JPH05283382A - 半導体ウェハの裏面加工方法及び裏面加工時における半導体ウェハの表面側構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウェハのウェハ支持体に対する平行状
態を確保しつつ実施することのできる半導体ウェハの裏
面加工方法及び裏面加工時における半導体ウェハの表面
側構造を提供する。 【構成】 半導体ウェハ１の裏面加工方法は、裏面加工
すべき半導体ウェハ１の表面側を膜体１０によって全面
的に覆う工程と、半導体ウェハ１の外側端縁にまで引き
出されて開口する複数本の溝部１１を膜体１０の所定箇
所それぞれに形成する工程と、膜体１０によって覆われ
た半導体ウェハ１の表面側を接合用ワックス３を介して
ウェハ支持体２上に載せ付けたうえで押圧する工程とを
含んでいる。また、半導体ウェハ１の表面側構造は、そ
の表面側が膜体１０によって全面的に覆われており、こ
の膜体１０の所定箇所それぞれには半導体ウェハ１の外
側端縁にまで引き出されて開口する複数本の溝部１１が
形成されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハの裏面加
工方法及び裏面加工時における半導体ウェハの表面側構
造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、半導体素子を製造する際に
は、その実装時における熱放散機能を高めるべく、半導
体ウェハの段階において基板厚みを１００μｍ程度以下
にまで薄くしておくことが行われており、基板厚みを薄
くするには半導体ウェハをその裏面側から少しずつ削り
取っていく方法を採用するのが一般的となっている。そ
して、このような裏面加工の実施にあたっては、図３で
例示するような支持構造、すなわち、裏面加工すべき半
導体ウェハ１と、半導体ウェハ１の表面側を支持するウ
ェハ支持体２とを、接合用ワックス３を介して貼り合わ
せてなる支持構造が利用されており、この半導体ウェハ
１は次のような手順に従って裏面加工されるようになっ
ている。

【０００３】まず、裏面加工すべき半導体ウェハ１と対
面してこれを全面的に支持するガラス製の円板をウェハ
支持体２として用意したうえ、その一面上に接合用ワッ
クス３を塗布して溶融させる。つぎに、この熔融状態に
ある接合用ワックス３に対して半導体ウェハ１の加工済
みとなった表面を押し付けることにより、この接合用ワ
ックス３を介して半導体ウェハ１とウェハ支持体２とを
互いに貼り合わせる。そして、接合用ワックス３を固化
させて半導体ウェハ１及びウェハ支持体２を一体化した
後、ウェハ支持体２の他面、すなわち、半導体ウェハ１
が貼り合わされていない面（図では、下側面）を加工基
準としながら半導体ウェハ１の裏面（図では、上側面）
に対する研磨もしくは研削を行って基板厚みが所定厚み
となるまで薄く加工する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うな半導体ウェハ１の裏面加工は、この半導体ウェハ１
を支持するウェハ支持体２を加工基準として行われるの
であるから、半導体ウェハ１とウェハ支持体２との平行
状態が確保されているか否かが裏面加工時における重要
な要素となる。そして、これら両者の平行状態が確保さ
れているか否かは、半導体ウェハ１とウェハ支持体２と
の間に介在する接合用ワックス３の厚みが両者間のいず
れの箇所においても均一となっているか否かに基づいて
定まることになる。

【０００５】しかしながら、接合用ワックス３を利用し
て半導体ウェハ１とウェハ支持体２とを全面的に貼り合
わせた場合、接合用ワックス３が均一な厚みで両者間に
介在することになるとは限らず、図３で示したように、
半導体ウェハ１とウェハ支持体２との間に接合用ワック
ス３のうちの過剰分までもが残ってしまい、接合用ワッ
クス３の厚みが不均一となる結果、この接合用ワックス
３を介して貼り付けられた半導体ウェハ１が傾いた姿勢
のままでウェハ支持体２と一体化されてしまうことが起
こる。そして、このようになっていると、傾いた状態の
ままで半導体ウェハ１の裏面加工が行われることにな
り、基板厚みが不均一となる結果、得られた半導体素子
それぞれにおける厚みが互いにばらつくという不都合が
生じてしまう。

