JPH0528512B2 - - Google Patents

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JPH0528512B2
JPH0528512B2 JP60210872A JP21087285A JPH0528512B2 JP H0528512 B2 JPH0528512 B2 JP H0528512B2 JP 60210872 A JP60210872 A JP 60210872A JP 21087285 A JP21087285 A JP 21087285A JP H0528512 B2 JPH0528512 B2 JP H0528512B2
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grid
photovoltaic device
current
bus bar
bus
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JP60210872A
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Nasu Pureemu
Jei Baanaado Teimoshii
Kurea Dominiku
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Original Assignee
Energy Conversion Devices Inc
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Publication of JPH0528512B2 publication Critical patent/JPH0528512B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/215—Geometries of grid contacts
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 近年、アモルフアスは半導体膜を比較的大きな
面積で堆積させ、結晶性のものと実質的に等価の
Pin形装置を製造する方法を開発するべく、相当
の努力がなされている。ここで用いる「アモルフ
アス」という用語は、短距離または中距離の秩序
性があつたり、いくらかの結晶性包含物のある場
合も含めて長距離無秩序性を有する全ての材料ま
たは合金を含んでいる。今ではグロー放電や気相
堆積法により、高品質の電気的特性を有する大面
積薄膜アモルフアスシリコン合金を製造すること
ができる。米国特許4226898号、第4217374号、第
4517223号の中にも適当な技術についての記載が
ある。太陽電池を製造する上でバツチ処理法しか
ない結晶性シリコンと違つて、アモルフアスシリ
コン半導体合金は、大面積の基板の上に多重層を
形成するように堆積することにより大量の太陽電
池を連続して製造できる。このような連続的処理
方式は、例えば米国特許第4400409号、4410558
号、4438723号、4492810号に開示されている。こ
れらの特許にも開示されているように、１つずつ
特定の半導体材料の堆積を行う一連の堆積室を通
つて、基板が連続的に進んで行くようにする。
Pin形構造の太陽電池を作る場合、最初の室はｐ
形アモルフアスシリコン合金の堆積用とし、第２
室は真性アモルフアスシリコン合金の堆積、第３
室はｎ形アモルフアスシリコン合金の堆積に当て
る。一連の堆積室に多数の通路を作るか、あるい
は堆積室をもう１列設けることによつて、いろい
ろな構成をもつ多数のセル（電池）を得ることが
できる。
上述した方法で製造した大面積太陽電池の中に
は分路（シヤント）欠陥が認められている。大面
積アモルフアス半導体光起電力装置を経済的に製
造するには、分路欠陥を減らす、あるいはこれを
無くすことが必要である。さらに、太陽電池によ
り発生する電流を電池の面積全体に均一に集める
ことが望ましい。
本発明による改良された光起電力装置は、導電
性基板と、該基板上に堆積された半導体層と、通
