JPS5839073A - アモルフアス太陽電池 - Google Patents
アモルフアス太陽電池Info
- Publication number
- JPS5839073A JPS5839073A JP56137329A JP13732981A JPS5839073A JP S5839073 A JPS5839073 A JP S5839073A JP 56137329 A JP56137329 A JP 56137329A JP 13732981 A JP13732981 A JP 13732981A JP S5839073 A JPS5839073 A JP S5839073A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- crack
- lead wire
- amorphous semiconductor
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/93—Interconnections
- H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
- H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属板を基板とするアモルファス太陽電池の
構造に関するものである。
構造に関するものである。
安価な太陽電池として金属板を基板とするアモルファス
太陽電池が有望視され、研究開発毅：進められている０
第１図は従来のこの種太陽電池の構成を示す断面図でる
る。まず、ステンレス鋼などの銹びにくい金属基板（１
）の上にグロー放電法によリシラン（ｓｉａ４）ガスを
分解してアそルファス半導体層（２）をデポジションす
る。その時にホスフィン（ＰＨａ）またはジポラン（Ｂ
２Ｈ６）ガスを１％程度混合することによって、それぞ
れｎ形またはｐ形のアモルファス半導体層を得るように
して、その伝導形を制御して、連続的にｐ形、１形およ
びｎ形のアモルファス半導体層を積層して図示、アモル
ファス半導体層（２）を形成する。次に、このアモルフ
ァス半導体層（２）の上にインジウム・スズ酸化物（工
ｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ・０ｘｉ４ｅ ： Ｉ Ｔｏ ）を
蒸着して光学的に透明な導電膜（３）を形成する。この
導電膜（３）はアモルファス半導体層（２）の表面側の
電気抵抗を低下させる目的をもっている。最後にアルミ
ニウムなどを蒸着して金属電極（４）および外部リード
線接続のためのポンディングパッド（特に図示せず）を
形成し、この部分に外部リード線（５）を接続する。他
方の外部接続は金属基板（１）に対して行なわれる。
太陽電池が有望視され、研究開発毅：進められている０
第１図は従来のこの種太陽電池の構成を示す断面図でる
る。まず、ステンレス鋼などの銹びにくい金属基板（１
）の上にグロー放電法によリシラン（ｓｉａ４）ガスを
分解してアそルファス半導体層（２）をデポジションす
る。その時にホスフィン（ＰＨａ）またはジポラン（Ｂ
２Ｈ６）ガスを１％程度混合することによって、それぞ
れｎ形またはｐ形のアモルファス半導体層を得るように
して、その伝導形を制御して、連続的にｐ形、１形およ
びｎ形のアモルファス半導体層を積層して図示、アモル
ファス半導体層（２）を形成する。次に、このアモルフ
ァス半導体層（２）の上にインジウム・スズ酸化物（工
ｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ・０ｘｉ４ｅ ： Ｉ Ｔｏ ）を
蒸着して光学的に透明な導電膜（３）を形成する。この
導電膜（３）はアモルファス半導体層（２）の表面側の
電気抵抗を低下させる目的をもっている。最後にアルミ
ニウムなどを蒸着して金属電極（４）および外部リード
線接続のためのポンディングパッド（特に図示せず）を
形成し、この部分に外部リード線（５）を接続する。他
方の外部接続は金属基板（１）に対して行なわれる。
ところで、金属基板（１）への外部接続は、金属基板（
１）が製置であるので、安全容易であるが、アモルファ
ス半導体層（３）の表面側の外部リード線（５）の接続
には困難を伴う。すなわち、この外部リード線（５）の
接続は、超音波接続、スポット溶接、半田付けなどによ
るが、それらの作業に伴う熱や、圧力のために、第１図
に示したように金属電極（４）からアモルファス半導体
層（２）に達するクラック（６）が発生することがある
。このように１クランク（６）が発生すると、アモルフ
ァス半導体層（３）の厚さが１ミクロン以下で、極めて
薄いので、電極（４）の金属がクランク（６）を通して
容易に基板（１）Ｋ達し、この太陽電池を短絡させるこ
とになる。つまり、電極への外部リード線（５）の接続
の工程で、太陽電池を破損する危険が大きかった。
１）が製置であるので、安全容易であるが、アモルファ
ス半導体層（３）の表面側の外部リード線（５）の接続
には困難を伴う。すなわち、この外部リード線（５）の
接続は、超音波接続、スポット溶接、半田付けなどによ
るが、それらの作業に伴う熱や、圧力のために、第１図
に示したように金属電極（４）からアモルファス半導体
層（２）に達するクラック（６）が発生することがある
。このように１クランク（６）が発生すると、アモルフ
ァス半導体層（３）の厚さが１ミクロン以下で、極めて
薄いので、電極（４）の金属がクランク（６）を通して
容易に基板（１）Ｋ達し、この太陽電池を短絡させるこ
とになる。つまり、電極への外部リード線（５）の接続
の工程で、太陽電池を破損する危険が大きかった。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、表
面偶の外部リード線をボンディングすべき部位の直下に
