JPH05283348A - 縦型ｃｖｄ装置 - Google Patents
縦型ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05283348A JPH05283348A JP10366492A JP10366492A JPH05283348A JP H05283348 A JPH05283348 A JP H05283348A JP 10366492 A JP10366492 A JP 10366492A JP 10366492 A JP10366492 A JP 10366492A JP H05283348 A JPH05283348 A JP H05283348A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chamber
- cassette
- cleaning
- gate valve
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型ＣＶＤ装置に於いて、ウェーハを洗浄工
程、ＣＶＤ処理の間で大気に晒すことなく処理を行う。 【構成】縦型反応室１下方に設けられたロードロック室
２に、気密に設けたバッファチャンバ１０を介在してウ
ェーハ洗浄ユニット１７を設け、ウェーハ処理、ウェー
ハ処理の前工程或は、後工程の洗浄処理をウェーハの処
理、洗浄と気密な状態を保持して行い、ウェーハの自然
酸化、塵埃による汚染を防止する。
程、ＣＶＤ処理の間で大気に晒すことなく処理を行う。 【構成】縦型反応室１下方に設けられたロードロック室
２に、気密に設けたバッファチャンバ１０を介在してウ
ェーハ洗浄ユニット１７を設け、ウェーハ処理、ウェー
ハ処理の前工程或は、後工程の洗浄処理をウェーハの処
理、洗浄と気密な状態を保持して行い、ウェーハの自然
酸化、塵埃による汚染を防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある縦型ＣＶＤ装置、特にロードロック室を具備する縦
型ＣＶＤ装置に関するものである。
ある縦型ＣＶＤ装置、特にロードロック室を具備する縦
型ＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェーハの表面に化学蒸着法
（ＣＶＤ）により薄膜を生成する方法があり、この薄膜
生成に縦型ＣＶＤ装置が用いられる。
（ＣＶＤ）により薄膜を生成する方法があり、この薄膜
生成に縦型ＣＶＤ装置が用いられる。
【０００３】従来の縦型ＣＶＤ装置を図２により説明す
る。
る。
【０００４】縦型反応室１の下方にロードロック室２が
設けられ、該ロードロック室２にはゲートバルブ３を介
してカセット室４が気密に設けられ、該カセット室４の
カセット搬入搬出口はゲートバルブ５で気密に閉塞され
る様になっている。
設けられ、該ロードロック室２にはゲートバルブ３を介
してカセット室４が気密に設けられ、該カセット室４の
カセット搬入搬出口はゲートバルブ５で気密に閉塞され
る様になっている。
【０００５】前記ロードロック室２の内部、前記縦型反
応室１の下方にボートエレベータ６が設けられている。
該ボートエレベータ６はウェーハ（特に図示せず）を多
段に保持するボート（特に図示せず）を前記縦型反応室
１内に装入、取出しする。又、前記ロードロック室２内
には、前記カセット室４と前記ボートとの間を移載する
ウェーハ移載機７が設けられている。前記カセット室４
はウェーハが所要枚数装填されたカセット８を搬入、搬
出する様になっている。更に、前記ロードロック室２、
カセット室４には内部を真空引し、或は窒素ガス等の不
活性ガスを供給するガス給排装置（図示せず）が設けら
れている。
応室１の下方にボートエレベータ６が設けられている。
該ボートエレベータ６はウェーハ（特に図示せず）を多
段に保持するボート（特に図示せず）を前記縦型反応室
１内に装入、取出しする。又、前記ロードロック室２内
には、前記カセット室４と前記ボートとの間を移載する
ウェーハ移載機７が設けられている。前記カセット室４
はウェーハが所要枚数装填されたカセット８を搬入、搬
出する様になっている。更に、前記ロードロック室２、
カセット室４には内部を真空引し、或は窒素ガス等の不
活性ガスを供給するガス給排装置（図示せず）が設けら
れている。
【０００６】ウェーハの処理工程に於いて、処理前工程
としてウェーハの洗浄があり、又、処理後残留ガスによ
り反応が続行する処理については、処理後洗浄工程を設
けるが、上記した従来の縦型ＣＶＤ装置では洗浄を行う
度に、カセットに装填された状態のウェーハを前記カセ
ット室４より取出し、ウェーハを洗浄し、その後前記カ
セット室４に装入し、処理を続行していた。
としてウェーハの洗浄があり、又、処理後残留ガスによ
り反応が続行する処理については、処理後洗浄工程を設
けるが、上記した従来の縦型ＣＶＤ装置では洗浄を行う
度に、カセットに装填された状態のウェーハを前記カセ
ット室４より取出し、ウェーハを洗浄し、その後前記カ
セット室４に装入し、処理を続行していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の縦型
ＣＶＤ装置では、ウェーハを洗浄工程の度に装置の外部
へ一旦取出すので、ウェーハが大気に晒され、ウェーハ
の自然酸化を招き、或は塵埃によってウェーハが汚染さ
れるという問題を有していた。
ＣＶＤ装置では、ウェーハを洗浄工程の度に装置の外部
へ一旦取出すので、ウェーハが大気に晒され、ウェーハ
の自然酸化を招き、或は塵埃によってウェーハが汚染さ
れるという問題を有していた。
【０００８】本発明は斯かる実情に鑑み、一連の処理が
完了する迄、密閉された装置より取出すことのない様に
