JPH05284032A - 情報変換装置およびその製作方法 - Google Patents
情報変換装置およびその製作方法Info
- Publication number
- JPH05284032A JPH05284032A JP5019426A JP1942693A JPH05284032A JP H05284032 A JPH05284032 A JP H05284032A JP 5019426 A JP5019426 A JP 5019426A JP 1942693 A JP1942693 A JP 1942693A JP H05284032 A JPH05284032 A JP H05284032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field emission
- openings
- diameter
- electron
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 208000016169 Fish-eye disease Diseases 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03M—CODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
- H03M1/66—Digital/analogue converters
- H03M1/74—Simultaneous conversion
- H03M1/742—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators
- H03M1/745—Simultaneous conversion using current sources as quantisation value generators with weighted currents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放出装置を用いたデジタル−アナログ変
換装置を提供する。 【構成】 大きさを違えた電界放出装置を用いて、たと
えば2値または10進数などの多くの形式のうちの1つ
のデータ情報を含むデジタル情報多重ビット入力信号を
アナログ出力電流または電圧信号に変換するデジタル−
アナログ(D/A)信号変換装置20である。
換装置を提供する。 【構成】 大きさを違えた電界放出装置を用いて、たと
えば2値または10進数などの多くの形式のうちの1つ
のデータ情報を含むデジタル情報多重ビット入力信号を
アナログ出力電流または電圧信号に変換するデジタル−
アナログ(D/A)信号変換装置20である。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、電界放出装
置(FED:Field Emission Device)を用いた電子装置
に関する。さらに詳しくは、異種電子放出特性を示すF
EDに関する。
置(FED:Field Emission Device)を用いた電子装置
に関する。さらに詳しくは、異種電子放出特性を示すF
EDに関する。
【0002】
【従来の技術】電界放出装置(FED)は、当技術では
既知のものであり、電子装置としてよく採用される。通
常FEDは、少なくとも、電子を放出する電子エミッタ
と、電子エミッタに関して直近に配置される注出電極(e
xtraction electrode)とから構成される。FEDによっ
ては、放出された電子の少なくともいくらかを収集する
ための独立した陽極を用いているものもある。
既知のものであり、電子装置としてよく採用される。通
常FEDは、少なくとも、電子を放出する電子エミッタ
と、電子エミッタに関して直近に配置される注出電極(e
xtraction electrode)とから構成される。FEDによっ
ては、放出された電子の少なくともいくらかを収集する
ための独立した陽極を用いているものもある。
【0003】デジタル−アナログ(D/A)情報変換
は、既知の装置機能である。D/A変換のある実現形態
においては、複数のFEDが、独立した群のFEDとし
て、選択的に動作可能に相互接続され、あらかじめ定め
られた電子放出レベルを与える。このレベルは、前記の
複数群のうちのいずれの群が動作(オン)モードにある
かにより決まる。異なる電子放出レベルを実現するこの
方法の欠点は、それぞれの電子放出レベルが、FEDの
アレイのうちの特定の群のFEDにより実現されるため
に、大きなFEDのアレイが必要になることである。
は、既知の装置機能である。D/A変換のある実現形態
においては、複数のFEDが、独立した群のFEDとし
て、選択的に動作可能に相互接続され、あらかじめ定め
られた電子放出レベルを与える。このレベルは、前記の
複数群のうちのいずれの群が動作(オン)モードにある
かにより決まる。異なる電子放出レベルを実現するこの
方法の欠点は、それぞれの電子放出レベルが、FEDの
アレイのうちの特定の群のFEDにより実現されるため
に、大きなFEDのアレイが必要になることである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、これらの欠点
のうち少なくともあるものを克服するデジタル−アナロ
