。また、ＳｉＯ2 とＰＳＧまたはＢＳＧとの２層成膜
が行われることもある。更に、モリブデン，タングステ
ンあるいはタングステンシリサイド等の金属薄膜の形成
にも使用できる。
【０００５】このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行
うために従来から用いられている装置の一例を図１に部
分断面図として示す。図１において、反応炉１は、バッ
ファ２をベルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲に円
盤状のウエハ載置台４を回転駆動可能、または自公転可
能に設置するとともに、上記ウエハ載置台の上に被加工
物であるウエハ６を順次に供給し、該ウエハを順次に搬
出するウエハ搬送手段７を設けて構成されている。ウエ
ハ搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部
１１が反応炉に突設されている。また、ウエハ載置台４
の下側には加熱手段８が設けられていてウエハ６を所定
の温度（例えば約５００℃）に加熱する。ベルジャ３の
頂部付近には反応炉内に所定の反応ガスを送入するため
のノズル９が配設されており、更に、反応炉の下部には
排気ダクト１０が設けられている。
うために従来から用いられている装置の一例を図１に部
分断面図として示す。図１において、反応炉１は、バッ
ファ２をベルジャ３で覆い、上記バッファ２の周囲に円
盤状のウエハ載置台４を回転駆動可能、または自公転可
能に設置するとともに、上記ウエハ載置台の上に被加工
物であるウエハ６を順次に供給し、該ウエハを順次に搬
出するウエハ搬送手段７を設けて構成されている。ウエ
ハ搬送手段を炉内に導入するための開閉可能なゲート部
１１が反応炉に突設されている。また、ウエハ載置台４
の下側には加熱手段８が設けられていてウエハ６を所定
の温度（例えば約５００℃）に加熱する。ベルジャ３の
頂部付近には反応炉内に所定の反応ガスを送入するため
のノズル９が配設されており、更に、反応炉の下部には
排気ダクト１０が設けられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の常圧ＣＶＤ薄膜
形成装置は成膜反応処理を続けていくと、反応炉内の様
々な表面にＳｉＯおよび／またはＳｉＯ2 等の酸化物の
フレークが生成・付着してくる。このフレークをそのま
ま放置すると徐々に大きく成長していき、僅かな振動や
気流により表面から剥がれ落ち、反応炉内の浮遊異物量
を増加させることとなる。これら炉内の浮遊異物がウエ
ハの表面上に付着するとＣＶＤ膜にピンホールを発生さ
せる。これら異物がウエハの表面に付着してＣＶＤ膜に
ピンホールを発生させると半導体素子の製造歩留りが著
しく低下される。更に、これら異物の生成により、化学
量論的不平衡が発生し、反応炉内における正常な成膜反
応が阻害される。その結果、ウエハ上の膜の均一性が劣
化する。
形成装置は成膜反応処理を続けていくと、反応炉内の様
々な表面にＳｉＯおよび／またはＳｉＯ2 等の酸化物の
フレークが生成・付着してくる。このフレークをそのま
ま放置すると徐々に大きく成長していき、僅かな振動や
気流により表面から剥がれ落ち、反応炉内の浮遊異物量
を増加させることとなる。これら炉内の浮遊異物がウエ
ハの表面上に付着するとＣＶＤ膜にピンホールを発生さ
せる。これら異物がウエハの表面に付着してＣＶＤ膜に
ピンホールを発生させると半導体素子の製造歩留りが著
しく低下される。更に、これら異物の生成により、化学
量論的不平衡が発生し、反応炉内における正常な成膜反
応が阻害される。その結果、ウエハ上の膜の均一性が劣
化する。
【０００７】このため、ある処理数を越えた段階で、装
置を停止し、反応炉をオープンし、炉内の様々な表面に
付着したフレークを除去しなければならなかった。しか
し、この常圧ＣＶＤ装置には良好なクリーニング機能が
なく、フレーク除去作業は一般的に人手に頼っていた。
この問題は常圧ＣＶＤ装置に限らず、セルフクリーニン
グ機能を有しない減圧ＣＶＤ装置または光ＣＶＤ装置で
も同様に存在する。
置を停止し、反応炉をオープンし、炉内の様々な表面に
付着したフレークを除去しなければならなかった。しか
し、この常圧ＣＶＤ装置には良好なクリーニング機能が
なく、フレーク除去作業は一般的に人手に頼っていた。
この問題は常圧ＣＶＤ装置に限らず、セルフクリーニン
グ機能を有しない減圧ＣＶＤ装置または光ＣＶＤ装置で
も同様に存在する。
【０００８】人手によるクリーニングは長い作業時間を
必要とするので、スループットの低下は著しく、また、
炉内を開放するため、人体や環境への悪影響も懸念され
た。
必要とするので、スループットの低下は著しく、また、
炉内を開放するため、人体や環境への悪影響も懸念され
た。
【０００９】従って、本発明の目的は、様々なＣＶＤ装
置の反応炉内表面を、人手による物理的なクリーニング
によるのではなく、化学的にクリーニングする方法を提
供することである。