金属基板とアモルファス半導体層との間に絶縁膜を設け
るととＫよって、たとえ上述のようなりラックが発生し
ても短絡事故の発生しないアモルファス太陽電池を提供
することを目的としている。
面偶の外部リード線をボンディングすべき部位の直下に
金属基板とアモルファス半導体層との間に絶縁膜を設け
るととＫよって、たとえ上述のようなりラックが発生し
ても短絡事故の発生しないアモルファス太陽電池を提供
することを目的としている。
第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、第
１図の従来例と同等部分は同一符号で示し、その説明の
重複を避ける。すなわち、この実施例では、金属基板（
１）上にアモルファス半導体層（２）を成長させる前に
、将来表面側外部リード線（５）をボンディングすべき
部位の直下にシリコン酸化膜（７）を形成しておくもの
で、以下そのシリコン酸化膜（７）の上を含めて金属基
板（１）の上にア、モルファス半導体層（２）を形成し
、それ以後の工程は従来例と全く同様である。シリコン
酸化膜（７）は４００℃前後の温度での化学的気相成長
（（！ＶＤ）または近年実用化されつつあるプラズマＯ
ＶＤによってデポジションさせるのが適当である。この
ように１金属基板（１）とアモルファス半導体層（２）
との間のクランク発生の可能性のある部位に堅固衣シリ
コン酸化膜（７）を設けた−ので、たとえ、外部リード
線（５）のボンディングによってクラック（６）が発生
しても、金属電極（４）と金属基板（１）との短絡は阻
止され、素子の破壊は発生しない。このとき、もちろん
アモルファス半導体層（２）内のｐｎ′Ｉｉｉ合はクラ
ック（６）Ｋよって破壊されるが、アモルファス半導体
層（２）自体が非常に高抵抗で６す、このクラック発生
部位は電極金属（４）の影に入っておシ、もともと太陽
電池としての機能に寄与していない部分であるので、全
体として素子機能を損することはない。
１図の従来例と同等部分は同一符号で示し、その説明の
重複を避ける。すなわち、この実施例では、金属基板（
１）上にアモルファス半導体層（２）を成長させる前に
、将来表面側外部リード線（５）をボンディングすべき
部位の直下にシリコン酸化膜（７）を形成しておくもの
で、以下そのシリコン酸化膜（７）の上を含めて金属基
板（１）の上にア、モルファス半導体層（２）を形成し
、それ以後の工程は従来例と全く同様である。シリコン
酸化膜（７）は４００℃前後の温度での化学的気相成長
（（！ＶＤ）または近年実用化されつつあるプラズマＯ
ＶＤによってデポジションさせるのが適当である。この
ように１金属基板（１）とアモルファス半導体層（２）
との間のクランク発生の可能性のある部位に堅固衣シリ
コン酸化膜（７）を設けた−ので、たとえ、外部リード
線（５）のボンディングによってクラック（６）が発生
しても、金属電極（４）と金属基板（１）との短絡は阻
止され、素子の破壊は発生しない。このとき、もちろん
アモルファス半導体層（２）内のｐｎ′Ｉｉｉ合はクラ
ック（６）Ｋよって破壊されるが、アモルファス半導体
層（２）自体が非常に高抵抗で６す、このクラック発生
部位は電極金属（４）の影に入っておシ、もともと太陽
電池としての機能に寄与していない部分であるので、全
体として素子機能を損することはない。
上記実施例では、シリコン酸化膜を絶縁膜として用いた
が、プラズマ０ＶＤｉｃよるシリコン窒化膜、または蒸
着した各種絶縁膜でもよく、また、パターニングは全面
に付着させた後に１写真展版技術で不用部分を、エツチ
ングしてもよいし、パターン精度を問わないときＫはマ
スク蒸着法で所要部位に部分的に付着させてもよい。
が、プラズマ０ＶＤｉｃよるシリコン窒化膜、または蒸
着した各種絶縁膜でもよく、また、パターニングは全面
に付着させた後に１写真展版技術で不用部分を、エツチ
ングしてもよいし、パターン精度を問わないときＫはマ
スク蒸着法で所要部位に部分的に付着させてもよい。
以上説明したように、この発ＦＪ４になるアモルファス
太陽電池ではアモルファス半導体層にクラックの発生す
るおそれのある表面側外部リード線のボンディング部位
置下の部分に、そのアモルファス半導体層と金属基板と
の間に絶縁膜を介在させたので、上記クラックが発生し
ても表面電極と金属基板との間の短絡たよる素子の機能
破壊が防止できる。
太陽電池ではアモルファス半導体層にクラックの発生す
るおそれのある表面側外部リード線のボンディング部位
置下の部分に、そのアモルファス半導体層と金属基板と
の間に絶縁膜を介在させたので、上記クラックが発生し
ても表面電極と金属基板との間の短絡たよる素子の機能
破壊が防止できる。
亦′第１図は従来のアモルファス太陽電池の構成を示す
断面図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面
図である０ 図において、（１）は金属基板、（２）はアモルファス
半導体層、（３）は透明導電膜、（４）は金属電極、（
５）は外部リード線、（７）は絶縁膜である０なお、図
中同一符号は同一または相当部分を示代理人 葛野信
−（外１名）
断面図、第２図はこの発明の一実施例の構成を示す断面
図である０ 図において、（１）は金属基板、（２）はアモルファス
半導体層、（３）は透明導電膜、（４）は金属電極、（
５）は外部リード線、（７）は絶縁膜である０なお、図
中同一符号は同一または相当部分を示代理人 葛野信
−（外１名）
Claims (1)
- （１） 金属基板上にアモルファス半導体層と透明導
電膜とを順次形成しその上面の一部に金属電極を介して
外部り′−ド線をボンディングしてなるものにおいて、
上記外部リード線のボンディング部位の直下の部分の上
記金属基板と上記アモルファス半導体層との間に絶縁膜