したものである。
完了する迄、密閉された装置より取出すことのない様に
したものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型反応室下
方に設けられたロードロック室に、気密に設けたバッフ
ァチャンバを介在してウェーハ洗浄ユニットを設けたこ
とを特徴とするものである。
方に設けられたロードロック室に、気密に設けたバッフ
ァチャンバを介在してウェーハ洗浄ユニットを設けたこ
とを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】ウェーハ処理、ウェーハ処理の前工程、後工程
の洗浄処理をウェーハの処理、洗浄と気密な状態を保持
して行い、ウェーハの自然酸化、塵埃による汚染を防止
する。
の洗浄処理をウェーハの処理、洗浄と気密な状態を保持
して行い、ウェーハの自然酸化、塵埃による汚染を防止
する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１２】尚、図１中、図２中で示したものと同一の
ものには同符号を付してある。
ものには同符号を付してある。
【００１３】前記ロードロック室２にゲートバルブ９を
介してウェーハを少なくとも複数枚収納可能なバッファ
チャンバ１０を設け、該バッファチャンバ１０にゲート
バルブ１１を介しウェーハ移載機１８を内蔵する搬送ユ
ニット１２を接続する。又、該搬送ユニット１２にはゲ
ートバルブ１３を介して第２カセット室１４、更にゲー
トバルブ１６を介してウェーハ洗浄ユニット１７を接続
する。前記第２カセット室１４に対してはゲートバルブ
１５を介してカセットを搬入搬出することができる様に
なっている。
介してウェーハを少なくとも複数枚収納可能なバッファ
チャンバ１０を設け、該バッファチャンバ１０にゲート
バルブ１１を介しウェーハ移載機１８を内蔵する搬送ユ
ニット１２を接続する。又、該搬送ユニット１２にはゲ
ートバルブ１３を介して第２カセット室１４、更にゲー
トバルブ１６を介してウェーハ洗浄ユニット１７を接続
する。前記第２カセット室１４に対してはゲートバルブ
１５を介してカセットを搬入搬出することができる様に
なっている。
【００１４】尚、前記バッファチャンバ１０、搬送ユニ
ット１２、第２カセット室１４、ウェーハ洗浄ユニット
１７には内部を真空引し、或は窒素ガス等の不活性ガス
を供給するガス給排装置（図示せず）が設けられてい
る。
ット１２、第２カセット室１４、ウェーハ洗浄ユニット
１７には内部を真空引し、或は窒素ガス等の不活性ガス
を供給するガス給排装置（図示せず）が設けられてい
る。
【００１５】以下、作動について説明する。
【００１６】尚、本実施例では処理前に洗浄を行う場合
について説明するゲートバルブ１５を開放し、ウェーハ
が装填されたカセット８を第２カセット室１４内に装入
し、前記ゲートバルブ１５を閉塞する。第２カセット室
１４内を窒素ガスに置換し、置換完了後ゲートバルブ１
３、ゲートバルブ１６を開放し、ウェーハ移載機１８に
より、前記カセット８からウェーハを１枚取出し、ウェ
ーハ洗浄ユニット１７に移送し、前記ゲートバルブ１６
を閉塞し、ウェーハの洗浄を行う。洗浄が完了すると、
前記ゲートバルブ１６、ゲートバルブ１１を開放し、前
記ウェーハ移載機１８はウェーハ洗浄ユニット１７から
ウェーハをバッファチャンバ１０に移載する。
について説明するゲートバルブ１５を開放し、ウェーハ
が装填されたカセット８を第２カセット室１４内に装入
し、前記ゲートバルブ１５を閉塞する。第２カセット室
１４内を窒素ガスに置換し、置換完了後ゲートバルブ１
３、ゲートバルブ１６を開放し、ウェーハ移載機１８に
より、前記カセット８からウェーハを１枚取出し、ウェ
ーハ洗浄ユニット１７に移送し、前記ゲートバルブ１６
を閉塞し、ウェーハの洗浄を行う。洗浄が完了すると、
前記ゲートバルブ１６、ゲートバルブ１１を開放し、前
記ウェーハ移載機１８はウェーハ洗浄ユニット１７から
ウェーハをバッファチャンバ１０に移載する。
【００１７】而して、上述した第２カセット室１４から
ウェーハ洗浄ユニット１７への移載、該ウェーハ洗浄ユ
ニット１７でのウェーハの洗浄、ウェーハ洗浄ユニット
１７からバッファチャンバ１０への移載が気密状態が保
持されたまま順次行われる。
ウェーハ洗浄ユニット１７への移載、該ウェーハ洗浄ユ
ニット１７でのウェーハの洗浄、ウェーハ洗浄ユニット
１７からバッファチャンバ１０への移載が気密状態が保
持されたまま順次行われる。
【００１８】又、前記バッファチャンバ１０からの縦型
反応室１への移載は、ゲートバルブ９が開放された状態
で行われ、バッファチャンバ１０からウェーハ移載機７
よりウェーハを保持し、ボートエレベータ６のボートに
移載する。
反応室１への移載は、ゲートバルブ９が開放された状態
で行われ、バッファチャンバ１０からウェーハ移載機７
よりウェーハを保持し、ボートエレベータ６のボートに
移載する。
【００１９】ボートにウェーハが装填されると前記ゲー
トバルブ９が閉塞され、前記ボートエレベータ６により
縦型反応室１内へボートが装入される。縦型反応室１に
よりＣＶＤ処理が行われ、処理後ボートが縦型反応室１
より引出され、ゲートバルブ３が開放され、ウェーハ移
載機７によりウェーハが１枚ずつカセット室４内で待機
するカセット８に移送される。
トバルブ９が閉塞され、前記ボートエレベータ６により
縦型反応室１内へボートが装入される。縦型反応室１に
よりＣＶＤ処理が行われ、処理後ボートが縦型反応室１
より引出され、ゲートバルブ３が開放され、ウェーハ移
載機７によりウェーハが１枚ずつカセット室４内で待機
するカセット８に移送される。
【００２０】カセット８にウェーハが装填されるとゲー