グ(D/A)情報変換装置に対する必要性が生まれる。
のうち少なくともあるものを克服するデジタル−アナロ
グ(D/A)情報変換装置に対する必要性が生まれる。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記およびその他の必要
性は、情報変換装置を設けることにより実質的に満たさ
れる。本変換装置は、以下のものによって構成される少
なくとも複数の電界放出装置(FED)を備える:主表
面を有する支持基板;支持基板の主表面上に配置され
て、それを貫通する複数の開口部であって、その中に
は、それに関して第1口径を有するものと、第2口径を
有するものとがある複数の開口部を有する絶縁層;電子
を放出し、複数の開口部の少なくともいくつかのそれぞ
れの中に実質的に配置される電子エミッタ;絶縁層の少
なくとも一部の上に実質的に配置され、複数の開口部の
いくつかの少なくとも一部に関して、周対称に配置され
た注出電極;放出された電子の少なくともいくつかを収
集し、電子エミッタに関して遠端に配置された少なくと
も第1の陽極;および、少なくとも複数の外部に設けら
れた入力信号源手段であって、複数のFEDの少なくと
もいくつかの注出電極と電子エミッタとの間に選択的に
動作可能に結合されて、複数の外部に設けられた信号源
手段により与えられた選択された入力信号パターンによ
り所望の出力信号を得る入力信号源手段。
性は、情報変換装置を設けることにより実質的に満たさ
れる。本変換装置は、以下のものによって構成される少
なくとも複数の電界放出装置(FED)を備える:主表
面を有する支持基板;支持基板の主表面上に配置され
て、それを貫通する複数の開口部であって、その中に
は、それに関して第1口径を有するものと、第2口径を
有するものとがある複数の開口部を有する絶縁層;電子
を放出し、複数の開口部の少なくともいくつかのそれぞ
れの中に実質的に配置される電子エミッタ;絶縁層の少
なくとも一部の上に実質的に配置され、複数の開口部の
いくつかの少なくとも一部に関して、周対称に配置され
た注出電極;放出された電子の少なくともいくつかを収
集し、電子エミッタに関して遠端に配置された少なくと
も第1の陽極;および、少なくとも複数の外部に設けら
れた入力信号源手段であって、複数のFEDの少なくと
もいくつかの注出電極と電子エミッタとの間に選択的に
動作可能に結合されて、複数の外部に設けられた信号源
手段により与えられた選択された入力信号パターンによ
り所望の出力信号を得る入力信号源手段。
【0006】
【実施例】電界放出装置(FED)の動作(すなわち電
子放出)は、電子エミッタの表面直近と、電子エミッタ
の放出チップ付近とで誘導される電界の大きさに直接関
係する。この関係は実質的に、以下の式で表されること
が当技術では知られている。
子放出)は、電子エミッタの表面直近と、電子エミッタ
の放出チップ付近とで誘導される電界の大きさに直接関
係する。この関係は実質的に、以下の式で表されること
が当技術では知られている。
【0007】
【数1】I=∫JS ただし、Jは、電子放出面に関する位置の関数としての
電流密度であり、Sは、電子放出面である。
電流密度であり、Sは、電子放出面である。
【0008】電流密度分布は、放出面上では実質的にガ
ウス型であり、意義のある電子放出の実質的にすべての
ものは、電子エミッタに関して垂線(接続される支持基
板に垂直の)から±π/2度の範囲内で起こっており、
これは当技術ではよく採用されるものである。また、電
子放出面は、エミッタ・チップとして通常知られてい
る、部分的に非同形部/突起部がある実質的に球面の部
分で構成される。これで以下の式が導かれる。
ウス型であり、意義のある電子放出の実質的にすべての
ものは、電子エミッタに関して垂線(接続される支持基
板に垂直の)から±π/2度の範囲内で起こっており、
これは当技術ではよく採用されるものである。また、電
子放出面は、エミッタ・チップとして通常知られてい
る、部分的に非同形部/突起部がある実質的に球面の部
分で構成される。これで以下の式が導かれる。
【0009】
【数2】 J=Jmax (2π∂2 )-1/2exp(−φ2 /2∂2 ) ただし従来の技術のFowler-Nordheim の関係より、J
max は以下のようになる。
max は以下のようになる。
【0010】
【数3】 Jmax =AE2 exp(−6.83x107 w3/2 /v/E) ただし、A=(3.18x10-11 /V2 /w)1/2 , V=0.95−(3.79x10-4E1/2 /w)2 とな
る。Eは、電子エミッタ・チップ面で誘導される電界
で、以下のようになる。
る。Eは、電子エミッタ・チップ面で誘導される電界
で、以下のようになる。
【0011】
【数4】E=dV/dz≒ΔV/Δz wは、電子エミッタを構成する材料の表面仕事関数であ
る。また、
る。また、
【0012】
【数5】S=2πr2 sinφdφ ただし、rは、代表的な球形放出面の曲率半径である。
上記の積分に代入すると、以下の式が得られる。
上記の積分に代入すると、以下の式が得られる。
【0013】
【数6】 I=(2πr2 /∂2 )1/2 Jmax ∫(φ−φ3 /3!)exp(−φ2 / 2∂2 )dφ ただし、sinφは、省略した数列展開で置き換えられ
ている。
ている。
【0014】放出面に関して実質的にガウス型の放出プ