常は透明な導電体であつて、半導体層の少なくと
も一部分の上に堆積される集電層（current
collecting layer）と、該導電層と電気的に接触
して、光起電力装置の発生する電流を集めて伝導
する電極グリツドまたはバスグリツドを含む。装
置はまた、バスグリツド構造体の抵抗性接続また
は比較的シート抵抗の高い集電層など、低抵抗分
路電流路の影響を減少するための構造も含んでい
る。本発明の後者の実施態様では、集電層のシー
ト抵抗が少なくとも、300オーム／口となる。抵
抗の高い方の集電層に堆積されるバスグリツド構
造は、グリツドフインガ部の間隔を比較的狭くし
て、層の抵抗性を補償するようにしなければなら
ない。
前者の実施態様では、複数のグリツドフインガ
部をバスバー母線に抵抗性接続して、電流の流れ
を制限するようにする。標準的に、そのグリツド
フインガ部が電流を集める領域で発生し得る量の
電流以上とならないように、電流の流れが制限さ
れる。つまり欠陥からの過電流が抑制される。あ
るいはまた、過電流が流れると開路する破壊式ま
たはヒユーズ形の結線で、グリツドフインガ部を
母線に電気的に接続しても良い。通常の場合、各
グリツドフインガ部について、過剰とされる電流
の量は、そのグリツドフインガ部が電流を集める
領域で発生し得る電流の最大量をわずかに上回る
ものである。別の実施態様は、グリツドフインガ
部と、導電層から絶縁して欠陥部を通る電流を集
める可能性を低めた母線を含む。また別の実施態
様では、バツフア・バスグリツド構造体すなわち
グリツドフインガ部を分岐せずに、光起電力装置
の主要母線に直接連結した構造を用いて、分岐欠
陥の影響を克服する。
第１図はタンデムまたはカスケード形光起電力
装置１０を示す。装置１０は、複数のPin形光起
電力セル１２ａ，１２ｂ，１２ｃを含む半導体本
体１２を含む。セル１２ａに隣接するのが導電性
基板１４であり、透明とするか、金属表面を有す
る箔で形成することができる。用途によつては、
アモルフアス材料の前に薄い酸化物層および／ま
たは一連の基部接点を堆積する必要がある。本明
細書では、基板という用語は、可撓性膜だけでな
く、準備段階でそれに加えられる全ての要素も含
む。基板１４はステンレス鋼，アルミニウム，タ
ンタル，モリブデンもしくはクロム、またはガラ
スなどの絶縁材料に導電性被覆を施したものなど
で形成できる。
セル１２ａ，１２ｂ，１２ｃの各々が、少なく
ともシリコン合金を含有するアモルフアス合金本
体を含んでいる。合金本体の各々には、ｎ形領域
または層１６ａ，１６ｂ，１６ｃと、真性領域ま
たは層１８ａ，１８ｂ，１８ｃと、ｐ形領域また
は層２０ａ，２０ｂ，２０ｃが含まれる。図示の
ように、セル１２ｂは中間セルであり、第１図に
示したように、その他にも中間セルを加えても良
い。本発明は単独セルにも応用できるものであ
る。
半導体層を堆積した後、好ましい実施態様では
スズ酸インジウム（ITO）で形成される透明な導
電層２２を半導体材料上に堆積する。電極のグリ
ツド構造またはバスグリツド構造体２４を装置に
設けて、導電層２２を通るキヤリア経路を短縮
し、集電効率を上げる。
第２図に示すように、絶縁性材料層２６を導電
層２２とバスグリツド構造体２４との間に介在さ
れている。第２図に示すようにバスグリツド構造
体２４の中には集電部分であり、層２２と電気的
に接触しているグリツドフインガ部２８と、電流
伝導部分でありグリツドフインガ部２８と電気的
に接触しているも層２２から絶縁されている母線
構造３０を含んでいる。母線構造体３０には、副
母線（minor busbar）３２と主母線３４が含ま
れる。母線構造体３０は透明導電層２２から絶縁
されているため、これによつて集電されることは
ない。従つて、例え母線溝３０の近くに低抵抗性
の電流路欠陥があつても、母線構造体３０を通つ
て過電流が低抵抗路に流れることはない。それ
故、絶縁によつてこのような欠陥による性能劣化
の効果が減少しているのである。
第３図の光起電力装置の平面図では、絶縁層２
６が副バス３２と主バス３４と共に延びている
が、これらのバスより少し幅が広くなつているこ
とが分る。絶縁層２６は透明として、バスグリツ