を介在させたことを特徴とするアモルファス太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137329A JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56137329A JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5839073A true JPS5839073A (ja) | 1983-03-07 |
| JPS622713B2 JPS622713B2 (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15196117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137329A Granted JPS5839073A (ja) | 1981-08-31 | 1981-08-31 | アモルフアス太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5839073A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590327A (en) * | 1984-09-24 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| US4633034A (en) * | 1985-02-08 | 1986-12-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| US4776896A (en) * | 1985-11-29 | 1988-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Amorphous silicon solar battery |
| US5395457A (en) * | 1992-12-16 | 1995-03-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| EP2086022A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | SANYO Electric Co., Ltd. | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| WO2011129083A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| WO2011135856A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュール |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112019006224T5 (de) | 2019-02-28 | 2021-10-14 | Hitachi High-Tech Corporation | Elektrophoresevorrichtung, die in der Lage ist, eine Elektrophorese an mehreren Proben unabhängig auszuführen |
-
1981
- 1981-08-31 JP JP56137329A patent/JPS5839073A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4590327A (en) * | 1984-09-24 | 1986-05-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| US4633034A (en) * | 1985-02-08 | 1986-12-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photovoltaic device and method |
| US4776896A (en) * | 1985-11-29 | 1988-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Amorphous silicon solar battery |
| US5395457A (en) * | 1992-12-16 | 1995-03-07 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| EP2086022A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | SANYO Electric Co., Ltd. | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| US8426726B2 (en) | 2008-01-31 | 2013-04-23 | Sanyo Electric Co., Ltd | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| WO2011129083A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| WO2011135856A1 (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-03 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS622713B2 (ja) | 1987-01-21 |
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