ロフィルを示す典型的な電界放出装置に関しては、以下
の値: r=300x10-10 m w=4.0e ∂=13.37度=0.233ラジアン V=60ボルト を用いて、電子エミッタ・チップの電界と、FEDから
放出される電流とを決定することができる。
ロフィルを示す典型的な電界放出装置に関しては、以下
の値: r=300x10-10 m w=4.0e ∂=13.37度=0.233ラジアン V=60ボルト を用いて、電子エミッタ・チップの電界と、FEDから
放出される電流とを決定することができる。
【0015】図1は、電子エミッタ電流I(A)を、F
EDの口径の関数として示す、コンピュータ・モデル解
析のグラフである。電流特性曲線10は、明らかに、F
EDの口径が小さくなると、放出される電流I(A)
が、それに従って増加することを示している。
EDの口径の関数として示す、コンピュータ・モデル解
析のグラフである。電流特性曲線10は、明らかに、F
EDの口径が小さくなると、放出される電流I(A)
が、それに従って増加することを示している。
【0016】図2には、情報変換装置20の第1実施例
の部分的な側面断面図が示される。主表面を有する支持
基板21が設けられ、その上に第1絶縁層22が実質的
に配置される。絶縁層22は、それを貫通する少なくと
も複数の開口部24,25を有し、複数の開口部24,
25のいくつかは第1口径をもち、複数の開口部24,
25の他のものは第2口径をもつ。注出電極23が絶縁
層22の上に、さらに複数の開口部24,25に関して
実質的に周対称に配置される。電子を放出する電子エミ
ッタ26,27が開口部24,25内に配置され、支持
基板21の主表面に結合される。図示されるように形成
されると、説明された構造は、ここまでのところ、複数
のFEDを構成する。放出された電子の少なくともいく
つかを収集する陽極28は、複数のFEDの電子エミッ
タ26,27に関して遠端に配置される。
の部分的な側面断面図が示される。主表面を有する支持
基板21が設けられ、その上に第1絶縁層22が実質的
に配置される。絶縁層22は、それを貫通する少なくと
も複数の開口部24,25を有し、複数の開口部24,
25のいくつかは第1口径をもち、複数の開口部24,
25の他のものは第2口径をもつ。注出電極23が絶縁
層22の上に、さらに複数の開口部24,25に関して
実質的に周対称に配置される。電子を放出する電子エミ
ッタ26,27が開口部24,25内に配置され、支持
基板21の主表面に結合される。図示されるように形成
されると、説明された構造は、ここまでのところ、複数
のFEDを構成する。放出された電子の少なくともいく
つかを収集する陽極28は、複数のFEDの電子エミッ
タ26,27に関して遠端に配置される。
【0017】注出電極23と支持基板21との間に外部
に設けられた電圧源(信号源)29を動作可能に結合す
ることにより、複数のFEDとしての本構造の動作が可
能となる。説明されたように動作されると、複数のFE
DのうちのFEDからの電子放出電流は、口径が異なる
ために、異なるものとなる。小さい方の口径を有する開
口部25に関する電子エミッタ27は、大きい方の口径
を有する開口部24に関する電子エミッタ26により設
けられる電子放出電流よりも大きな電子放出電流を発生
する。
に設けられた電圧源(信号源)29を動作可能に結合す
ることにより、複数のFEDとしての本構造の動作が可
能となる。説明されたように動作されると、複数のFE
DのうちのFEDからの電子放出電流は、口径が異なる
ために、異なるものとなる。小さい方の口径を有する開
口部25に関する電子エミッタ27は、大きい方の口径
を有する開口部24に関する電子エミッタ26により設
けられる電子放出電流よりも大きな電子放出電流を発生
する。
【0018】図3には、本発明による複数のFEDを用
いる情報変換装置100の別の実施例の部分的斜視図が
示される。図3ではさらに、注出電極103が複数の選
択的にパターニングされた領域として形成され、複数の
外部に設けられた電圧源(信号源)110,112はそ
れぞれ、複数の独立した領域の1つと、複数の導電性経
路132,134の1つとに動作可能に結合されている
ことがわかる。複数の導電性経路132,134は、支
持基板101の主表面上に配置され、電子を放出する電
子エミッタ106,107はそれぞれ開口部104,1
05内に配置されて、複数の導電性経路132,134
の導電性経路にそれぞれ動作可能に結合されている。放
出された電子を収集する陽極108は、複数のFEDの
電子エミッタ106,107に関して遠端に配置され
る。
いる情報変換装置100の別の実施例の部分的斜視図が
示される。図3ではさらに、注出電極103が複数の選
択的にパターニングされた領域として形成され、複数の
外部に設けられた電圧源(信号源)110,112はそ
れぞれ、複数の独立した領域の1つと、複数の導電性経
路132,134の1つとに動作可能に結合されている
ことがわかる。複数の導電性経路132,134は、支
持基板101の主表面上に配置され、電子を放出する電
子エミッタ106,107はそれぞれ開口部104,1
05内に配置されて、複数の導電性経路132,134
の導電性経路にそれぞれ動作可能に結合されている。放
出された電子を収集する陽極108は、複数のFEDの
電子エミッタ106,107に関して遠端に配置され
