JPH0528515B2 - - Google Patents
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- JPH0528515B2 JPH0528515B2 JP60164595A JP16459585A JPH0528515B2 JP H0528515 B2 JPH0528515 B2 JP H0528515B2 JP 60164595 A JP60164595 A JP 60164595A JP 16459585 A JP16459585 A JP 16459585A JP H0528515 B2 JPH0528515 B2 JP H0528515B2
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- layer
- type
- semiconductor laser
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザに関し、特にクラツド
層の構造に関するものである。
層の構造に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、従来の半導体レーザを示す断面図で
ある。初めにこの半導体レーザの構成について説
明する。図において、ｐ形GaAs基板１上にｎ形
GaAs電流ブロツク層２が形成されており、この
基板およびこの電流ブロツク層にＶ字形溝９が形
成されている。ｐ形GaAs基板１の一部上および
ｎ形GaAs電流ブロツク層２上に、ｐ形AlxGa1-x
As下側クラツド層３、AlyGa1-yAs活性層４、ｎ
形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｎ形GaAsコン
タクト層６がこの順序で形成されている。ここ
で、ｘ，ｙは組成比である。ｎ形AlxGa1-xAs上
側クラツド層５とAlyGa1-y活性層４とｐ形Alx
Ga1-xAs下側クラツド層３とはいわゆるダブルヘ
テロ構造を形成している。ｎ形GaAsコンタクト
層６は電極をとるための層であり、このコンタク
ト層上に上側電極７が形成されている。８は下側
電極である。また、１０はAlgGa1-yAs活性層４
から滲み出す光の光分布を示している。
ある。初めにこの半導体レーザの構成について説
明する。図において、ｐ形GaAs基板１上にｎ形
GaAs電流ブロツク層２が形成されており、この
基板およびこの電流ブロツク層にＶ字形溝９が形
成されている。ｐ形GaAs基板１の一部上および
ｎ形GaAs電流ブロツク層２上に、ｐ形AlxGa1-x
As下側クラツド層３、AlyGa1-yAs活性層４、ｎ
形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｎ形GaAsコン
タクト層６がこの順序で形成されている。ここ
で、ｘ，ｙは組成比である。ｎ形AlxGa1-xAs上
側クラツド層５とAlyGa1-y活性層４とｐ形Alx
Ga1-xAs下側クラツド層３とはいわゆるダブルヘ
テロ構造を形成している。ｎ形GaAsコンタクト
層６は電極をとるための層であり、このコンタク
ト層上に上側電極７が形成されている。８は下側
電極である。また、１０はAlgGa1-yAs活性層４
から滲み出す光の光分布を示している。
次にこの半導体レーザの動作について説明す
る。上側電極７と下側電極８間に電圧を印加しダ
ブルヘテロ接合に順方向にバイアスを加えてゆく
と、ｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｐ形Alx
Ga1-xAs下側クラツド層３のエネルギギヤツプよ
り狭いエネルギギヤツプを有するAlyGa1-yAs活
性層４内に電子・ホール対が有効に閉じ込めら
れ、またｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｐ
形AlxGa1-xAs下側クラツド層３の屈折率より高
い屈折率を有するAlyGa1-yAs活性層４に光が有
効に閉じ込められる。以上は第２図の断面内での
垂直方向の電子・ホール対と光の閉じ込めの説明
であるが、この断面内での水平方向の電子・ホー
ル対と光の閉じ込めについては、Ｖ字形溝９を持
つｎ形GaAs電流ブロツク層２は、ｐ形AlxGa1-x
As下側クラツド層３やｐ形GaAs基板１とは異な
る多数キヤリアを持つためキヤリアの伝導を妨げ
るポテンシヤルの壁となり、ｎ形GaAs電流ブロ
ツク層２のＶ字形溝９内をキヤリアが流れて電