【０００６】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、半導体ウェハのウェハ支持体に対
する平行状態を確保しつつ実施することのできる半導体
ウェハの裏面加工方法及び裏面加工時における半導体ウ
ェハの表面側構造の提供を目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体ウ
ェハの裏面加工方法は、裏面加工すべき半導体ウェハの
表面側を膜体によって全面的に覆う工程と、前記半導体
ウェハの外側端縁にまで引き出されて開口する複数本の
溝部を前記膜体の所定箇所それぞれに形成する工程と、
前記膜体によって覆われた前記半導体ウェハの表面側を
接合用ワックスを介してウェハ支持体上に載せ付けたう
えで押圧する工程とを含むことを特徴としている。ま
た、裏面加工時における半導体ウェハの表面側構造は、
ウェハ支持体によって支持される半導体ウェハの表面側
が膜体によって全面的に覆われており、この膜体の所定
箇所それぞれには前記半導体ウェハの外側端縁にまで引
き出されて開口する複数本の溝部が形成されていること
を特徴とするものである。

【０００８】

【作用】上記方法によれば、膜体によって覆われた半導
体ウェハの表面側をウェハ支持体上に載せ付けたうえで
押圧すると、接合用ワックスの過剰分は膜体に形成され
た溝部を伝わりながら半導体ウェハの外側端縁にまで速
やかに押し出されることになる。そこで、半導体ウェハ
の表面側を覆う膜体とウェハ支持体との間には余分な接
合用ワックスが介在しなくなり、これらの両者間におけ
る接合用ワックスの厚みが均一化される結果、両者の平
行状態が確保されることになる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１０】図１は裏面加工時における半導体ウェハの
表面側構造及びその支持構造を示す分解斜視図であり、
図２は貼り合わせ状態を示す側断面図である。なお、こ
れらの図において従来例を示す図３と互いに同一もしく
は相当することになる部品、部分については同一符号を
付し、ここでの詳しい説明は省略する。

【００１１】本実施例にかかる支持構造は、裏面加工す
べき半導体ウェハ１と、半導体ウェハ１の表面側を全面
的に支持するウェハ支持体２とを、接合用ワックス３を
介して貼り合わせてなる構造を有する一方、半導体ウェ
ハ１の表面側構造としては、半導体ウェハ１の表面側を
所定厚みの膜体１０によって全面的に覆ったうえ、この
膜体１０の所定箇所それぞれには半導体ウェハ１の外側
端縁にまで引き出されて開口する複数本の溝部１１を形
成した構造が採用されている。すなわち、この半導体ウ
ェハ１の既に加工済みとなった表面上には保護膜（図示
していない）を介して数μｍの厚みとされた膜体１０で
あるレジスト膜が形成されており、かつ、このレジスト
膜には複数本の溝部１１が縦横の向きに沿って形成され
ている。なお、この膜体１０がレジスト膜に限定される
ものではなく、絶縁性樹脂シートなどであってもよいこ
とは勿論である。また、ここで、半導体ウェハ１と対面
してこれを支持するウェハ支持体２としては、従来例同
様、ガラス製の円板が用いられている。

【００１２】つぎに、このような支持構造及び表面側構
造を有する半導体ウェハ１の裏面加工方法を手順に従っ
て説明する。

【００１３】まず、半導体ウェハ１の表面側におけるレ
ジスト膜形成及びパターニングを行うことにより、この
半導体ウェハ１の表面側を全面的に覆う膜体１０として
のレジスト膜及び複数本の溝部１１を形成する。そし
て、この際、溝部１１のそれぞれは半導体ウェハ１のス
クライブライン（図示していない）に沿って形成すれ
ば、スクライブラインの幅が４０μｍ程度であるのに対
して溝部１１の幅は合わせマージンを十分に確保しうる
２０μｍ程度でよいことになる。次いで、ガラス製の円
板をウェハ支持体２として用意し、その一面上にスカイ
ワックス（商品名）のような接合用ワックス３を塗布し
たうえで溶融させる。