る。
【0019】このように構成されると、図3の情報変換
装置は、複数の外部に設けられた電圧源110,112
により所望の入力電圧を印加することにより実現される
装置の電子放出電流により決定される、所望の出力信号
を設けるために用いられる。図4は、本発明による複数
の異種の(大きさを違えた)FED201,202,2
03を用いている情報変換装置200の概略図である。
図示されたFED201,202,203のそれぞれ
(それぞれは破線のボックス内に区別される)には、電
子を放出する電子エミッタと、注出電極とが具備され、
それぞれのFEDは、さらに、口径204,205,2
06をそれぞれもつことで区別される。口径204,2
05,206は互いに異なり、前述のような所望の電子
放出電流特性を生じさせる。
装置は、複数の外部に設けられた電圧源110,112
により所望の入力電圧を印加することにより実現される
装置の電子放出電流により決定される、所望の出力信号
を設けるために用いられる。図4は、本発明による複数
の異種の(大きさを違えた)FED201,202,2
03を用いている情報変換装置200の概略図である。
図示されたFED201,202,203のそれぞれ
(それぞれは破線のボックス内に区別される)には、電
子を放出する電子エミッタと、注出電極とが具備され、
それぞれのFEDは、さらに、口径204,205,2
06をそれぞれもつことで区別される。口径204,2
05,206は互いに異なり、前述のような所望の電子
放出電流特性を生じさせる。
【0020】情報変換装置200の場合は、複数のFE
D201,202,203のそれぞれのFEDの電子放
出電流の間に、望ましい数学的関係が設定される。図4
は、さらに、情報変換装置200が、複数の外部から与
えられた入力信号、ここでは図2および図3に関して前
述されたように、V1 ,V2 ,V3 として表される入力
信号を選択的に印加することにより動作される様子を示
す。
D201,202,203のそれぞれのFEDの電子放
出電流の間に、望ましい数学的関係が設定される。図4
は、さらに、情報変換装置200が、複数の外部から与
えられた入力信号、ここでは図2および図3に関して前
述されたように、V1 ,V2 ,V3 として表される入力
信号を選択的に印加することにより動作される様子を示
す。
【0021】放出された電子の少なくともいくつかを収
集する陽極207は、複数のFED201,202,2
03の電子エミッタに関して遠端に配置される。インピ
ーダンス素子208は、陽極207と、外部に設けられ
た陽極電圧源210との間に動作可能に結合される。出
力信号は、基準電圧、たとえば接地基準または陽極電圧
源210に関して、陽極207で測定される電圧として
実現される。あるいは、出力信号は、負荷素子(図示せ
ず)を通過する信号電流として実現されることもある。
集する陽極207は、複数のFED201,202,2
03の電子エミッタに関して遠端に配置される。インピ
ーダンス素子208は、陽極207と、外部に設けられ
た陽極電圧源210との間に動作可能に結合される。出
力信号は、基準電圧、たとえば接地基準または陽極電圧
源210に関して、陽極207で測定される電圧として
実現される。あるいは、出力信号は、負荷素子(図示せ
ず)を通過する信号電流として実現されることもある。
【0022】図4の装置200は、複数のFED20
1,202,203の注出電極のそれぞれに印加された
実質的に等しい入力信号の大きさに関して、その数学的
関係が以下のようであることを示す:Ieは、口径20
4を有するFED201の電子放出電流;mIeは、口
径205を有するFED202の電子放出電流;および
nIeは、口径206を有するFED204の電子放出
電流である本発明の特定の実施例においては、m=2お
よびn=4で、これにより2値のデジタル情報入力信号
から、アナログ情報出力信号への変換(D/A変換器)
を定義する。
1,202,203の注出電極のそれぞれに印加された
実質的に等しい入力信号の大きさに関して、その数学的
関係が以下のようであることを示す:Ieは、口径20
4を有するFED201の電子放出電流;mIeは、口
径205を有するFED202の電子放出電流;および
nIeは、口径206を有するFED204の電子放出
電流である本発明の特定の実施例においては、m=2お
よびn=4で、これにより2値のデジタル情報入力信号
から、アナログ情報出力信号への変換(D/A変換器)
を定義する。
【0023】本発明の別の実施例においては、m=10
およびn=100であって、これは10進数のデジタル
情報入力信号からアナログ情報出力信号への変換(D/
A変換器)を定義する。
およびn=100であって、これは10進数のデジタル
情報入力信号からアナログ情報出力信号への変換(D/
A変換器)を定義する。
【0024】装置200に関して、m=10およびn=
100の場合は、入力信号の大きさが所望の範囲内で変
動して、複数のFED201,202,203のいずれ
かに印加されると、関連のFEDに関する電子放出電流
もほぼそのオーダーで大きさが変動するものとする。こ
のように設定された情報変換装置200は、完全な10
進数デジタル−アナログ変換装置として機能する。
100の場合は、入力信号の大きさが所望の範囲内で変