子・ホール対がＶ字形溝９内に閉じ込められるこ
とになる。さらに、ｎ形GaAs電流ブロツク層２
は、AlyGa1-yAs活性層４のエネルギギヤツプよ
り狭いエネルギギヤツプを有するため、この電流
ブロツク層にはAlyGa1-yAs活性層４から生じた
光によりキヤリアができ、伝導して上記ポテンシ
ヤルの壁を減らす効果が生じるが、この効果は、
ｎ形GaAs電流ブロツク層２に非発光再結合セン
タを多く作つておくことによりなくすことができ
る。また、水平方向の光の閉じ込めは、Ｖ字形溝
９外側のｎ形GaAs電流ブロツク層２で光の吸収
係数が急激に増すためその実効屈折率が下がり、
結局Ｖ字形溝９内部の屈折率が上がるため光がＶ
字形溝９内に有効に閉じ込められるようになつて
レーザ発振が効率良く行なわれる。
る。上側電極７と下側電極８間に電圧を印加しダ
ブルヘテロ接合に順方向にバイアスを加えてゆく
と、ｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｐ形Alx
Ga1-xAs下側クラツド層３のエネルギギヤツプよ
り狭いエネルギギヤツプを有するAlyGa1-yAs活
性層４内に電子・ホール対が有効に閉じ込めら
れ、またｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層５、ｐ
形AlxGa1-xAs下側クラツド層３の屈折率より高
い屈折率を有するAlyGa1-yAs活性層４に光が有
効に閉じ込められる。以上は第２図の断面内での
垂直方向の電子・ホール対と光の閉じ込めの説明
であるが、この断面内での水平方向の電子・ホー
ル対と光の閉じ込めについては、Ｖ字形溝９を持
つｎ形GaAs電流ブロツク層２は、ｐ形AlxGa1-x
As下側クラツド層３やｐ形GaAs基板１とは異な
る多数キヤリアを持つためキヤリアの伝導を妨げ
るポテンシヤルの壁となり、ｎ形GaAs電流ブロ
ツク層２のＶ字形溝９内をキヤリアが流れて電
子・ホール対がＶ字形溝９内に閉じ込められるこ
とになる。さらに、ｎ形GaAs電流ブロツク層２
は、AlyGa1-yAs活性層４のエネルギギヤツプよ
り狭いエネルギギヤツプを有するため、この電流
ブロツク層にはAlyGa1-yAs活性層４から生じた
光によりキヤリアができ、伝導して上記ポテンシ
ヤルの壁を減らす効果が生じるが、この効果は、
ｎ形GaAs電流ブロツク層２に非発光再結合セン
タを多く作つておくことによりなくすことができ
る。また、水平方向の光の閉じ込めは、Ｖ字形溝
９外側のｎ形GaAs電流ブロツク層２で光の吸収
係数が急激に増すためその実効屈折率が下がり、
結局Ｖ字形溝９内部の屈折率が上がるため光がＶ
字形溝９内に有効に閉じ込められるようになつて
レーザ発振が効率良く行なわれる。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来のこのような構造の半導体レー
ザにおいては、発振モードは、横は基本モード、
縦は単一モードが普通である。しかしながら、そ
の単一モードのために温度や注入電流の変化、戻
光時に生ずるモードホツピングによる雑音発生と
いう欠点は免れなかつた。たとえば、Ｓ／Ｎ特性
の戻光率依存性は第３図のようになり、戻光率が
比較的少ないところでＳ／Ｎ特性が悪いという問
題点があつた。この欠点を除去するための方法と
して、たとえばAlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）にTeをド
ープしたものをｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層
５としたときにはTe／Alドーピング比を下げる
方法がある。Te／Alドーピング比を下げること
により、第４図に示すように縦モードが単一モー
ド性から多モード性に変化するためＳ／Ｎ特性が
向上する。すなわち、モードホツピング雑音が発
生しにくくなる。これは、第２図の光分布１０に
示すように、上側クラツド層に滲み出た光がこの
クラツド層中で吸収されにくくなるために起こ
る。しかしながら、ｎ型クラツド層のTe濃度を
下げた場合、ｎ型クラツド層の抵抗が大きくな
り、それにより発熱が大きくなり、半導体レーザ
の寿命が劣化し、信頼性上問題となる。また、ｎ
型クラツド層のTe濃度を下げた場合、ｐ型活性
層からｎ型クラツド層を成長させるときに固相拡
散が大きくなり、ｎ型層側ヘリモートジヤンクシ
ヨンしやすくなる。このため、ｐ−ｎ界面のポテ
ンシヤルが増加し、活性層へ注入される電子の電