トバルブ３が閉塞され、ゲートバルブ５が開放され、該
ゲートバルブ５より前記カセット８が取出される。
トバルブ３が閉塞され、ゲートバルブ５が開放され、該
ゲートバルブ５より前記カセット８が取出される。
【００２１】而して、カセット８の装入から取出し迄、
一連の処理、移動が気密状態で行われる。
一連の処理、移動が気密状態で行われる。
【００２２】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、カセッ
トの装入から洗浄処理、ＣＶＤ処理、カセット払出し迄
の過程が、気密状態で行われるので、ウェーハの自然酸
化が防止されると共に塵埃による汚染を防止し得、製品
品質の向上、歩留りの向上を図ることができる。
トの装入から洗浄処理、ＣＶＤ処理、カセット払出し迄
の過程が、気密状態で行われるので、ウェーハの自然酸
化が防止されると共に塵埃による汚染を防止し得、製品
品質の向上、歩留りの向上を図ることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略図である。
【図２】従来例を示す概略図である。
１ 縦型反応室 ２ ロードロック室 １０ バッファチャンバ １７ ウェーハ洗浄ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平野 光浩 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内 (72)発明者 小池 淳義 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 舟橋 倫正 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内 (72)発明者 山本 裕彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 日 立超エル・エス・アイ・エンジニアリング 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 縦型反応室下方に設けられたロードロッ
ク室に、気密に設けたバッファチャンバを介在してウェ
ーハ洗浄ユニットを設けたことを特徴とする縦型ＣＶＤ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366492A JPH05283348A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366492A JPH05283348A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283348A true JPH05283348A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=14360057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10366492A Pending JPH05283348A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 縦型ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283348A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270619B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Treatment device, laser annealing device, manufacturing apparatus, and manufacturing apparatus for flat display device |
| KR100375135B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2003-03-08 | 주식회사 에버테크 | 웨이퍼 프로세스 방법 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP10366492A patent/JPH05283348A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270619B1 (en) | 1998-01-13 | 2001-08-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Treatment device, laser annealing device, manufacturing apparatus, and manufacturing apparatus for flat display device |
| US6588232B1 (en) | 1998-01-13 | 2003-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Treatment device, laser annealing device, manufacturing apparatus, and manufacturing apparatus for flat display device |
| KR100375135B1 (ko) * | 2000-10-13 | 2003-03-08 | 주식회사 에버테크 | 웨이퍼 프로세스 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001219 |