ド構造体２４に覆われる部分のみ、装置１０に入
射する光を遮断するようにする方が良い。
絶縁層２６は抵抗値の適当に高いインク、絶縁
性炭化物，アクリル，フルオロカーボン重合体お
よびシリコーン、セラミツク材料、ガラスまたは
絶縁性酸化物などの天然および合成重合体などを
含む適当な絶縁性材料とすることができる。絶縁
層はシルクスクリーン法、ローラコーテイング、
吹付、気相堆積、蒸着など、適当な方法で設ける
ことができる。
絶縁層２６で達成される改良について、第４図
に示す。光起電力装置４８は、低抵抗電流路５０
を含む。層２２は通常非常に薄いため、横方向に
大きな抵抗をもつているので、線５２で囲んだ限
定された範囲だけが電流路５０から悪影響を受け
る状態にある。この範囲の中にはグリツドフイン
ガ部２８の中の１つと副母線３２と主母線３４の
それぞれ一部分が含まれている。しかし副母線３
２と主母線３４とは絶縁層２６により導電層２２
から絶縁されているため、低抵抗電流路の影響を
受けない。欠陥部５０の近くにあるグリツドフイ
ンガ部を通つて、欠陥部５０からいくらか電流が
流れることはあるが、その電流はグリツドフイン
ガ部２８のもつ比較的小さな断面積により制限さ
れたものである。もし絶縁材料２６がなかつたと
すると、線５２で囲んだ範囲にあるグリツドフイ
ンガ部２８の１つ、主母線３４、副母線乃至小母
線３２を通つて電流が低抵抗電流路５０に流れる
ことになる。
第５図には、本発明の別の実施態様による光電
力装置５６が示されている。光起電力装置５６は
光起電力装置１０と同様のもので、基板１４ｅ、
グリツドフインガ部２８ｅ、副母線３２ｅと、透
明導電層５８を含む。光起電力装置５６には絶縁
層２６がないが、含ませることもできる。装置１
０と対照的に、導電層５８のシート抵抗が比較的
高く、これが半導体構造体１２ｅにある低抵抗電
流路に流れる電流を少なくしている。導電層５８
の高いシート抵抗は、標準的なシート抵抗が約50
〜100オーム／□であるのに対して、少なくとも
約300オーム／□できれば約1000オーム／□とす
る。
第６図に示す光起電力装置６２は、光起電力装
置５６と同様の設計で少なくとも約300オーム／
□のシート抵抗の導電層２２を有するものであ
る。グリツドフインガ部２８ｅは、従来のシート
抵抗層をもつ光起電力装置のグリツドフインガ部
に比較して、断面積が相当小さくなつており、従
つて長手方向の抵抗が大きくなつている。その結
果、グリツドフインガ部２８ｅの１つが低抵抗電
流路の影響範囲にある場合、グリツドフインガ部
２８ｅを通る電流は従来の断面積のものに比べて
ずつと小さくなる。説明のため、装置５６内の低
抵抗電流路６４が領域６６に影響を及ぼしている
とする。従来の抵抗率の透明層と断面積の小さな
グリツドフインガ部を通る電流を、まず比較的シ
ート抵抗値の高い導電層５８が減少させる。光起
電力装置６２ではグリツドフインガ部を小さくし
て、透明層の抵抗を高しているため、従来の光起
電力装置より小形であるが多数のグリツドフイン
ガ部を用いている。
透明導電層は所望の特性、すなわち透明度と必
要な抵抗値を有するどんな材料で構成しても良
い。適当な材料としては、例えば酸化スズなどい
ろいろな導電性金属酸化物の被覆があるが、その
中にはSnO2、およびアンチモンまたはカドミウ
ム，モリブデンもしくはインジウムなどの元素を
ドープしたSnO2；In2O3、およびスズまたはカド
ミウム，ビスマスもしくはモリブデンなどの元素
をドープしたIn2O3；あるいはスズをドープした
酸化カドミウムおよびCdOなどのカドミウム−酸
素材料が含まれる。In2O3，SnO2，ZnOは酸素空
孔を多数作るような方法でドープ、形成する必要
がある。当業者には周知のように、導電層の抵抗
は該導電層の厚さまたはその組成を調節すること
により、所望に固定することができる。
第７図の光起電力装置７６も、構造上第１図の
光起電力装置１０と同様であるが、そのグリツド
構造体に変更がある。バスグリツド構造体２４ａ
は、グリツドフインガ部２８ａと電流伝導部分で
ある母線構造体３０ａを含み、母線構造体には副
母線３２ａと主母線３４ａが含まれる。母線構造