位降下が大きくなる。これも半導体レーザの寿命
を劣化することにつながり、信頼性上問題とな
る。また、一般にはTe濃度の上げ過ぎも結晶性
の悪化をもたらすので半導体レーザの寿命が短く
なる。このため、半導体レーザの寿命は、第５図
に示すようにTe濃度に対して山形の特性を示す
ことになる。以上のように、モードホツピング雑
音の抑制と半導体レーザの寿命とはTe濃度を下
げる方向に対して相反関係にあつた。
ザにおいては、発振モードは、横は基本モード、
縦は単一モードが普通である。しかしながら、そ
の単一モードのために温度や注入電流の変化、戻
光時に生ずるモードホツピングによる雑音発生と
いう欠点は免れなかつた。たとえば、Ｓ／Ｎ特性
の戻光率依存性は第３図のようになり、戻光率が
比較的少ないところでＳ／Ｎ特性が悪いという問
題点があつた。この欠点を除去するための方法と
して、たとえばAlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）にTeをド
ープしたものをｎ形AlxGa1-xAs上側クラツド層
５としたときにはTe／Alドーピング比を下げる
方法がある。Te／Alドーピング比を下げること
により、第４図に示すように縦モードが単一モー
ド性から多モード性に変化するためＳ／Ｎ特性が
向上する。すなわち、モードホツピング雑音が発
生しにくくなる。これは、第２図の光分布１０に
示すように、上側クラツド層に滲み出た光がこの
クラツド層中で吸収されにくくなるために起こ
る。しかしながら、ｎ型クラツド層のTe濃度を
下げた場合、ｎ型クラツド層の抵抗が大きくな
り、それにより発熱が大きくなり、半導体レーザ
の寿命が劣化し、信頼性上問題となる。また、ｎ
型クラツド層のTe濃度を下げた場合、ｐ型活性
層からｎ型クラツド層を成長させるときに固相拡
散が大きくなり、ｎ型層側ヘリモートジヤンクシ
ヨンしやすくなる。このため、ｐ−ｎ界面のポテ
ンシヤルが増加し、活性層へ注入される電子の電
位降下が大きくなる。これも半導体レーザの寿命
を劣化することにつながり、信頼性上問題とな
る。また、一般にはTe濃度の上げ過ぎも結晶性
の悪化をもたらすので半導体レーザの寿命が短く
なる。このため、半導体レーザの寿命は、第５図
に示すようにTe濃度に対して山形の特性を示す
ことになる。以上のように、モードホツピング雑
音の抑制と半導体レーザの寿命とはTe濃度を下
げる方向に対して相反関係にあつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、モードホツピング雑音の抑制
すなわちＳ／Ｎ特性の改善と長寿命化とを同時に
達成できる半導体レーザを得ることを目的とす
る。
になされたもので、モードホツピング雑音の抑制
すなわちＳ／Ｎ特性の改善と長寿命化とを同時に
達成できる半導体レーザを得ることを目的とす
る。
［問題点を解決するための手段］
この発明に従つた半導体レーザは、第１導電型
クラツド層と、その第１導電型クラツド層の上に
形成された活性層と、その活性層の上に形成され
た第２導電型クラツド層とから構成されるダブル
ヘテロ構造を有し、第１導電型クラツド層、活性
層および第２導電型クラツド層の各々が少なくと
もAl、CaおよびAsを含む半導体層である半導体
レーザにおいて、以下のことを特徴とする。第１
導電型クラツド層および第２導電型クラツド層の
うち、少なくとも一方は第１クラツド層と第２ク
ラツド層を含む。第１クラツド層は活性層側に位
置する。第１クラツド層と第２クラツド層は同種
の不純物を含む。第１クラツド層に含まれる同種
の不純物の濃度は、第２クラツド層に含まれる同
種の不純物の濃度よりも高い。
クラツド層と、その第１導電型クラツド層の上に
形成された活性層と、その活性層の上に形成され
た第２導電型クラツド層とから構成されるダブル
ヘテロ構造を有し、第１導電型クラツド層、活性
層および第２導電型クラツド層の各々が少なくと
もAl、CaおよびAsを含む半導体層である半導体
レーザにおいて、以下のことを特徴とする。第１
導電型クラツド層および第２導電型クラツド層の
うち、少なくとも一方は第１クラツド層と第２ク
ラツド層を含む。第１クラツド層は活性層側に位
置する。第１クラツド層と第２クラツド層は同種
の不純物を含む。第１クラツド層に含まれる同種
の不純物の濃度は、第２クラツド層に含まれる同
種の不純物の濃度よりも高い。
［作用］
この発明においては、第１導電型クラツド層と
第２導電型クラツド層のうち、少なくとも一方は