動して、複数のFED201,202,203のいずれ
かに印加されると、関連のFEDに関する電子放出電流
もほぼそのオーダーで大きさが変動するものとする。こ
のように設定された情報変換装置200は、完全な10
進数デジタル−アナログ変換装置として機能する。
【0025】ここで開示された情報変換装置は、3段よ
りも大きな数の変換段を含むように拡張することができ
るのは明かである。例として、8段を用いる情報変換装
置を用いて、8ビットの2値語のD/A変換を行うこと
ができる。従って、32段の情報変換装置を用いると、
32ビット語のD/A情報変換を行うことができる。係
数mおよびnがここで特定されていない値である他の数
学的関係を実現することができ、このような実施例も本
発明の範囲に入ることは当然である。
りも大きな数の変換段を含むように拡張することができ
るのは明かである。例として、8段を用いる情報変換装
置を用いて、8ビットの2値語のD/A変換を行うこと
ができる。従って、32段の情報変換装置を用いると、
32ビット語のD/A情報変換を行うことができる。係
数mおよびnがここで特定されていない値である他の数
学的関係を実現することができ、このような実施例も本
発明の範囲に入ることは当然である。
【図1】FEDに関して放出された電子電流と口径との
間に存在する関係をグラフに表したものである。
間に存在する関係をグラフに表したものである。
【図2】本発明による複数のFEDを用いる情報変換装
置の実施例の部分的な側面断面図である。
置の実施例の部分的な側面断面図である。
【図3】本発明による複数のFEDを用いる情報変換装
置の別の実施例の部分的な斜視図である。
置の別の実施例の部分的な斜視図である。
【図4】本発明による情報変換装置の概略図である。
100 電子装置 101 支持基板 102 絶縁層 103 注出電極層 104,105 開口部 106,107 電子エミッタ 108 陽極 110,112 電圧源 132,134 導電性経路
Claims (3)
- 【請求項1】 情報変換装置であって:主表面を有する
支持基板(21)と、前記支持基板(21)の前記主表
面上に配置され、それを貫通する複数の開口部(24,
25)を有する絶縁層(22)であって、このときいく
つかの開口部(24)がそれに関して第1口径を有し、
その他の開口部(25)がそれに関して第2口径を有す
る開口部を有する絶縁層(22)と、前記複数の開口部
(24,25)のそれぞれの中に配置された電子エミッ
タ(26,27)と、前記絶縁層(22)上に配置さ
れ、前記複数の開口部(24,25)の少なくとも一部
に関して周対称に配置されている注出電極(23)とを
含む複数の電界放出装置;および放出された電子のいく
つかを収集し、前記の複数の電界放出装置の電子エミッ
タ(26,27)に関して遠端に配置された陽極(2
8);によって構成される情報変換装置であって、前記
注出電極(23)と前記電子エミッタ(26,27)と
が、その間に選択的に結合される入力信号源(29)を
有して、前記入力信号源(29)により与えられた選択
された入力信号パターンにより所望の出力電圧/電流信
号を設ける情報変換装置。 - 【請求項2】 第1口径をもつ開口部(24)を有する
第1電界放出装置と、第1口径とは所定の関係において
異なる第2口径をもつ開口部(25)を有する第2電界
放出装置とを備える情報変換装置であって、前記第1お
よび第2電界放出装置のそれぞれが、実質的に等しい大
きさの入力信号で動作されるときに、前記第1電界放出
装置内で放出された電子電流が、前記第2電界放出装置
内で放出された電子電流に対して所定の値にある情報変
換装置。 - 【請求項3】 情報変換装置を製作方法であって:主表
面を有する支持基板(22)を設ける段階;前記基板
(21)の前記主表面上に、複数の開口部(24,2
5)をが形成されている絶縁層(22)であって、少な
くともいくつかの開口部(24)がそれに関する第1口
径を有し、他のいくつかの開口部(25)がそれに関す
る、第1口径とは所定の関係において異なる第2口径を
有する絶縁層(22)を配置する段階;および前記の複
数の開口部(24,25)のそれぞれの中に電子エミッ
タ(26,27)を配置して、第1口径をもつ開口部
(24)を有する少なくとも第1の電界放出装置と、第
2口径をもつ開口部(25)を有する少なくとも第2の
電界放出装置とを備える複数の電界放出装置を形成し
て、前記第1および第2電界放出装置のそれぞれが、実
質的に等しい大きさの入力信号で動作された場合に、前
記第1電界放出装置内で放出された電子電流が、前記第
2電界放出装置内で放出された電子電流に関して所定の
値にあるようにする段階;によって構成されることを特
徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US831701 | 1992-02-05 | ||