体３０ａは透明導電層２２から絶縁されている。
各グリツドフインガ部２８ａが副母線３２ａに抵
抗性接続されている。各グリツドフインガ部２８
ａの電流伝導能力乃至電流運搬能力（current
carrying capability）は、各グリツドフインガ
部２８ａが、集電する領域が生み出すことのでき
る光誘導電流の量の約５倍以上とはならない。グ
リツドフインガ部２８ａは、いずれか適当な方法
で副母線３２ａに抵抗性接続して良い。第７図に
おいては、抵抗性材料を小さく堆積したものによ
つて、各グリツドフインガ部２８ａを副母線３２
ａの１つに抵抗性接続している。
第８図においては、抵抗性インクによつて各グ
リツドフインガ部２８ｂを母線構造体３０ｂに抵
抗性接続している。インクは銀と炭素を混合した
もので良く、これを堆積して約70マイクロオー
ム／□のシート抵抗率を作り出す。このような抵
抗性接続、またグリツドフインガ部２８ｂも、ス
クリーン印刷法で堆積するのが便利である。
バスグリツド構造体はまた、例えば電気メツキ
やスパツタリングなどの気相堆積法によつても堆
積することができる。グリツド全体を１つの方法
で形成しても良いし、またいくつかの方法を組合
せて形成することもできる。
第９図の光起電力装置８６には絶縁層２６がな
いが、バツフア電極グリツド部またはバツフアバ
スグリツド構造体８８を含む。バツフアグリツド
部はグリツドフインガ部と主母線だけを含むもの
である。バツフアバスグリツド構造体８８には主
母線３４と複数のグリツドフインガ部９０ａ〜９
０ｅが含まれる。各グリツドフインガ部９０ａ〜
９０ｅは、主母線３４に直接接続されている。
第１０図においては光起電力装置９２に関して
もう１つ別のバツフア電極グリツド部の実施態様
が示されている。光起電力装置９２には絶縁層２
６がないが、バツフアバスグリツド構造体９４を
含んでいる。バツフアバスグリツド構造体９４に
は、主母線３４と複数のグリツドフインガ部９６
ａ〜９６ｃが含まれる。各グリツドフインガ部
は、全てのグリツドフインガ部の端から端までの
抵抗が同じにらるように選択された断面積を有し
ている。グリツドフインガ部が長いほど、短かい
グリツドフインガ部がより幅広く、および／また
は厚くなつている。必要に応じて、主母線３４を
半導体構造体から絶縁することもできる。
第１１図の光起電力装置１０６のグリツド構造
体１０８は、主母線１１０と、副母線１１２と、
集電用の複数のグリツドフインガ部１１４を含ん
でいる。各グリツドフインガ部１１４が、破壊式
結線１１６によつて副母線１１２に電気接続され
ている。破壊式結線を流れる電流が所定量に達す
ると、電気的結線が開路する。通常の場合、各グ
リツドフインガ部について、該グリツドフインガ
部１１４が集電を行う光起電力装置１０６の領域
が生み出し得る最大電流量よりわずかに大きいも
の（例えば約1.2倍）が、その所定量となる。普
通、破壊式結線１１６は、例えばスズ，鉛，ビス
マス，およびそれらの合金などの溶断材料で構成
される。溶断性材料の厚さおよび断面積を調節す
ることよつて、所定電流で開路させることができ
る。
第１１図に示されているのも、副母線１１２と
主母線１１０の間の破壊式結線１１７である。結
線１１６と同様、結線１１７も電流が所定量に達
した場合に開路する。ここでも破壊式結線が通常
導電できるのは、副母線が電流を伝える装置領域
が生み出す最大電流量をわずかに上回る電流（例
えば約1.2倍）である。
第１２図には、バスグリツド構造体１２０を有
する光起電力装置１１８が示されている。バスグ
リツド構造体１２０は主母線１２２と、複数の二
股副母線１２４と複数のグリツドフインガ部１２
６を含む。グリツドフインガ部１２６の各々が抵
抗性結線１２８により、それぞれの二股副母線１
２４に接続されている。それぞれの二股副母線１
２４に接続されている。それぞれの二股副母線１
２４は、長手方向に本質的に等しい幅に分割され
ていることを除いて、副母線３２と同様である。
このように分割することにより、副母線を通つて
半導体本体の低抵抗電流路の欠陥部に送られる電
流の量を最大化される。
第１３図を参照すると、複数のPin光起電力セ