複数の層を含む。第１クラツド層は活性層側に位
置し、第２クラツド層よりも同種の不純物を高い
濃度で含む。そのため、キヤリア濃度の高い第１
クラツド層によつて半導体レーザの寿命を向上さ
せることができる。
第２導電型クラツド層のうち、少なくとも一方は
複数の層を含む。第１クラツド層は活性層側に位
置し、第２クラツド層よりも同種の不純物を高い
濃度で含む。そのため、キヤリア濃度の高い第１
クラツド層によつて半導体レーザの寿命を向上さ
せることができる。
また、キヤリア濃度の低い第２クラツド層によ
つて縦モードが単一モード性から多モード性に変
化し、Ｓ／Ｎ特性を向上させることができる。
つて縦モードが単一モード性から多モード性に変
化し、Ｓ／Ｎ特性を向上させることができる。
さらに、第１クラツド層と第２クラツド層は同
種の不純物を含むので、これらの２つの層の成長
工程において不純物の添加量を制御するだけで容
易にキヤリア濃度を変えることができる。したが
つて、不純物の添加量を制御するだけでＳ／Ｎ特
性の改善と長寿命化とを同時に達成できる半導体
レーザを容易に実現することが可能になる。
種の不純物を含むので、これらの２つの層の成長
工程において不純物の添加量を制御するだけで容
易にキヤリア濃度を変えることができる。したが
つて、不純物の添加量を制御するだけでＳ／Ｎ特
性の改善と長寿命化とを同時に達成できる半導体
レーザを容易に実現することが可能になる。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分においては適宜その説明
を省略する。
る。なお、この実施例の説明において、従来の技
術の説明と重複する部分においては適宜その説明
を省略する。
第１図は、この発明の実施例である半導体レー
ザを示す断面図である。この実施例の構成が第２
図の構成と異なる点は、ｎ形AlxGa1-xAs上側第
１クラツド層５ａとｎ形AlxGa1-xAs上側第２ク
ラツド層５ｂとから上側クラツド層が構成されて
いる点である。ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツ
ド層５ａは、たとえば５×1018c.c.のTeをドープ
したAlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）からなり、この上側
第１クラツド層の厚みは光分布１０の上側クラツ
ド層への滲み出し距離より十分小さくとつてあ
る。また、ｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層
５ｂは、たとえば１×1017c.c.のTeをドープした
AlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）からなつている。ｎ形
AlxGa1-xAs上側第１クラツド層５ａおよびｎ形
AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂのエネルギ
ギヤツプはAlyGa1-yAs活性層４のエネルギギヤ
ツプより広く、ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツ
ド層５ａおよびｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツ
ド層５ｂの屈折率はAlyGa1-yAs活性層４の屈折
率より低くなつている。また、このときのAly
Ga1-yAs活性層４は、たとえばAlyGa1-yAs（ｙ＝
0.15）からなり、その厚みは0.1μmより小さくと
つてある。
ザを示す断面図である。この実施例の構成が第２
図の構成と異なる点は、ｎ形AlxGa1-xAs上側第
１クラツド層５ａとｎ形AlxGa1-xAs上側第２ク
ラツド層５ｂとから上側クラツド層が構成されて
いる点である。ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツ
ド層５ａは、たとえば５×1018c.c.のTeをドープ
したAlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）からなり、この上側
第１クラツド層の厚みは光分布１０の上側クラツ
ド層への滲み出し距離より十分小さくとつてあ
る。また、ｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層
５ｂは、たとえば１×1017c.c.のTeをドープした
AlxGa1-xAs（ｘ＝0.45）からなつている。ｎ形