置の反応炉内表面を、人手による物理的なクリーニング
によるのではなく、化学的にクリーニングする方法を提
供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明では、ウエハを載置するための加熱可能な試
料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な
反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するＣＶ
Ｄ装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法にお
いて、前記試料台を３５０〜５００℃の範囲内の温度に
加熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオ
ゾンからなる群から選択される少なくとも１種類の酸素
系ガスと共に、ＮＦ3 ガスを前記反応炉内に送入するこ
とを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供す
る。
に、本発明では、ウエハを載置するための加熱可能な試
料台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な
反応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するＣＶ
Ｄ装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法にお
いて、前記試料台を３５０〜５００℃の範囲内の温度に
加熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオ
ゾンからなる群から選択される少なくとも１種類の酸素
系ガスと共に、ＮＦ3 ガスを前記反応炉内に送入するこ
とを特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法を提供す
る。
【００１１】
【作用】前記のように、本発明のクリーニング方法は化
学的な方法である。従来の人手による物理的クリーニン
グ方法では、炉内温度が常温程度にまで低下しなければ
作業を開始できなかったが、本発明の方法では、所定の
成膜作業が完了し、ウエハを炉外へ搬出した後、直ぐに
開始することができる。このため、従来の物理的方法に
比べて、クリーニングに要する時間が著しく短縮され
る。
学的な方法である。従来の人手による物理的クリーニン
グ方法では、炉内温度が常温程度にまで低下しなければ
作業を開始できなかったが、本発明の方法では、所定の
成膜作業が完了し、ウエハを炉外へ搬出した後、直ぐに
開始することができる。このため、従来の物理的方法に
比べて、クリーニングに要する時間が著しく短縮され
る。
【００１２】また、本発明の方法によれば、反応炉を開
放する必要がないので、炉内のフレークが大気環境中に
拡散される危険性は皆無である。
放する必要がないので、炉内のフレークが大気環境中に
拡散される危険性は皆無である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明のクリーニング方法について更
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【００１４】本発明のクリーニング方法が実施できるの
は、図１に示されたようなバッチ式の常圧ＣＶＤ装置に
限らず、図２および図３に示されるようなタイプの枚葉
式常圧ＣＶＤ装置も含まれる。更に、図４に示される減
圧ＣＶＤ装置および図５に示される光ＣＶＤ装置につい
ても実施できる。図４において、符号１４は石英製反応
炉を示し、１６はヒータをそれぞれ示す。また、図５に
おいて、符号１８は光ＣＶＤ反応炉、２０は石英製窓、
２２はＵＶランプ、２４はサセプタ、２６はウエハ加熱
用赤外ランプをそれぞれ示す。
は、図１に示されたようなバッチ式の常圧ＣＶＤ装置に
限らず、図２および図３に示されるようなタイプの枚葉
式常圧ＣＶＤ装置も含まれる。更に、図４に示される減
圧ＣＶＤ装置および図５に示される光ＣＶＤ装置につい
ても実施できる。図４において、符号１４は石英製反応
炉を示し、１６はヒータをそれぞれ示す。また、図５に
おいて、符号１８は光ＣＶＤ反応炉、２０は石英製窓、
２２はＵＶランプ、２４はサセプタ、２６はウエハ加熱
用赤外ランプをそれぞれ示す。
【００１５】本発明のクリーニング方法では、クリーニ
ングガスとして、酸素系ガスと共にＮＦ3 ガスを使用す
る。酸素系ガスは例えば、酸素およびオゾンなどであ
る。酸素系ガスとＮＦ3 ガスとの混合比は特に限定され
ないが、一般的には６：１〜１：１６０の範囲内である
ことが好ましい。酸素系ガスは酸素またはオゾン単独で
もよいし、あるいはこれらの混合ガスでもよい。
ングガスとして、酸素系ガスと共にＮＦ3 ガスを使用す
る。酸素系ガスは例えば、酸素およびオゾンなどであ