ル１２ａ，１２ｂ，１２ｃから成る半導体本体１
２を含む光起電力装置１３０が示されている。セ
ル１２ａが基板１４の上にある。半導体本体１２
の表面上にあるのが、透明の導電層２２ｃで、そ
の上に副母線３２ｃと主母線３４ｃを含む母線構
造体３０ｃから成る電極グリツドまたはバスグリ
ツド構造体２４ｃが載つている。複数のグリツド
フインガ部２８ｃは、各々の副母線３２ｃに接続
されている。グリツドフインガ部２８ｃの各々
は、第１０図に関して先に説明したグリツドフイ
ンガ部２８ｂと同様である。グリツドフインガ部
２８ｃの抵抗性結線も、第１０図に関して説明し
た抵抗性結線８２と同様である。第１図と第２図
に関して説明したように、絶縁性材料層２６が導
電層２２とバスグリツド構造体２４ｃの部分との
間に配置されている。バスグリツド構造体２４ｃ
の電流伝導部分、すなわち母線構造体３０は、半
導体本体１２から絶縁されており、母線構造体３
０ｃから短い、または低抵抗の電流経路に直接流
れないようになつている。透明な導電層２２ｃ
は、少なくとも約300オーム／□と比較的高い抵
抗を有している。こうすることで、例えば低抵抗
経路があつたり、生じたりしても、光起電力装置
１３０の電気的特性を劣化する影響が減じられ
る。
次に第１４図と第１５図を参照すると、光起電
力装置の出力電力を、グリツドフインガ部の中心
間隔、グリツドフインガ部の幅、および透明導電
層の抵抗を含むいろいろな変数との関係で示すグ
ラフが示されている。このグラフは、光起電力装
置に欠陥部（低抵抗電流経路）から所望の程度の
保護を与えるように設計して、装置の設計を最適
化するのに有用である。
第１４図は光起電力装置の出力電力を、グリツ
ドフインガ部の幅が一定で透明導電層抵抗の異な
る場合のグリツドフインガ部の中心間隔に対する
関係として示している。第１４図は抵抗値の最も
低い層が出力電力を最も大きくすることを示して
いるが、このような構成では欠陥部からの保護の
程度も最も小さくなる。一旦所望の導電層抵抗値
を決定すると、抵抗値のより高い導電層により提
供される保護を考慮しながら、グリツドフインガ
部の間隔を選択することができる。特定の導電層
抵抗については、第１４図のようなグラフを参照
することによつて、簡単に決定することのできる
最適のグリツドフインガ部の中心間隔がある。抵
抗値の高い導電層を用いるほど、比較的実際的な
グリツドフインガ部の中心間隔の範囲が比較的狭
くなるため、適当なグリツドフインガ部の中心間
隔がますます臨界的となつて来る。
第１５図は、光起電力装置の出力電力を導電層
抵抗値が一定のグリツドフインガ部の幅に対する
関係としてグラフで示している。このグラフか
ら、グリツド幅の最も小さいものが最適であるこ
とは明らかである。しかし、最適グリツドフイン
ガ部の中心間隔はグリツドフインガ部の幅によつ
て決まるものである。限界値までは、グリツドフ
インガ部の間隔が大きい程、装置の影になる部分
が小さくなるため、出力電力は大きくなる。最適
点に達した後は、グリツドフインガ部の間隔が大
きくなる程、出力電力は減少していく。
【図面の簡単な説明】
第１図は複数のPin形セル（電池）から成るタ
ンデムまたはカスケード形光起電力装置で、セル
の各層をアモルフアス半導体合金から形成したも
のの部分断面図である。第２図は、第１図の光起
電力装置の断面斜視図である。第３図は、第１図
の光起電力装置の平面図である。第４図は、第３
図の光起電力装置と同様の光起電力装置部分であ
るが、中に欠陥のあるものの平面図である。第５
図は、各層をアモルフアス半導体合金から形成し
た複数のPin形セルから成るタンデムまたはカス
ケード形光起電力装置であつて、本発明の一実施
態様による導電層を有する光起電力装置の部分断
面図である。第６図は、第５図に示した光起電力
装置と同様の光起電力装置部分であるが、短絡欠
陥を有するものの平面図である。第７図は、本発
明の一実施例によるバスグリツド構造体を含む光
起電力装置部分の平面図である。第８図は、本発
明の別の実施例によるバスグリツド構造体を含む
光起電力装置部分の平面図である。第９図は、本
発明の一実施例によるバツフアバスグリツド構造