AlxGa1-xAs上側第１クラツド層５ａおよびｎ形
AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂのエネルギ
ギヤツプはAlyGa1-yAs活性層４のエネルギギヤ
ツプより広く、ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツ
ド層５ａおよびｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツ
ド層５ｂの屈折率はAlyGa1-yAs活性層４の屈折
率より低くなつている。また、このときのAly
Ga1-yAs活性層４は、たとえばAlyGa1-yAs（ｙ＝
0.15）からなり、その厚みは0.1μmより小さくと
つてある。
次にこの半導体レーザの動作について説明す
る。ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツド層５ａ、
ｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂおよび
ｐ形AlxGa1-xAs下側クラツド層３のそれぞれの
エネルギギヤツプは、AlyGa1-yAs活性層４のエ
ネルギギヤツプより広く、また、ｎ形AlxGa1-x
As上側第１クラツド層５ａ、ｎ形AlxGa1-xAs上
側第２クラツド層５ｂおよびｐ形AlxGa1-xAs下
側クラツド層３のそれぞれの屈折率はAlyGa1-y
As活性層４の屈折率よりも低いため、電子・ホ
ール対と光はAlyGa1-yAs上側第１クラツド層５
ａのキヤリア濃度は５×1018c.c.計と高いため、第
５図からわかるように半導体レーザの寿命が向上
する。さらに、AlyGa1-yAs活性層４からｎ形Alx
Ga1-xAS上側第１クラツド層５ａ、ｎ形Alx
Ga1-xAs上側第２クラツド層５ｂへの光の滲み出
しは、従来の半導体レーザにおける活性層から上
側クラツド層への光の滲み出しと同様に行なわれ
光分布１０のようになるが、ｎ形AlxGa1-xAS上
側第１クラツド層５ａの厚みは光分布１０の滲み
出し距離より十分小さくとつてあるので、滲み
出た光の多くはｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツ
ド層５ｂ内に滲み出ることになる。このとき、ｎ
形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂのキヤリ
ア濃度は１×1017c.c.と低いため滲み出た光はこの
上側第２クラツド層に吸収されにくく、縦モード
が単一性モードから多モード性に変化する。この
ため、温度や注入電流の変化、戻光時に生ずるモ
ードホツピング雑音が抑制されＳ／Ｎ特性が改善
される、このように、上側クラツド層をキヤリア
濃度の高い上側第１クラツド層およびキヤリア濃
度の低い上側第２クラツド層から構成することに
よつて、エネルギギヤツプなどの母体材料パラメ
ータに起因する電子・ホール対と光の閉じ込め効
果と、キヤリア濃度に起因する長寿命化・Ｓ／Ｎ
特性向上効果とを独立して得ることができる。
る。ｎ形AlxGa1-xAs上側第１クラツド層５ａ、
ｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂおよび
ｐ形AlxGa1-xAs下側クラツド層３のそれぞれの
エネルギギヤツプは、AlyGa1-yAs活性層４のエ
ネルギギヤツプより広く、また、ｎ形AlxGa1-x
As上側第１クラツド層５ａ、ｎ形AlxGa1-xAs上
側第２クラツド層５ｂおよびｐ形AlxGa1-xAs下
側クラツド層３のそれぞれの屈折率はAlyGa1-y
As活性層４の屈折率よりも低いため、電子・ホ
ール対と光はAlyGa1-yAs上側第１クラツド層５
ａのキヤリア濃度は５×1018c.c.計と高いため、第
５図からわかるように半導体レーザの寿命が向上
する。さらに、AlyGa1-yAs活性層４からｎ形Alx
Ga1-xAS上側第１クラツド層５ａ、ｎ形Alx
Ga1-xAs上側第２クラツド層５ｂへの光の滲み出
しは、従来の半導体レーザにおける活性層から上
側クラツド層への光の滲み出しと同様に行なわれ
光分布１０のようになるが、ｎ形AlxGa1-xAS上
側第１クラツド層５ａの厚みは光分布１０の滲み
出し距離より十分小さくとつてあるので、滲み
出た光の多くはｎ形AlxGa1-xAs上側第２クラツ
ド層５ｂ内に滲み出ることになる。このとき、ｎ