る。酸素系ガスとＮＦ3 ガスとの混合比は特に限定され
ないが、一般的には６：１〜１：１６０の範囲内である
ことが好ましい。酸素系ガスは酸素またはオゾン単独で
もよいし、あるいはこれらの混合ガスでもよい。
【００１６】酸素系ガスとＮＦ3 ガスはノズルから反応
炉内に送入される。反応炉内における酸素系ガスとＮＦ
3 ガスの存在濃度は特に限定されないが、酸素系ガスの
場合、０．５〜６０％の範囲内であり、ＮＦ3 ガスの場
合、１０〜８０％の範囲内であることが好ましい。反応
炉内における酸素系ガスの濃度が０．５％未満の場合、
界面での酸化が不十分となり、十分なクリーニング効果
が得られない恐れがある。一方、反応炉内における酸素
系ガスの濃度が６０％よりも高い場合、界面に到達する
活性フッ素ラジカルの濃度の低下により顕著にクリーニ
ング効果が低下する。また、反応炉内におけるＮＦ3 ガ
スの濃度が１０％未満の場合、酸素系ガス濃度が十分で
も、十分なクリーニング効果が得られない恐れがある。
一方、反応炉内におけるＮＦ3 ガスの濃度が８０％より
も高い場合、膜界面と活性フッ素ラジカルの反応律速と
なるため、クリーニング効果は飽和し、ランニングコス
トが増加する。
炉内に送入される。反応炉内における酸素系ガスとＮＦ
3 ガスの存在濃度は特に限定されないが、酸素系ガスの
場合、０．５〜６０％の範囲内であり、ＮＦ3 ガスの場
合、１０〜８０％の範囲内であることが好ましい。反応
炉内における酸素系ガスの濃度が０．５％未満の場合、
界面での酸化が不十分となり、十分なクリーニング効果
が得られない恐れがある。一方、反応炉内における酸素
系ガスの濃度が６０％よりも高い場合、界面に到達する
活性フッ素ラジカルの濃度の低下により顕著にクリーニ
ング効果が低下する。また、反応炉内におけるＮＦ3 ガ
スの濃度が１０％未満の場合、酸素系ガス濃度が十分で
も、十分なクリーニング効果が得られない恐れがある。
一方、反応炉内におけるＮＦ3 ガスの濃度が８０％より
も高い場合、膜界面と活性フッ素ラジカルの反応律速と
なるため、クリーニング効果は飽和し、ランニングコス
トが増加する。
【００１７】本発明のクリーニング方法を実施するのに
必要な条件は、試料台温度を３５０〜５００℃の範囲内
の温度に維持することである。この温度範囲は本来の成
膜反応を実施するのに必要な温度範囲と大体同一であ
る。従って、本発明のクリーニング方法は所定の成膜処
理作業が完了した時点で直ぐに開始することが好まし
い。
必要な条件は、試料台温度を３５０〜５００℃の範囲内
の温度に維持することである。この温度範囲は本来の成
膜反応を実施するのに必要な温度範囲と大体同一であ
る。従って、本発明のクリーニング方法は所定の成膜処
理作業が完了した時点で直ぐに開始することが好まし
い。
【００１８】ノズルから反応炉内に送入されたＮＦ3 ガ
スは試料台およびその直下のヒータ付近で酸素系ガスに
より熱分解され、活性フッ素ラジカルを発生する。発生
した活性フッ素ラジカルは対流により反応炉内を循環
し、炉内壁面に付着しているＳｉＯまたはＳｉＯ2 など
のフレークに接触する。活性フッ素ラジカルに接触した
フレーク等の異物はＳｉＦ4 のガスに変化するので、排
気系により反応炉外へ排出することができる。従って、
クリーニングの完了はＳｉＦ4 の濃度をモニタすること
により決定できる。この明細書で使用されている“反応
炉内表面”という用語は、炉本体の壁面に限らず、炉内
のあらゆる表面を意味する。従って、例えば、ノズル、
試料台、ゲート部、バッファ、ベルジャ、ヒータなどの
表面もこの用語の範囲内に含まれる。
スは試料台およびその直下のヒータ付近で酸素系ガスに
より熱分解され、活性フッ素ラジカルを発生する。発生
した活性フッ素ラジカルは対流により反応炉内を循環
し、炉内壁面に付着しているＳｉＯまたはＳｉＯ2 など
のフレークに接触する。活性フッ素ラジカルに接触した
フレーク等の異物はＳｉＦ4 のガスに変化するので、排
気系により反応炉外へ排出することができる。従って、
クリーニングの完了はＳｉＦ4 の濃度をモニタすること
により決定できる。この明細書で使用されている“反応
炉内表面”という用語は、炉本体の壁面に限らず、炉内
のあらゆる表面を意味する。従って、例えば、ノズル、
試料台、ゲート部、バッファ、ベルジャ、ヒータなどの
表面もこの用語の範囲内に含まれる。
【００１９】炉内のフレークをクリーニング除去した
後、酸素系ガスとＮＦ3 ガスの供給を止め、炉内に残留
している全てのガスを窒素などのような不活性ガスでパ
ージし、新たな成膜処理作業の開始に備える。
後、酸素系ガスとＮＦ3 ガスの供給を止め、炉内に残留
している全てのガスを窒素などのような不活性ガスでパ
ージし、新たな成膜処理作業の開始に備える。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のクリーニ
ング方法は化学的な方法である。従来人手による物理的
クリーニング方法では、炉内温度が常温程度にまで低下