体を含む光起電力装置部分の平面図である。第１
０図は、本発明によるバツフアバスグリツドの別
の実施例を含む光起電力装置部分の平面図であ
る。第１１図は、本発明によるバスグリツド構造
体の別の実施例を含む光起電力装置部分の平面図
である。第１２図は、本発明によるバスグリツド
構造体の別の実施例を含む光起電力装置部分の平
面図である。第１３図は、本発明による光起電力
装置の断面斜視図である。第１４図は、グリツド
の幅が一定で導電層抵抗値の異なるものについ
て、光起電力装置の出力とグリツドフインガ部の
中心間隔の関係を示す線図である。第１５図は、
導電層の抵抗値が一定でグリツドフインガ部の幅
の異なるものについて、光起電力装置の出力とグ
リツドフインガ部の中心間隔の関係を示す線図で
ある。 １０，４８，５６，６２，７６，８０，８６，
９２，１０６，１１８，１３０……光起電力装
置、１２……セル（電池）、１４……基板、２２
……導電層、２４，１０８，１２０……バスグリ
ツド構造体、２６……絶縁層、２８，９０，９
６，１１４，１２６……グリツドフインガ部、３
０……母線構造、３２，１１２，１２４……副母
線、３４，１１０，１２２……主母線、５８……
導電層、８８，９４……バツフアバスグリツド構
造体、１１６，１１７……破壊式結線、１２８…
…抵抗性結線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性基板と、この基板上に堆積されている
    半導体本体と、この半導体本体上に配置された透
    明な導電性の集電層とグリツド構造体とからなる
    光起電力装置であつて、前記グリツド構造体は、
    前記装置により生ぜしめられた電流を集めて伝導
    するために集電層と電気的に接触しており、この
    グリツド構造体は、複数の集電用グリツドフイン
    ガ部に電気的に相互接続された母線を含んでお
    り、前記グリツドフインガ部は、該グリツドフイ
    ンガ部が集電を行う装置の領域から生成され得る
    電流量の約５倍を超えない電流運搬容量を有する
    ように前記母線と相互に抵抗性接続されている光
    起電力装置。 ２ 前記グリツド構造体が、前記グリツドフイン
    ガ部を前記母線に電気的に相互接続している副母
    線を含んでいる特許請求の範囲第１項に記載の光
    起電力装置。 ３ 前記の抵抗性の相互接続部は、破壊され易
    く、この相互接続部を流れる電流が予め選択され
    た大きさを越えた場合、電気的に開く特許請求の
    範囲第１項または第２項に記載の光起電力装置。 ４ 前記の抵抗性相互接続部が易融性のリンクで
    ある特許請求の範囲第３項に記載の光起電力装
    置。 ５ 装置の前記領域からの電流が流れる相互接続
    部を、装置の該領域によつて生成され得る電流の
    約1.2倍の大きさの電流が流れた場合、該相互接
    続部が開く特許請求の範囲第３項に記載の光起電
    力装置。 ６ 電気絶縁体が前記母線と前記集電層との間に
    配置されている特許請求の範囲第１項乃至第３項
    のいずれかに記載の光起電力装置。 ７ この絶縁体が透明である特許請求の範囲第１
    項乃至第６項及び第９項のいずれかに記載の光起
    電力装置。 ８ 前記集電層が300オーム／□よりも大きいシ
    ート抵抗を有する特許請求の範囲第１項、第２
    項、第３項及び第６項のいずれかに記載の光起電
    力装置。 ９ 前記集電層が約1000オーム／□のシート抵抗
    を有する特許請求の範囲第１項乃至第６項及び第
    ８項のいずれかに記載の光起電力装置。 １０ 前記グリツドフインガ部が、前記母線に直
    接接続されており、この複数のグリツドフインガ
    部は異なる長さを有しており、母線の断面寸法は
    グリツドフインガ部の各々の抵抗値が実質的に同
    じとなるように選択されている特許請求の範囲第
    １項、第３項、第６項、及び第８項のいずれかに
    記載の光起電力装置。
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