形AlxGa1-xAs上側第２クラツド層５ｂのキヤリ
ア濃度は１×1017c.c.と低いため滲み出た光はこの
上側第２クラツド層に吸収されにくく、縦モード
が単一性モードから多モード性に変化する。この
ため、温度や注入電流の変化、戻光時に生ずるモ
ードホツピング雑音が抑制されＳ／Ｎ特性が改善
される、このように、上側クラツド層をキヤリア
濃度の高い上側第１クラツド層およびキヤリア濃
度の低い上側第２クラツド層から構成することに
よつて、エネルギギヤツプなどの母体材料パラメ
ータに起因する電子・ホール対と光の閉じ込め効
果と、キヤリア濃度に起因する長寿命化・Ｓ／Ｎ
特性向上効果とを独立して得ることができる。
また、上記実施例では、上側クラツド層を上側
第１クラツド層と上側第２クラツド層とから構成
する場合について示したが、下側クラツド層を下
側第１クラツド層と下側第２クラツド層とから構
成するようにしてもよく、この場合にも上記実施
例と同様の効果を奏する。
第１クラツド層と上側第２クラツド層とから構成
する場合について示したが、下側クラツド層を下
側第１クラツド層と下側第２クラツド層とから構
成するようにしてもよく、この場合にも上記実施
例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、上側クラツド層を上側
第１クラツド層と上側第２クラツド層とから構成
する場合について示したが、上側クラツド層、ま
たは下側クラツド層、または上側クラツド層と下
側クラツド層を多層にし、この多層の各層が、同
一導電形であり、かつ同一母体材料からなり、か
つ互いに異なるキヤリア濃度を有するようにして
もよく、これらの場合にも上記実施例と同様の効
果を奏する。
第１クラツド層と上側第２クラツド層とから構成
する場合について示したが、上側クラツド層、ま
たは下側クラツド層、または上側クラツド層と下
側クラツド層を多層にし、この多層の各層が、同
一導電形であり、かつ同一母体材料からなり、か
つ互いに異なるキヤリア濃度を有するようにして
もよく、これらの場合にも上記実施例と同様の効
果を奏する。
また、この発明は第１図の各層の導電形を反対
の導電形にした半導体レーザについても適用で
き、この場合にも上記実施例と同様の効果を奏す
る。
の導電形にした半導体レーザについても適用で
き、この場合にも上記実施例と同様の効果を奏す
る。
また、上記実施例では、GaAs基板とする
AlGaAs系半導体レーザについて示したが、この
発明は他のタイプの半導体レーザについても適用
できることは言うまでもない。
AlGaAs系半導体レーザについて示したが、この
発明は他のタイプの半導体レーザについても適用
できることは言うまでもない。
また、この発明は半導体レーザの寿命・Ｓ／Ｎ
特性を改善するために適用したが、この発明は注
入キヤリアの拡散長を変えたり、不純物拡散プロ
フアイルを変えたりするときにも適用することが
できる。
特性を改善するために適用したが、この発明は注
入キヤリアの拡散長を変えたり、不純物拡散プロ
フアイルを変えたりするときにも適用することが
できる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、モードホツピ
ング雑音の抑制すなわちＳ／Ｎ特性の改善と長寿
命化とを同時に達成できる半導体レーザを得るこ
とができる。
ング雑音の抑制すなわちＳ／Ｎ特性の改善と長寿
命化とを同時に達成できる半導体レーザを得るこ
とができる。
第１図は、この発明の実施例である半導体レー
ザを示す断面図である。第２図は、従来の半導体
レーザを示す断面図である。第３図は、半導体レ
ーザにおける戻光率に対するＳ／Ｎ特性を示す図
である。第４図は、半導体レーザにおける上側ク
ラツド層キヤリア濃度に対する縦モード特性を示
す図である。第５図は、半導体レーザにおける上
側クラツド層キヤリア濃度に対する寿命特性を示
す図である。 図において、１はｐ形GaAs基板、２はｎ形
GaAs電流ブロツク層、３はｐ形AlxGa1-xAs下側
クラツド層、４はAlyGa1-yAs活性層、５ａはｎ
形AlxGa1-xAs上側第１クラツド層、５ｂはｎ形
AlxGa1-xAs上側第２クラツド層、６はｎ形GaAs
コンタクト層、７は上側電極、８は下側電極、９
はＶ字形溝、１０は光分布である。なお、各図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
ザを示す断面図である。第２図は、従来の半導体
レーザを示す断面図である。第３図は、半導体レ