| US07/831,701 US5173697A (en) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | Digital-to-analog signal conversion device employing scaled field emission devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05284032A true JPH05284032A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=25259661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019426A Pending JPH05284032A (ja) | 1992-02-05 | 1993-01-13 | 情報変換装置およびその製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5173697A (ja) |
| JP (1) | JPH05284032A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536193A (en) | 1991-11-07 | 1996-07-16 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making wide band gap field emitter |
| US5278472A (en) * | 1992-02-05 | 1994-01-11 | Motorola, Inc. | Electronic device employing field emission devices with dis-similar electron emission characteristics and method for realization |
| US5679043A (en) | 1992-03-16 | 1997-10-21 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of making a field emitter |
| US5675216A (en) | 1992-03-16 | 1997-10-07 | Microelectronics And Computer Technololgy Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5449970A (en) | 1992-03-16 | 1995-09-12 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Diode structure flat panel display |
| US6127773A (en) | 1992-03-16 | 2000-10-03 | Si Diamond Technology, Inc. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5543684A (en) | 1992-03-16 | 1996-08-06 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Flat panel display based on diamond thin films |
| US5686791A (en) | 1992-03-16 | 1997-11-11 | Microelectronics And Computer Technology Corp. | Amorphic diamond film flat field emission cathode |
| US5763997A (en) | 1992-03-16 | 1998-06-09 | Si Diamond Technology, Inc. | Field emission display device |
| US5313300A (en) * | 1992-08-10 | 1994-05-17 | Commodore Electronics Limited | Binary to unary decoder for a video digital to analog converter |
| US5965971A (en) * | 1993-01-19 | 1999-10-12 | Kypwee Display Corporation | Edge emitter display device |
| EP0727057A4 (en) | 1993-11-04 | 1997-08-13 | Microelectronics & Computer | METHOD FOR PRODUCING FLAT PANEL DISPLAY SYSTEMS AND COMPONENTS |
| US5570470A (en) * | 1995-07-03 | 1996-11-05 | Miller; Kent M. | Leg protection device |
| US5572888A (en) * | 1995-07-19 | 1996-11-12 | Sara Lee Corporation | Garment blank, lower torso garment and method of making |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5064396A (en) * | 1990-01-29 | 1991-11-12 | Coloray Display Corporation | Method of manufacturing an electric field producing structure including a field emission cathode |