しなければ作業を開始できなかったが、本発明の方法で
は、所定の成膜作業が完了し、ウエハを炉外へ搬出した
後、直ぐに開始することができる。このため、従来の物
理的方法に比べて、クリーニングに要する時間が著しく
短縮される。その結果、バッチ式ではスループットが３
０〜４０％も向上する。
ング方法は化学的な方法である。従来人手による物理的
クリーニング方法では、炉内温度が常温程度にまで低下
しなければ作業を開始できなかったが、本発明の方法で
は、所定の成膜作業が完了し、ウエハを炉外へ搬出した
後、直ぐに開始することができる。このため、従来の物
理的方法に比べて、クリーニングに要する時間が著しく
短縮される。その結果、バッチ式ではスループットが３
０〜４０％も向上する。
【００２１】また、本発明の方法によれば、反応炉を開
放する必要がないので、炉内のフレークが大気環境中に
拡散される危険性は皆無である。
放する必要がないので、炉内のフレークが大気環境中に
拡散される危険性は皆無である。
【図１】バッチ式常圧ＣＶＤ装置の一例の模式的構成図
である。
である。
【図２】枚葉式常圧ＣＶＤ装置の一例の模式的構成図で
ある。
ある。
【図３】枚葉式常圧ＣＶＤ装置の別の例の模式的構成図
である。
である。
【図４】減圧ＣＶＤ装置の一例の模式的構成図である。
【図５】光ＣＶＤ装置の一例の模式的構成図である。
１ 反応炉 ２ バッファ ３ ベルジャ ４ 試料台 ６ ウエハ ７ ウエハ搬送手段 ８ ヒータ ９ ノズル １０ 排気ダクト １１ ゲート部 １４ 石英製反応炉 １６ ヒータ １８ 光ＣＶＤ反応炉 ２０ 石英製窓 ２２ ＵＶランプ ２４ サセプタ ２６ ウエハ加熱用赤外ランプ
Claims (2)
- 【請求項１】 ウエハを載置するための加熱可能な試料
台と、ウエハ表面に所定の薄膜を形成するのに必要な反
応ガスを導入する手段とを備える反応炉を有するＣＶＤ
装置の前記反応炉内表面をクリーニングする方法におい
て、前記試料台を３５０〜５００℃の範囲内の温度に加
熱しながら、前記反応ガス導入手段から酸素およびオゾ
ンからなる群から選択される少なくとも１種類の酸素系
ガスと共に、ＮＦ3 ガスを前記反応炉内に送入すること
を特徴とするＣＶＤ装置のクリーニング方法。 - 【請求項２】 ＣＶＤ装置はセルフクリーニング機能を
持たない常圧ＣＶＤおよび減圧ＣＶＤからなる群から選
択される熱ＣＶＤまたは光ＣＶＤ装置である請求項１の
クリーニング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32495392A JPH06145990A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32495392A JPH06145990A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145990A true JPH06145990A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=18171475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32495392A Pending JPH06145990A (ja) | 1992-11-10 | 1992-11-10 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145990A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522985A (ja) * | 2007-03-27 | 2010-07-08 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 低温熱クリーニングのための方法 |
| CN104630739A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-05-20 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种石墨烯生长炉管内的石英管的清洗方法 |
-
1992
- 1992-11-10 JP JP32495392A patent/JPH06145990A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522985A (ja) * | 2007-03-27 | 2010-07-08 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 低温熱クリーニングのための方法 |
| CN104630739A (zh) * | 2015-02-15 | 2015-05-20 | 重庆墨希科技有限公司 | 一种石墨烯生长炉管内的石英管的清洗方法 |
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