【００１４】その後、この熔融状態にある接合用ワック
ス３に対して半導体ウェハ１を押し付け、すなわち、そ
の表面上を覆う膜体１０から接合用ワックス３に向かう
ようにして押し付けることにより、この接合用ワックス
３を介して半導体ウェハ１とウェハ支持体２とを全面的
に貼り合わせる。さらに、このような貼り合わせを行っ
た後、互いに貼り合わされた半導体ウェハ１及びウェハ
支持体２を貼り合わせ方向に沿って押圧すると、接合用
ワックス３の過剰分は半導体ウェハ１の表面上を覆う膜
体１０に形成された溝部１１を伝わりながら半導体ウェ
ハ１の外側端縁にまで押し出されてくる。そこで、これ
らの互いに貼り合わされた半導体ウェハ１とウェハ支持
体２との間には余分な接合用ワックス３が介在しないこ
とになり、これらの両者間における接合用ワックス３の
厚みは均一化される。

【００１５】引き続き、接合用ワックス３の固化によっ
て半導体ウェハ１及びウェハ支持体２を一体化したう
え、ウェハ支持体２の他面、すなわち、半導体ウェハ１
が貼り合わされていない面（図では、下側面）を加工基
準としながら半導体ウェハ１の裏面（図では、上側面）
に対する研磨もしくは研削を行って基板厚みが所定厚み
となるまで薄く加工する。そして、半導体ウェハ１の裏
面加工が終了すると、接合用ワックス３を溶解しうる剥
離用溶剤を用いることによってウェハ支持体２から半導
体ウェハ１を剥離する。なお、この際には、半導体ウェ
ハ１の表面上を覆う膜体１０に形成された溝部１１を通
じて剥離用溶剤が浸透するため、剥離作業に要する時間
が短くて済むことになると同時に、膜体１０であるレジ
スト膜によって素子表面の保護が行われるという利点が
ある。

【００１６】さらに、ウェハ支持体２から剥離された半
導体ウェハ１をアセトンなどの溶剤中に浸漬し、その表
面上からレジスト膜を取り去った後、次工程において半
導体ウェハ１のスクライブを行うと、個々に分割された
半導体素子が得られる。

【００１７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる半
導体ウェハの裏面加工方法及び裏面加工時における半導
体ウェハの表面側構造によれば、膜体によって覆われた
半導体ウェハの表面側とウェハ支持体との間に余分な接
合用ワックスが介在することはなくなり、これらの両者
間における接合用ワックスの厚みが均一化される結果、
半導体ウェハのウェハ支持体に対する平行状態が確保さ
れることになる。そのため、このウェハ支持体を加工基
準として裏面加工された半導体ウェハ及びこれから得ら
れる半導体素子それぞれにおける基板厚みもばらつくこ
となく均一になるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】裏面加工時における半導体ウェハの表面側構造
及びその支持構造を示す分解斜視図である。

【図２】その貼り合わせ状態を示す側断面図である。

【図３】従来例にかかる裏面加工時における半導体ウェ
ハの支持構造の貼り合わせ状態を示す側断面図である。

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ ウェハ支持体 ３ 接合用ワックス １０ 膜体 １１ 溝部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 裏面加工すべき半導体ウェハ（１）の表
   面側を膜体（１０）によって全面的に覆う工程と、 前記半導体ウェハ（１）の外側端縁にまで引き出されて
   開口する複数本の溝部（１１）を前記膜体（１０）の所
   定箇所それぞれに形成する工程と、 前記膜体（１０）によって覆われた前記半導体ウェハ
   （１）の表面側を接合用ワックス（３）を介してウェハ
   支持体（２）上に載せ付けたうえで押圧する工程とを含
   むことを特徴とする半導体ウェハの裏面加工方法。
2. 【請求項２】 ウェハ支持体（２）によって支持される
   半導体ウェハ（１）の表面側が膜体（１０）によって全
   面的に覆われており、この膜体（１０）の所定箇所それ
   ぞれには前記半導体ウェハ（１）の外側端縁にまで引き
   出されて開口する複数本の溝部（１１）が形成されてい
   ることを特徴とする裏面加工時における半導体ウェハの
   表面側構造。