| US5030895A (en) * | 1990-08-30 | 1991-07-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Field emitter array comparator |
| US5103145A (en) * | 1990-09-05 | 1992-04-07 | Raytheon Company | Luminance control for cathode-ray tube having field emission cathode |
-
1992
- 1992-02-05 US US07/831,701 patent/US5173697A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-01-13 JP JP5019426A patent/JPH05284032A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5173697A (en) | 1992-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05284032A (ja) | 情報変換装置およびその製作方法 | |
| US5528103A (en) | Field emitter with focusing ridges situated to sides of gate | |
| JP2625370B2 (ja) | 電界放出冷陰極とこれを用いたマイクロ波管 | |
| EP0513777A2 (en) | Multiple electrode field electron emission device and process for manufacturing it | |
| US5278472A (en) | Electronic device employing field emission devices with dis-similar electron emission characteristics and method for realization | |
| US5814926A (en) | Electron emission device with offset control electrode | |
| EP0833359A2 (en) | Field emission cathode type electron gun with individually-controlled cathode segments | |
| US5757138A (en) | Linear response field emission device | |
| JP2812356B2 (ja) | 電界放出型電子銃 | |
| JPS5916255A (ja) | 電子銃 | |
| JPH07122179A (ja) | 電界放出カソード及び電界放出カソードの製造方法 | |
| US5990612A (en) | Field emitter array with cap material on anode electrode | |
| JPH09306332A (ja) | 電界放出型電子銃 | |
| KR980005145A (ko) | 전계 방출 디바이스 | |
| US7271527B2 (en) | Method and structure of converging electron-emission source of field-emission display | |
| US6750470B1 (en) | Robust field emitter array design | |
| US7112920B2 (en) | Field emission source with plural emitters in an opening | |
| US6771011B2 (en) | Design structures of and simplified methods for forming field emission microtip electron emitters | |
| US5889359A (en) | Field-emission type cold cathode with enhanced electron beam axis symmetry | |
| JP3388263B2 (ja) | 集電した電子電流が入力制御信号と共に線形に変化するように電子エミッタへの制御信号を調整するための装置 | |
| US5814925A (en) | Electron source with microtip emissive cathodes | |
| US20040113178A1 (en) | Fused gate field emitter | |
| JP3068434B2 (ja) | 電子銃 | |
| JPH09223454A (ja) | 電界放出装置の構造と製造方法 | |
| JPH09219155A (ja) | 冷陰極電子銃装置とこれを用いた陰極線管装置 |