ーザにおける戻光率に対するＳ／Ｎ特性を示す図
である。第４図は、半導体レーザにおける上側ク
ラツド層キヤリア濃度に対する縦モード特性を示
す図である。第５図は、半導体レーザにおける上
側クラツド層キヤリア濃度に対する寿命特性を示
す図である。 図において、１はｐ形GaAs基板、２はｎ形
GaAs電流ブロツク層、３はｐ形AlxGa1-xAs下側
クラツド層、４はAlyGa1-yAs活性層、５ａはｎ
形AlxGa1-xAs上側第１クラツド層、５ｂはｎ形
AlxGa1-xAs上側第２クラツド層、６はｎ形GaAs
コンタクト層、７は上側電極、８は下側電極、９
はＶ字形溝、１０は光分布である。なお、各図中
同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１導電型クラツド層と、前記第１導電型ク
ラツド層の上に形成された活性層と、前記活性層
の上に形成された第２導電型クラツド層とから構
成されるダブルヘテロ構造を有し、前記第１導電
型クラツド層、前記活性層および前記第２導電型
クラツド層の各々が少なくともAl、CaおよびAs
を含む半導体層である半導体レーザにおいて、 前記第１導電型クラツド層および前記第２導電
型クラツド層のうち、少なくとも一方は第１クラ
ツド層と第２クラツド層を含み、 前記第１クラツド層は前記活性層側に位置し、 前記第１クラツド層と前記第２クラツド層は同
種の不純物を含み、 前記第１クラツド層に含まれる前記同種の不純
物の濃度は、前記第２クラツド層に含まれる前記
同種の不純物の濃度よりも高いことを特徴とす
る、半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16459585A JPS6223192A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16459585A JPS6223192A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223192A JPS6223192A (ja) | 1987-01-31 |
| JPH0528515B2 true JPH0528515B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=15796164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16459585A Granted JPS6223192A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223192A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2447362A2 (en) | 2002-03-27 | 2012-05-02 | Kao Corporation | Alkaline cellulase variants |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189188A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JP2561802Y2 (ja) * | 1990-05-29 | 1998-02-04 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103385A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-26 | Sharp Corp | Semiconductor laser element |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP16459585A patent/JPS6223192A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2447362A2 (en) | 2002-03-27 | 2012-05-02 | Kao Corporation | Alkaline cellulase variants |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223192A (ja) | 1987-01-31 |
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